KR20210037431A - 본딩 헤드, 이를 포함하는 다이 본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법 - Google Patents

본딩 헤드, 이를 포함하는 다이 본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법 Download PDF

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KR20210037431A
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김성협
김병조
이상훈
이석원
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Abstract

다이 본딩 장치의 본딩 헤드는 헤드 본체, 상기 헤드 본체의 하부면에 장착되어 적어도 하나의 다이를 흡착 및 가열하고 상기 다이의 흡착면을 향하는 제1 발열면을 갖는 히터를 포함하는 열 가압부, 및 상기 헤드 본체의 하부면 상에서 상기 다이의 외측 영역에서 아래로 연장하고 상기 열 가압부에 흡착된 상기 다이의 측면을 향하며 내부에 구비된 열원에 의하여 발열하는 제2 발열면을 갖는 적어도 하나의 열 보상 블록을 포함하는 열 보상부를 포함한다.

Description

본딩 헤드, 이를 포함하는 다이 본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법{BONDING HEAD, DIE BONDING APPARATUS INCLUDING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGE USING THE SAME}
본 발명은 본딩 헤드, 이를 포함하는 다이 본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 자세하게, 본 발명은 다이를 픽업하여 기판 또는 다이 상에 본딩하기 위한 본딩 헤드, 이를 포함하는 다이 본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 다이 본딩 공정에서는 소잉 공정을 통해 개별화된 다이들을 인쇄회로기판과 같은 기판 또는 다이 상에 본딩하기 위하여 상기 다이를 픽업하여 본딩하는 본딩 헤드가 사용될 수 있다. 상기 다이 접합 시, 상기 다이를 가열하여 비전도성 접착 필름과 같은 접착 필름을 녹일 때, 기존 가열 헤드의 면내 온도 분포와 더불어, 상기 다이 측면의 외부 노출로 인해, 상기 다이의 내부 온도 분포에 차이가 발생하고, 이로 인해 상기 접착 필름의 물성(예를 들면, 접착력, 점성 계수, 탄성 계수, 열팽창 계수 등) 차이를 발생시킬 수 있다. 상기 접착 필름의 물성 차이로 인해 상기 접착 필름의 경화 시 불균일한 수축이 유도되고, 결과적으로 본딩 후, 상기 접착 필름의 미충전 현상 및 본딩된 다이의 휨 현상이 발생하는 문제점이 있다.
본 발명의 일 과제는 다이 본딩 시, 다이 내부의 균일한 온도 분포를 제공하기 위한 다이 본딩 장치의 본딩 헤드를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 과제는 상술한 다이 본딩 장치를 제공하는 데 있다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 다이 본딩 장치의 본딩 헤드는 헤드 본체, 상기 헤드 본체의 하부면에 장착되어 적어도 하나의 다이를 흡착 및 가열하고 상기 다이의 흡착면을 향하는 제1 발열면을 갖는 히터를 포함하는 열 가압부, 및 상기 헤드 본체의 하부면 상에서 상기 다이의 외측 영역에서 아래로 연장하고 상기 열 가압부에 흡착된 상기 다이의 측면을 향하며 내부에 구비된 열원에 의하여 발열하는 제2 발열면을 갖는 적어도 하나의 열 보상 블록을 포함하는 열 보상부를 포함한다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 다이 본딩 장치의 본딩 헤드는 헤드 본체, 상기 헤드 본체의 하부면에 장착되어 적어도 하나의 다이를 흡착 및 가열하고 상기 다이의 흡착면을 향하는 제1 발열면을 갖는 히터를 포함하는 열 가압부, 및 상기 헤드 본체의 하부면 상에서 상기 다이의 외측 영역에서 아래로 연장하고 상기 열 가압부에 흡착된 상기 다이로부터의 열을 차단하기 위한 반사면을 적어도 하나의 열 보상 블록을 포함하는 열 보상부를 포함한다.
상기 본 발명의 다른 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 다이 본딩 장치는 적어도 하나의 다이를 흡착 및 가열하여 기판 또는 다이 상에 본딩시키기 위한 본딩 헤드, 상기 본딩 헤드 내의 제1 진공 유로에 연결되어 상기 다이를 진공 흡착하기 위한 진공 모듈, 및 상기 본딩 헤드 내의 제1 냉각 유로에 연결되어 냉각 유체를 순환시기키기 위한 냉각 모듈을 포함한다. 상기 본딩 헤드는 헤드 본체, 상기 헤드 본체의 하부면에 장착되고 상기 다이의 흡착면을 향하는 제1 발열면을 갖는 히터 및 상기 다이를 흡착하기 위한 콜릿을 포함하는 열 가압부, 및 상기 헤드 본체의 하부면 상에서 상기 다이의 외측 영역에서 아래로 연장하고 상기 열 가압부에 흡착된 상기 다이로부터의 열을 차단하기 위한 반사면을 적어도 하나의 열 보상 블록을 포함하는 열 보상부를 포함한다.
예시적인 실시예들에 따르면, 다이 본딩 장치의 본딩 헤드는 적어도 하나의 다이를 흡착 및 가열하고 상기 다이의 흡착면을 향하는 제1 발열면을 갖는 히터를 구비하는 열 가압부 및 상기 다이의 외측 영역에서 상기 열 가압부에 흡착된 상기 다이의 측면을 향하는 제2 발열면을 갖는 적어도 하나의 열 보상 블록을 구비하는 열 보상부를 포함할 수 있다. 상기 열 보상부는 상기 다이로부터 방출된 열을 다시 상기 다이로 반사하는 열 차폐 부재로서의 역할 그리고 상기 다이의 측면부에 능동적으로 열을 가하는 열 기구로서의 역할을 수행할 수 있다.
상기 히터는 1차적으로 상기 제1 발열면 내에서의 2차원 온도 분포를 제어할 수 있고, 상기 열 보상부는 상기 제2 발열면을 통해 상기 제1 발열면으로부터 전달되는 2차원 온도 분포를 2차적으로 추가 제어할 수 있으며, 나아가, 상기 다이의 3차원 온도 구배를 제어할 수 있다. 즉, 상기 열 보상부는 상기 다이(적층된 복수 개의 다이들)의 면내 방향 및 두께 방향(적층 방향)으로의 온도 분포를 제어할 수 있다.
이에 따라, 상기 본딩 헤드로부터 상기 다이 및 접착 필름에 전달되는 열 유속을 원하는 3차원 온도 분포를 갖도록 제어함으로써, 상기 접착 필름의 물성을 균일하게 확보하여 접착 불량 및 본딩 후 상기 다이의 휨 현상을 감소 또는 방지할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 다이 본딩 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 다이 본딩 장치의 본딩 헤드를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 2의 본딩 헤드의 열 가압부 및 열 보상부를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 2의 본딩 헤드를 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 2의 본딩 헤드를 나타내는 저면도이다.
도 6은 도 3의 열 가압부의 히터를 나타내는 평면도이다.
도 7 내지 도 10은 열 보상 블록들의 다양한 배치를 나타내는 평면도들이다.
도 11은 예시적인 실시예들에 따른 다이 본딩 장치를 나타내는 블록도이다.
도 12는 도 11의 다이 본딩 장치의 본딩 헤드를 나타내는 단면도이다.
도 13은 도 12의 본딩 헤드의 열 가압부 및 열 보상부를 나타내는 단면도이다.
도 14a 및 도 14b는 예시적인 실시예들에 따른 다이 본딩 장치의 열 가압부 및 열 보상부를 나타내는 단면도들이다.
도 15는 도 14a의 열 가압부 및 열 보상부를 나타내는 사시도이다.
도 16은 도 15의 열 보상 블록의 다른 구성을 나타내는 사시도이다.
도 17 내지 도 21은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 다이 본딩 장치를 나타내는 블록도이다. 도 2는 도 1의 다이 본딩 장치의 본딩 헤드를 나타내는 단면도이다. 도 3은 도 2의 본딩 헤드의 열 가압부 및 열 보상부를 나타내는 단면도이다. 도 4는 도 2의 본딩 헤드를 나타내는 사시도이다. 도 5는 도 2의 본딩 헤드를 나타내는 저면도이다. 도 6은 도 3의 열 가압부의 히터를 나타내는 평면도이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 다이 본딩 장치(10)는 본딩 헤드(100) 및 본딩 헤드(100)가 장착되는 구동부(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 본딩 헤드(100)는 다이(D)를 흡착하여 가열하기 위한 열 가압부(130) 및 다이(D)의 외측 영역에 구비되어 다이(D)의 3차원 온도 구배를 제어하기 위한 열 보상부(200)를 포함할 수 있다. 또한, 다이 본딩 장치(10)는 본딩 헤드(100)에 연결되어 다이(D)를 흡착하기 위한 진공 모듈(160) 및 열 가압부(130)와 열 보상부(200)를 냉각시키기 위한 냉각 모듈(170)를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 다이 본딩 장치(10)는 소잉 공정을 통해 개별화된 다이(D)(또는 적층된 다이들(D))를 픽업하여 인쇄회로기판과 같은 기판 또는 또 다른 다이 상에 본딩하기 위하여 사용될 수 있다. 상기 구동부는 본딩 헤드(100)를 이용하여 다이(D)(또는 적층된 다이들(D))를 흡착하고 흡착된 다이(D)를 상기 기판(또는 다이)) 상에 본딩하기 위하여 본딩 헤드(100)를 이동시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 구동부는 X 방향, Y 방향 및 Z 방향으로 본딩 헤드(100)를 이동시킬 수 있다.
본딩 헤드(100)는 상기 구동부에 장착된 헤드 본체(110), 헤드 본체(110)의 하부면에 장착되는 열 가압부(130), 및 헤드 본체(110)의 하부면 상에서 아래로 연장하는 열 보상부(200)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 헤드 본체(110)는 상기 구동부에 장착되는 고정 블록(112) 및 고정 블록(112)의 하부에 장착된 단열 블록(114)을 포함할 수 있다. 단열 블록(114)은 열 가압부(130)의 히터(140)로부터 고정 블록(112)으로의 열 전달을 차단할 수 있다. 예를 들면, 단열 블록(114)은 볼트 등의 체결 부재를 이용하여 고정 블록(112)에 장착될 수 있다. 이에 따라, 히터(140)는 단열 블록(114)에 의해 열적으로 고립될 수 있다.
열 가압부(130)는 헤드 본체(110)의 하부면에 장착되어 적어도 하나의 다이(D)를 흡착 및 가열할 수 있다. 열 가압부(130)는 다이(D)를 가열하기 위한 히터(140) 및 다이(D)를 파지하기 위한 콜릿(collet)(150)을 포함할 수 있다. 열 가압부(130)는 다이(D)를 가열하여 상기 기판 상에 열압착시킬 수 있다.
구체적으로, 히터(140)는 볼트 등의 체결 부재를 이용하여 헤드 본체(110)의 하부면, 즉, 단열 부재(114)의 하부면에 고정될 수 있다. 히터(140)는 플레이트 형상을 가질 수 있다. 히터(140)는 다이(D)의 흡착면을 향하는 제1 발열면(S1)을 가질 수 있다. 제1 발열면(S1)은 XY 평면과 평행한 평면일 수 있다. 예를 들면, 히터(140)는 전기저항열선을 포함하는 세라믹 히터가 사용될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 히터(140)는 독립적으로 온도 제어가 가능한 복수 개의 열원들(141)을 포함할 수 있다. 따라서, 제1 발열면(S1)은 열원들(141)에 대응하여 서로 다른 온도 범위를 갖는 영역들로 분할될 수 있다. 상기 영역들의 온도 범위들을 조정함으로써 제1 발열면(S1) 내에서의 2차원 온도 분포를 제어할 수 있다.
콜릿(150)은 다이(D)의 픽업 및 이송을 위하여 다이(D)를 파지하는 본딩 툴로서의 역할을 수행할 수 있다. 예를 들면, 콜릿(150)은 진공압을 이용하여 다이(D)를 진공 흡착할 수 있으며, 다이(D)를 가압하여 상기 기판(또는 다이) 상에 본딩할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 히터(140)와 콜릿(150)에는 서로 연통하는 관통홀들(142, 152)이 각각 구비되고, 헤드 본체(110)에는 히터(140)의 관통홀(142)과 연통되는 제1 진공 유로(116)가 구비될 수 있다. 예를 들면, 관통홀들(142, 152)은 히터(140)와 콜릿(150)의 중앙 부위들에 각각 형성되고, 제1 진공 유로(116)는 헤드 본체(110)의 중앙 부위를 관통하도록 구비될 수 있다.
진공 모듈(160)은 진공 펌프와 밸브 등을 포함하고, 제1 진공 유로(116)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 콜릿(150)의 관통홀(152)에 진공이 형성되어 다이(D)를 흡착할 수 있다.
콜릿(150)은 히터(140)의 하부면에 탈착 가능하도록 장착될 수 있다. 예를 들면, 히터(140)의 하부면에는 콜릿(150)을 진공 흡착하기 위한 진공 채널이 구비되고, 히터(140)에는 상기 진공 채널과 연통된 유로들(144, 146)이 구비되고, 헤드 본체(110)에는 히터(140)의 유로들(144, 146)과 각각 연통된 제2 진공 유로들(118, 120)이 구비될 수 있다. 진공 모듈(160)은 제2 진공 유로들(118, 120)과 연결될 수 있다. 이에 따라, 콜릿(150)은 진공압을 이용하여 히터(140)의 하부면에 장착될 수 있다.
도면에 도시되지는 않았지만, 헤드 본체(110)의 하부면에는 히터(140)를 냉각시키기 위한 제1 냉각 채널이 구비될 수 있다. 상기 제1 냉각 채널은 단열 부재(114)의 하부면에 장착되는 히터(140)의 상부면과 접촉하여 쿨러(cooler)의 역할을 수행할 수 있다. 헤드 본체(110)에는 상기 제1 냉각 채널과 연통된 제1 냉각 유로가 구비될 수 있다.
냉각 모듈(170)은 냉각 유체 펌프 및 밸브 등을 포함하고, 상기 제1 냉각 유로와 연결되어 냉각 유체를 순환시킬 수 있다. 이에 따라, 히터(140)은 상기 냉각 유체의 순환에 의해 냉각될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 열 보상부(200)는 헤드 본체(110)의 하부면 상에서 열 가압부(130)에 흡착된 다이(D)의 외측 영역에서 아래로 연장하는 적어도 하나의 열 보상 블록(210)을 포함할 수 있다.
열 보상 블록(210)은 단열재를 포함하는 단열 블록일 수 있다. 열 보상 블록(210)은 다이(D)로부터 방출된 열을 다시 다이(D)로 반사하기 위한 반사면을 가질 수 있다. 열 보상 블록(210)은 다이(D)를 둘러싸는 열 차폐 부재의 역할을 수행할 수 있다. 열 보상 블록(210)은 내부의 열원을 포함할 수 있고, 상기 반사면은 다이(D)의 측면을 향하는 제2 발열면(S2)으로 제공될 수 있다. 상기 열원은 전기저항열선을 포함할 수 있다. 이와 다르게, 상기 열원은 열전 소자와 같은 능동형 열원을 포함할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 열 보상 블록(210)은 히터(140)의 하부면 상에서 다이(D)의 외측 영역에서 아래로 연장할 수 있다. 열 보상 블록(210)의 제2 발열면(S2)은 히터(140)의 제1 발열면(S1)과 직교할 수 있다. 열 보상 블록(210)의 제2 발열면(S2)은 XY 평면에 직교할 수 있다.
열 보상 블록(210)은 히터(140)의 하부면 상에 탈착 가능하도록 장착될 수 있다. 이와 다르게, 열 보상 블록(210)은 볼트 등의 체결 부재를 이용하여 히터(140)에 장착될 수 있다.
열 가압부(130)는 다이(D) 면적에 대응하는 면적을 가질 수 있다. 예를 들면, 히터(140)의 제1 측부는 제1 길이(L1)를 갖고, 콜릿(150)의 제1 측부는 제2 길이(L2)를 가질 수 있다. 제1 길이(L1)는 20mm 내지 50mm의 범위 이내에 있고, 제2 길이(L2)는 5mm 내지 15mm의 범위 이내에 있을 수 있다. 열 보상 블록(210)의 폭은 5mm 내지 20mm의 범위 이내에 있을 수 있다.
열 보상 블록(210)은 다이(D)의 측면과 기 설정된 거리만큼 이격될 수 있다. 예를 들면, 열 보상 블록(210)의 제2 발열면(S2)과 다이(D)의 측면 사이의 간격(G)은 10mm 이하일 수 있다. 열 보상 블록(210)의 제2 발열면(S2)과 다이(D2)의 측면 사이의 간격(G)이 10mm보다 클 경우, 다이(D)로부터 방출되는 열을 차폐하는 성능이 저하되어, 비전도성 필름의 균일한 접착 특성을 확보하기가 용이하지 않을 수 있다.
또한, 열 보상 블록(210)은 헤드 몸체(110)의 하부면으로부터 다이(D)의 높이(H1)보다 작은 높이(H2)를 가질 수 있다. 열 보상 블록(210)의 높이(H2)는 다이(D) 높이(H1)의 적어도 절반일 수 있다. 이에 따라. 열 보상 블록(210)은 다이(D)의 측면의 적어도 일부를 커버할 수 있다. 적층된 복수 개의 다이들(D)이 열 가압부(130)에 흡착된 경우, 열 보상 블록(210)의 높이(H2)는 다이들(D)의 전체 높이의 적어도 절반일 수 있다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 복수 개의 열 보상 블록들(210)이 다이(D)의 외측 영역을 따라 이격 배치될 수 있다. 예를 들면, 4개의 열 보상 블록들(210)의 다이(D)의 4개의 코너부들을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 열 보상 블록(210)의 제2 발열면(S2)이 다이(D)의 코너부 측면을 대향함으로써, 상대적으로 낮은 온도는 갖는 다이(D)의 코너부를 가열하여 다이(D)는 균일한 온도 분포를 가질 수 있다.
따라서, 다이(D)의 중심부와 상기 코너부 사이의 온도 편차를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 다이(D)의 코너부의 낮은 온도로 인해 발생하는 접착 필름의 미충전 현상을 방지할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 히터(140)의 하부면에는 열 보상 블록(210)을 냉각시키기 위한 제2 냉각 채널이 구비될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 히터(140)에는 상기 제2 냉각 채널과 연통된 냉각 유로(148)가 구비되고, 헤드 본체(110)에는 히터(140)의 냉각 유로(148)와 연통되는 제2 냉각 유로(119, 121)가 구비될 수 있다. 냉각 모듈(170)은 제2 냉각 유로(119, 121)와 연결될 수 있다. 이에 따라, 열 보상 블록(210)은 상기 냉각 유체의 순환에 의해 냉각될 수 있다.
상술한 바와 같이, 다이 본딩 장치(10)의 본딩 헤드(100)는 적어도 하나의 다이(D)를 흡착 및 가열하고 다이(D)의 흡착면을 향하는 제1 발열면(S1)을 갖는 히터(140)를 구비하는 열 가압부(130) 및 다이(D)의 외측 영역에서 열 가압부(130)에 흡착된 다이(D)의 측면을 향하는 제2 발열면(S2)을 갖는 적어도 하나의 열 보상 블록(210)을 구비하는 열 보상부(200)를 포함할 수 있다. 또한, 열 보상부(200)는 다이(D)로부터 방출된 열을 다시 다이(D)로 반사하는 열 차폐 부재로서의 역할을 수행할 수 있다.
히터(140)는 제1 발열면(S1) 내에서의 2차원 온도 분포를 제어할 수 있고, 열 보상부(200)는 제2 발열면(S2)을 통해 다이(D)의 3차원 온도 구배를 제어할 수 있다. 즉, 열 보상부(200)는 상기 다이(적층된 복수 개의 다이들)의 두께 방향(적층 방향)으로의 온도 분포를 제어할 수 있다.
이에 따라, 본딩 헤드(100)로부터 다이(D) 및 접착 필름에 전달되는 열 유속을 원하는 3차원 온도 분포를 갖도록 제어함으로써, 상기 접착 필름의 물성을 균일하게 확보하여 접착 불량을 방지할 수 있다.
도 7 내지 도 10은 열 보상 블록들의 다양한 배치를 나타내는 평면도들이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 하나의 열 보상 블록(210)이 히터(140) 하부면 상에 흡착된 다이(D)를 둘러싸도록 연장할 수 있다. 다이(D)의 외측면 전체는 열 보상 블록(210)에 의해 커버될 수 있다. 열 보상 블록(210)은 다이(D)를 완전히 둘러쌈으로써, 열 차폐 부재의 역할을 수행할 수 있다. 열 보상 블록(210)의 내부 반사면과 다이(D)의 측면 사이에는 열 차폐 공간이 형성될 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 열 보상 블록(210)의 반사면은 사각 형상을 가질 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이, 열 보상 블록(210)은 반사면은 원형 형상을 가질 수 있다. 열 보상 블록(210)의 제2 발열면(S2)은 상기 반사면의 일부 영역들에 구비될 수 있다. 예를 들면, 열 보상 블록(210)의 제2 발열면(S2)은 다이(D)의 코너부를 커버하도록 구비될 수 있다.
도 9를 참조하면, 4개의 열 보상 블록들(210)이 히터(140) 하부면 상에 흡착된 다이(D)의 코너부들을 커버하도록 배치될 수 있다. 열 보상 블록(210)의 제2 발열면(S2)은 부채꼴 형상을 가질 수 있다. 열 보상 블록(210)의 제2 발열면(S2)의 중심 영역이 다이(D)의 코너부에 가장 근접하게 배치될 수 있다.
도 10을 참조하면, 열 보상부는 다이(D)의 코너부들을 커버하는 4개의 열 보상 블록들(210) 및 다이(D)의 측부들을 커버하는 4개의 제2 열 보상 블록들(212)을 포함할 수 있다. 제2 열 보상 블록(212)은 다이(D)의 측부를 따라 연장할 수 있다.
열 보상 블록(210)의 제2 발열면(S2)은 제1 온도로 가열되고, 제2 열 보상 블록(212)의 제2 발열면(S2)은 상기 제1 온도와 다른 제2 온도로 가열될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 온도는 상기 제2 온도보다 높을 수 잇다.
상기 열 보상 블록들 및 상기 제2 열 보상 블록들의 개수 및 배치들은 예시적인 것이며, 이에 제한되지 않음을 이해할 수 있을 것이다.
도 11은 예시적인 실시예들에 따른 다이 본딩 장치를 나타내는 블록도이다. 도 12는 도 11의 다이 본딩 장치의 본딩 헤드를 나타내는 단면도이다. 도 13은 도 12의 본딩 헤드의 열 가압부 및 열 보상부를 나타내는 단면도이다. 상기 다이 본딩 장치는 상기 열 보상부의 배치를 제외하고는 도 1을 참조로 설명한 다이 본딩 장치와 실질적으로 동일하다. 이에 따라, 동일한 구성요소들에 대해서는 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략한다.
도 11 내지 도 13을 참조하면, 다이 본딩 장치(11)의 열 보상 블록(210)은 헤드 본체(110)의 하부면 상에서 다이(D)의 외측 영역에서 아래로 연장할 수 있다. 열 보상 블록(210)은 헤드 본체(110)의 하부면 상에 탈착 가능하도록 장착될 수 있다. 이와 다르게, 열 보상 블록(210)은 볼트 등의 체결 부재를 이용하여 헤드 본체(110)에 장착될 수 있다. 열 보상 블록(210)은 열 가압부(130)와 이격 배치될 수 있다. 열 보상 블록(210)은 다이(D)의 측면과 기 설정된 거리만큼 이격될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 헤드 본체(110)의 단열 블록(114)의 하부면에는 열 보상 블록(210)을 냉각시키기 위한 제2 냉각 채널이 구비될 수 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 헤드 본체(110)의 단열 블록(114)에는 상기 제2 냉각 채널과 연통된 냉각 유로(148)가 구비되고, 헤드 본체(110)의 고정 블록(112)에는 냉각 유로(148)과 연통된 제2 냉각 유로(119, 121)가 구비될 수 있다. 냉각 모듈(170)은 제2 냉각 유로(119, 121)와 연결될 수 있다. 이에 따라, 열 보상 블록(210)은 냉각 유체의 순환에 의해 냉각될 수 있다.
도 14a 및 도 14b는 예시적인 실시예들에 따른 다이 본딩 장치의 열 가압부 및 열 보상부를 나타내는 단면도들이다. 도 15는 도 14a의 열 가압부 및 열 보상부를 나타내는 사시도이다. 상기 다이 본딩 장치는 상기 열 보상부의 구성을 제외하고는 도 1을 참조로 설명한 다이 본딩 장치와 실질적으로 동일하다. 이에 따라, 동일한 구성요소들에 대해서는 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략한다.
도 14a, 도 14b 및 도 15를 참조하면, 다이 본딩 장치의 열 가압부(130)는 적층된 다이들(D)을 흡착 및 가열하고, 열 보상부(200)는 적층된 다이들(D)의 외측 영역에 구비되어 다이들(D)의 3차원 온도 구배를 제어하기 위한 열 보상 블록(210)을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도 14a에 도시된 바와 같이, 열 보상 블록(210)은 복수 개의 적층된 블록들(210a, 210b, 210c)을 포함할 수 있다. 블록들(210a, 210b, 210c)은 다이들(D)의 코너부를 둘러싸도록 다이들(D)의 외측 영역에 순차적으로 적층될 수 있다. 블록들(210a, 210b, 210b)은 다이(D)를 둘러쌈으로써, 열 차폐 부재의 역할을 수행할 수 있다. 상기 블록들은 분리 가능하도록 조립될 수 있다. 상기 블록들 중 일부만이 다이(D)의 외측 영역에 조립될 수 있다.
블록들(210a, 210b, 210c)은 다이들(D)의 측면을 향하는 반사면들(S2a, S2b, S2c)을 각각 구비할 수 있다. 블록들(210a, 210b, 210c)의 내부 반사면들과 다이들(D)의 측면들 사이에는 열 차폐 공간이 형성될 수 있다. 블록들(210a, 210b, 210c) 각각은 내부의 열원을 포함할 수 있고, 상기 반사면은 다이(D)의 측면을 향하는 제2 발열면(S2)으로 제공될 수 있다.
블록들(210a, 210b, 210c) 중 일부가 적층된 다이들(D)의 높이에 따라 조립될 수 있다. 블록들(210a, 210b, 210c)은 다이들(D)의 적층 방향을 따라 적층되어 3차원 온도 열전달의 자유도를 확보할 수 있다.
도 14b에 도시된 바와 같이, 열 보상 블록(210)은 복수 개의 적층된 제1 내지 제4 블록들(210a, 210b, 210c, 210d)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제4 블록들(210a, 210b, 210c, 210d)은 다이(D)의 측면으로부터 서로 다른 이격 거리들(G1, G2, G3, G4)을 각각 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 블록(210a)의 반사면(S2a)과 다이(D)의 측면 사이의 제1 이격 거리(G1)는 1mm이고, 제2 블록(210b)의 반사면(S2b)과 다이(D)의 측면 사이의 제2 이격 거리(G2)는 2mm이고, 제3 블록(210c)의 반사면(S2c)과 다이(D)의 측면 사이의 제3 이격 거리(G3)는 3mm이고, 제4 블록(210d)의 반사면(S2d)과 다이(D)의 측면 사이의 제4 이격 거리(G4)는 2mm일 수 있다.
도 16은 도 15의 열 보상 블록의 다른 구성을 나타내는 사시도이다.
도 16을 참조하면, 열 보상 블록(210)의 복수 개의 적층된 블록들(210a, 210b, 210c) 각각은 히터(140) 하부면 상에 흡착된 다이(D)를 둘러싸도록 연장할 수 있다. 적층된 다이들(D)의 외측면 전체는 블록들(210a, 210b, 210c)에 의해 커버될 수 있다. 열 보상 블록(210)은 적층된 다이들(D)을 완전히 둘러쌈으로써, 열 차폐 부재의 역할을 수행할 수 있다. 블록들(210a, 210b, 210c)의 내부 반사면들과 다이들(D)의 측면들 사이에는 열 차폐 공간이 형성될 수 있다.
이하에서는, 상기 다이 본딩 장치를 이용하여 반도체 패키지를 제조하는 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 17 내지 도 21은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
도 17 내지 도 21을 참조하면, 패키지 기판(510) 상에 제1 반도체 장치(400)를 적층하고, 제1 반도체 장치(400) 상에 제2 반도체 장치(300a, 300b)를 적층하여 반도체 패키지(500)를 형성할 수 있다.
도 17을 참조하면, 먼저, 패키지 기판(510)의 상부면 상에 제1 반도체 장치(400)를 적층시킬 수 있다. 패키지 기판(510)은 인쇄회로기판(PCB), 유기 기판, 세라믹 기판, 모듈 보드 등을 포함할 수 있다.
제1 반도체 장치(400)는 패키지 기판(510) 상에 플립 칩 본딩(flip chip bonding) 방식으로 실장될 수 있다. 제1 반도체 장치(400)은 도전성 범프들(410)을 매개로 하여 패키지 기판(510)과 전기적으로 연결될 수 있다. 복수 개의 도전성 범프들(410)은 패키지 기판(510)의 상기 상부면 상의 복수 개의 기판 패드들 상에 각각 배치되어 제1 반도체 장치(410)와 패키지 기판(510)이 접합될 수 있다.
제1 반도체 장치(400)가 패키지 기판(510)에 접합되면, 제1 반도체 장치(400)와 패키지 기판(510) 사이에는 접착제(412)가 언더필(underfill)될 수 있다. 상기 접착제는 에폭시 물질을 포함하여 제1 반도체 장치(400)와 패키지 기판(510) 사이의 틈을 보강할 수 있다.
이어서, 제1 반도체 장치(400) 상에 2개의 제2 반도체 장치들(300a, 300b)을 적층시킬 수 있다. 제2 반도체 장치(300a, 300b)는 순차적으로 적층된 버퍼 다이(310a) 및 제1 내지 제3 메모리 다이들(310b, 310c, 310d)을 포함할 수 있다. 버퍼 다이(310a) 및 제1 내지 제3 메모리 다이들(310b, 310c, 310d)은 실리콘 관통 비아들(330)을 통해 데이터 신호 및 제어 신호를 통신할 수 있다. 버퍼 다이(310a)는 복수 개의 도전성 범프들(340)에 의해 제1 반도체 장치(400)와 전기적으로 연결될 수 있다. 본 실시예에서는, 고대역폭 메모리(HBM, High Bandwidth Memory) 장치로서 4개의 적층된 다이들(칩들)을 포함하는 것으로 예시하였다. 하지만, 이에 제한되지 않음을 이해할 수 있을 것이다.
예시적인 실시예들에 있어서, 버퍼 다이(310a) 및 제1 내지 제3 메모리 다이들(310b, 310c, 310d)은 도 1(도 11)의 다이 본딩 장치를 이용하여 본딩될 수 있다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 다이 본딩 장치의 본딩 헤드는 소잉 공정에 의해 개별화된 제3 메모리 다이(310d)를 흡착하고 스테이지(S) 상의 제2 메모리 다이(310c) 상에 배치시킬 수 있다. 이어서, 상기 본딩 헤드의 열 가압부(130)는 제3 메모리 다이(310d)를 가압 및 가열할 수 있다.
제3 메모리 다이(310d)의 접속 패드들 상에는 범프들(350)이 형성될 수 있고, 제3 메모리 다이(310d)의 접합면 상에는 비전도성 접착 필름(NCF)과 같은 접착 필름(360)이 도포될 수 있다. 이와 다르게, 상기 접착 필름은 제2 메모리 다이(310c)의 접합면 상에 도포될 수 있다.
상기 본딩 헤드의 열 가압부(130)는 제3 메모리 다이(310d)를 가열함으로써, 상기 범프들이 리플로우되어 제3 메모리 다이(310d)와 제2 메모리 다이(310c) 사이에는 도전성 범프가 형성될 수 있다. 또한, 제3 메모리 다이(310d)와 제2 메모리 다이(310c)는 접착 필름(360)에 의해 접합될 수 있다.
이 경우에 있어서, 상기 본딩 헤드의 열 보상부(200)는 제3 메모리 다이(310d) 및 접착 필름(360)에 전달되는 열 유속을 원하는 3차원 온도 분포를 갖도록 제어할 수 있다. 열 보상부(200)의 열 보상 블록(210)은 제3 메모리 다이(310d)의 측면(코너부)로부터 방출된 열을 다시 반사하는 열 차폐 부재로서의 역할을 수행할 수 있다. 또한, 열 보상 블록(210)은 내부에 구비된 열원에 의하여 발열하는 제2 발열면(S2)을 구비하여, 상대적으로 낮은 온도는 갖는 제3 메모리 다이(310d)의 코너부를 가열하여 제3 메모리 다이(310d)가 균일한 온도 분포를 갖도록 할 수 있다.
따라서, 제3 메모리 다이(310d)의 중심부와 상기 코너부 사이의 온도 편차를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 제3 메모리 다이(310d)의 코너부의 낮은 온도로 인해 발생하는 상기 접착 필름의 미충전 현상을 방지할 수 있다.
이어서, 도 18 및 도 19를 참조로 설명한 공정들과 유사한 공정들을 수행하여, 적층된 제3 및 제2 메모리 다이들(310d, 310c)을 제1 메모리 다이(310b)에 본딩하고, 적층된 제3 내지 제1 메모리 다이들(310d, 310c, 310b)을 버퍼 다이(310a)에 본딩할 수 있다.
도 20 및 도 21을 참조하면, 다이 본딩 장치의 본딩 헤드는 적층된 제3 내지 제1 메모리 다이들(310d, 310c, 310b)을 흡착하고 스테이지(S) 상의 버퍼 다이(310a) 상에 배치시킬 수 있다. 이어서, 상기 본딩 헤드의 열 가압부(130)는 제3 내지 제1 메모리 다이들(310d, 310c, 310b)를 가압 및 가열할 수 있다.
이 경우에 있어서, 열 보상부(200)의 열 보상 블록(210)은 적층된 메모리 다이들(310d, 310c, 310b)의 높이에 따라 조립된 3개의 블록들(210a, 210b, 210c)을 포함할 수 있다. 블록들(210a, 210b, 210c) 각각은 내부의 열원을 포함할 수 있고, 블록들(210a, 210b, 210c)은 다이들(D)의 적층 방향을 따라 적층되어 3차원 온도 열전달의 자유도를 확보할 수 있다.
따라서, 상기 본딩 헤드의 열 보상부(200)는 제3 내지 제1 메모리 다이들(310d, 310c, 310a) 및 접착 필름들(360)에 전달되는 열 유속을 원하는 3차원 온도 분포를 갖도록 제어할 수 있다. 이에 따라, 온도의 분균일한 분포에 의한 상기 접착 필름의 미충전 현상을 방지할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따른 반도체 패키지는, 예를 들어 중앙처리장치(CPU, MPU), 애플리케이션 프로세서(AP) 등과 같은 로직 소자, 예를 들어 에스램(SRAM) 장치, 디램(DRAM) 장치, 고대역폭 메모리(HBM) 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치, 및 예를 들어 플래시 메모리 장치, 피램(PRAM) 장치, 엠램(MRAM) 장치, 알램(RRAM) 장치 등과 같은 불휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다. 상기 전자 장치는 TV, 컴퓨터, 휴대용 컴퓨터, 랩톱 컴퓨터, 개인휴대단말기, 태블릿, 휴대폰, 디지털 음악 재생기 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10, 11: 다이 본딩 장치 100: 본딩 헤드
110: 헤드 본체 112: 고정 블록
114: 단열 블록 130: 열 가압부
140: 히터 141: 열원
150: 콜릿 160: 진공 모듈
170: 냉각 모듈 200: 열 보상부
210: 열 보상 블록 212: 제2 열 보상 블록
210a, 210b, 210c: 블록 300a, 300b: 제2 반도체 장치
310a: 버퍼 다이 310b: 제1 메모리 다이
310c: 제2 메모리 다이 310d: 제3 메모리 다이
330: 실리콘 관통 비아 340, 350: 도전성 범프
360: 접착 필름 400: 제1 반도체 장치
500: 반도체 패키지 510: 패키지 기판

Claims (20)

  1. 헤드 본체;
    상기 헤드 본체의 하부면에 장착되어 적어도 하나의 다이를 흡착 및 가열하고, 상기 다이의 흡착면을 향하는 제1 발열면을 갖는 히터를 포함하는 열 가압부; 및
    상기 헤드 본체의 하부면 상에서 상기 다이의 외측 영역에서 아래로 연장하고, 상기 열 가압부에 흡착된 상기 다이의 측면을 향하며 내부에 구비된 열원에 의하여 발열하는 제2 발열면을 갖는 적어도 하나의 열 보상 블록을 포함하는 열 보상부를 포함하는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 열 보상 블록은 상기 다이의 코너부를 둘러싸도록 연장하는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 열 보상 블록은 상기 다이를 둘러싸도록 연장하는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 열 보상 블록은 단열재를 포함하는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 발열면과 상기 다이의 측면 사이의 간격은 10mm 이하인 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 열 보상 블록은 상기 헤드 몸체의 하부면으로부터 상기 다이의 높이보다 작은 높이를 갖는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 열 보상 블록은 적층된 복수 개의 블록들을 포함하는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 블록들은 상기 다이의 측면으로부터 서로 다른 이격 거리들을 갖는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 발열면과 상기 제2 발열면은 서로 직교하는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 히터는 독립적으로 온도 제어가 가능한 복수 개의 열원들을 포함하는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  11. 헤드 본체;
    상기 헤드 본체의 하부면에 장착되어 적어도 하나의 다이를 흡착 및 가열하고, 상기 다이의 흡착면을 향하는 제1 발열면을 갖는 히터를 포함하는 열 가압부; 및
    상기 헤드 본체의 하부면 상에서 상기 다이의 외측 영역에서 아래로 연장하고, 상기 열 가압부에 흡착된 상기 다이로부터의 열을 차단하기 위한 반사면을 적어도 하나의 열 보상 블록을 포함하는 열 보상부를 포함하는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 열 보상 블록은 단열재를 포함하는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 열 보상 블록은 내부에 열원을 포함하고, 상기 반사면은 상기 다이의 측면을 향하는 제2 발열면으로 제공되는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 열 보상 블록은 상기 다이의 코너부를 둘러싸도록 연장하는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 열 보상 블록은 상기 다이를 둘러싸도록 연장하는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  16. 제 11 항에 있어서, 상기 반사면과 상기 다이의 측면 사이의 간격은 10mm 이하인 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  17. 제 11 항에 있어서, 상기 열 보상 블록은 상기 헤드 몸체의 하부면으로부터 상기 다이의 높이보다 작은 높이를 갖는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  18. 제 11 항에 있어서, 상기 열 보상 블록은 적층된 복수 개의 블록들을 포함하는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 블록들은 상기 다이의 측면으로부터 서로 다른 이격 거리들을 갖는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
  20. 제 11 항에 있어서, 상기 히터는 독립적으로 온도 제어가 가능한 복수 개의 열원들을 포함하는 다이 본딩 장치의 본딩 헤드.
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