WO2020004309A1 - 試料保持具 - Google Patents

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誠也 才所
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京セラ株式会社
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    • H05B3/74Non-metallic plates, e.g. vitroceramic, ceramic or glassceramic hobs, also including power or control circuits
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    • H05B3/748Resistive heating elements, i.e. heating elements exposed to the air, e.g. coil wire heater

Definitions

  • the present disclosure relates to a sample holder.
  • a sample holder used in a semiconductor manufacturing apparatus or the like for example, a sample holder disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2016-103560 (hereinafter, referred to as Patent Document 1) is known.
  • the sample holder includes a ceramic substrate having a sample holding surface on an upper surface, a heating resistor provided on a lower surface of the ceramic substrate, and a metal support bonded to a lower surface of the ceramic substrate via a bonding layer.
  • the configuration is known.
  • the sample holder of the present disclosure includes a ceramic substrate having one main surface serving as a sample holding surface, a heating resistor provided inside or on the other main surface of the ceramic substrate, and the other main surface of the ceramic substrate.
  • a metal member having a through-hole that is provided on one main surface and the other main surface, and the other main surface of the ceramic substrate and the one main surface of the metal member.
  • a lead terminal inserted into the metal member, provided inside the adhesive layer, electrically connecting the heating resistor and the lead terminal, and forming the ceramic substrate.
  • a conductive portion having a region apart from the other main surface and extending in a direction along the other main surface; a metal bonding member for bonding the conductive portion and the lead terminal; Low conductivity , And a, and the low thermal conductive member which covers the joining member.
  • the sample holder 10 includes the ceramic substrate 1 whose one main surface is the sample holding surface 11.
  • the ceramic substrate 1 has, for example, a circular outer peripheral shape when viewed in a plan view, and is formed in a disk shape having a diameter similar to that of the held object.
  • the ceramic substrate 1 has a sample holding surface 11 for holding an object to be held on one main surface (upper surface).
  • oxide ceramics such as alumina, sapphire, alumina-titania composite material or barium titanate, or nitride ceramics such as aluminum nitride can be used.
  • the dimensions of the ceramic substrate 1 can be set, for example, to a diameter of 200 mm to 500 mm and a thickness of 2 mm to 15 mm.
  • the sample holder 10 holds an object to be held (sample) such as a silicon wafer, and is, for example, an electrostatic chuck.
  • the ceramic substrate 1 has an electrode for electrostatic attraction inside.
  • the electrode for electrostatic attraction has, for example, a material such as platinum or tungsten.
  • a lead wire is connected to the electrode for electrostatic attraction.
  • the electrode for electrostatic attraction is connected to a power supply via this lead wire.
  • the object to be held (sample) adsorbed on the sample holding surface 11 is connected to the ground. As a result, an electrostatic attraction force is generated between the electrostatic chucking electrode and the object to be held, and the object to be held (sample) can be sucked and fixed to the sample holding surface 11.
  • a heating resistor 2 is provided inside the ceramic substrate 1 or on the other main surface. In the sample holder 10 of the embodiment shown in FIG. 1, the heating resistor 2 is provided on the other main surface (lower surface) of the ceramic substrate 1.
  • the heating resistor 2 is a member for heating the sample held on the sample holding surface 11 which is one main surface (upper surface) of the ceramic substrate 1.
  • the heating resistor 2 is electrically connected to the lead terminal 5 through a conductive portion 6 described later, and the heating resistor 2 can generate heat by flowing a current through the heating resistor 2 through these. .
  • the heat generated by the heating resistor 2 travels inside the ceramic substrate 1 and reaches the sample holding surface 11. Thereby, the sample held on the sample holding surface 11 can be heated.
  • the heating resistor 2 is a linear pattern having a plurality of folded portions, and is provided on almost the entire other main surface (lower surface) of the ceramic substrate 1. Further, the heating resistor 2 has a pattern shape that is optimally designed to improve heat uniformity.
  • the dimensions of the heating resistor 2 are designed according to the required resistance and electric power. For example, the width of the heating resistor 2 is set to 0.1 mm to 10 mm, the thickness is set to 10 ⁇ m to 5 mm, and the length is set to 50 mm to 5 m. Thereby, it is possible to suppress a variation in heat distribution on one main surface (upper surface) of the sample holder 10.
  • the heating resistor 2 contains a conductor component such as silver, palladium, platinum, aluminum, and gold.
  • the heating resistor 2 may include a glass component. Examples of the glass component include oxides of materials such as silicon, aluminum, bismuth, calcium, boron, and zinc.
  • the conductor component may be tungsten, tungsten carbide, or the like.
  • the following method can be used for controlling the temperature of the sample holder 10.
  • the temperature can be measured by bringing a thermocouple into contact with the ceramic substrate 1.
  • the temperature of the heating resistor 2 can also be measured by measuring the resistance by bringing a resistance temperature sensor into contact with the ceramic substrate 1.
  • the heat generation of the heating resistor 2 is controlled so that the temperature of the sample holder 10 becomes constant. Can be controlled.
  • the metal member 3 is provided so as to cover the other main surface of the ceramic substrate 1. Further, the metal member 3 has a through hole 31 that is opened on one main surface and the other main surface.
  • the metal member 3 is provided to support the ceramic substrate 1.
  • the metal member 3 covers the other main surface such that one main surface (upper surface) faces the other main surface (lower surface) of the ceramic substrate 1.
  • the other main surface (lower surface) of ceramic substrate 1 and one main surface (upper surface) of metal member 3 are joined by adhesive layer 4.
  • the “metal” of the metal member 3 includes a composite material of ceramic and metal, a composite material made of fiber-reinforced metal, and the like.
  • the metal constituting the metal member 3 may be aluminum (Al), copper (Cu), stainless steel, or the like. Nickel (Ni) or an alloy of these metals can be used.
  • the metal member 3 has, for example, a circular outer peripheral shape in plan view and is formed in a disk shape having a diameter substantially equal to that of the ceramic substrate 1.
  • the metal member 3 has a thickness of, for example, 10 mm to 100 mm.
  • the metal member 3 has a through hole 31 opened on one main surface (upper surface) and the other main surface (lower surface), and the lead terminals 5 are provided so as to pass through the inside of the through hole 31. Has been. In other words, the lead terminal 5 is inserted into the metal member 3.
  • the shape of the through hole 31 is, for example, a shape in which the internal space is cylindrical.
  • the diameter of the through hole 31 can be set to, for example, 0.1 mm to 10 mm.
  • the lead terminal 5 has one end connected to the conduction portion 6 and the other end connected to an external power supply.
  • a metal material having electrical conductivity such as nickel can be used as the lead terminal 5, for example.
  • the metal member 3 may include a flow path for circulating a heat medium such as a gas or a liquid.
  • a heat medium such as a gas or a liquid.
  • a liquid such as water or silicone oil or a gas such as helium (He) or nitrogen (N 2 ) can be used as the heat medium.
  • An adhesive layer 4 is provided between the other main surface of the ceramic substrate 1 and one main surface of the metal member 3 to bond them.
  • the other main surface (lower surface) of the ceramic substrate 1 and one main surface (upper surface) of the metal member 3 are joined by the adhesive layer 4.
  • the adhesive layer 4 has a polymer material.
  • the polymer material include an epoxy resin and a silicone resin.
  • the adhesive layer may have a filler dispersed in the polymer material in addition to the polymer material.
  • the filler for example, ceramic particles can be used.
  • the ceramic particles for example, alumina or aluminum nitride can be used.
  • the thickness of the adhesive layer 4 can be set to, for example, 0.05 mm to 2.0 mm.
  • the sample holder 10 may have a through hole penetrating from the upper surface of the ceramic substrate 1 through the adhesive layer 4 to the lower surface of the metal member 3.
  • the sample holder 10 includes the conducting portion 6 provided inside the adhesive layer 4.
  • the conducting portion 6 is made of a metal material having electrical conductivity, such as copper or aluminum.
  • the conducting portion 6 electrically connects the heating resistor 2 and the lead terminal 5, and has one end connected to the heating resistor 2 and the other end connected to the lead terminal 5.
  • the conducting portion 6 has a region extending away from the other main surface of the ceramic substrate 1 and extending in a direction along the other main surface. Specifically, it has a portion along the lower surface of the ceramic substrate 1 and a portion extending in the vertical direction.
  • a portion of the conductive portion 6 along the lower surface of the ceramic substrate for example, a metal plate, a metal foil, or the like can be used.
  • a portion of the conductive portion 6 extending in the vertical direction electrically connects the heating resistor 2 and a portion of the conductive portion 6 along the lower surface of the ceramic substrate 1.
  • a via-hole conductor, a metal foil Etc. can be used.
  • the sample holder 10 includes a metal joining member 7 for joining the conducting portion 6 and the lead terminal 5.
  • the conductive portion 6 and the lead terminal 5 are electrically connected by the joining member 7.
  • the joining member 7 for example, solder, brazing material, or the like having electrical conductivity can be used.
  • the joining member 7 is covered with the low heat conductive member 8.
  • the low heat conductive member 8 includes a material having a lower thermal conductivity than the adhesive layer 4.
  • the thickness of the low thermal conductive member 8 is, for example, 0.01 mm to 0.1 mm.
  • the thermal conductivity of the adhesive layer 4 and the low thermal conductive member 8 is sampled and measured by a laser flash method (apparatus name: laser flash method thermophysical property measuring apparatus, company name: Kyoto Electronics Industry Co., Ltd., model number: LFA502). Can be measured.
  • a laser flash method Appatus name: laser flash method thermophysical property measuring apparatus, company name: Kyoto Electronics Industry Co., Ltd., model number: LFA502.
  • the low heat conductive member 8 may be an insulating material.
  • the insulating property around the joining member 7 can be improved.
  • the adhesive layer 4 contains epoxy resin as a main component (having the highest content)
  • polyimide, fluororesin, or graphite is used.
  • silicone resin is used as the main component (having the highest content)
  • Polyimide, fluorine resin, and graphite are used.
  • the low thermal conductive member 8 may be made of a material having a lower elastic modulus than the joining member 7. Thereby, the stress applied to the joining member 7 can be buffered by the low thermal conductive member 8, and the durability can be improved.
  • the low heat conductive member 8 may cover a part of a region of the conduction portion 6 extending in a direction along the other main surface of the ceramic substrate 1, but as shown in FIG. 2.
  • the low heat conductive member 8 may cover at least the entire region of the conductive portion 6 extending in the direction along the other main surface of the ceramic substrate 1, and the low heat conductive member 8 may be the other of the ceramic substrate 1 in the conductive portion 6.
  • the low heat conductive member 8 covers the heat pull generated due to the higher thermal conductivity than the surrounding adhesive layer 4. And the thermal conductivity with the surrounding adhesive layer 4 approaches, so that the influence of heat on the sample holding surface 11 is suppressed, and the uniformity of the sample holding surface 11 is improved.
  • a method for manufacturing the sample holder 10 will be described.
  • alumina ceramics will be described as an example, other ceramic materials such as aluminum nitride ceramics can be manufactured by the same method.
  • a predetermined amount of alumina powder as a main raw material is weighed and wet-pulverized and mixed in a ball mill together with balls made of metal or ceramics with ion-exchanged water, an organic solvent or the like or an organic dispersant for 24 to 72 hours.
  • a predetermined amount of an organic binder such as polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral or an acrylic resin and a plasticizer and an antifoaming agent as auxiliary organic materials are added to the raw material slurry thus pulverized and mixed, and further mixed for 24 to 48 hours.
  • the mixed organic-inorganic mixed slurry is formed into a ceramic green sheet by a doctor blade method, a calendar roll method, a press molding method, an extrusion molding method, or the like.
  • a paste-like electrode material such as platinum or tungsten for forming the electrostatic chucking electrode is printed and formed by a known screen printing method or the like.
  • a hole for embedding a via hole conductor of ⁇ 0.1 mm to 0.8 mm is provided by laminating 3 to 10 ceramic green sheets using a drilling machine or the like.
  • a paste-like electrode material is embedded in the hole to form a via-hole conductor.
  • a first conductor pattern having a diameter of 1 mm to 2 mm and a thickness of 20 ⁇ m to 30 ⁇ m is printed and formed directly below the via-hole conductor using a paste-like electrode material.
  • a second conductive pattern having a diameter of 5 mm to 15 mm and a size of 20 ⁇ m to 30 ⁇ m is printed and formed on the first conductive pattern formed by the printing using a paste-like electrode material.
  • the ceramic green sheet in which the first conductor pattern and the second conductor pattern are formed, the ceramic green sheet in which the via-hole conductor is embedded, and the green sheet in which the paste-like electrode material is not printed and formed are stacked.
  • the lamination may be performed at a predetermined temperature while applying a pressure equal to or higher than the yield stress value of the ceramic green sheets.
  • a known technique such as a uniaxial pressing method or an isotropic pressing method (dry method, wet method) may be applied.
  • the obtained laminate is fired at a predetermined temperature and in an atmosphere to produce a ceramic substrate 1 in which electrodes for electrostatic attraction are provided.
  • the ceramic substrate 1 is processed into a predetermined shape and thickness using a machining center, a rotary processing machine or a cylindrical grinder.
  • the heating resistor 2 is provided inside or on the back surface (the other main surface) of the ceramic substrate 1.
  • the heat generating resistor 2 is a member for generating Joule heat by applying a current to heat an object to be heated.
  • the heating resistor 2 is provided inside the ceramic substrate 1, it is formed in the same manner as the electrostatic attraction electrode.
  • the heating resistor 2 preferably contains a conductor component and a glass component.
  • the conductor component includes, for example, a metal material such as silver palladium, platinum, aluminum or gold. In order to prevent the glass component from foaming, a metal that can be sintered in the air may be selected as the metal material.
  • the glass component includes oxides of materials such as silicon, aluminum, bismuth, calcium, boron, and zinc.
  • a concave portion for power supply is provided such that a part of the electrostatic attraction electrode is exposed by a machining center or a drilling machine.
  • the metal member 3 made of aluminum or the like and the ceramic substrate 1 are joined.
  • the heating resistor 2 is provided on the back surface (the other main surface) of the ceramic substrate 1, an epoxy resin paste is applied to the back surface of the ceramic substrate 1, and an excess resin paste is removed with a squeegee or the like and hardened.
  • the power supply portions at both ends of the heating resistor 2 are sealed to prevent the resin paste from adhering to the power supply portions.
  • the first layer of the adhesive layer 4 is formed by processing with good flatness by rotary processing or the like.
  • the conductive portion 6 having a metal foil such as copper or aluminum is disposed.
  • the conductive portion 6 is connected to the heating resistor 2 at a portion extending in the vertical direction by solder or the like.
  • wiring to a region connectable to the lead terminal 5 is performed.
  • One end of a portion of the conductive portion 6 along the lower surface of the ceramic substrate 1 is connected to a vertically extending portion, and the other end of the portion along the lower surface of the ceramic substrate 1 is connected to the lead terminals 5 by solder or the like.
  • the joint is covered with a low heat conductive member 8 having a lower thermal conductivity than the surrounding adhesive layer.
  • the thermal conductivity of the solder and the low thermal conductive member 8 is the same as the thermal conductivity of the adhesive layer 4.
  • the metal member 3 made of aluminum or the like and the ceramic substrate 1 are joined.
  • a silicone paste to be the second layer of the adhesive layer 4 is applied to the metal member 3, excess silicone paste is removed with a squeegee or the like, and the ceramic substrate 1 is adhered to the metal member 3 in a vacuum and pressed to a predetermined thickness. Cur at 100 ° C. for 2 hours.
  • the adhesive to be the adhesive layer 4 may be cured at room temperature by adding a catalyst or the like. At this time, they are aligned and bonded so that the lead terminals 5 are inserted into the through holes 31 provided in the metal member 3.
  • the sample holder of the present embodiment can be manufactured.

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Abstract

本開示の試料保持具10は、例えば板状のセラミック基板1と、発熱抵抗体2と、セラミック基板1の他方の主面を覆う金属部材3と、セラミック基板1と金属部材3とを接着する接着層4と、リード端子5と、接着層4の内部に設けられており、発熱抵抗体2とリード端子5とを電気的に接続する導通部6と、導通部6およびリード端子5を接合する接合部材7とを有する。接合部材7は、接着層4よりも熱伝導率が小さい低熱伝導部材8によって覆われている。

Description

試料保持具
 本開示は、試料保持具に関するものである。
 半導体製造装置等に用いられる試料保持具として、例えば、特開2016-103560号公報(以下、特許文献1という)に開示の試料保持具が知られている。試料保持具は、上面に試料保持面を有するセラミック基体と、セラミック基体の下面に設けられた発熱抵抗体と、セラミック基体の下面に接合層を介して接合された金属製の支持体とを備える構成が知られている。
 本開示の試料保持具は、一方の主面が試料保持面であるセラミック基板と、該セラミック基板の内部または他方の主面に設けられた発熱抵抗体と、前記セラミック基板の前記他方の主面を覆うように設けられており、一方の主面と他方の主面とに開口する貫通孔を有する金属部材と、前記セラミック基板の前記他方の主面と前記金属部材の前記一方の主面とを接着する接着層と、前記金属部材に挿入されたリード端子と、前記接着層の内部に設けられており、前記発熱抵抗体と前記リード端子とを電気的に接続するとともに、前記セラミック基板の前記他方の主面から離れて、前記他方の主面に沿った方向に伸びる領域を有する導通部と、前記導通部および前記リード端子を接合する金属製の接合部材と、前記接着層よりも熱伝導率が小さく、前記接合部材を覆う低熱伝導部材と、を備えている。
試料保持具の一例を示す断面図である。 試料保持具の他の例を示す断面図である。
 以下、試料保持具10について図面を参照して説明する。
 図1に示すように、試料保持具10は、一方の主面が試料保持面11であるセラミック基板1を備えている。セラミック基板1は、例えば平面視したときの外周形状が円形状であり、被保持物と同程度の径を有する円板状に形成されている。セラミック基板1は、一方の主面(上面)に被保持物を保持する試料保持面11を有している。セラミック基板1の材質としては、アルミナ、サファイア、アルミナ-チタニア複合材またはチタン酸バリウムのような酸化物系セラミックスあるいは窒化アルミニウム等の窒化物系セラミックスを用いることができる。セラミック基板1の寸法は、例えば、直径を200mm~500mm、厚みを2mm~15mmに設定できる。
 ここで、試料保持具10は、シリコンウェハ等の被保持物(試料)を保持するもので、例えば静電チャックである。このとき、セラミック基板1は内部に静電吸着用電極を有する。静電吸着用電極は、例えば、白金またはタングステン等の材料を有している。静電吸着用電極にはリード線が接続されている。静電吸着用電極は、このリード線を介して、電源に接続されている。一方、試料保持面11に吸着される被保持物(試料)は、アースに接続されている。これにより、静電吸着用電極と被保持物との間に静電吸着力が発生して、被保持物(試料)を試料保持面11に吸着固定できる。
 セラミック基板1の内部または他方の主面には、発熱抵抗体2が設けられている。図1に示す形態の試料保持具10においては、発熱抵抗体2はセラミック基板1の他方の主面(下面)に設けられている。
 発熱抵抗体2は、セラミック基板1の一方の主面(上面)である試料保持面11に保持された試料を加熱するための部材である。発熱抵抗体2は、後述する導通部6を通してリード端子5と電気的に接続されており、これらを介してこの発熱抵抗体2に電流を流すことで、発熱抵抗体2を発熱させることができる。発熱抵抗体2で発せられた熱は、セラミック基板1の内部を伝わって試料保持面11に到達する。これにより、試料保持面11に保持された試料を加熱することができる。
 発熱抵抗体2は、複数の折り返し部を有する線状のパターンであって、セラミック基板1の他方の主面(下面)のほぼ全面に設けられている。また、発熱抵抗体2は、均熱性を向上させるために最適に設計されたパターン形状を持っている。要求される抵抗や電力量で発熱抵抗体2の寸法が設計され、例えば、発熱抵抗体2の幅は0.1mm~10mm、厚みは10μm~5mm、長さは50mm~5mに設定される。これにより、試料保持具10の一方の主面(上面)において熱分布にばらつきが生じることを抑制できる。
 発熱抵抗体2は、例えば銀、パラジウム、白金、アルミニウム、金等の導体成分を含んでいる。また、発熱抵抗体2はガラス成分を含んでいてもよい。ガラス成分としては、ケイ素、アルミニウム、ビスマス、カルシウム、ホウ素および亜鉛等の材料の酸化物を挙げることができる。なお、発熱抵抗体2がセラミック基板1の内部に設けられる場合は、導体成分はタングステン、または炭化タングステン等であってもよい。
 ここで、試料保持具10の温度制御には以下の方法を用いることができる。具体的には、セラミック基板1に熱電対を接触させることによって温度を測定できる。また、セラミック基板1に、測温抵抗体を接触させて抵抗を測定することによっても発熱抵抗体2の温度を測定できる。以上のようにして測定した発熱抵抗体2の温度に基づいて、発熱抵抗体2に印加する電圧を調整することによって、試料保持具10の温度が一定になるように発熱抵抗体2の発熱を制御することができる。
 そして、セラミック基板1の他方の主面を覆うように金属部材3が設けられている。また、金属部材3は一方の主面と他方の主面とに開口する貫通孔31を有している。
 金属部材3は、セラミック基板1を支持するために設けられている。この金属部材3は、一方の主面(上面)がセラミック基板1の他方の主面(下面)に対向するように当該他方の主面を覆っている。具体的には、セラミック基板1の他方の主面(下面)と金属部材3の一方の主面(上面)とが、接着層4によって接合されている。ここでいう金属部材3の「金属」とは、セラミックスと金属との複合材料,繊維強化金属等から成る複合材料も含んでいる。一般的に、ハロゲン系の腐食性ガス等に曝される環境下において試料保持具10を用いる場合には、金属部材3を構成する金属として、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、ステンレス鋼またはニッケル(Ni)あるいはこれらの金属の合金を使用することができる。
 金属部材3は、例えば平面視したときの外周形状が円形状であり、セラミック基板1と同程度の径を有する円板状に形成されている。金属部材3は、例えば10mm~100mmの厚さである。また金属部材3は、一方の主面(上面)と他方の主面(下面)とに開口する貫通孔31を有していて、この貫通孔31の内部を通過するようにリード端子5が設けられている。言い換えると、リード端子5が金属部材3に挿入されている。貫通孔31の形状は、例えば内部空間が円柱状となる形状である。貫通孔31の直径は、例えば0.1mm~10mmに設定することができる。
 リード端子5は、一端が導通部6に接続されるとともに、他端が外部電源に接続されている。リード端子5としては、例えば、ニッケル等の電気伝導性を有する金属材料を用いることができる。
 なお、金属部材3は、気体または液体等の熱媒体を循環させるための流路を備えていてもよい。この場合には、熱媒体として水またはシリコーンオイル等の液体あるいはヘリウム(He)または窒素(N2)等の気体を用いることができる。
 セラミック基板1の他方の主面と金属部材3の一方の主面との間には、これらを接着する接着層4が設けられている。言い換えると、セラミック基板1の他方の主面(下面)と金属部材3の一方の主面(上面)とが、接着層4によって接合されている。
 接着層4は、高分子材料を有している。高分子材料として、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂を有している。接着層は、高分子材料以外に、高分子材料中に分散されたフィラーを有していてもよい。フィラーとしては、例えば、セラミック粒子を用いることができる。セラミック粒子としては、例えば、アルミナまたは窒化アルミニウム等を用いることができる。
 接着層4の厚みは、例えば0.05mm~2.0mmに設定することができる。ここで、試料保持具10は、セラミック基板1の上面から接着層4を通って金属部材3の下面まで貫通する貫通孔を有していてもよい。
 試料保持具10は、接着層4の内部に設けられた導通部6を備えている。導通部6は、例えば銅、アルミニウム等の電気伝導性を有する金属材料で構成されている。導通部6は、発熱抵抗体2とリード端子5とを電気的に接続し、一端が発熱抵抗体2に接続されるとともに、他端がリード端子5に接続されている。導通部6は、セラミック基板1の他方の主面から離れて、当該他方の主面に沿った方向に伸びる領域を有している。具体的には、セラミック基板1の下面に沿った部分と、上下方向に伸びた部分とを有している。導通部6のうちセラミック基板1の下面に沿った部分としては、例えば金属板、金属箔などを用いることができる。また、導通部6のうち上下方向に伸びた部分は、発熱抵抗体2と導通部6のうちセラミック基板1の下面に沿った部分とを電気的に接続するもので、例えばビアホール導体、金属箔などを用いることができる。
 また、試料保持具10は、導通部6とリード端子5とを接合する金属製の接合部材7を備えている。
 導通部6とリード端子5とは接合部材7で電気的に接続されている。接合部材7としては、電気伝導性を有する例えばはんだ,ろう材等を用いることができる。
 そして、接合部材7は低熱伝導部材8で覆われている。この低熱伝導部材8は、接着層4よりも熱伝導率が小さい材料を有する。低熱伝導部材8の厚みは、例えば0.01mm~0.1mmとされる。
 本開示の試料保持具10は、このような構成により、接合部材7から熱が逃げ難くなるため、試料保持面11の均熱性を高めることができる。
 なお、接着層4および低熱伝導部材8の熱伝導率は、これらをサンプリングし、レーザーフラッシュ法(装置名:レーザーフラッシュ法熱物性測定装置、会社名:京都電子工業株式会社、型番:LFA502)で測定できる。
 ここで、低熱伝導部材8が絶縁性の材料であってもよい。これにより、接合部材7の周辺の絶縁性を向上させることができる。例えば、接着層4がエポキシ樹脂を主成分(最も含有量が多い)とするときにはポリイミド、フッ素樹脂、グラファイトが用いられ、接着層4がシリコーン樹脂を主成分(最も含有量が多い)とするときにはポリイミド、フッ素樹脂、グラファイトが用いられる。
 また、低熱伝導部材8は、接合部材7よりも弾性率が小さい材料であってもよい。これにより、接合部材7にかかる応力を低熱伝導部材8で緩衝させることができ、耐久性を向上させることができる。
 また、図1に示すように、低熱伝導部材8が導通部6におけるセラミック基板1の他方の主面に沿った方向に伸びる領域の一部を覆っていてもよいが、図2に示すように、低熱伝導部材8が少なくとも導通部6におけるセラミック基板1の他方の主面に沿った方向に伸びる領域の全体を覆っていてもよく、低熱伝導部材8が導通部6におけるセラミック基板1の他方の主面に沿った方向に伸びる領域の全体まで覆うことにより、例えば導通部6が金属を有する場合、周囲の接着層4より熱伝導率が高いため発生する熱引きを低熱伝導部材8で覆うことができ、周囲の接着層4との熱伝導率に近づくので、試料保持面11への熱の影響を抑え、試料保持面11の均熱性が向上する。
 以下、試料保持具10の製造方法について説明する。なお、アルミナセラミックスを例に説明するが、窒化アルミニウムセラミックス等の他のセラミック材料の場合であっても同様の方法で作製できる。
 まず、主原料となるアルミナ粉末を所定量秤量し、ボールミル中でイオン交換水、有機溶媒等または有機分散剤と金属またはセラミックスからなるボールと共に24~72Hr湿式粉砕混合をする。
 こうして粉砕混合した原料スラリー中に、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールまたはアクリル樹脂等の有機バインダーおよび補助的な有機材料として可塑剤ならびに消泡剤を所定量添加し、さらに24~48Hr混合する。混合された有機-無機混合スラリーを、ドクターブレード法、カレンダーロール法、プレス成形法または押し出し成形法などによってセラミックグリーンシートに成形する。
 そして、静電吸着用電極を成形するための白金またはタングステン等のペースト状電極材料を公知のスクリーン印刷法等により印刷成形する。また、セラミックグリーンシートを3~10枚積層しボール盤などでφ0.1mm~0.8mmのビアホール導体を埋め込む穴を設ける。その穴にペースト状電極材料を埋め込み、ビアホール導体を成形する。更に、ビアホール導体の直下にφ1mm~2mmで厚み20μm~30μmの第1の導体パターンをペースト状電極材料を用いて印刷成形する。更に、前記印刷にて成形した第1の導体パターンの上に、φ5mm~15mmで20μm~30μmの第2の導体パターンをペースト状電極材料を用いて印刷成形する。
 ここで、第1の導体パターンおよび第2の導体パターンを成形したセラミックグリーンシートとビアホール導体が埋め込まれたセラミックグリーンシートとペースト状電極材料が印刷成形されていないグリーンシートとを重ねて積層する。積層に際しては、セラミックグリーンシートの降伏応力値以上の圧力を印加しながら、所定の温度で積層すればよい。圧力印加手法としては、一軸プレス法または等方加圧法(乾式、湿式法)等の公知の技術を応用すればよい。
 次に、得られた積層体を所定の温度、雰囲気中にて焼成して、内部に静電吸着用電極が設けられたセラミック基板1を作製する。
 次に、セラミック基板1をマシニングセンター、ロータリー加工機または円筒研削盤を用いて所定の形状、厚みに加工する。
 更に、発熱抵抗体2をセラミック基板1の内部または裏面(他方の主面)に設ける。発熱抵抗体2は電流を通電することでジュール発熱を生じ、被加熱対象を加熱するための部材である。発熱抵抗体2をセラミック基板1の内部に設ける場合は、静電吸着用電極と同様の方法で形成する。発熱抵抗体2をセラミック基板1の裏面に設ける場合は、発熱抵抗体2は導体成分およびガラス成分を含んでいるものが良い。導体成分としては、例えば銀パラジウム、白金、アルミニウムまたは金等の金属材料を含んでいる。ガラス成分が発泡してしまうことを抑制するために、金属材料としては大気中で焼結可能な金属を選択してもよい。また、ガラス成分としては、ケイ素、アルミニウム、ビスマス、カルシウム、ホウ素および亜鉛等の材料の酸化物を含んでいる。
 次に、セラミック基板1の試料保持面11とは異なる裏面(他方の主面)に、マシニングセンターまたはボール盤などで静電吸着用電極の一部が露出するような給電用の凹部を設ける。
 更に、アルミニウム等で作製された金属部材3とセラミック基板1とを接合する。発熱抵抗体2がセラミック基板1の裏面(他方の主面)に設けられている場合、セラミック基板1の裏面にエポキシ系の樹脂ペーストを塗布し、スキージ等で余分な樹脂ペーストを除去し硬化させる。ここで、発熱抵抗体2の両端の給電部は目止めをして樹脂ペーストが給電部に付着しないようにしておく。次に、ロータリー加工等で平面度よく加工し、接着層4の第1層を形成する。
 次に、接着層4の第1層の上に銅やアルミニウム等の例えば金属箔を有する導通部6を配置する。導通部6は、上下方向に伸びた部分において発熱抵抗体2との接続をはんだなどで行なう。また、セラミック基板1の下面に沿った部分において、リード端子5と接続可能な領域への引き回しを行なっている。導通部6のうちセラミック基板1の下面に沿った部分の一端が上下方向に伸びた部分に接続されていて、セラミック基板1の下面に沿った部分の他端は、リード端子5とはんだなどで接合する。そして、その接合部を周囲の接着層よりも熱伝導率が小さい低熱伝導部材8で覆う。具体的にはポリイミド等の耐熱性の高い部材で覆う。ここで、はんだと低熱伝導部材8の合成熱伝導率が接着層4の熱伝導率と同じだとなお良い。熱伝導率を合わせることにより、セラミック基板1からの熱引きが接着層4と接合部とで同じになるので、セラミック基板1の試料保持面11の均熱性が向上する。
 更に、アルミニウム等で作製された金属部材3とセラミック基板1とを接合する。金属部材3に接着層4の第2層となるシリコーンペーストを塗布し、スキージ等で余分なシリコーンペーストを除去し、セラミック基板1を真空中で金属部材3と接着し、所定の厚みまで加圧し、100℃2時間硬化させる。接着層4となる接着材の硬化は触媒などをいれて常温で硬化してもよい。このとき、金属部材3に設けられた貫通孔31にリード端子5を挿入させるように位置合わせして接着する。
 このようにして本実施形態の試料保持具を作製することができる。
1:セラミック基板
2:発熱抵抗体
3:金属部材
31:貫通孔
4:接着層
5:リード端子
6:導通部
7:接合部材
8:低熱伝導部材

Claims (4)

  1.  一方の主面が試料保持面であるセラミック基板と、該セラミック基板の内部または他方の主面に設けられた発熱抵抗体と、前記セラミック基板の前記他方の主面を覆うように設けられており、一方の主面と他方の主面とに開口する貫通孔を有する金属部材と、前記セラミック基板の前記他方の主面と前記金属部材の前記一方の主面とを接着する接着層と、前記金属部材に挿入されたリード端子と、前記接着層の内部に設けられており、前記発熱抵抗体と前記リード端子とを電気的に接続するとともに、前記セラミック基板の前記他方の主面から離れて、前記他方の主面に沿った方向に伸びる領域を有する導通部と、前記導通部および前記リード端子を接合する金属製の接合部材と、前記接着層よりも熱伝導率が小さく、前記接合部材を覆う低熱伝導部材と、を備えている試料保持具。
  2.  前記低熱伝導部材は、絶縁性の材料を有する請求項1に記載の試料保持具。
  3.  前記低熱伝導部材は、前記接合部材よりも弾性率が小さい材料を有する請求項1または請求項2に記載の試料保持具。
  4.  前記低熱伝導部材は、少なくとも前記導通部における前記セラミック基板の前記他方の主面に沿った方向に伸びる領域の全体を覆う請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の試料保持具。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220101349A (ko) 2021-01-11 2022-07-19 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 데이터 기입 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002089530A1 (en) * 2001-05-02 2002-11-07 Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. Ceramic heater with heater element and method for use thereof
JP2008078106A (ja) * 2006-09-19 2008-04-03 Momentive Performance Materials Inc 向上した熱伝導度を有するアセンブリー

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3897563B2 (ja) * 2001-10-24 2007-03-28 日本碍子株式会社 加熱装置
US8525418B2 (en) * 2005-03-31 2013-09-03 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Electrostatic chuck
JP5029257B2 (ja) * 2007-01-17 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置
KR101712538B1 (ko) * 2011-03-23 2017-03-06 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 정전 척 장치
JP6077258B2 (ja) * 2012-10-05 2017-02-08 日本特殊陶業株式会社 積層発熱体、静電チャック、及びセラミックヒータ
JP6321522B2 (ja) * 2014-11-05 2018-05-09 日本特殊陶業株式会社 加熱装置
JP5962833B2 (ja) * 2015-01-16 2016-08-03 Toto株式会社 静電チャック
WO2017188189A1 (ja) * 2016-04-28 2017-11-02 京セラ株式会社 ヒータシステム、セラミックヒータ、プラズマ処理装置及び吸着装置
JP6666809B2 (ja) * 2016-08-08 2020-03-18 新光電気工業株式会社 基板固定装置及びその製造方法
KR102224133B1 (ko) * 2016-12-26 2021-03-08 교세라 가부시키가이샤 시료 유지구
JP7014821B2 (ja) * 2018-01-29 2022-02-01 京セラ株式会社 試料保持具

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002089530A1 (en) * 2001-05-02 2002-11-07 Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. Ceramic heater with heater element and method for use thereof
JP2008078106A (ja) * 2006-09-19 2008-04-03 Momentive Performance Materials Inc 向上した熱伝導度を有するアセンブリー

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