KR101427453B1 - 유기전자소자용 기판 및 이를 포함하는 유기전자소자 - Google Patents
유기전자소자용 기판 및 이를 포함하는 유기전자소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101427453B1 KR101427453B1 KR1020110090300A KR20110090300A KR101427453B1 KR 101427453 B1 KR101427453 B1 KR 101427453B1 KR 1020110090300 A KR1020110090300 A KR 1020110090300A KR 20110090300 A KR20110090300 A KR 20110090300A KR 101427453 B1 KR101427453 B1 KR 101427453B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- organic
- scattering
- refractive index
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 204
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 29
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 28
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 27
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 27
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 12
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical group C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 19
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 9
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- -1 benzoxazole compound Chemical class 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 5
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene Chemical group N1=NN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=NN=C3C2=N1 DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWMNLUGPPZOPJQ-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-naphthalen-1-ylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 MWMNLUGPPZOPJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCTGVGWOQDUYLV-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-1-N,2-N,2-N,3-tetraphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N(C1=CC=CC=C1)C=1C(=C(C=CC1NC1=CC=CC=C1)C1=CC=C(NC2=CC=CC=C2)C=C1)C1=CC=CC=C1 PCTGVGWOQDUYLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDRNXKXKFNHNCA-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 FDRNXKXKFNHNCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- GUQBJDFAOLSMEW-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C=1C(=NC2=C3N=CC=CC3=CC=C2C1)C1=CC=CC=C1.C1(=CC=CC=C1)C1=CC=NC2=C3N=CC=C(C3=CC=C12)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C=1C(=NC2=C3N=CC=CC3=CC=C2C1)C1=CC=CC=C1.C1(=CC=CC=C1)C1=CC=NC2=C3N=CC=C(C3=CC=C12)C1=CC=CC=C1 GUQBJDFAOLSMEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N cyclobenzothiazole Natural products C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910021432 inorganic complex Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- SZDXPEWZZGNIBB-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(naphthalen-1-ylamino)phenyl]phenyl]naphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=C2C(NC=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(NC=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)=CC=3)=CC=CC2=C1 SZDXPEWZZGNIBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIFRHYZBTHREPW-UHFFFAOYSA-N β-carboline Chemical compound N1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 AIFRHYZBTHREPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
- G02B5/0236—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
- G02B5/0242—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of dispersed particles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
본 발명은 기재; 기재상에 형성되며, 바인더 및 광을 산란시키는 산란 입자를 포함하고, 또한 상기 기재와 반대면에는 요철구조를 형성하는 산란층; 및 산란층상에 평탄면을 형성하는 평탄층을 포함하며, 상기 산란 입자의 굴절률(Na) 및 평탄층의 굴절률(Nb)은 |Na-Nb|≥0.3을 만족하는 기판, 상기 기판을 포함하는 유기전자소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 소자 성능을 저하시킴이 없이, 광추출 효율을 개선하고 제조공정을 단순화할 수 있다.
Description
본 발명은 신규한 구조의 유기전자소자용 기판, 상기 기판을 포함하는 유기전자소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
유기전자소자(organic electric device)는 정공 및/또는 전자를 이용하여 전극과 유기물 사이에서 전하의 흐름을 유도할 수 있는 소자를 의미한다. 유기전자소자는 동작 원리에 따라, 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 형성된 엑시톤(exiton)이 전자와 정공으로 분리되고, 분리된 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원으로 사용되는 형태의 전자소자; 또는 둘 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 유기물에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형태의 전자소자가 있다. 유기전자소자의 예에는 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diodes, OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 드럼 또는 유기 트랜지스터 등이 포함된다.
유기 발광 소자는 발광성 유기 화합물에 전류가 흐르면 빛을 내는 전계 발광 현상을 이용한 자체 발광형 소자를 의미한다. 유기 발광 소자는 열 안정성이 우수하고 구동 전압이 낮다는 장점이 있기 때문에, 디스플레이, 조명 등 다양한 산업 분야에서 차세대 소재로 관심을 받고 있다.
본 발명의 목적은 소자 성능을 저하시킴이 없이 광추출 효율을 개선할 수 있는 신규한 구조의 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 별도의 전자주입층(EIL)이 요구되지 않으며, 전자수송 효율 및 발광 효율이 향상된 유기전자소자 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명은 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법을 제공하며, 상기 기판은 기재; 기재상에 형성되며, 바인더 및 광을 산란시키는 산란 입자를 포함하고, 또한 상기 기재와 반대면에는 요철구조를 형성하는 산란층; 및 산란층상에 평탄면을 형성하는 평탄층을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명은 상기 기판을 포함하는 유기전자소자를 제공한다. 또한, 상기 산란 입자의 굴절률(Na) 및 평탄층의 굴절률(Nb)은, |Na-Nb|≥0.3을 만족할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 기판을 포함하는 유기전자소자 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 유기전자소자는 앞서 언급된 기판; 제1 전극; 발광층을 포함하는 유기층; 및 제2 전극이 순차 적층된 구조를 포함하며, 상기 유기층은 알칼리 할라이드로 도핑된 전자수송층을 포함하고, 상기 알칼리 할라이드로 도핑된 전자수송층의 두께는 40 내지 100 nm 범위로 형성될 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전자소자용 기판은 광추출 효율을 개선할 수 있다. 또한, 상기 기판을 포함하는 유기전자소자는 소자 성능을 저하시킴이 없이 발광효율을 개선할 수 있으며, 제조공정이 간단하고, 디스플레이 또는 조명 분야에서 다양하게 활용 가능하다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 유기전자소자용 기판의 단면을 나타낸 모식도이다;
도 2는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 유기전자소자의 단면을 나타낸 모식도이다;
도 3은 전극 위에 전자수송층과 전자주입층이 하나의 층으로 형성된 구조를 나타낸 모식도이다;
도 4는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 전극 위에 전자수송층이 형성된 구조를 나타낸 모식도이다;
도 5는 전자수송층의 두께에 따른 발광 휘도를 측정한 그래프이다.
도 2는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 유기전자소자의 단면을 나타낸 모식도이다;
도 3은 전극 위에 전자수송층과 전자주입층이 하나의 층으로 형성된 구조를 나타낸 모식도이다;
도 4는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 전극 위에 전자수송층이 형성된 구조를 나타낸 모식도이다;
도 5는 전자수송층의 두께에 따른 발광 휘도를 측정한 그래프이다.
본 발명에 따른 유기전자소자용 기판은 기재; 기재상에 형성되며, 바인더 및 광을 산란시키는 산란 입자를 포함하고, 또한 상기 기재와 반대면에는 요철구조를 형성하는 산란층; 및 산란층상에 평탄면을 형성하는 평탄층을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명은 상기 기판을 포함하는 유기전자소자를 제공한다. 또한, 상기 산란 입자의 굴절률(Na) 및 평탄층의 굴절률(Nb)은, |Na-Nb|≥0.3을 만족할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 기판을 제조하는 방법, 상기 기판을 포함하는 유기전자소자 및 상기 유기전자소자의 제조방법을 제공한다.
산란 입자와 평탄층의 굴절률 차이를 크게 형성함으로써 평탄층 측에서 산란층쪽으로 향하는 광의 산란을 크게 함으로써, 소자 내부의 굴절률 차이에 의한 반사 손실을 최소화할 수 있다.
유기전자소자, 예를 들어, 유기발광소자는 소자를 구성하는 각 층들 간의 굴절율 차이로 인해 내부 전반사가 발생된다. 구체적으로는, 유기물층에서 발생된 빛이 굴절률이 1.8 이상인 투명전극과 굴절률이 1.5 정도인 유리기판 사이의 계면에서 1차 전반사가 일어나게 된다. 또한, 유리기판을 통과한 빛도 굴절률이 1.5인 유리기판과 굴절률이 1.0이 공기와의 계면에서 2차 전반사가 일어나게 된다. 이러한 소자 내부의 전반사로 인해 발광 효율이 악화되고, 휘도가 저하될 수 있다. 본 발명은 이러한 유기전자소자의 내부 전반사로 인한 발광 효율 감소를 개선하고, 우수한 발광 균일도를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 유기전자소자용 기판은 소자의 발광 균일도를 향상시키고 광추출 효율을 개선할 수 있다. 구체적으로는, 일실시예에서, 상기 산란 입자의 굴절률(Na)는 1.0 내지 2.0이고, 평탄층의 굴절률(Nb)는 1.7 내지 2.5일 수 있으며, 바람직하게는 산란 입자의 굴절률(Na)는 1.2 내지 1.8이고, 평탄층의 굴절률(Nb)는 1.8 내지 2.0일 수 있다. 또 다른 일실시예에서, 상기 산란 입자의 굴절률(Na)는 2.0 내지 3.5이고, 평탄층의 굴절률(Nb)는 1.7 내지 2.5일 수 있으며, 바람직하게는 산란 입자의 굴절률(Na)는 2.2 내지 3.0이고, 평탄층의 굴절률(Nb)는 1.8 내지 2.0일 수 있다.
본 발명에서 굴절률은, 진공조건 하에서 400 내지 450 nm 파장의 광에 대한 굴절률을 측정한 결과를 나타낸 것이다.
상기 기재는, 특별히 제한되지 않으며, 투명 기재일 수 있으며, 예를 들어 광투과성 플라스틱 기판 또는 유리 기판일 수 있다.
상기 산란 입자는 평탄층과의 굴절률 차이를 이용하여 광을 산란시킬 수 있는 경우라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 실리콘, 실리카, 글래스, 산화 티탄, 불화 마그네슘, 산화 지르코늄, 알루미나, 산화 세륨, 산화 하프늄, 오산화 니오브, 오산화 탄탈, 산화 인듐, 산화 주석, 산화 인듐 주석, 산화 아연, 규소, 황아연, 탄산칼슘, 황산바륨, 실리콘 나이트라이드 및 알루미늄 나이트라이드로 구성된 군으로부터 선택되는 1 종 이상일 수 있다.
상기 산란 입자는 바인더와의 결합에 의해 기재상에 형성될 수 있으며, 단일층 또는 다층 구조이거나 불균일한 적층 구조를 형성할 수 있다. 바람직하게는, 상기 산란 입자는 기재상에 단일층으로 형성된 구조일 수 있다. 상기 산란 입자를 단일층으로 형성함으로써, 광을 균일하게 분산할 수 있으므로, 발광면 전체적으로 균일한 발광이 가능하다는 이점이 있다.
상기 산란 입자는 구형, 타원체형 또는 무정형의 형상일 수 있으며, 바람직하게는 구형 또는 타원체형의 형상일 수 있다. 산란 입자의 평균 직경은 0.01 ㎛ 내지 20 ㎛일 수 있으며, 바람직하게는 0.1 내지 5 ㎛일 수 있다.
상기 산란층 내의 바인더는 특별히 제한되는 것은 아니며, 유기 및 무기 또는 유무기 복합체 바인더일 수 있다. 일실시예에서, 상기 바인더는 무기 또는 유무기 복합체 바인더일 수 있다. 무기 또는 유무기 복합체 바인더는 유기 바인더에 비해 내열성 및 내화학성이 우수하여 소자의 성능 특히 수명에 유리하고, 소자 제작 과정에 있을 수 있는 150도 이상의 고온 공정, 포토 공정 및 식각 공정 등에서도 열화가 일어나지 않기 때문에 다양한 소자 제작에 유리하다는 장점이 있다. 바람직하게는 상기 바인더는 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드(silicon nitride), 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride), 알루미나(alumina) 및 실록산(siloxane) 결합(Si-O)을 기반으로 하는 무기 또는 유무기 복합체 등의 군으로부터 선택되는 1 종 이상일 수 있다. 예를 들어, 실록산을 이용하여 축중합시켜 [Si-O] 결합을 기반으로 한 무기 바인더를 형성하거나, 실록산 결합에서 알킬기가 완전히 제거되지 않은 유무기 복합체의 형태도 사용 가능하다.
상기 평탄층은 무기물이거나 무기 또는 유무기 복합체인 바인더를 포함할 수 있으며, 예는 특별히 제한되지 않으나, 평탄층은 실리콘 나이트라이드(silicon nitride), 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride), 알루미나(alumina) 및 실록산(siloxane) 결합(Si-O)을 기반으로 하는 무기 또는 유무기 복합체 등의 군으로부터 선택되는 1 종 이상을 포함할 수 있다.
상기 평탄층은 고굴절 필러를 더 포함할 수 있다. 상기 고굴절 필러는, 평탄층과 유기물 소자의 굴절률 차이를 줄이기 위한 것이다. 상기 고굴절 필러는 평탄층 내에 분산되어 굴절률을 높일 수 있는 경우라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 알루미나, 알루미늄 나이트라이드, 산화 지르코늄, 산화 티탄, 산화 세륨, 산화 하프늄, 오산화 니오브, 오산화 탄탈, 산화 인듐, 산화 주석, 산화 인듐 주석, 산화 아연, 규소, 황아연, 탄산칼슘, 황산바륨 및 실리콘 나이트라이드로 구성된 군으로부터 선택된 1 종 이상일 수 있다. 바람직하게는 상기 고굴절 필러는 이산화티탄일 수 있다.
상기 평탄층의 두께는 소자 특성에 맞게 적절히 조절할 수 있다. 광추출 효율을 높이기 위해서, 평탄층 평균 두께는 산란 입자 평균 직경의 0.5 배 또는 2 배 이상일 수 있으며, 예를 들어, 0.5배 내지 10 배 또는 1배 내지 5 배 범위일 수 있다.
본 발명은 앞서 설명한 유기전자소자용 기판을 포함하는 유기전자소자를 제공한다.
본 발명의 일실시예에 따른 유기전자소자는, 앞서 설명한 유기전자소자용 기판; 제1 전극; 발광층을 포함하는 유기층; 및 제2 전극이 순차 적층된 구조로서, 상기 유기층은 알칼리 할라이드로 도핑된 전자수송층을 포함하며, 상기 알칼리 할라이드로 도핑된 전자수송층의 두께는 40 내지 100 nm인 것을 특징으로 한다.
전자수송층에 알칼리 할라이드를 도핑함으로써, 전자에 대한 캐리어 밀도를 높이고 전자 주입을 위한 에너지 장벽을 낮출 수 있다. 특히 알칼리 할라이드가 도핑된 전자수송층을 40 내지 100 nm, 보다 구체적으로는 55 내지 85 nm의 두께로 형성함으로써, 기존 유기전자소자에서는 필수적인 구성으로 여겨졌던 전자주입층을 별도로 형성하지 않더라도 유기전자소자가 효율적으로 작동될 수 있다.
본 발명에 따른 유기전자소자는 기판 내에 산란입자가 형성된 광추출 구조를 포함하며, 기판 상에 형성되는 적층 구조 중에서 알칼리 할라이드 도핑된 전자수송층을 상대적으로 두텁게 형성한 구조이다. 이를 통해 광추출 효율을 개선하고, 동시에 유기전자소자의 적층구조를 단순화시켜 소자의 수명 개선 및 제조 공정의 단순화를 도모할 수 있다.
상기 전자수송층은 전자수송재료 및 이에 도핑된 알칼리 할라이드를 포함하며, 상기 전자수송재료는 이미다졸기, 옥사졸기, 티아졸기, 퀴놀린 및 페난트롤린기로 구성된 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 작용기를 갖는 화합물을 포함할 수 있다. 전자수송재료는 특별히 제한되지 않으며, 전자의 수송을 저해하지 않는다면, 필요한 물성에 따라 당업자가 자유롭게 선택 가능하다.
상기 전자수송층에 도핑되는 알칼리 할라이드는 전극으로부터 발광층으로의 전자 주입 및 수송 특성을 향상시키게 되며, 바람직하게는 소자의 수명을 향상시킬 수 있다. 이러한 알칼리 할라이드의 예로는, NaF, CsF, LiF, KF, MgF2 및 CaF2로 구성된 군으로부터 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 혼합물 등이 있다.
상기 알칼리 할라이드가 전자수송층 내에 도핑되는 양은, 소자 성능을 저하시키지 않는 범위에서 선택가능하며, 예를 들어, 전자수송층 전체 중량을 기준으로, 0.1 중량% 이상인 경우가 바람직하다. 알칼리 할라이드의 함량이 지나치게 적은 경우에는 알칼리 할라이드 도핑으로 인한 기술적 효과를 기대하기 어렵다.
일실시예에서, 알칼리 할라이드는 전자수송층의 두께에 따라 농도 구배를 갖도록 도핑될 수 있다. 전자수송층의 전 영역에 동일한 농도로 알칼리 할라이드를 도핑하는 경우보다, 두께에 따라 순차적으로 알칼리 할라이드의 도핑량을 증가시킴으로써 전자 수송 특성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 전자수송층은 전자도입과 전자수송을 동시에 수행할 수 있다. 본 발명에서는 전자주입층이 별도로 형성되지 않은 구조, 또는 전자수송층과 전자주입층이 하나의 층으로 형성된 구조를 제공한다. 즉, 상기 알칼리 할라이드 도핑된 전자수송층과 제2 전극이 직접 접하는 구조일 수 있다. 그러나, 전자주입층이 별도의 층으로 형성된 경우를 본 발명에서 제외하는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기전자소자 내에 적층되는 유기층은, 발광층 및 알칼리 할라이드 도핑된 전자수송층 만을 포함할 수 있으나, 필요에 따라 정공주입층, 정공수송층 및 전자주입층으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 일부층이 생략되거나 추가될 수 있다. 상기 정공수송층 또는 정공주입층으로는, 예를 들어, 아릴아민계 화합물, 도전성 폴리머, 또는 공정부분과 비공역 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 사용될 수 있다. 상기 유기층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층이 적층된 구조를 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기전자소자는 제1 전극과 유기층 사이에 형성된 금속 배선을 더 포함할 수 있다. 상기 금속 배선은 제1 전극의 전압강하를 보상하기 위한 것이다. 이를 통해 제1 전극 전면에 고른 전압 인가가 가능하다.
상기 제1 전극은 투명 전극이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전극으로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxdie), SnO2, CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(Graphene) 등이 사용될 수 있다. 또한, 제2 전극으로는 다양한 종류의 금속 박막이 사용될 수 있으며, 예를 들어, 알루미늄 박막이 사용될 수 있다. 본 발명에서 제1 전극 및 제2 전극의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 다양한 종류의 소재 또는 형태가 적용 가능하다.
본 발명은 또한, 앞서 설명한 유기전자소자용 기판을 제조하는 방법을 제공한다.
일실시예에서, 상기 제조방법은,
바인더 및 산란 입자를 포함하는 코팅액을 사용하여 기재상에 산란층을 형성하는 단계; 및
형성된 산란층 위에 평탄화된 면을 이루도록 평탄층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 산란층은 CVD, PVD 또는 졸겔 코팅에 의해 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 산란층을 형성하는 단계는, 무기 또는 유무기 복합체 바인더 및 산란 입자를 포함하는 코팅액을 기재 상에 도포하는 단계; 및 코팅액에 포함된 바인더를 축합 반응시켜 매트릭스를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 코팅액에 포함된 바인더가 축합되는 과정에서 산란 입자에 의한 요철 구조가 형성될 수 있다.
또한, 상기 평탄층은 CVD, PVD 또는 졸겔 코팅에 의해 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 평탄층을 형성하는 단계는, 무기 바인더 및 고굴절 필러를 포함하는 코팅액을 산란층 상에 도포하는 단계; 및 코팅액에 포함된 바인더를 축합 반응시켜 매트릭스를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 위에서 설명한 방법으로 제조된 기판을 이용하여 유기전자소자를 제조하는 방법을 제공한다.
일실시예에서, 상기 제조방법은, 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 발광층을 포함하는 유기층을 형성하는 단계; 및 상기 유기층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 유기층을 형성하는 단계는, 알칼리 할라이드로 도핑된 전자수송층을 40 내지 100 nm 두께로 형성하는 것을 포함할 수 있다.
상기 유기층을 형성하는 단계는, 제1 전극 상에 전자수송층 외에 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자주입층 중 어느 하나 이상의 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 유기층은 전자주입층을 생략하거나 전자주입층과 전자수송층이 하나의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 유기층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층으로 구성될 수 있다. 본 발명은 전자주입층이 별도의 층으로 형성된 경우를 본 발명에서 제외하는 것은 아니다. 또한, 상기 발광층을 포함하는 유기층은 2 스택 또는 3 스택의 구조로 반복 형성될 수 있다.
유기전자소자를 구성하는 각 층을 적층하는 방법은, 당해 기술분야에 알려진 방법에 의해 가능하다. 예를 들어, 증착법이나 솔벤트 프로세스(solvent process) 등의 방법이 적용 가능하며, 솔벤트 프로세스의 예로는 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등이 있다.
또한, 알칼리 할라이드가 도핑된 전자수송층은 40 내지 100 mm의 두께로 형성할 수 있으며, 보다 구체적으로는 55 내지 85 nm 두께로 형성할 수 있다. 본 발명에 따른 유기전자소자는 전술한 알칼리 할라이드 도핑된 전자수송층을 40 내지 100 nm, 또는 55 내지 85 nm의 두께로 형성하는 것을 제외하고는, 당해 기술분야에 알려진 제조 방법 및 재료에 의해 제조 가능하다. 예를 들어, 본 발명에 따른 유기전자소자는 유기층이 형성된 제1 ITO 전극 상에, 스퍼터링(sputtering) 또는 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 제2 전극을 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 유기전자소자는 기판 상에 형성된 유기층을 포함한다. 상기 유기층을 구성하는 각 층에 대해 보다 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
정공주입층
(
HIL
) 또는 정공수송층(
HTL
)
정공주입층 또는 정공수송층은 양극과 발광층 사이에 형성되어 정공의 수송을 촉진하게 된다. 예를 들어, 상기 정공주입층 또는 정공수송층을 구성하는 물질로는, NPD(N,N’-diphenyl-N-N’-di(1-naphthyl)-benzidine), TPD(N,N’-diphenyl-N,N’-di(3-toly)-benzidine) 또는 DNTPD(N,N’-diphenyl-amino)phenyl-N,N’-diphenylbenzidine) 등이 사용될 수 있다.
발광층(
EML
)
발광층에서는 정공전달과 전자전달이 동시에 일어나게 되며, 편의상 전자수송이 정공수송에 비해 빠를 경우에는 n-형 발광층, 정공수송이 전자수송에 비해 빠를 경우에는 p-형 발광층으로 분류할 수 있다.
상기 n-형 발광층은 전자수송이 정공수송 보다 빠르기 때문에 전공수송층과 발광층의 계면 부근에서 발광이 이루어진다. 따라서, 정공수송층의 LUMO 준위가 발광층의 LUMO 준위보다 높은 경우에 더 좋은 발광효율을 나타낼 수 있다. n-형 발광층은, 예를 들어, 트리스(8-히드록시퀴놀린)알루미늄(Alq3); 8-히드록시퀴놀린 베릴륨(BAlq); 벤즈옥사졸린계 화합물, 벤즈티아졸계 화합물 또는 벤즈이미다졸계 화합물; 폴리플루오렌계 화합물; 실리사이클로펜타디엔계 화합물 등을 포함한다.
상기 p-형 발광층에서는 정공수송이 전자수송 보다 빠르기 때문에 전자수송층과 발광층의 계면 부근에서 발광이 이루어진다. 따라서, 전자수송층의 HOMO 준위가 발광층의 HOMO 준위보다 낮은 경우에 보다 우수한 발광 효율을 낼 수 있다. p-형 발광층은, 예를 들어, 카바졸린계 화합물; 안트라센계 화합물; 폴리페닐렌비닐렌(PPV)계 폴리머; 또는 스피로(spiro) 화합물 등을 포함한다.
전자수송층
(
ETL
) 또는 전자주입층(
EIL
)
전자수송층 또는 전자주입층은 음극으로부터 주입받은 전자를 발광층으로 효율적으로 수송할 수 있도록 전자이동도(electron mobility)가 큰 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 특별히 제한되는 것은 아니나, Alq3 구조를 포함하는 유기화합물; 히드록시플라본-금속 착화합물 또는 실라사이클로펜 타디엔계 화합물 등을 포함한다. 또는, 상기 전자수송층은, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinoline) aluminium), Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 또는 BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 등의 물질이 사용될 수 있다.
이하 도면을 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 본 발명의 범주가 그에 제한되는 것을 아니다.
도 1에는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 유기전자소자용 기판의 적층구조를 모식적으로 도시하였다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 유기전자소자용 기판(100)은 기재(10) 상에 바인더(21) 및 산란 입자(30)를 포함하는 산란층이 형성되어 있으며, 상기 산란층은 기재(10)와의 반대면에 요철구조를 형성하고 있다. 상기 산란층의 요철구조 상에는 평탄층(22)이 형성되어 있다. 평탄층(22)에 의한 평탄면 상에 유기소자 등을 추가로 적층하는 것이 가능하다.
도 2는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 유기전자소자용 기판을 포함하는 유기전자소자의 적층구조를 모식적으로 도시한 것이다. 도 2를 참조하면, 도 1에서 제조된 기판(100) 상에 제1 전극(40), 발광층을 포함하는 유기층(50) 및 제2 전극(60)을 순차적으로 형성함으로써, 유기전자소자를 구성할 수 있다. 경우에 따라서는, 소자의 특성을 향상시키기 위한 추가적인 적층구조를 더 포함할 수 있다.
도 3은 전극 위에 전자수송층과 전자주입층이 함께 형성된 구조를 나타낸 모식도이다. 전극(200)에서 발생된 전자가 발광층으로 용이하게 주입되도록 전자수송층(301) 외에 전자주입층(302)을 추가로 형성한 구조이다.
이에 대해, 본 발명의 하나의 실시예는 도 4에 도시된 바와 같이, 전극(200)상에 알칼리 할라이드(310)가 도핑된 두꺼운 두께의 전자수송층(300)을 형성함으로써, 별도의 전자주입층 없이도 전자의 수송 특성을 향상시킬 수 있다. 상기 전자수송층(300)은 50 내지 100 nm 두께로 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은 앞서 설명한 유기전자소자를 포함하는 전자장치를 제공한다. 상기 장치는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 조명기기 또는 디스플레이 장치 등을 포함한다.
이하, 본 발명에 따른 실시예 등을 통해 본 발명을 더욱 상술하지만, 본 발명의 범주가 그것에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예
1
유기전자소자용 기판의 제조
TMOS(Si(OCH3)4, 실록산) 10 g에 굴절률이 약 1.52인 고분자 비드(XX75BQ, 직경 3 ㎛, Sekisui(제)) 1 g을 충분히 분산하여 코팅액을 조제하였다. 분산된 코팅액을 유리 기판상에 도포하였다. 도포된 코팅액을 경화시켜 산란층을 형성하였다. 또한, 내부에 고굴절 필러(이산화티탄)가 분산되어 있는 무기 바인더(실록산)를 산란층 상에 도포 및 건조시켜 평탄층이 형성된 유기전자소자용 기판을 제조하였다. 제조된 유기전자소자용 기판은, 평탄층 형성시 고굴절 필러의 함량을 조절함으로써, 평탄층과 고분자 비드의 굴절률 차이가 0.4이 되도록 하였다.
OLED
의 제조
상기 제조된 유기전자소자용 기판의 고굴절층 상에 제1 투명전극, 유기층 및 제2 전극을 순차적으로 적층하여 2x2 mm2의 발광 영역을 갖는 백색 OLED를 제작하였다. 상기 제1 투명전극으로는 ITO(Indium Tin Oxide)를 사용하고, 제2 전극으로는 알루미늄(Al)을 사용하여 형성하였다. 또한, 유기층으로는 정공주입층, 정공전달층, 발광층, 전자전달층 및 전자주입층을 포함하는 구조로 형성하였다. 상기 각 적층구조에서 사용된 소재는 백색 유기전자소자의 제조 분야에서 통상적으로 사용되는 소재를 사용하였고, 그 형성방법 역시 일반적인 방식을 사용하였다.
실시예
2
코팅액의 제조시에 산란 입자의 양을 1.5 g으로 변경하고, 고분자 비드와 평탄층의 굴절률 차이를 0.8로 조정한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 기판을 제조하고, 제조된 기판상에 유기전자소자를 형성하였다.
실시예
3
유기전자소자용 기판을 제조하는 과정에서 바인더로 TEOS(Si(OC2H5)4, 실록산)를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 기판을 제조하고, 제조된 기판을 이용하여 유기전자소자를 제조하였다.
비교예
1
유기전자소자용 기판을 제조하는 과정에서 실록산 대신 메틸메타크릴레이트를 사용하고, 평탄층과 고분자 비드의 굴절률 차이를 0.2로 조정하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 기판을 제조하고, 제조된 기판을 이용하여 유기전자소자를 제조하였다.
비교예
2
유기전자소자용 기판을 제조하는 과정에서 평탄층과 고분자 비드의 굴절률 차이를 0.2로 조정하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 기판을 제조하고, 제조된 기판을 이용하여 유기전자소자를 제조하였다.
실험예 1: 산란 입자와 평탄층의 굴절률 차이에 따른 광추출 효율의 비교
실시예 1, 2 및 비교예 1에서 제조된 유기전자소자에 대하여 광추출 효율을 비교 측정하였다. 구체적으로는, 각각의 유기전자소자를 0.4 mA의 정전류 구동 조건 하에서 구동시키고, 추출되는 광속을 측정하여 광추출 효율을 평가하였다. 측정결과는 하기 표 1에 나타내었다. 표 1에서 Na는 산란 입자의 굴절률, Nb는 평탄층의 굴절률을 의미하며, 굴절률 차이가 실질적으로 없는 경우를 의미한다.
| No. | 굴절률 차이(|Na-Nb|) | 광속(Luminous emittance, lm) |
| 대조군 | N.A. | 0.060 |
| 비교예 1 | 0.2 | 0.071 |
| 실시예 1 | 0.4 | 0.077 |
| 실시예 2 | 0.8 | 0.083 |
실시예
4
실시예 1에서 제조된 기판 상에 스퍼터링 방법으로 100 nm 두께의 투명 IZO 제1 전극을 형성하고, HAT(Hexanitrile hexaazatriphenylene) 물질을 열 진공 증착하여 50 nm 두께의 정공주입층을 형성하였다. 그 위에 NPD(N,N’-diphenyl-N-N’-di(1-naphthyl)-benzidine)를 진공 증착하여 40 nm 두께의 정공수송층으로 형성한 다음, Alq3(트리스(8-히드록시퀴놀린)알루미늄)을 진공 증착하여 30 nm 두께의 발광층을 형성하였다. 그런 다음, Alq3(트리스(8-히드록시퀴놀린)알루미늄)에 LiF를 10%(w/w) 도핑하여 제조한 전자수송층을 55 nm 두께로 형성하였다. 그 위에 175 nm 두께의 알루미늄 전극을 형성하였다.
실시예
5 및 6
전자수송층의 두께를 각각 70 및 85 nm로 형성한 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일한 방식으로 유기전자소자를 제작하였다.
비교예
3
전자수송층의 두께를 35 nm로 형성한 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일한 방식으로 유기전자소자를 제작하였다.
비교예
4
전자수송층의 두께를 140 nm로 형성한 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일한 방식으로 유기전자소자를 제작하였다.
실험예
2: 발광 휘도 측정
실시예 4~6, 비교예 3 및 4에서 제작된 유기전자소자들에 대한 발광 휘도를 측정하였다. 발광 세기는 유기전자소자의 발광면에 굴절률이 1.52인 반구형 렌즈를 부착하고, 적분구를 이용하여 소자에서 방출되는 광의 양을 측정하였다. 측정결과는 도 5에 나타내었다.
도 5를 참조하면, 전자수송층(ETL)의 두께에 따라 발광 휘도가 달라지는 것을 알 수 있다. 전자수송층의 두께를 55, 70 및 85 nm로 형성한 실시예 4 내지 6의 경우에 전자수송층의 두께를 35 및 140 nm로 형성한 비교예 3 및 4에 비해 발광 휘도가 높은 것으로 나타났고, 특히 85 nm로 형성한 경우에 발광 휘도가 가장 높은 것으로 나타났다.
10: 기재 21: 바인더
22: 평탄층 30: 산란 입자
40: 제1 전극 50: 유기층
60: 제2 전극 200: 전극
300, 301: 전자수송층 302: 전자주입층
310: 알칼리 할라이드 도펀트
22: 평탄층 30: 산란 입자
40: 제1 전극 50: 유기층
60: 제2 전극 200: 전극
300, 301: 전자수송층 302: 전자주입층
310: 알칼리 할라이드 도펀트
Claims (23)
- 기재; 기재상에 단일층으로 형성되며, 바인더 및 광을 산란시키는 산란 입자를 포함하고, 또한 상기 기재와 반대면에는 산란 입자에 의해 형성된 요철구조를 형성하는 산란층; 및 산란층상에 표면 굴곡을 평탄화시키는 평탄층을 포함하고, 상기 산란 입자의 굴절률(Na) 및 평탄층의 굴절률(Nb)은,|Na-Nb|≥0.3을 만족하는 유기전자소자용 기판;
제1 전극;
발광층을 포함하는 유기층; 및
제2 전극이 순차 적층되며,
상기 유기층은 알칼리 할라이드로 도핑된 전자수송층을 포함하고, 상기 알칼리 할라이드로 도핑된 전자수송층의 두께는 40 내지 100 nm인 유기전자소자. - 제 1 항에 있어서,
산란 입자의 굴절률(Na)는 1.0 내지 2.0이고, 평탄층의 굴절률(Nb)는 1.7 내지 2.5인 유기전자소자. - 제 1 항에 있어서,
산란 입자의 굴절률(Na)는 2.0 내지 3.5이고, 평탄층의 굴절률(Nb)는 1.7 내지 2.5인 유기전자소자. - 제 1 항에 있어서,
산란 입자는 실리콘, 실리카, 글래스, 산화 티탄, 불화 마그네슘, 산화 지르코늄, 알루미나, 산화 세륨, 산화 하프늄, 오산화 니오브, 오산화 탄탈, 산화 인듐, 산화 주석, 산화 인듐 주석, 산화 아연, 규소, 황아연, 탄산칼슘, 황산바륨, 실리콘 나이트라이드 및 알루미늄 나이트라이드로 구성된 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 유기전자소자. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
산란 입자의 평균 직경은 0.01 ㎛ 내지 20 ㎛인 유기전자소자. - 제 1 항에 있어서,
산란층 내의 바인더는 무기 또는 유무기 복합체 바인더인 유기전자소자. - 제 7 항에 있어서,
산란층 내의 바인더는 실리콘 산화물; 실리콘 나이트라이드; 실리콘 옥시나이트라이드; 알루미나; 및 실록산 결합을 기반으로 하는 무기 또는 유무기 복합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 유기전자소자. - 제 1 항에 있어서,
평탄층은 무기 바인더 또는 유무기 복합체의 바인더를 포함하는 유기전자소자. - 제 9 항에 있어서,
평탄층은 실리콘 산화물; 실리콘 나이트라이드; 실리콘 옥시나이트라이드; 알루미나; 및 실록산 결합을 기반으로 하는 무기 또는 유무기 복합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종 이상을 포함하는 유기전자소자. - 제 9 항에 있어서,
평탄층은 고굴절 필러를 더 포함하는 유기전자소자. - 제 11 항에 있어서,
고굴절 필러는 알루미나, 알루미늄 나이트라이드, 산화 지르코늄, 산화 티탄, 산화 세륨, 산화 하프늄, 오산화 니오브, 오산화 탄탈, 산화 인듐, 산화 주석, 산화 인듐 주석, 산화 아연, 규소, 황아연, 탄산칼슘, 황산바륨 및 실리콘 나이트라이드로 구성된 군으로부터 선택된 1 종 이상인 유기전자소자. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
전자수송층은 전자수송재료 및 이에 도핑된 알칼리 할라이드를 포함하며,
상기 전자수송재료는 이미다졸기, 옥사졸기, 티아졸기, 퀴놀린 및 페난트롤린기로 구성된 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 작용기를 갖는 화합물을 포함하는 유기전자소자. - 제 1 항에 있어서,
알칼리 할라이드는 NaF, CsF, LiF, KF, MgF2 및 CaF2로 구성된 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 유기전자소자. - 제 1 항에 있어서,
알칼리 할라이드는 전자수송층의 두께에 따라 농도 구배를 갖는 유기전자소자. - 제 1 항에 있어서,
전자수송층은 전자도입과 전자수송을 동시에 수행하는 유기전자소자. - 제 1 항에 있어서,
제1 전극과 유기층 사이에 형성된 금속 배선을 포함하는 유기전자소자. - 바인더 및 산란 입자를 포함하는 코팅액을 사용하여 기재상에 단일층의 산란 입자에 의해 형성된 요철구조를 갖는 산란층을 형성하는 단계; 및 형성된 산란층 위에 평탄화된 면을 이루도록 평탄층을 형성하는 단계를 포함하는 기판을 제조하는 단계;
제조된 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에 발광층을 포함하는 유기층을 형성하는 단계; 및
상기 유기층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 유기층을 형성하는 단계는, 알칼리 할라이드 도핑된 전자수송층을 40 내지 100 nm 두께로 형성하는 것을 포함하는 유기전자소자의 제조방법. - 제 19 항에 있어서, 산란층은 CVD, PVD 또는 졸겔 코팅에 의해 형성하는 유기전자소자의 제조방법.
- 제 19 항에 있어서, 평탄층은 CVD, PVD 또는 졸겔 코팅에 의해 형성하는 유기전자소자의 제조방법.
- 제 19 항에 있어서,
상기 유기층을 형성하는 단계는, 제1 전극 상에 전자수송층 외에 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자주입층 중 어느 하나 이상의 층을 형성하는 단계를 포함하는 유기전자소자의 제조방법. - 삭제
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100087090 | 2010-09-06 | ||
| KR20100087090 | 2010-09-06 | ||
| KR1020110012493 | 2011-02-11 | ||
| KR1020110012493A KR20120024358A (ko) | 2010-09-06 | 2011-02-11 | 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140023691A Division KR20140032471A (ko) | 2010-09-06 | 2014-02-27 | 유기전자소자용 기판 및 이를 포함하는 유기전자소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120024510A KR20120024510A (ko) | 2012-03-14 |
| KR101427453B1 true KR101427453B1 (ko) | 2014-08-08 |
Family
ID=46131417
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110012493A KR20120024358A (ko) | 2010-09-06 | 2011-02-11 | 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법 |
| KR1020110090300A KR101427453B1 (ko) | 2010-09-06 | 2011-09-06 | 유기전자소자용 기판 및 이를 포함하는 유기전자소자 |
| KR1020140023691A KR20140032471A (ko) | 2010-09-06 | 2014-02-27 | 유기전자소자용 기판 및 이를 포함하는 유기전자소자 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110012493A KR20120024358A (ko) | 2010-09-06 | 2011-02-11 | 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140023691A KR20140032471A (ko) | 2010-09-06 | 2014-02-27 | 유기전자소자용 기판 및 이를 포함하는 유기전자소자 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9257675B2 (ko) |
| EP (1) | EP2600431B1 (ko) |
| JP (1) | JP5656176B2 (ko) |
| KR (3) | KR20120024358A (ko) |
| CN (1) | CN103201869B (ko) |
| WO (1) | WO2012033322A2 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10483327B2 (en) | 2017-03-14 | 2019-11-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Light emitting diode and display device including the same |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9601719B2 (en) * | 2011-08-31 | 2017-03-21 | Oledworks Gmbh | Light source having an outsource device |
| KR101628010B1 (ko) * | 2012-03-23 | 2016-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전자장치용 기판의 제조 방법 |
| KR20130108027A (ko) | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판의 제조방법 |
| KR20130108028A (ko) | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 |
| WO2013147573A1 (ko) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판 |
| KR101421026B1 (ko) * | 2012-06-12 | 2014-07-22 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출층 기판 및 그 제조방법 |
| KR101715112B1 (ko) * | 2012-06-14 | 2017-03-10 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | Ｏｌｅｄ 소자용 적층체, 그 제조방법 및 이를 구비한 ｏｌｅｄ 소자 |
| KR101447216B1 (ko) * | 2012-07-20 | 2014-10-06 | 주식회사 창강화학 | 산란체를 포함하는 렌즈 어레이 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| EP2871688B1 (en) * | 2012-07-31 | 2022-09-21 | LG Chem, Ltd. | Substrate for organic electronic device |
| CN104521020B (zh) * | 2012-07-31 | 2017-06-20 | 株式会社Lg化学 | 用于有机电子器件的基板 |
| CN104508854B (zh) * | 2012-07-31 | 2017-12-01 | 株式会社Lg化学 | 用于有机电子器件的基板 |
| JPWO2014064835A1 (ja) * | 2012-10-26 | 2016-09-05 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| US9349994B2 (en) | 2012-11-09 | 2016-05-24 | Oledworks Gmbh | Light emitting device with improved internal out-coupling and method of providing the same |
| WO2014077422A1 (ko) | 2012-11-14 | 2014-05-22 | 주식회사 엘지화학 | 투명 도전성막 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| CN104813491B (zh) | 2012-11-28 | 2019-01-11 | 株式会社Lg化学 | 发光二极管 |
| US9595684B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-03-14 | Lg Chem, Ltd. | Substrate for organic electronic device having high refractive layer on light scattering, optical functional layer |
| CN103855310A (zh) * | 2012-11-30 | 2014-06-11 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光装置及其制备方法 |
| KR101466830B1 (ko) * | 2013-05-06 | 2014-11-28 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법 |
| KR101468972B1 (ko) * | 2013-06-04 | 2014-12-04 | 코닝정밀소재 주식회사 | 광산란층이 형성된 기판의 제조방법과 이에 의해 제조된 광산란층이 형성된 기판, 및 상기 광산란층이 형성된 기판을 포함하는 유기발광소자 |
| EP2814078B1 (en) * | 2013-06-14 | 2016-02-10 | Saint-Gobain Glass France | Transparent diffusive oled substrate and method for producing such a substrate |
| KR101466831B1 (ko) * | 2013-07-03 | 2014-11-28 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| KR101488660B1 (ko) * | 2013-08-14 | 2015-02-02 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| KR20150024189A (ko) * | 2013-08-26 | 2015-03-06 | 주식회사 엘지화학 | 플렉서블 기판의 제조방법 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법 |
| KR101470295B1 (ko) * | 2013-09-12 | 2014-12-08 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| KR101928598B1 (ko) | 2013-09-30 | 2018-12-12 | 주식회사 엘지화학 | 폴리이미드 필름 및 그 제조방법 |
| KR101642603B1 (ko) * | 2013-12-04 | 2016-07-25 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자장치용 기판의 제조 방법 |
| KR102054528B1 (ko) * | 2014-01-06 | 2019-12-10 | 주식회사 엘지화학 | 투명 도전성막 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| JP6572881B2 (ja) * | 2014-03-10 | 2019-09-11 | コニカミノルタ株式会社 | 電界発光素子、照明装置、および電界発光素子の製造方法 |
| JP6640721B2 (ja) * | 2014-07-04 | 2020-02-05 | 株式会社ホタルクス | 有機ｅｌパネル用透明樹脂層、有機ｅｌパネル、有機ｅｌ照明装置、および有機ｅｌディスプレイ |
| KR101650541B1 (ko) * | 2014-09-23 | 2016-08-23 | 코닝정밀소재 주식회사 | 플렉서블 기판 및 그 제조방법 |
| US11276841B2 (en) | 2014-09-25 | 2022-03-15 | Corning Precision Materials Co., Ltd. | Light extraction substrate for organic light emitting element and organic light emitting element comprising same |
| KR101762642B1 (ko) * | 2014-09-25 | 2017-07-31 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| KR101579457B1 (ko) * | 2014-12-22 | 2015-12-22 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| KR102028142B1 (ko) * | 2014-12-31 | 2019-10-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전자소자용 기판 |
| WO2016117924A1 (ko) * | 2015-01-21 | 2016-07-28 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광장치용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광장치 |
| KR101866243B1 (ko) * | 2015-01-21 | 2018-06-12 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| KR101957756B1 (ko) * | 2016-02-19 | 2019-03-14 | 율촌화학 주식회사 | 유기 발광 소자 광추출층, 이를 이용하는 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| CN106206983A (zh) | 2016-08-18 | 2016-12-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种有机发光二极管结构 |
| CN106098742A (zh) * | 2016-08-18 | 2016-11-09 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 有机发光显示装置及制造方法 |
| CN107942421A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-04-20 | 宁波激智科技股份有限公司 | 一种光学扩散膜及其制备方法 |
| KR102418724B1 (ko) * | 2017-12-05 | 2022-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조방법 |
| CN108550614B (zh) * | 2018-05-31 | 2020-03-13 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070024487A (ko) * | 2004-05-26 | 2007-03-02 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 면발광체 |
| JP2009054424A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機ｅｌ発光素子 |
| KR20100037572A (ko) * | 2008-10-01 | 2010-04-09 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 및 이의 제조방법 |
| US20100110551A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with high index backfill layer and passivation layer |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007134339A (ja) * | 2001-10-25 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 面発光体 |
| WO2003035389A1 (fr) | 2001-10-25 | 2003-05-01 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Substrat de support a film mince composite, substrat de support a film conducteur transparent et corps emetteur pour eclairage de panneau |
| US7012363B2 (en) | 2002-01-10 | 2006-03-14 | Universal Display Corporation | OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies |
| JPWO2004074399A1 (ja) * | 2003-02-20 | 2006-06-01 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2004089042A1 (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2004327070A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-18 | Seiko Epson Corp | 表示装置及び方法 |
| JP4600284B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2010-12-15 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス |
| JP4177788B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2008-11-05 | 株式会社東芝 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP2007294901A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Canon Inc | 有機発光素子 |
| JP2007287486A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Aitesu:Kk | 透明基板と電極の間に微細構造体を有する有機ｅｌ素子 |
| US20090015142A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film for organic light emitting diode display devices |
| US20090052195A1 (en) * | 2007-08-21 | 2009-02-26 | Fujifilm Corporation | Scattering member and organic electroluminescent display device using the same |
| JP2009070814A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-04-02 | Fujifilm Corp | 散乱部材を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| EP2203030A4 (en) * | 2007-08-27 | 2010-09-29 | Panasonic Elec Works Co Ltd | ORGANIC EL LIGHT ELEMENT |
-
2011
- 2011-02-11 KR KR1020110012493A patent/KR20120024358A/ko unknown
- 2011-09-06 CN CN201180053433.8A patent/CN103201869B/zh active Active
- 2011-09-06 EP EP11823755.1A patent/EP2600431B1/en active Active
- 2011-09-06 KR KR1020110090300A patent/KR101427453B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-06 JP JP2013527023A patent/JP5656176B2/ja active Active
- 2011-09-06 US US13/819,308 patent/US9257675B2/en active Active
- 2011-09-06 WO PCT/KR2011/006579 patent/WO2012033322A2/ko active Application Filing
-
2014
- 2014-02-27 KR KR1020140023691A patent/KR20140032471A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070024487A (ko) * | 2004-05-26 | 2007-03-02 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 면발광체 |
| JP2009054424A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機ｅｌ発光素子 |
| KR20100037572A (ko) * | 2008-10-01 | 2010-04-09 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 및 이의 제조방법 |
| US20100110551A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with high index backfill layer and passivation layer |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10483327B2 (en) | 2017-03-14 | 2019-11-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Light emitting diode and display device including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103201869B (zh) | 2016-06-15 |
| WO2012033322A3 (ko) | 2012-05-03 |
| US9257675B2 (en) | 2016-02-09 |
| CN103201869A (zh) | 2013-07-10 |
| EP2600431A4 (en) | 2014-07-02 |
| JP5656176B2 (ja) | 2015-01-21 |
| KR20140032471A (ko) | 2014-03-14 |
| EP2600431B1 (en) | 2019-06-26 |
| US20140014923A1 (en) | 2014-01-16 |
| JP2013539182A (ja) | 2013-10-17 |
| KR20120024358A (ko) | 2012-03-14 |
| WO2012033322A2 (ko) | 2012-03-15 |
| KR20120024510A (ko) | 2012-03-14 |
| EP2600431A2 (en) | 2013-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101427453B1 (ko) | 유기전자소자용 기판 및 이를 포함하는 유기전자소자 | |
| EP2439806B1 (en) | OLED with improved light outcoupling | |
| JP5476061B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| US20080238310A1 (en) | OLED with improved light outcoupling | |
| US9508957B2 (en) | OLED with improved light outcoupling | |
| JP5658913B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR101476499B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치 | |
| KR101453874B1 (ko) | 백색 유기발광소자 | |
| JP5149497B2 (ja) | 有機発光素子 | |
| WO2012132842A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR101760004B1 (ko) | 안정한 황색 발광층을 가진 ｏｌｅｄ 디바이스 | |
| WO2011074633A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| WO2016009991A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置 | |
| KR101581033B1 (ko) | 유기 발광 소자, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 조명 | |
| KR20140024307A (ko) | 조명용 유기 전자 소자 | |
| JP2010033780A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の発光色調整方法 | |
| JP5109054B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| WO2012176692A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| KR20130033645A (ko) | 투명 전극을 포함하는 기재 및 그 제조방법 | |
| KR20210102599A (ko) | 스파이로 호스트/보론 도판트를 함유하는 화합물 조합 및 이를 함유하는 유기발광다이오드 | |
| JP2012119524A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| WO2019002819A1 (en) | ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE | |
| JP2011198664A (ja) | 有機電界発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| A107 | Divisional application of patent | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190617 Year of fee payment: 6 |