CN101288152A - 接合装置 - Google Patents

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Abstract

一种接合装置,不受热量影响,能维持作为接合对象的晶片的平行度,能提高和稳定两者的接合精度。第一块体部件(12)与第一加压轴(22)之间存在第一空间部(M1),第二块体部件(28)与第二加压轴(42)之间存在第二空间部(M2),因此几乎没有热量从第一块体部件(12)和第二块体部件(28)传递到第一加压轴(22)和第二加压轴(42),能使第一块体部件(12)内部和第二块体部件(28)内部成为大致均匀的温度。第一支柱部件(20)和第二支柱部件(40)挠曲来吸收第一块体部件(12)和第二块体部件(28)的热膨胀与第一加压轴(22)和第二加压轴(42)的热膨胀的差异所产生的应力,能维持第一块体部件(12)的第一晶片(W1)把持面和第二块体部件(28)的第二晶片(W2)把持面的平面度。

Description

接合装置
技术领域
本发明涉及通过热压接将诸如晶片之间等电子元件接合的接合装置。
背景技术
作为以往的芯片热压接工具已知有以下的结构,将陶瓷保持架安装在金属制块体的下端,该块体安装在金属制的工具本体的下端,而且该陶瓷保持架、陶瓷加热器和陶瓷压头相互烧结。该陶瓷保持架的线膨胀系数与陶瓷加热器及陶瓷压头的线膨胀系数大致相同,而且陶瓷保持架和陶瓷压头的传热系数设定成从陶瓷加热器来看越朝陶瓷压头的加压面侧越大且越朝陶瓷保持架的安装面侧越小(参照后述专利文献1)。
采用该芯片热压接工具,在陶瓷保持架、陶瓷加热器、陶瓷压头等小型化的情况下,能使热量难以向工具本体和陶瓷保持架的安装部传递,能消除具有平行调节功能的工具本体因热膨胀引起的伸长、平行度受到破坏(应变)。另外,陶瓷保持架以使传热从陶瓷加热器侧朝着陶瓷保持架安装部逐渐下降的形态烧结而成,并且通过做成热膨胀系数相同或大致相同的层叠结构,能减小相邻叠层之间的温度差(不是急剧地降低热量,而是能逐渐地降低),因而能抑制陶瓷压头、陶瓷加热器、工具本体的热变形。因此,在该层叠结构下,热量容易向芯片加压侧传递,而不容易向具有平行调节功能的工具本体侧传递,又由于热膨胀系数相同或大致相同,因而可消除热量带来的问题,能实现高精度的安装(参照后述专利文献1)。
专利文献1:日本专利特开2000-332061号公报
然而,由于必须制作一边改变传热系数一边进行层叠的烧结体,因此制造工艺复杂。另外,若热膨胀系数相同,则在存在温度梯度之处会产生应变,即使能减小相邻的叠层之间的温度差,也会发生相当量的热变形。因此,虽然在作为对象的工件是较小的芯片时能维持吸附面的平面度,但在将上述现有技术应用于大面积的晶片上时,则难以维持晶片的吸附面的平行度。另外,由于陶瓷加热器与工具本体之间没有被空间绝热,因此即使通过减小材料的传热系数来抑制向工具本体侧的传热,其效果也是有限的,其结果,被加热部分的热容量变得过大。因此,若将上述现有技术应用于大面积的晶片时,存在加热、冷却时间变长的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种不受热量影响、能维持作为接合对象的各电子元件的平行度、能提高和稳定两者的接合精度的接合装置。
解决技术问题所采用的技术方案
技术方案1记载的发明,其特征在于,包括:第一块体部件,其利用一侧端面来把持第一电子元件;第一加压部件,其与所述第一块体部件隔开第一空间部配置并朝规定方向对所述第一块体部件加压;多个棒状的第一挠性部件,其设置在所述第一空间部内,处于与所述第一块体部件的中心同心的圆周上且相互形成等间隔,与所述第一块体部件的另一侧端面连接并将来自所述第一加压部件的加压力传递给所述第一块体部件;第二块体部件,其设置成可与所述第一块体部件相对,利用一侧端面来把持与所述第一电子元件接合的第二电子元件;第二加压部件,其与所述第二块体部件隔开第二空间部配置并朝所述第二块体部件推压所述第一块体部件的方向对所述第二块体部件加压;多个棒状的第二挠性部件,其设置在所述第二空间部内,处于与所述第二块体部件的中心同心的圆周上且相互形成等间隔,其与所述第二块体部件的另一侧端面连接并将来自所述第二加压部件的加压力传递给所述第二块体部件;以及加热部件,其对所述第一块体部件和所述第二块体部件加热。
技术方案2记载的发明是在技术方案1记载的接合装置中,其特征在于,在所述第一块体部件或所述第二块体部件的至少一方上形成有贯通部,该贯通部在厚度方向上贯通所述第一块体部件或所述第二块体部件。
技术方案3记载的发明是在技术方案2记载的接合装置中,其特征在于,所述第一块体部件或所述第二块体部件的厚度方向一侧的所述贯通部的开口面积大于厚度方向另一侧的所述贯通部的开口面积。
技术方案4记载的发明是在技术方案1至3中任一项记载的接合装置中,其特征在于,所述加热部件是加热片,所述第一块体部件包括:把持所述第一电子元件的第一压板部;第一背板部,其与所述第一压板部连接并具有与所述第一压板部的线膨胀系数相同或大致相同的线膨胀系数;以及所述加热片,其与所述第一背板部连接并对所述第一压板部加热,还具有与所述第一压板部的线膨胀系数相同或大致相同的线膨胀系数,所述第二块体部件包括:把持所述第二电子元件的第二压板部;第二背板部,其与所述第二压板部连接并具有与所述第二压板部的线膨胀系数相同或大致相同的线膨胀系数;以及所述加热片,其与所述第二背板部连接并对所述第二压板部加热,还具有与所述第二压板部的线膨胀系数相同或大致相同的线膨胀系数。
技术方案5记载的发明是在技术方案4记载的接合装置中,其特征在于,所述第一压板部和所述第二压板部是导体,所述第一背板部和所述第二背板部是绝缘体。
技术方案6记载的发明是在技术方案4或5记载的接合装置中,其特征在于,在所述第一压板部与所述第一背板部之间形成有供冷却用气体流动的第一冷却用气体流路,在所述第二压板部与所述第二背板部之间形成有供冷却用气体流动的第二冷却用气体流路。
技术方案7记载的发明是在技术方案6记载的接合装置中,其特征在于,所述第一挠性部件使所述冷却用气体在内部流动,兼具将所述冷却用气体向所述第一冷却用气体流路供给的冷却气体供给功能,所述第二挠性部件使所述冷却用气体在内部流动,兼具将所述冷却用气体向所述第二冷却用气体流路供给的冷却气体供给功能。
技术方案8记载的发明是在技术方案4至7中任一项记载的接合装置中,其特征在于,包括:将所述第一电子元件吸附在所述第一压板部上的第一吸附部件;以及将所述第二电子元件吸附在所述第二压板部上的第二吸附部件。
技术方案9记载的发明是在技术方案8记载的接合装置中,其特征在于,所述第一吸附部件包括:形成在所述第一压板部上的多个第一吸附槽;以及使从所述第一吸附槽吸入的空气进行流动的第一中空导管,所述第二吸附部件包括:形成在所述第二压板部上的多个第二吸附槽;以及使从所述第二吸附槽吸入的空气进行流动的第二中空导管。
技术方案10记载的发明是在技术方案9记载的接合装置中,其特征在于,所述第一中空导管通过第一弹性部件与所述第一加压部件连接,所述第二中空导管通过第二弹性部件与所述第二加压部件连接。
技术方案11记载的发明是在技术方案9或10记载的接合装置中,其特征在于,在所述第一加压部件的内部形成有:供向所述第一挠性部件供给的所述冷却用气体进行流动的第一冷却用气体供给流路、以及供从所述第一中空导管流入的空气进行流动的第一空气流路,在所述第二加压部件的内部形成有:供向所述第二挠性部件供给的所述冷却用气体进行流动的第二冷却用气体供给流路、以及供从所述第二中空导管流入的空气进行流动的第二空气流路。
技术方案12记载的发明是在技术方案1至10中任一项记载的接合装置中,其特征在于,在所述第一加压部件的内部形成有第一冷却用流体循环路,该第一冷却用流体循环路用于使冷却所述第一加压部件的冷却用流体进行循环,在所述第二加压部件的内部形成有第二冷却用流体循环路,该第二冷却用流体循环路用于使冷却所述第二加压部件的冷却用流体进行循环。
发明效果
采用技术方案1记载的发明,在利用第一块体部件的一侧端面把持第一电子元件、利用第二块体部件的一侧端面把持第二电子元件的状态下,利用加热部件对第一块体部件和第二块体部件加热。当第一块体部件和第二块体部件加热后,其热量传递到第一电子元件和第二电子元件。第一加压部件对第一块体部件朝规定方向加压。此时,来自第一压力部件的加压力通过设置在第一块体部件与第一加压部件之间的第一空间部内的多个棒状第一挠性部件传递到第一块体部件。同样,第二加压部件对第二块体部件朝规定方向加压。此时,来自第二压力部件的加压力通过设置在第二块体部件与第二加压部件之间的第二空间部内的多个棒状第二挠性部件传递到第二块体部件。第一块体部件和第二块体部件在加压力作用下被相互推压。由此,第一电子元件和第二电子元件在被加热的状态下相互被推压而接合。
在此,当第一块体部件和第二块体部件加热后,第一块体部件和第二块体部件热膨胀,但由于不使用绝热材料,在第一块体部件与第一加压部件之间存在第一空间部,第二块体部件与第二加压部件之间存在第二空间部,因此几乎所有欲从第一块体部件和第二块体部件传递到第一加压部件和第二加压部件的热量都被第一空间部和第二空间部绝热。由此,能使第一块体部件内部和第二块体部件内部分别成为大致均匀的温度。另外,在第一电子元件与第二电子元件接触时,能使第一块体部件、第二块体部件、第一电子元件、第二电子元件作为整体成为大致均匀的温度。其结果,第一块体部件的对第一电子元件的把持面和第二块体部件的对第二电子元件的把持面能分别维持平面度。
即使在第一块体部件和第二块体部件被加热的情况下,由于存在第一空间部和第二空间部,因此从第一块体部件和第二块体部件传递给第一加压部件和第二加压部件的热量减少。由此,被加热部件加热的部分实际上局限于第一块体部件、第二块体部件、第一电子元件、第二电子元件,被加热部分的热容量减小,可缩短加热、冷却第一电子元件和第二电子元件所需的时间,从而可提高接合装置的运行效率。
另一方面,第一挠性部件和第二挠性部件能分别挠曲来吸收第一块体部件和第二块体部件的热膨胀与第一加压部件和第二加压部件的热膨胀之间的差异所产生的应力。即,由于第一挠性部件和第二挠性部件分别形成为棒状,它们的弯曲刚性较小,因此可在第一块体部件和第二块体部件不产生翘曲变形的情况下,使第一挠性部件和第二挠性部件挠曲来吸收热膨胀量的差异。其结果,第一块体部件的对第一电子元件的把持面和第二块体部件的对第二电子元件的把持面能分别维持平面度。
此时,由于第一挠性部件处于与第一块体部件的中心同心的圆周上且相互等间隔地设有多个,因此第一块体部件的中心和第一加压部件的中心不会因第一挠性部件的挠曲而错位。第二挠性部件也处于与第二块体部件的中心同心的圆周上且相互等间隔地设有多个,因此第二块体部件的中心和第二加压部件的中心不会因第二挠性部件的挠曲而错位。因此,第一电子元件与第二电子元件不会因加热而错位,也没有应力的作用。
另外,由于第一挠性部件处于与第一块体部件的中心同心的圆周上且相互等间隔地设有多个,因此来自第一加压部件的加压力能够平衡地传递给第一块体部件。由于第二挠性部件处于与第二块体部件的中心同心的圆周上且相互等间隔地设有多个,因此来自第二加压部件的加压力能够平衡地传递给第二块体部件。因此,对第一电子元件和第二电子元件施加的加压力在面内偏差小。
采用技术方案2记载的发明,由于在第一块体部件或第二块体部件的至少一方上形成有贯通部,该贯通部在厚度方向上贯通第一块体部件或第二块体部件,因此通过在第一空间部或第二空间部内配置对第一电子元件或第二电子元件进行拍摄的摄像部件,能穿过贯通部对第一电子元件或第二电子元件进行拍摄。根据该摄像部件的摄像结果使第一块体部件或第二块体部件适当地移动,能容易地进行第一电子元件或第二电子元件的相对定位。其结果,可提高第一电子元件与第二电子元件的接合精度。
采用技术方案3记载的发明,由于第一块体部件或第二块体部件在厚度方向一侧的贯通部的开口面积大于厚度方向另一侧的贯通部的开口面积,因此在第一空间部或第二空间部内配置对第一电子元件或第二电子元件进行拍摄的摄像部件时,第一块体部件或第二块体部件不会遮挡从第一电子元件或第二电子元件至摄像部件的光路。其结果,可提高摄像精度,进而可提高第一电子元件与第二电子元件的接合精度。
采用技术方案4记载的发明,第一块体部件包括:把持第一电子元件的第一压板部;第一背板部,其与第一压板部连接并具有与第一压板部的线膨胀系数相同或大致相同的线膨胀系数;以及加热片,其与第一背板部连接并对第一压板部加热,还具有与第一压板部的线膨胀系数相同或大致相同的线膨胀系数,因而能减小第一压板部、第一背板部和加热片之间的热膨胀量的差异。由此,能防止第一块体部件的翘曲变形,能维持第一块体部件的平面度。
同样,第二块体部件包括:把持第二电子元件的第二压板部;第二背板部,其与第二压板部连接并具有与第二压板部的线膨胀系数相同或大致相同的线膨胀系数;以及加热片,其与第二背板部连接并对第二压板部加热,还具有与第二压板部的线膨胀系数相同或大致相同的线膨胀系数,因而能减小第二压板部、第二背板部和加热片之间的热膨胀量的差异。由此,能防止第二块体部件的翘曲变形,能维持第二块体部件的平面度。
采用技术方案5记载的发明,第一压板部和第二压板部由导体构成,第一背板部和第二背板部由绝缘体构成,因此第一压板部与加热片电绝缘,第二压板部与加热片也电绝缘。由此,在第一压板部和第二压板部被加热的状态下,通过对第一压板部和第二压板部施加规定的电压,可将第一电子元件与第二电子元件阳极接合。其结果,能增加第一电子元件与第二电子元件的接合方法的变化。
采用技术方案6记载的发明,由于在第一压板部与第一背板部之间形成有供冷却用气体流动的第一冷却用气体流路,因此,通过使冷却用气体在第一冷却用气体流路内流动,可高速地冷却第一块体部件。另外,由于在第二压板部与第二背板部之间形成有供冷却用气体流动的第二冷却用气体流路,因此,通过使冷却用气体在第二冷却用气体流路内流动,可高速地冷却第二块体部件。由此,能高速地冷却第一电子元件和第二电子元件,能提高接合装置的运行效率。
采用技术方案7记载的发明,由于第一挠性部件使冷却用气体在内部流动,兼具将冷却用气体向第一冷却用气体流路供给的冷却气体供给功能,因此可将第一挠性部件用作将冷却用气体向第一冷却用气体流路供给的部件。
同样,由于第二挠性部件使冷却用气体在内部流动,兼具将冷却用气体向第二冷却用气体流路供给的冷却气体供给功能,因此可将第二挠性部件用作将冷却用气体向第二冷却用气体流路供给的部件。
采用技术方案8记载的发明,由于具有使第一电子元件吸附在第一压板部上的第一吸附部件,并具有使第二电子元件吸附在第二压板部上的第二吸附部件,因此能利用第一压板部容易且可靠地把持第一电子元件,并能利用第二压板部容易且可靠地把持第二电子元件。由此,能防止第一电子元件相对于第一压板部错位,并防止第二电子元件相对于第二压板部错位,从而能提高第一电子元件与第二电子元件的接合精度。
采用技术方案9记载的发明,第一吸附部件包括:形成在第一压板部上的多个第一吸附槽、以及使从第一吸附槽吸入的空气进行流动的第一中空导管,因此能使从第一吸附槽吸入的空气在第一中空导管内流动。由此,能利用空气吸引力可靠地吸附第一电子元件。
同样,第二吸附部件包括:形成在第二压板部上的多个第二吸附槽、以及使从第二吸附槽吸入的空气进行流动的第二中空导管,因此能使从第二吸附槽吸入的空气在第二中空导管内流动。由此,能利用空气吸引力可靠地吸附第二电子元件。
采用技术方案10记载的发明,由于第一中空导管通过第一弹性部件与第一加压部件连接,因此在第一挠性部件与第一中空部件之间产生相对的热变形量差异时,可利用第一弹性部件的弹性变形来吸收欲从第一加压部件通过第一中空导管传递给第一块体部件的应力。由此,能防止应力从第一加压部件通过第一中空导管向第一块体部件传递,能维持第一块体部件的平面度。
同样,由于第二中空导管通过第二弹性部件与第二加压部件连接,因此在第二挠性部件与第二中空部件之间产生相对的热变形量差异时,可利用第二弹性部件的弹性变形来吸收欲从第二加压部件通过第二中空导管传递给第二块体部件的应力。由此,能防止应力从第二加压部件通过第二中空导管向第二块体部件传递,能维持第二块体部件的平面度。
采用技术方案11记载的发明,在第一加压部件的内部形成有:供向第一挠性部件供给的冷却用气体进行流动的第一冷却用气体供给流路、以及供从第一中空导管流入的空气进行流动的第一空气流路,因此可将第一加压部件用作冷却用气体供给部件的一部分和空气排出部件的一部分。同样,在第二加压部件的内部形成有:供向第二挠性部件供给的冷却用气体进行流动的第二冷却用气体供给流路、以及供从第二中空导管流入的空气进行流动的第二空气流路,因此可将第二加压部件用作冷却用气体供给部件的一部分和空气排出部件的一部分。由此,无需对成为高温的第一块体部件和第二块体部件直接连接配管就可容易地进行冷却和真空吸引。
采用技术方案12记载的发明,由于在第一加压部件的内部形成有第一冷却用流体循环路,该第一冷却用流体循环路用于使冷却第一加压部件的冷却用流体进行循环,因此通过使冷却用流体在第一冷却用流体循环路内循环,能始终冷却第一加压部件。由此,即使在接合装置运行中也可将第一加压部件进一步保持在低温,因此在连接用于向第一加压部件供给冷却用气体和冷却用流体的管子或连接用于从第一加压部件排出空气的管子等时,可不受其材质的限制,能容易地连接。
同样,由于在第二加压部件的内部形成有第二冷却用流体循环路,该第二冷却用流体循环路用于使冷却第二加压部件的冷却用流体进行循环,因此通过使冷却用流体在第二冷却用流体循环路内循环,能始终冷却第二加压部件。由此,即使在接合装置运行中也可将第二加压部件进一步保持在低温,因此在连接用于向第二加压部件供给冷却用气体和冷却用流体的管子或连接用于从第二加压部件排出空气的管子等时,可不受其材质的限制,能容易地连接。
附图说明
图1是表示本发明一实施形态的接合装置的一部分的简要结构图。
图2是表示构成本发明一实施形态的接合装置的第一块体部件、第一挠性部件和第一加压部件的简要结构图。
图3是表示构成本发明一实施形态的接合装置的第一块体部件的分解图。
图4是图1的A-A间的剖视图。
图5是表示构成本发明一实施形态的接合装置的第一加压部件和第一中空导管的连接结构的简要剖视图。
图6是图1的B-B间的剖视图。
图7是将摄像部件设置在本发明一实施形态的接合装置上时的简要结构图。
(符号说明)
10接合装置
12第一块体部件
12A第一压板部
12B第一背板部
12C第一加热片(加热部件,加热片)
15第一冷却槽(第一冷却用气体流路)
17第一吸附槽
19第一氮气供给流路(第一冷却用气体供给流路)
20第一支柱部件(第一挠性部件)
22第一加压轴(第一加压部件)
23第一空气流路
24第一中空部件(第一中空导管)
25第一冷却用流体循环路
26第一O形环(第一弹性部件)
28第二块体部件
28A第二压板部
28B第二背板部
28C第二加热片(加热部件,加热片)
31第二冷却槽(第二冷却用气体流路)
33第二吸附槽
36缺口(贯通部)
40第二支柱部件(第二挠性部件)
41第二氮气供给流路(第二冷却用气体供给流路)
42第二加压轴(第二加压部件)
43第二空气流路
44第二中空部件(第二中空导管)
45第二冷却用流体循环路
M1第一空间部
M2第二空间部
W1第一晶片(第一电子元件)
W2第二晶片(第二电子元件)
具体实施方式
下面参照附图对本发明一实施形态的接合装置进行说明。在本实施形态中,以用于对作为电子元件的一例的晶片之间进行接合的接合装置为例进行说明,但本发明的接合对象并不局限于晶片,也可适用于其他电子元件之间的接合。
如图1至图3所示,接合装置10具有构成第一块体部件12的圆柱状的第一压板部12A。该第一压板部12A由作为导体的碳化硅(SiC)构成。在第一压板部12A上形成有用于吸引空气的多个第一吸附槽17,在第一压板部12A的厚度方向的一侧端面上吸附作为接合对象的第一晶片W1。另外,在第一压板部12A的厚度方向的另一侧端面上安装有圆板状的第一背板部12B,该第一背板部12B与第一压板部12A一起构成第一块体部件12,并设定成与第一压板部12A大致相同的直径。该第一背板部12B由作为绝缘体的氮化铝(AlN)构成。在第一背板部12B的大致中央一体地形成有朝厚度方向突出的突出部13。此外,在第一背板部12B的位于与第一压板部12A侧相反的一侧的相反侧端面上安装有第一加热片12C,该第一加热片12C与第一压板部12A和第一背板部12B一起构成第一块体构件12并对第一压板部12A加热。该第一加热片12C由碳化硅(SiC)构成。由于第一加热片12C隔着作为绝缘体的第一背板部12B与作为导体的第一压板部12A进行安装,因此第一加热片12C与第一压板部12A电绝缘。
如图4所示,第一加热片12C具有合适的电阻值,供电线16与两处的电极14连接。温度控制器(未图示)与该供电线16连接,温度控制器通过供电线16对供给第一加热片12C的电流进行控制。通过供电线16向第一加热片12C供给规定电流,使第一加热片12C的温度上升或下降。
另外,在第一背板部12B上又是第一加热片12C的边上连接有测量第一压板部12A和第一背板部12B的温度的第一热电偶18。该第一热电偶18与上述温度控制器连接。温度控制器根据该第一热电偶18的温度测量值来控制供给第一加热片12C的电流,将第一压板部12A和第一背板部12B控制在任意的温度。
在此,第一压板部12A、第一背板部12B和第一加热片12C的线膨胀系数相同或大致相同,且都具有较大的传热系数。另外,第一压板部12A、第一背板部12B和第一加热片12C分别利用钼所构成的螺栓(未图示)紧固而相互连接。
另外,如图1至图3所示,在第一压板部12A与第一背板部12B的接触面上形成有第一冷却槽(第一冷却用气体流路)15。具体而言,在第一背板部12B上形成有开口的第一冷却槽15,平面状的第一压板部12A的厚度方向另一侧端面利用螺栓紧固,从而将该第一冷却槽15的开口封闭。该第一冷却槽15与外部连通。该第一冷却槽15只要是通过将第一压板部12A和第一背板部12B利用螺栓紧固而形成的结构即可,例如,也可在第一压板部12A侧形成,或在第一压板部12A和第一背板部12B双方上形成。向该第一冷却槽15供给作为冷却用气体的氮气,使氮气在第一冷却槽15的内部流动。
另外,如图1至图4所示,在第一背板部12B的突出部13的表面上连接有同一尺寸和形状的三个棒状第一支柱部件(第一挠性部件)20。该第一支柱部件20由氮化硅(Si3N4)构成。三个第一支柱部件20与第一压板部12A和第一背板部12B的中心同心地等间隔(120度间距)排列。该第一支柱部件20的一个端部与第一背板部12B的突出部13连接,另一个端部与第一加压轴(第一加压部件)22连接。
在此,当第一支柱部件20的直径为d、第一支柱部件20的轴向长度为l、拉伸弹性模量为E、最大弯曲强度为σmax、安全系数为A、第一支柱部件20的一个端部与另一个端部的挠曲之差为Δy,则第一支柱部件20的直径与轴向长度的关系设定在满足3EAdΔy/l2<σmax的范围内。安全系数A为1以上的自然数,最好选择8左右。
另外,各第一支柱部件20构成中空状,连接成使各第一支柱构件20的一个端部与第一冷却槽15连通。另外,第一支柱部件20的另一个端部与形成在第一加压轴22内部的后述的第一氮气供给流路(第一冷却用气体供给流路)19连通。从第一氮气供给流路19供给到各第一支柱部件20内部的氮气被供给到第一冷却槽15内,使第一压板部12A和第一背板部12B分别得到冷却。供给第一冷却槽15的氮气在第一压板部12A和第一背板部12B分别得到冷却后向外部排出。
另外,第一支柱部件20的另一个端部与第一加压轴(第一加压部件)22连接。该第一加压轴22通过第一支柱部件20将加压力赋予第一块体部件12。
另外,第一支柱部件20的线膨胀系数设定成与第一压板部12A和第一背板部12B的线膨胀系数没有大的差异,第一支柱部件20的传热系数设定成小于第一压板部12A和第一背板部12B的传热系数。
另外,如图4和图5所示,在第一背板部12B的突出部13的表面上连接有一个第一中空部件(第一中空导管)24,该第一中空部件24具有与各第一支柱部件20大致相同的轴向长度。该第一中空部件24连接在第一压板部12A和第一背板部12B的中心上。该第一中空部件24的一个端部与第一背板部12B的突出部13连接,另一个端部隔着第一O形环(第一弹性部件)26与第一加压轴22连接。即,如图5所示,在第一中空部件24的另一个端部与第一加压轴22之间存在间隙,两者没有直接连接,而是通过O形环26相互连接。第一O形环26由作为弹性部件的橡胶构成。
另外,在第一中空部件24的另一个端部形成有第一空气流路23,该第一空气流路23形成在第一加压轴22的内部,从第一中空部件24流入的空气在该第一空气流路23内流动。由此,第一吸附槽17与第一空气流路23连通,可从第一吸附槽17吸引空气。
另外,如图1所示,接合装置10具有第一加压轴(第一加压部件)22。在该第一加压轴22的内部形成有第一氮气供给流路(第一冷却用气体供给流路)19,向第一支柱部件20内部供给的氮气在该第一氮气供给流路19内流动。另外,在第一加压轴22内部形成有上述第一空气流路23。此外,在第一加压轴22内部形成有用于使冷却第一加压轴22本身的冷却用流体进行循环的第一冷却用流体循环路25。
另外,在接合装置10上分别连接有:将氮气向第一氮气供给流路19供给的氮气供给部(未图示);将空气(冷却用空气)向第一冷却用流体循环路25供给的空气供给部(未图示);以及对第一空气流路23进行真空吸引的吸引泵(未图示)。由此,能将氮气向第一氮气供给流路19供给,将空气向第一冷却用流体循环路25供给,且可对第一空气流路23真空抽吸。
另外,第一加压轴22与Z轴驱动机构(未图示)连接,可通过Z轴驱动机构的驱动沿上下方向(图1中的箭头Z方向)移动。这样,通过使第一加压轴22沿上下方向(图1中的箭头Z方向)移动,可使第一块体部件12沿上下方向移动。该Z轴驱动机构与控制部(未图示)电连接。
另外,设置有测量作用于第一晶片W1的加压力用的测力传感器(未图示),控制部(未图示)根据测力传感器的测量值来控制Z轴驱动机构。由此,能始终将规定的合适的加压力作用于第一块体部件12。
如上所述,在第一块体部件12与第一加压轴22之间存在第一空间部M1,在该第一空间部M1内设有第一支柱部件20和第一中空部件24。
如图1所示,接合装置10具有构成第二块体部件28的圆柱状的第二压板部28A。该第二压板部28A由作为导体的碳化硅(SiC)构成。在第二压板部28A上形成有用于吸引空气的多个第二吸附槽33,在第二压板部28A的厚度方向的一侧端面上吸附作为接合对象的第二晶片W2。另外,在第二压板部28A的厚度方向的另一侧端面上安装有圆板状的第二背板部28B,该第二背板部28B与第二压板部28A一起构成第二块体部件28,并设定成与第二压板部28A大致相同的直径。该第二背板部28B由作为绝缘体的氮化铝(AlN)构成。在第二背板部28B的大致中央一体地形成有朝厚度方向突出的突出部29。此外,在第二背板部28B的位于与第二压板部28A侧相反的一侧的相反侧端面上安装有第二加热片28C,该第二加热片28C与第二压板部28A和第二背板部28B一起构成第二块体构件28并对第二压板部28A加热。该第二加热片28C由碳化硅(SiC)构成。由于第二加热片28C隔着作为绝缘体的第二背板部28B与作为导体的第二压板部28A进行安装,因此第二加热片28C与第二压板部28A电绝缘。
如图6所示,第二加热片28C具有合适的电阻值,供电线32与两处的电极30连接。温度控制器(未图示)与该供电线32连接,温度控制器通过供电线32对供给第二加热片28C的电流进行控制。通过供电线32向第二加热片28C供给规定电流,使第二加热片28C的温度上升或下降。
另外,在第二背板部28B上又是第二加热片28C的边上连接有测量第二压板部28A和第二背板部28B的温度的第二热电偶34。该第二热电偶34与上述温度控制器连接。温度控制器根据该第二热电偶34的温度测量值来控制供给第二加热片28C的电流,将第二压板部28A和第二背板部28B控制在任意的温度。
在此,第二压板部28A、第二背板部28B和第二加热片28C的线膨胀系数相同或大致相同,且都具有较大的传热系数。另外,第二压板部28A、第二背板部28B和第二加热片28C分别利用钼所构成的螺栓(未图示)紧固而相互连接。
另外,如图1所示,在第二压板部28A与第二背板部28B的接触面上形成有第二冷却槽(第二冷却用气体流路)31。具体而言,在第二背板部28B上形成有开口的第二冷却槽31,平面状的第二压板部28A的厚度方向另一侧端面利用螺栓紧固,从而将该第二冷却槽31的开口封闭。该第二冷却槽31与外部连通。该第二冷却槽31只要是通过将第二压板部28A和第二背板部28B利用螺栓紧固而形成的结构即可,例如,也可在第二压板部28A侧形成,或在第二压板部28A和第二背板部28B双方上形成。向该第二冷却槽31供给作为冷却用气体的氮气,使氮气在第二冷却槽31的内部流动。
在此,如图6至图7所示,在第二压板部28A、第二背板部28B和第二加热片28C上形成有在厚度方向贯通的两个缺口(贯通部)36。另外,在后述的第二空间部M2内又是缺口36边上分别配置有两个摄像部件38。该摄像部件38与控制部连接,摄像部件38的摄像数据向控制部输出。各缺口36的开口面积设定成在第二压板部28A、第二背板部28B和第二加热片28C的厚度方向一侧(摄像部件38侧)增大,朝着第二压板部28A、第二背板部28B和第二加热片28C的厚度方向另一侧(与摄像部件38侧相反的一侧)减小。
作为摄像部件38,在第二晶片W2为玻璃晶片时最好使用CCD摄像机,在第二晶片W2为硅晶片时最好使用红外线摄像机。作为摄像机在使用CCD摄像机时,通过将光从CCD摄像机侧照射第二晶片W2,能明确地识别第二晶片W2的对准标记。
如图6所示,在第二背板部28B的突出部29的表面上连接有同一尺寸和形状的三个棒状第二支柱部件(第二挠性部件)40。该第二支柱部件40由氮化硅(Si3N4)构成。三个第二支柱部件40与第二压板部28A和第二背板部28B的中心同心地等间隔(120度间距)排列。该第二支柱部件40的一个端部与第二背板部28B的突出部29连接,另一个端部与第二加压轴(第二加压部件)42连接。
在此,当第二支柱部件40的直径为d、第二支柱部件40的轴向长度为1、拉伸弹性模量为E、最大弯曲强度为σmax、安全系数为A、第二支柱部件40的一个端部与另一个端部的挠曲之差为Δy,则第二支柱部件40的直径与轴向长度的关系设定在满足3EAdΔy/12<σmax的范围内。安全系数A为1以上的自然数,最好选择8左右。
另外,各第二支柱部件40构成中空状,连接成使各第二支柱构件40的一个端部与第二冷却槽31连通。另外,第二支柱部件40的另一个端部与形成在第二加压轴42内部的后述的第二氮气供给流路(第二冷却用气体供给流路)41连通。从第二氮气供给流路41供给到各第二支柱部件40内部的氮气被供给到第二冷却槽31内,使第二压板部28A和第二背板部28B分别得到冷却。供给第二冷却槽31的氮气在第二压板部28A和第二背板部28B分别得到冷却后向外部排出。
另外,如图1及图7所示,第二支柱部件40的另一个端部与第二加压轴(第二加压部件)42连接。该第二加压轴42通过第二支柱部件40将加压力赋予第二块体部件28。
另外,第二支柱部件40的线膨胀系数设定成与第二压板部28A和第二背板部28B的线膨胀系数相同或大致相同,第二支柱部件40的传热系数设定成小于第二压板部28A和第二背板部28B的传热系数。
另外,如图6所示,在第二背板部28B的突出部29的表面上连接有一个第二中空部件(第二中空导管)44,该第二中空部件44具有与各第二支柱部件40大致相同的轴向长度。该第二中空部件44连接在第二压板部28A和第二背板部28B的中心上。该第二中空部件44的一个端部与第二背板部28B的突出部29连接,另一个端部隔着第二O形环(第二弹性部件,未图示)与第二加压轴(第二加压部件)42连接。即,在第二中空部件44的另一个端部与第二加压轴42之间存在间隙,两者没有直接连接,而是通过第二O形环相互连接。第二O形环由作为弹性部件的橡胶构成。
另外,在第二中空部件44的另一个端部形成有第二空气流路43,该第二空气流路43形成在第二加压轴42的内部,从第二中空部件44流入的空气在该第二空气流路43内流动。由此,第二吸附槽33与第二空气流路43连通,可从第二吸附槽33吸引空气。
另外,接合装置10具有第二加压轴42。在该第二加压轴42的内部形成有第二氮气供给流路(第二冷却用气体供给流路)41,向第二支柱部件40内部供给的氮气在该第二氮气供给流路41内流动。另外,在第二加压轴42内部形成有上述第二空气流路43。此外,在第二加压轴42内部形成有用于使冷却第二加压轴42本身的冷却用流体进行循环的第二冷却用流体循环路45。
另外,在接合装置10上分别连接有:将氮气向第二氮气供给流路41供给的氮气供给部(未图示);将空气(冷却用空气)向第二冷却用流体循环路45供给的空气供给部(未图示);以及对第二空气流路43进行真空吸引的吸引泵(未图示)。由此,能将氮气向第二氮气供给流路41供给,将空气向第二冷却用流体循环路45供给,且可对第二空气流路43真空抽吸。
另外,接合装置10具有使第二块体部件28、第二支柱部件40、第二中空部件44和第二加压轴42沿图1中箭头X和图6中箭头Y方向移动的XY轴驱动机构(未图示)。XY轴驱动机构与控制部连接,控制部对XY轴驱动机构进行控制,从而可使第二块体部件28、第二支柱部件40、第二中空部件44和第二加压轴42沿图1中箭头X和图6中箭头Y方向移动。此外,接合装置10具有使第二块体部件28、第二支柱部件40、第二中空部件44和第二加压轴42朝着规定的方向旋转的旋转驱动机构(未图示)。该旋转驱动机构与控制部连接,控制部对旋转驱动机构进行控制,从而可使第二块体部件28、第二支柱部件40、第二中空部件44和第二加压轴42朝着规定的方向旋转移动。
如上所述,在第二块体部件28与第二加压轴42之间存在第二空间部M2,在该第二空间部M2内设有第二支柱部件40和第二中空部件44。
下面对本实施形态的接合装置10的作用进行说明。
如图1所示,第一晶片W1吸附在构成第一块体部件12的第一压板部12A上,第二晶片W2吸附在构成第二块体部件28的第二压板部28A上。第一晶片W1和第二晶片W2的吸附通过使吸引泵动作、使空气从第一吸附槽17和第二吸附槽33经过第一中空部件24和第二中空部件44的内部流向第一空气流路23和第二空气流路43来实现。由此,能可靠地吸附第一晶片W1和第二晶片W2,能防止第一晶片W1相对于第一压板部12A的错位以及第二晶片W2相对于第二压板部28A的错位。在第一晶片W1和第二晶片W2上预先形成有成为接合部件的焊锡图案。因此,通过对第一晶片W1和第二晶片W2分别加压、加热以使焊锡材料熔融而合金化,可使第一晶片W1与第二晶片W2接合。
接着,利用Z轴驱动机构来驱动控制第一加压轴22,利用第一加压轴22使吸附有第一晶片W1的第一块体部件12朝第二块体部件28侧移动。由此,能使第一晶片W1接近第二晶片W2。
接着,如图7所示,当到达第一晶片W1接近第二晶片W2的位置后,利用摄像部件38来拍摄第一晶片W1和第二晶片W2的对准标记。控制部根据摄像部件38的拍摄结果来控制XY轴驱动机构和旋转驱动机构,利用XY轴驱动机构和旋转驱动机构使第二块体部件28移动,以使第二晶片W2相对于第一晶片W1来到规定的位置。由此,能进行第二晶片W2相对于第一晶片W1的定位,可提高第一晶片W1与第二晶片W2的接合精度。
接着,在第二晶片W2相对于第一晶片W1的定位结束后,利用第一加压轴22将规定的加压力通过第一支柱部件20作用于第一块体部件12。由第一加压轴22作用的规定的加压力的控制如上所述。由此,第一晶片W1与第二晶片W2在合适的加压力的作用下接触。
然后,如图4所示,从供电线16向第一加热片12C供电来加热第一块体部件12。此时,温度控制器根据第一热电偶18的温度测量值来控制供给第一加热片12C的电流,将第一压板部12A和第一背板部12B控制在任意的温度。同样,如图6所示,从供电线32向第二加热片28C供电来加热第二块体部件28。此时,温度控制器根据第二热电偶34的温度测量值来控制供给第二加热片28C的电流,将第二压板部28A和第二背板部28B控制在任意的温度。由此,能将第一晶片W1和第二晶片W2加热到规定的温度。
在此,当第一块体部件12和第二块体部件28加热后,第一块体部件12和第二块体部件28热膨胀,但由于不使用绝热材料,在第一块体部件12与第一加压轴22之间存在第一空间部M1,在第二块体部件28与第二加压轴42之间存在第二空间部M2,因此几乎所有欲从第一块体部件12和第二块体部件28传递到第一加压轴22和第二加压轴42的热量都被第一空间部M1和第二空间部M2绝热。由此,能使第一块体部件12内部和第二块体部件28内部分别成为大致均匀的温度。另外,在第一晶片W1与第二晶片W2接触时,能使第一块体部件12、第二块体部件28、第一晶片W1、第二晶片W2作为整体成为大致均匀的温度。其结果,第一块体部件12的第一晶片W1把持面和第二块体部件28的第二晶片W2把持面能分别维持平面度。
即使在第一块体部件12和第二块体部件28被加热的情况下,由于存在第一空间部M1和第二空间部M2,因此从第一块体部件12和第二块体部件28传递给第一加压轴22和第二加压轴42的热量减少。由此,被第一加热片12C和第二加热片28C加热的部分实际上局限于第一块体部件12、第二块体部件28、第一晶片W1、第二晶片W2,从而被加热部分的热容量减小,可缩短加热、冷却第一晶片W1和第二晶片W2所需的时间,因此可提高接合装置10的运行效率。
另一方面,第一支柱部件20和第二支柱部件40能分别挠曲来吸收第一块体部件12和第二块体部件28的热膨胀与第一加压轴22和第二加压轴42之间的热膨胀的差异所产生的应力。即,由于第一支柱部件20和第二支柱部件40分别形成为棒状,它们的弯曲刚性较小,因此可在第一块体部件12和第二块体部件28不翘曲变形的情况下,使第一支柱部件20和第二支柱部件40挠曲来吸收热膨胀量的差异。其结果,第一块体部件12的第一晶片W1把持面和第二块体部件28的第二晶片W2把持面能分别维持平面度。
此时,由于第一支柱部件20处于与第一块体部件12的中心同心的圆周上且相互等间隔地设有多个,因此第一块体部件12的中心和第一加压轴22的中心不会因第一支柱部件20的挠曲而错位。由于第二支柱部件40也处于与第二块体部件28的中心同心的圆周上且相互等间隔地设有多个,因此第二块体部件28的中心和第二加压轴42的中心不会因第二支柱部件40的挠曲而错位。因此,第一晶片W1与第二晶片W2不会因加热而错位,也没有应力的作用。
另外,由于第一支柱部件20处于与第一块体部件12的中心同心的圆周上且相互等间隔地设有多个,因此来自第一加压轴22的加压力能够平衡地传递给第一块体部件12。由于第二支柱部件40处于与第二块体部件28的中心同心的圆周上且相互等间隔地设有多个,因此来自第二加压轴42的加压力能够平衡地传递给第二块体部件28。因此,对第一晶片W1和第二晶片W2施加的加压力在面内偏差小。
特别地,由于第一块体部件12由第一压板部12A、第一背板部12B和第一加热片12C构成,第一压板部12A、第一背板部12B和第一加热片12C的线膨胀系数设定为相同或大致相同,因此可减小第一压板部12A、第一背板部12B和第一加热片12C的热膨胀量的差异。由此,能防止第一块体部件12的翘曲变形,能维持第一块体部件12的平面度。这对于第二块体部件28也一样,能维持第二块体部件28的平面度。
然后,当第一晶片W1与第二晶片W2在合适的加压力作用下接合后,停止对第一加热片12C供电,从各第一支柱部件20向第一块体部件12的第一冷却槽15供给氮气。该氮气通过氮气供给部向第一加压轴22的第一氮气供给流路19供给,从而从各第一支柱部件20向第一块体部件12的第一冷却槽15供给。由此,能将第一块体部件12急速冷却,第一晶片W1的温度也可急速下降。同样,停止对第二加热片28C供电,从各第二支柱部件40向第二块体部件28的第二冷却槽31供给氮气。该氮气通过氮气供给部向第二加压轴42的第二氮气供给流路41供给,从而从各第二支柱部件40向第二块体部件28的第二冷却槽31供给。由此,能将第二块体部件28急速冷却,第二晶片W2的温度也可急速下降。
在此,将第一块体部件12和第二块体部件28冷却时与将第一块体部件12和第二块体部件28加热时相同,通过各支柱部件20、40本身的挠曲,能维持第一块体部件12和第二块体部件28的平面度。
特别地,由于第一支柱部件20和第二支柱部件40内部流动着氮气,兼具向第一冷却槽15和第二冷却槽31供给氮气的冷却气体供给功能,因此可将第一支柱部件20和第二支柱部件40作为向第一冷却槽15和第二冷却槽31供给氮气的部件加以利用。
另外,如图5所示,由于第一中空部件24隔着第一O形环26与第一加压轴22连接,因此在冷却时等,当在第一支柱部件20与第一中空部件24之间产生相对的热变形量差异时,可利用第一O形环26的弹性变形来吸收欲从第一加压轴22通过第一中空部件24传递给第一块体部件12的应力。由此,能防止应力从第一加压轴22通过第一中空部件24向第一块体部件12传递,能维持第一块体部件12的平面度。这对于第二中空部件44也一样,能维持第二块体部件28的平面度。
在第一晶片W1和第二晶片W2的温度成为低温后,停止氮气的供给和吸引泵的动作,在第一晶片W1与第二晶片W2接合后将它们从接合装置10取出。
如上所述,采用本实施形态的接合装置10,能不受热量的影响,能维持第一块体部件12和第二块体部件28的平面度,进而能维持作为接合对象的第一晶片W1和第二晶片W2的平面度,能在此状态下将两者接合。其结果,能提高和稳定接合精度。
特别地,如上所述,由于在第一加压轴22内部形成有:供向第一支柱部件20供给的氮气流动的第一氮气供给流路19、以及供从第一中空部件24流入的空气流动的第一空气流路23,因此可将第一加压轴22作为冷却用气体供给部件的一部分和空气排出部件的一部分加以利用。对于第二加压轴42也相同。由此,无需对高温状态的第一块体部件12和第二块体部件28直接连接配管,能容易地进行冷却和真空吸附。
另外,由于在第一加压轴22内部形成有用于使冷却第一加压轴22的冷却用空气进行循环的第一冷却用流体循环路25,因此通过使冷却用空气在第一冷却用流体循环路25内循环,能始终冷却第一加压轴22。由此,即使在接合装置10运行中也可将第一加压轴22进一步保持在低温,从而在连接用于向第一加压轴22供给冷却用气体和冷却用空气的管子或连接用于从第一加压轴22排出空气的管子等时,可不受其材质的限制,能容易地连接。这对于第二加压轴42也一样。
在上述实施形态中,例示了对第一晶片W1和第二晶片W2分别加热后通过热压接来接合的方法进行了说明,但并不局限于该接合方法,例如也可通过阳极接合方法将两者接合。即,第一压板部12A和第二压板部28A分别由导体构成,第一背板部12B和第二背板部28B分别由绝缘体构成,因此第一压板部12A与第一加热片12C电绝缘,第二压板部28A与第二加热片28C电绝缘。由此,在第一压板部12A和第二压板部28A被加热的状态下,通过向第一压板部12A和第二压板部28A施加规定的电压,可将硅晶片与玻璃晶片阳极接合。其结果,能增加接合方法的变化。

Claims (12)

1.一种接合装置,其特征在于,包括:
第一块体部件,该第一块体部件利用一侧端面来把持第一电子元件;
第一加压部件,该第一加压部件与所述第一块体部件隔开第一空间部配置并朝规定方向对所述第一块体部件加压;
多个棒状的第一挠性部件,该第一挠性部件设置在所述第一空间部内,处于与所述第一块体部件的中心同心的圆周上且相互形成等间隔,与所述第一块体部件的另一侧端面连接并将来自所述第一加压部件的加压力传递给所述第一块体部件;
第二块体部件,该第二块体部件设置成可与所述第一块体部件相对,利用一侧端面来把持与所述第一电子元件接合的第二电子元件;
第二加压部件,该第二加压部件与所述第二块体部件隔开第二空间部配置并朝所述第二块体部件推压所述第一块体部件的方向对所述第二块体部件加压;
多个棒状的第二挠性部件,该第二挠性部件设置在所述第二空间部内,处于与所述第二块体部件的中心同心的圆周上且相互形成等间隔,与所述第二块体部件的另一侧端面连接并将来自所述第二加压部件的加压力传递给所述第二块体部件;以及
加热部件,该加热部件对所述第一块体部件和所述第二块体部件加热。
2.如权利要求1所述的接合装置,其特征在于,在所述第一块体部件或所述第二块体部件的至少一方上形成有贯通部,该贯通部在厚度方向上贯通所述第一块体部件或所述第二块体部件。
3.如权利要求2所述的接合装置,其特征在于,所述第一块体部件或所述第二块体部件的厚度方向一侧的所述贯通部的开口面积大于厚度方向另一侧的所述贯通部的开口面积。
4.如权利要求1至3中任一项所述的接合装置,其特征在于,
所述加热部件是加热片,
所述第一块体部件包括:第一压板部,该第一压板部把持所述第一电子元件;第一背板部,该第一背板部与所述第一压板部连接并具有与所述第一压板部的线膨胀系数相同或大致相同的线膨胀系数;以及所述加热片,该加热片与所述第一背板部连接并对所述第一压板部加热,还具有与所述第一压板部的线膨胀系数相同或大致相同的线膨胀系数,
所述第二块体部件包括:第二压板部,该第二压板部把持所述第二电子元件;第二背板部,该第二背板部与所述第二压板部连接并具有与所述第二压板部的线膨胀系数相同或大致相同的线膨胀系数;以及所述加热片,该加热片与所述第二背板部连接并对所述第二压板部加热,还具有与所述第二压板部的线膨胀系数相同或大致相同的线膨胀系数。
5.如权利要求4所述的接合装置,其特征在于,所述第一压板部和所述第二压板部是导体,所述第一背板部和所述第二背板部是绝缘体。
6.如权利要求4或5所述的接合装置,其特征在于,
在所述第一压板部与所述第一背板部之间形成有供冷却用气体流动的第一冷却用气体流路,
在所述第二压板部与所述第二背板部之间形成有供冷却用气体流动的第二冷却用气体流路。
7.如权利要求6所述的接合装置,其特征在于,
所述第一挠性部件使所述冷却用气体在内部流动,兼具将所述冷却用气体向所述第一冷却用气体流路供给的冷却气体供给功能,
所述第二挠性部件使所述冷却用气体在内部流动,兼具将所述冷却用气体向所述第二冷却用气体流路供给的冷却气体供给功能。
8.如权利要求4至7中任一项所述的接合装置,其特征在于,包括:
将所述第一电子元件吸附在所述第一压板部上的第一吸附部件、以及
将所述第二电子元件吸附在所述第二压板部上的第二吸附部件。
9.如权利要求8所述的接合装置,其特征在于,
所述第一吸附部件包括:形成在所述第一压板部上的多个第一吸附槽、以及使从所述第一吸附槽吸入的空气进行流动的第一中空导管,
所述第二吸附部件包括:形成在所述第二压板部上的多个第二吸附槽、以及使从所述第二吸附槽吸入的空气进行流动的第二中空导管。
10.如权利要求9所述的接合装置,其特征在于,所述第一中空导管通过第一弹性部件与所述第一加压部件连接,所述第二中空导管通过第二弹性部件与所述第二加压部件连接。
11.如权利要求9或10所述的接合装置,其特征在于,
在所述第一加压部件的内部形成有:供向所述第一挠性部件供给的所述冷却用气体进行流动的第一冷却用气体供给流路、以及供从所述第一中空导管流入的空气进行流动的第一空气流路,
在所述第二加压部件的内部形成有:供向所述第二挠性部件供给的所述冷却用气体进行流动的第二冷却用气体供给流路、以及供从所述第二中空导管流入的空气进行流动的第二空气流路。
12.如权利要求1至10中任一项所述的接合装置,其特征在于,
在所述第一加压部件的内部形成有第一冷却用流体循环路,该第一冷却用流体循环路用于使冷却所述第一加压部件的冷却用流体进行循环,
在所述第二加压部件的内部形成有第二冷却用流体循环路,该第二冷却用流体循环路用于使冷却所述第二加压部件的冷却用流体进行循环。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101811223A (zh) * 2010-04-14 2010-08-25 宁波江丰电子材料有限公司 靶材组件焊接方法
CN102456598A (zh) * 2010-10-29 2012-05-16 东京毅力科创株式会社 粘合装置和粘合方法
CN103943520A (zh) * 2013-01-21 2014-07-23 贝思瑞士股份公司 具有可加热和可冷却抽吸构件的结合头
CN107003595A (zh) * 2014-11-12 2017-08-01 索尼公司 光源设备、图像显示设备、和光学单元
CN107209206A (zh) * 2015-01-12 2017-09-26 泰克元有限公司 测试分选机用加压装置
CN109872958A (zh) * 2017-12-04 2019-06-11 美光科技公司 半导体工具和用于形成半导体装置组合件的方法
CN110970278A (zh) * 2019-12-13 2020-04-07 南京三乐集团有限公司 一种用于辐冷型空间行波管的收集极散热结构
CN114333598A (zh) * 2022-01-10 2022-04-12 业成科技(成都)有限公司 显示面板加工装置

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH698844B1 (de) * 2007-06-22 2009-11-13 Oerlikon Assembly Equipment Ag Vorrichtung zum Anpressen von auf einem Substrat angeordneten Halbleiterchips.
WO2010097910A1 (ja) * 2009-02-25 2010-09-02 セイコーインスツル株式会社 陽極接合方法、陽極接合治具、および陽極接合装置
JP5549343B2 (ja) * 2010-03-18 2014-07-16 株式会社ニコン 基板接合装置、基板ホルダ、基板接合方法、デバイスの製造方法および位置合わせ装置
JP2012054416A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Nikon Corp 押圧装置、貼り合わせ装置、貼り合わせ方法、及び、積層半導体装置の製造方法
US8512491B2 (en) * 2010-12-21 2013-08-20 Tessera, Inc. Dual wafer spin coating
JP5791322B2 (ja) * 2011-03-28 2015-10-07 セイコーインスツル株式会社 パッケージの製造方法
WO2013095362A1 (en) 2011-12-20 2013-06-27 Intel Corporation High performance transient uniform cooling solution for thermal compression bonding process
US9412629B2 (en) * 2012-10-24 2016-08-09 Globalfoundries Inc. Wafer bonding for 3D device packaging fabrication
KR101380068B1 (ko) * 2012-12-28 2014-04-10 두산엔진주식회사 촉매 지지체 제조장치 및 이를 이용한 탈질 촉매 제조 방법
NL2010252C2 (en) * 2013-02-06 2014-08-07 Boschman Tech Bv Semiconductor product processing method, including a semiconductor product encapsulation method and a semiconductor product carrier-mounting method, and corresponding semiconductor product processing apparatus.
JP5860431B2 (ja) * 2013-04-25 2016-02-16 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システムおよび接合方法
JP6148532B2 (ja) * 2013-05-08 2017-06-14 東京応化工業株式会社 貼付装置及び貼付方法
US9165902B2 (en) 2013-12-17 2015-10-20 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of operating bonding machines for bonding semiconductor elements, and bonding machines
US9282650B2 (en) * 2013-12-18 2016-03-08 Intel Corporation Thermal compression bonding process cooling manifold
JP6466217B2 (ja) * 2014-04-10 2019-02-06 東京エレクトロン株式会社 剥離装置及び剥離システム
US10192847B2 (en) * 2014-06-12 2019-01-29 Asm Technology Singapore Pte Ltd Rapid cooling system for a bond head heater
JP2014241416A (ja) * 2014-07-14 2014-12-25 株式会社ニコン 基板貼り合せ装置および積層半導体装置製造方法
US9466538B1 (en) * 2015-11-25 2016-10-11 Globalfoundries Inc. Method to achieve ultra-high chip-to-chip alignment accuracy for wafer-to-wafer bonding process
KR20210037431A (ko) * 2019-09-27 2021-04-06 삼성전자주식회사 본딩 헤드, 이를 포함하는 다이 본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09283392A (ja) * 1996-04-10 1997-10-31 Seiko Epson Corp 基板の重ね合わせ方法及び装置
JP2850895B2 (ja) 1997-02-25 1999-01-27 日本電気株式会社 ボンディングヘッド
JP3916366B2 (ja) 1999-03-16 2007-05-16 東レエンジニアリング株式会社 チップ熱圧着ツール及びそれを備えたチップ実装装置
JP4224959B2 (ja) * 2001-08-21 2009-02-18 株式会社日立プラントテクノロジー 液晶基板の組立装置
JP4038133B2 (ja) * 2002-02-28 2008-01-23 芝浦メカトロニクス株式会社 基板貼り合わせ装置及び方法並びに基板検出装置
JP3801966B2 (ja) * 2002-07-31 2006-07-26 京セラ株式会社 加熱装置
JP4048896B2 (ja) * 2002-09-30 2008-02-20 ソニー株式会社 ボンディング装置
JP2004151655A (ja) * 2002-11-01 2004-05-27 Seiko Epson Corp 電気光学機器の製造方法および製造装置、並びに電子機器
JP4330912B2 (ja) * 2003-04-02 2009-09-16 富士通株式会社 貼合せ基板製造装置
JP4549648B2 (ja) * 2003-09-30 2010-09-22 信越半導体株式会社 半導体貼り合わせ装置
KR100968039B1 (ko) * 2005-12-12 2010-07-07 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 위치맞춤장치, 접합장치 및 위치맞춤방법

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101811223A (zh) * 2010-04-14 2010-08-25 宁波江丰电子材料有限公司 靶材组件焊接方法
CN102456598A (zh) * 2010-10-29 2012-05-16 东京毅力科创株式会社 粘合装置和粘合方法
CN102456598B (zh) * 2010-10-29 2014-11-05 东京毅力科创株式会社 粘合装置和粘合方法
CN103943520A (zh) * 2013-01-21 2014-07-23 贝思瑞士股份公司 具有可加热和可冷却抽吸构件的结合头
CN103943520B (zh) * 2013-01-21 2017-11-17 贝思瑞士股份公司 具有可加热和可冷却抽吸构件的结合头
CN107003595A (zh) * 2014-11-12 2017-08-01 索尼公司 光源设备、图像显示设备、和光学单元
CN107209206A (zh) * 2015-01-12 2017-09-26 泰克元有限公司 测试分选机用加压装置
CN109872958A (zh) * 2017-12-04 2019-06-11 美光科技公司 半导体工具和用于形成半导体装置组合件的方法
CN110970278A (zh) * 2019-12-13 2020-04-07 南京三乐集团有限公司 一种用于辐冷型空间行波管的收集极散热结构
CN110970278B (zh) * 2019-12-13 2022-10-28 南京三乐集团有限公司 一种用于辐冷型空间行波管的收集极散热结构
CN114333598A (zh) * 2022-01-10 2022-04-12 业成科技(成都)有限公司 显示面板加工装置

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Publication number Publication date
WO2007043254A1 (ja) 2007-04-19
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US7793698B2 (en) 2010-09-14
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