CN103201869B - 有机电子器件用衬底和包括该衬底的有机电子器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种衬底，其包括：基材；散射层，其形成在所述基材上，并包括粘结剂和用于散射光的散射粒子，且在所述基材相反面上形成不平的结构；和平坦层，由其在散射层上形成平坦表面，其中，所述散射粒子的折射率（Na）和平坦层的折射率（Nb）满足方程式|Na-Nb|≥0.3。而且，本发明涉及包括上述衬底的有机电子器件及其制造方法。可提高光提取效率并且可简化制造过程而不降低器件性能。

Description

有机电子器件用衬底和包括该衬底的有机电子器件
技术领域
本发明涉及一种具有新型结构的有机电子器件用衬底、包括所述衬底的有机电子器件及衬底制造方法。
背景技术
有机电子器件(organicelectricdevice)是指，可以利用空穴(holes)和/或电子而在电极与有机物之间诱导电荷流动的器件。根据有机电子器件的工作原理有机电子器件分为：在有机物层中形成的激子(exciton)被从外部光源流入至器件的光子分离成电子和空穴，分离后的电子和空穴分别传递至不同的电极，由此用作电源的电子器件；或者通过对两个以上的电极施加电压或电流来将电子和空穴注入至有机物，并通过注入的电子和空穴来驱动的电子器件。有机电子器件的实例包括有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiodes，OLED)、有机太阳能电池、有机光导体(OPC)鼓或者有机晶体管等。
有机发光二极管是指使用电致发光(electroluminescence)的自发光型器件，其中当电流流过发光性有机化合物时会发光。由于有机发光二极管具有卓越的热稳定性和低的驱动电压的优点，有机发光二极管作为在不同领域(例如显示器、照明等)中的下一代材料已经受到许多关注。
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于，提供一种具有新型结构的有机电子器件用衬底，所述衬底能够提高光提取效率(lightextractionefficiency)而不降低器件性能，以及提供一种制造该衬底的方法。
本发明的另一个目的在于，提供一种具有改进的电子传导效率和发光效率而不需要额外的电子注入层(electroninjectionlayer，EIL)的有机电子器件及其制造方法。
解决课题的方法
本发明的一个方面提供了有机电子器件用衬底及其制造方法。在本说明书中，所述衬底可以包括基材；散射层(scatteringlayer)，其形成在该基材上，并包括粘结剂和用于散射光的散射粒子，且在基材相反面上形成不平的结构；平坦层(planarizationlayer)，其在散射层上形成平坦面。另外，本发明的另一方面提供了包括所述衬底的有机电子器件。在本说明书中，散射粒子的折射率Na和平坦层的折射率Nb满足方程式|Na-Nb|≥0.3。
本发明的另一方面还提供了一种包括所述衬底的有机电子器件及其制造方法。所述有机电子器件可以具有依次层叠的包括上述衬底、第一电极、含发光层(LEL)的有机层、第二电极的结构。在本说明书中，所述有机层包括掺杂了碱金属卤化物的电子传输层(ETL)，并且所述掺杂了碱金属卤化物的ETL可以形成40-100nm的厚度。
发明效果
如上所述，本发明的有机电子器件用衬底可以改善光提取效率，包括其的有机电子器件可以改善发光效率而不降低器件性能，并且具有制造简单的优点。
附图说明
图1是显示本发明一个示例性实施方案的有机电子器件用衬底的横截面的示意图；
图2是显示本发明一个示例性实施方案的有机电子器件的横截面的示意图；
图3是显示电子传输层和电子注入层作为一层在电极上形成的结构的示意图；
图4是显示本发明的一个示例性实施方案的电子传输层在电极上形成的结构的示意图；
图5是通过根据电子传输层的厚度测量发光亮度的曲线图。
具体实施方式
根据本发明的一个示例性实施方案，有机电子器件用衬底可以包括基材；散射层，其形成在该基材上，并包括粘结剂和用于光散射的散射粒子，且在基材相反面上形成不平的结构；平坦层(planarizationlayer)，其在散射层上形成平坦面。另外，本发明的另一方面提供了包括所述衬底的有机电子器件。此外，散射粒子的折射率Na和平坦层的折射率Nb可以满足方程式|Na-Nb|≥0.3。
此外，本发明提供一种制造所述衬底的方法、包括所述衬底的有机电子器件、以及所述有机电子器件的制造方法。
随着散射粒子与平坦层之间的折射率差值显著增加，从平坦层向散射层的光的散射显著增加，从而可以使由所述器件中的折射率不同而造成的反射损失最小化。
在有机电子器件(例如有机发光器件)的情况中，由于构成器件的各层之间的折射率不同而发生了内部全反射(internaltotalreflection)。更具体而言，在有机物层生成的光，其在折射率为1.8以上的透明电极与折射率为1.5左右的玻璃衬底之间的界面发生了一次全反射。通过玻璃衬底的光，其也在折射率为1.8的玻璃衬底与折射率为1.0的空气之间的界面发生二次全反射。所述器件的内部全反射可能降低发光效率和亮度。根据本发明，可以改善由所述有机电子器件的内部全反射而造成的发光效率的降低，并且可以提供优良的发光均匀度(luminousuniformity)。
根据本发明的一个示例性实施方案，有机电子器件用衬底可以提高所述器件的发光均匀度并改善光提取效率。更具体而言，根据本发明的一个示例性实施方案，散射粒子的折射率Na可以为1.0-2.0，并且平坦层的折射率Nb可以为1.7-2.5。优选地，散射粒子的折射率Na可以为1.2-1.8，并且平坦层的折射率Nb可以为1.8-2.0。根据另一个示例性实施方案，散射粒子的折射率Na可以为2.0-3.5，并且平坦层的折射率Nb可以为1.7-2.5。优选地，散射粒子的折射率Na可以为2.2-3.0，并且平坦层的折射率Nb可以为1.8-2.0。
在本发明中，通过在真空条件下测量400-450nm波长的光的折射率而获得所述折射率。
不具体限定基材，并且其可以是透明的基材。例如，所述基材可以是透光性塑料衬底或玻璃衬底。
只要所述散射粒子可以利用散射粒子与平坦层之间的折射率差异而散射光，就并不特别限定。例如，所述散射粒子可以是选自硅、二氧化硅、玻璃、氧化钛、氟化镁、氧化锆、氧化铝、氧化铈、氧化铪、五氧化铌、五氧化二钽、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡(ITO)、氧化锌、硅、硫化锌、碳酸钙、硫酸钡、氮化硅、氮化铝中的一种以上。
所述散射粒子可以通过与粘结剂粘合来形成在基材上，并且可以以单层结构或者多层结构、或不均匀的层叠结构形成。优选地，所述散射粒子可以在基材上以单层结构形成。将所述散射粒子以单层结构形成，由此可以使光均匀地分散，因此，可以从整个发光面均匀地发光。
所述散射粒子可以为球形、椭圆形或无定形形状，优选球形或椭圆形。所述散射粒子的平均直径可以为0.01μm-20μm，优选0.1-5μm。
不具体限定所述散射层中的粘结剂，其可以是有机粘结剂、无机粘结剂、或者有机/无机复合粘结剂。根据一个示例性实施方案，所述粘结剂可以是无机或有机/无机复合粘结剂。由于与有机粘结剂相比，无机或有机/无机复合粘结剂具有优异的耐热性和耐化学性，其满足所述器件的性能要求(特别是寿命)，并且由于所述无机或有机/无机复合粘结剂在器件制造过程期间不易降解，所述无机或有机/无机复合粘结剂在制造各种器件中也是有用的，所述器件制造过程可通过例如在150℃以上的高温过程、光学过程和刻蚀过程而实现。优选地，所述粘结剂可以为选自二氧化硅、氮化硅(siliconnitride)、氧氮化硅(siliconoxynitride)、氧化铝(alumina)和基于硅氧烷(siloxane)结合(Si-O)的无机或有机/无机复合物等中的一种以上。例如，可以使用硅氧烷来缩聚反应，由此形成基于[Si-O]结合的无机粘结剂，或者可以使用在硅氧烷结合中没有完全去除烷基的有机/无机复合物。
所述平坦层可以进一步包含粘结剂，例如无机材料、或者无机或有机/无机复合物。虽然没有特别限定所述平坦层的实例，但是，所述平坦层可以包含选自氮化硅(siliconnitride)、氧氮化硅(siliconoxynitride)、氧化铝(alumina)和基于硅氧烷(siloxane)结合(Si-O)的无机或有机/无机复合物等中的一种以上。
所述平坦层还可以包括高折射率填料。所述高折射率填料的功能在于减少平坦层与有机物层之间的折射率之差。只要所述高折射率填料可分散在平坦层中以增加折射率，就不特别限定所述高折射率填料。例如，所述高折射率填料可以为选自氧化铝、氮化铝、氧化锆、氧化钛、氧化铈、氧化铪、五氧化铌、五氧化二钽、氧化铟、氧化锡、ITO、氧化锌、硅、硫化锌、碳酸钙、硫酸钡、氮化硅中的一种以上。优选地，所述高折射率填料可以为二氧化钛。
根据器件性能可以适当调整所述平坦层的厚度。为了提高光提取效率，所述平坦层的平均厚度可以为散射粒子的平均直径的0.5倍或2倍以上，例如，可以为散射粒子的平均直径的0.5-10倍或1-5倍的范围。
本发明提供一种包括所述有机电子器件用衬底的有机电子器件。
本发明的一个示例性实施方案的所述有机电子器件，其具有依次层叠的包括所述有机电子器件用衬底、第一电极、包括发光层(LEL)的有机层、第二电极的结构，其特征在于，所述有机层包括掺杂了碱金属卤化物的电子传输层(ETL)，并且掺杂了碱金属卤化物的ETL具有40-100nm的厚度。
可以通过向ETL中掺杂碱金属卤化物来增加电子的载流子密度(carrierdensity)并减小用于注入电子的能垒(energybarrier)。尤其是所形成的掺杂了碱金属卤化物的电子传输层的厚度为40-100nm，更具体为55-85nm，由此即使不额外地形成在常规有机电子器件中曾经认为必需的EIL，也可以使所述有机电子器件有效地被驱动。
对本发明一个示例性实施方案的有机电子器件而言，在所述衬底中包括散射粒子形成的光提取结构，是在衬底上形成的层叠结构中将掺杂了碱金属卤化物的电子传输层形成为相对较厚的结构。通过以上，改善光提取效率的同时简化所述有机电子器件的层叠结构，从而提高所述器件的寿命，还可以促进制造过程的简单化。
所述电子传输层包括电子传输材料和掺杂至该电子传输材料中的碱金属卤化物。在本说明书中，所述电子传输材料可以包括具有选自咪唑基、唑基、噻唑基、喹啉基、菲咯啉基中的一种以上官能团的化合物。只要电子传输材料不阻碍电子的传输，不对其进行具体限定，并且根据所需物理性质，本领域的技术人员可以进行自由选择。
所述掺杂至电子传输层中的碱金属卤化物，其可以提高从电极至发光层的电子注入和传输性能，并且优选地，提高所述器件的寿命。所述碱金属卤化物的实例包括选自NaF、CsF、LiF、KF、MgF2、CaF2中的一种或两种以上的混合物。
掺杂于电子传输层中的碱金属卤化物的量，其可以在不降低器件性能的范围内选择。例如，基于所述电子传输层的总重量，所述掺杂的碱金属卤化物的量优选为0.1重量％以上。如果所述碱金属卤化物的量过低，则难以期待有掺杂碱金属卤化物而带来的技术效果。
根据一个示例性实施方案，所述电子传输层可以掺杂碱金属卤化物使得碱金属卤化物可以根据电子传输层的厚度而具有浓度梯度。相比于电子传输层的全部区域以相同的浓度掺杂碱金属卤化物的情况，根据ETL的厚度而依次增加碱金属卤化物的掺杂量，由此可以进一步提高电子传输性能。
所述电子传输层可以同时进行电子导入和电子传输。在本发明中，提供不额外形成EIL的结构、或电子传输层和电子注入层作为一层形成的结构。即，所述结构可以是掺杂了碱金属卤化物的电子传输层和第二电极直接接触的结构。然而，本发明不排除电子注入层以额外的层形成的情况。
根据本发明的一个示例性实施方案，在所述有机电子器件中层叠的有机层可以仅包括发光层和掺杂碱金属卤化物的电子传输层。然而，根据需要，所述有机层可以包括选自空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子注入层(EIL)中的一个以上的层。在这种情况中，可以省略或者追加一些层，但是本发明不对其进行限定。例如，芳香胺-基化合物、导电聚合物、兼具有共轭区和非共轭区的嵌段共聚物可用作所述空穴传输层或空穴注入层。所述有机层的结构可以包括所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层层叠的结构。
所述有机电子器件还可以包括在第一电极和有机层之间形成的金属线。所述金属线的功能在于补偿第一电极的电压下降。通过以上，可以向第一电极的整个表面施加均匀的电压。
透明电极可以用作所述第一电极。例如，所述第一电极可以使用ITO(IndiumTinOxide)、氧化铟锌(IZO，IndiumZincOxdie)、SnO2、碳纳米管(CNT，CarbonNanoTube)或者石墨烯(Graphene)。另外，第二电极可以使用各种金属薄膜。例如，第二电极可以使用铝薄膜。在本发明中，不特别限定第一电极和第二电极的种类，各种材料或者形状可用于第一电极和第二电极。
本发明还提供一种制造所述有机电子器件用衬底的方法。
根据一个示例性实施方案，所述制造方法可以包括：
使用包含粘结剂和散射粒子的涂渍溶液(coatingsolution)在基材上形成散射层的步骤；以及
在形成的散射层上形成平坦层以形成平坦化的面的步骤。
所述散射层可以通过CVD、PVD或者溶胶凝胶涂布(sol-gelcoating)方法形成。例如，形成所述散射层的步骤可以包括：将包含无机或有机/无机复合粘结剂和散射粒子的涂渍溶液涂布在基材上的步骤；以及使包含在涂渍溶液中的粘结剂发生缩合反应形成基体(martix)的步骤。在包含在涂渍溶液中的粘结剂进行缩合反应的期间，可形成由散射粒子引起的不平结构。
所述平坦层可以通过CVD、PVD或者溶胶凝胶涂布形成。例如，形成所述平坦层的步骤可以包括：将包含无机粘结剂和高折射率填料的涂渍溶液涂布在散射层上的步骤，以及使包含在涂渍溶液中的粘结剂发生缩合反应形成基体的步骤。
此外，本发明提供一种使用通过上述方法制造的衬底而制造有机电子器件的方法。
根据一个示例性的实施方案，所述制造方法包括：在所述衬底上形成第一电极的步骤；在所述第一电极上形成包含发光层的有机层的步骤；以及在所述有机层上形成第二电极的步骤。在本说明书中，形成所述有机层的步骤可以包括以40-100nm的厚度形成掺杂了碱金属卤化物的电子传输层。
形成所述有机层的步骤可以包括如下步骤：除了电子传输层，在所述第一电极上形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层中的任意一个以上。在所述有机层的情况中，可以省略电子注入层，或者电子注入层和电子传输层可以作为一层形成。例如，所述有机层可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层形成。在这种情况中，在本说明书中不排除电子注入层作为单独的一层形成的情况。所述包含发光层的有机层还可以以2-层叠结构或3-层叠结构重复形成。
层叠构成有机电子器件的各层的方法可以使用本领域技术的已知方法进行。例如，如沉积法(depositionmethod)或溶剂法(solventprocess)的方法是可以适用的。在本说明书中，所述溶剂法的实例包括旋转涂布、浸渍涂布、刮刀涂布(doctorblading)、丝网印刷(screenprinting)、喷墨印刷(inkjetprinting)、或者热转换方法等。
所述掺杂了碱金属卤化物的电子传输层还可以以40-100nm的厚度形成，更具体地，可以以55-85nm的厚度形成。根据本发明的一个示例性实施方案，所述有机电子器件可以使用本领域的已知方法和材料制造，除了将上述掺杂了碱金属卤化物的电子传输层以40-100nm或者55-85nm的厚度形成之外。例如，根据本发明的一个示例性实施方案，所述有机电子器件可以包括第二电极。在本说明书中，所述第二电极可以通过使用物理气相沉积(PVD，physicalvapordeposition)方法(例如溅射(sputtering)或电子束蒸发(e-beamevaporation))在形成有有机层的第一ITO电极上沉积金属、具有导电性能的金属氧化物或其合金形成。
根据本发明的一个示例性实施方案，所述有机电子器件包括形成在所述衬底上的有机层。以下将进一步描述构成所述有机层的各个层。
空穴注入层(HIL)或者空穴传输层(HTL)
在阳极和发光层之间形成空穴注入层或者空穴传输层以促进空穴的传输。例如，在本说明书中，构成空穴注入层或者空穴传输层的材料可以包括N,N’-二苯基-N-N’-二(1-萘基)-联苯胺(NPD，N,N’-diphenyl-N-N’-di(1-naphtyl)-benzidine)、N,N’-二苯基-N-N’-二(3-甲苯基)-联苯胺(TPD，N,N’-diphenyl-N,N’-di(3-toly)-benzidine)或者N,N’-(二苯基氨基)苯基-N,N’-二苯基联苯胺(DNTPD，(N,N’-diphenyl-amimo)phenyl-N,N’-diphenylbenzidine)等。
发光层(EML)
空穴的传递和电子的传递同时在发光层发生。为了方便起见，如果电子传输比空穴传输的速率快，则可以将发光层归类成n-型发光层；而如果空穴的传输比电子的传输的速率快，则可以将发光层归类成p-型发光层。
对所述n-型发光层而言，由于电子的传输比空穴的传输的速率快，因此在空穴传输层和发光层之间的界面附近产生发光。由此，如果空穴传输层的最低未占分子轨道(LUMO)水平高于发光层的LUMO水平，可以实现更高的发光效率。例如，所述n-型发光层包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、8-羟基喹啉铍(BAlq)、苯并恶唑啉基化合物、苯并噻唑基化合物、苯并咪唑基化合物、聚芴基化合物、甲硅烷基环戊二烯基化合物等。
对所述p-型发光层而言，由于空穴的传输比电子的传输快，因此在电子传输层和发光层之间的界面附近产生发光。由此，如果电子传输层的最高占据分子轨道(HOMO)水平低于发光层的HOMO水平，可以实现更优异的发光效率。例如，p-型发光层包括咔唑啉基化合物、蒽基化合物、聚亚苯基1,2-亚乙烯基(PPV)基聚合物或者螺环(spiro)化合物等。
电子传输层(ETL)或者电子注入层(EIL)
所述电子传输层或者电子注入层优选使用高电子移动性(electronmobility)材料形成，使得有效地向发光层传输从阴极注入的电子。不具体限定所述电子传输层或者电子注入层，但是其可以包括具有Alq3结构的有机化合物、羟基黄酮-金属复合化合物、或者甲硅烷基环戊二烯基化合物等。另外，例如所述电子传输层可以使用三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)或者2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)等。
在下文中将参考附图进一步详细描述本发明。但是，需理解的是所述本发明的示例性实施方案并不意图限定本发明的范围。
图1示意性显示了本发明的一个示例性实施方案的有机电子器件用衬底的层叠结构。参考图1，本发明的一个示例性实施方案的有机电子器件用衬底100形成有包含粘结剂21和散射粒子30的散射层，对所述散射层而言，在与基材10相反面上形成有不平的结构。在所述散射层的不平结构上形成有平坦层22。在通过平坦层22来平坦化的平坦面上可以进一步层叠有机器件等。
图2示意性地显示了有机电子器件的层叠结构，所述器件包括本发明的一个示例性实施方案的有机电子器件用衬底。参考图2，所述有机电子器件可以通过在如图1所示制造的衬底100上依次形成第一电极40、包括发光层的有机层50、和第二电极60来构成。必要时，所述有机电子器件还可以包括额外添加用于提高器件性能的层叠结构。
图3是显示电子传输层和电子注入层一起在电极上形成的结构的示意图。除了电子传输层301之外，本发明还可以是进一步额外形成电子注入层302的结构，使得在电极200中产生的电子容易注入至发光层。
因此，如图4所示，根据本发明的一个示例性实施方案，通过在电极200上形成掺杂了碱金属卤化物310的厚的电子传输层300，即使不使用额外的电子注入层也可以提高电子的传输性能。所述电子传输层300可以形成为50-100nm的厚度。
此外，本发明提供了包括上述有机电子器件的电子器件。不具体限定所述电子器件，其包括例如照明设备或显示器设备。
在下文中通过实施例等进一步详细描述本发明。但是，需理解的是所述本发明的实施例并不意图限定本发明的范围。
实施例1
有机电子器件用衬底的制造
将1g的折射率约为1.52的聚合物小球(XX75BQ，直径3μm，商购自Sekisui)充分分散于10g的TMOS(Si(OCH3)4，硅氧烷)中，由此制备了涂渍溶液。将分散的涂渍溶液涂布在玻璃衬底上。对已涂布的涂渍溶液进行固化而形成了散射层。将分散有高折射率填料(二氧化钛)的无机粘结剂(硅氧烷)涂布在所述散射层上并进行干燥，由此制造了形成有平坦层的有机电子器件用衬底。对制造的有机电子器件用衬底而言，通过在平坦层形成期间调整高折射率填料的含量，使得平坦层与聚合物小球之间的折射率之差为0.4。
OLED的制造
通过在制造的有机电子器件用衬底的高折射率层上依次层叠第一透明电极、有机层、第二电极，制造了具有2x2mm2尺寸的发光区域的白色OLED。作为所述第一透明电极使用了ITO(IndiumTinOxide)，作为第二电极使用了铝(Al)。此外，所述有机层形成为包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的结构。所述各层叠结构中所使用的材料是通常用于制造白色有机电子器件的材料，其形成方法使用了常规方法。
实施例2
除了在制备涂渍溶液时散射粒子的使用量为1.5g，以及将聚合物小球与平坦层之间的折射率之差调节至0.8外，使用与实施例1相同的方式制造衬底，并在所制造的衬底上形成了有机电子器件。
实施例3
除了在制造有机电子器件用衬底过程中将TEOS(Si(OC2H5)4，硅氧烷)用作粘结剂之外，使用与实施例1相同的方式制造衬底，并利用制造的衬底制造了有机电子器件。
比较实施例1
除了在制造有机电子器件用衬底过程中代替硅氧烷使用甲基丙烯酸甲酯，以及将平坦层与聚合物小球之间的折射率之差调节至0.2之外，使用与实施例1相同的方式制造衬底，并使用制造的衬底制造了有机电子器件。
比较实施例2
除了在制造有机电子器件用衬底过程中将平坦层与聚合物小球之间的折射率之差调节至0.2之外，使用与实施例1相同的方式制造衬底，并使用制造的衬底制造了有机电子器件。
实验实施例1：根据散射粒子与平坦层之间的折射率之差的光提取效率的对比
测量在实施例1和2以及比较实施例1中制造的有机电子器件的光提取效率以用于对比。更具体而言，在驱动条件下(例如0.4mA的恒定电流)驱动每种有机电子器件，测量所提取光的速率以评价光提取效率。测量结果列于下表1。在表1中，Na代表散射粒子的折射率，Nb代表平坦层的折射率，N.A.意为折射率没有实质差异。
表1
实施例4
使用溅射方法在实施例1中制造的衬底上形成厚度为100nm的透明IZO第一电极。在热真空下通过沉积六氮杂三亚苯基六腈(HAT，Hexanitrilehexaazatriphenylene)材料而形成厚度为50nm的空穴注入层。通过在空穴注入层上真空沉积N,N’-二苯基-N-N’-二(1-萘基)-联苯胺(NPD)而形成厚度为40nm的空穴传输层，然后通过真空沉积三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)而形成厚度为30nm的发光层。随后，通过将LiF以10％(w/w)的含量掺杂于三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)，由此将制造的电子传输层形成为55nm的厚度。在电子传输层上形成厚度为175nm的铝电极。
实施例5和6
除了分别形成厚度为70nm和85nm的电子传输层外，以与实施例4相同的方式制造了有机电子器件。
比较实施例3
除了形成厚度为35nm的电子传输层外，以与实施例4相同的方式制造了有机电子器件。
比较实施例4
除了形成厚度为140nm的电子传输层外，以与实施例4相同的方式制造了有机电子器件。
实验实施例2：发光亮度的测量
测量了在实施例4-6以及比较实施例3和4中制造的有机电子器件的发光亮度。通过将折射率为1.52的半球透镜附着于有机电子器件的发光面，并且使用积分球(integratingsphere)测量从有机电子器件发射的光的密度，由此测量了发光强度。其测量结果示于图5。
参考图5，可以确认发光亮度根据电子传输层(ETL)的厚度而不同。可以确认：实施例4-6的情况(其中所制备的电子传输层的厚度为55、70、85nm)的亮度高于比较实施例3和4(其中所制备的电子传输层的厚度为35、140nm)。尤其是当电子传输层的厚度为85nm时，电子传输层具有最高发光亮度。
本发明的有机电子器件的优势在于可提高光提取效率并且可简化制造过程而不降低器件性能，因此其可以在显示器或照明领域广泛应用。

Claims (21)

1.一种有机电子器件用衬底，其包括：
基材；
散射层，其形成在所述基材上，并包括粘结剂和用于散射光的散射粒子，且在所述基材相反面上形成不平的结构；和
平坦层，其在散射层上平坦化不平表面，
其中，所述散射粒子的折射率Na和平坦层的折射率Nb满足方程式|Na-Nb|≥0.3，并且所述散射粒子的折射率Na为2.0-3.5；平坦层的折射率Nb为1.7-2.5。
2.权利要求1所述的有机电子器件用衬底，其中，
所述散射粒子为选自硅、二氧化硅、玻璃、氧化钛、氟化镁、氧化锆、氧化铝、氧化铈、氧化铪、五氧化铌、五氧化二钽、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化锌、硅、硫化锌、碳酸钙、硫酸钡、氮化硅、氮化铝的一种以上。
3.权利要求1所述的有机电子器件用衬底，其中，
所述散射粒子在基材上以单层至五层以下的层叠结构形成。
4.权利要求1所述的有机电子器件用衬底，其中，
所述散射粒子的平均直径为0.01μm-20μm。
5.权利要求1所述的有机电子器件用衬底，其中，
在所述散射层中的粘结剂为无机粘结剂或者有机/无机复合粘结剂。
6.权利要求5所述的有机电子器件用衬底，其中，
在所述散射层中的粘结剂为选自二氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、和基于硅氧键的无机或有机/无机复合物中的一种以上。
7.权利要求1所述的有机电子器件用衬底，其中，
所述平坦层包含无机粘结剂或者有机/无机复合粘结剂。
8.权利要求7所述的有机电子器件用衬底，其中，
所述平坦层为选自二氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、和基于硅氧键的无机或有机/无机复合物中的一种以上。
9.权利要求7所述的有机电子器件用衬底，其中，
所述平坦层还包括高折射率填料。
10.权利要求9所述的有机电子器件用衬底，其中，
所述高折射率填料为选自氧化铝、氮化铝、氧化锆、氧化钛、氧化铈、氧化铪、五氧化铌、五氧化二钽、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化锌、硅、硫化锌、碳酸钙、硫酸钡、氮化硅中的一种以上。
11.一种有机电子器件，其为依次层叠权利要求1所述的有机电子器件用衬底、第一电极、包括发光层的有机层、以及第二电极的有机电子器件，
其中，所述有机层包括掺杂了碱金属卤化物的电子传输层，所述掺杂了碱金属卤化物的电子传输层的厚度为40-100nm。
12.权利要求11所述的有机电子器件，其中，
所述电子传输层包括电子传输材料和掺杂至电子传输材料中的碱金属卤化物，并且
所述电子传输材料包含具有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉基、菲咯啉基中的一种以上官能团的化合物。
13.权利要求11所述的有机电子器件，其中，
所述碱金属卤化物为选自NaF、CsF、LiF、KF、MgF2、CaF2中的一种以上。
14.权利要求11所述的有机电子器件，其中，
所述碱金属卤化物根据所述电子传输层的厚度而具有浓度梯度。
15.权利要求11所述的有机电子器件，其中，
所述电子传输层同时进行电子引入和电子传输。
16.权利要求11所述的有机电子器件，其还包括在第一电极和有机层之间形成的金属线。
17.一种制造权利要求1的有机电子器件用衬底的方法，其包括：
使用包含粘结剂和散射粒子的涂渍溶液在基材上形成散射层的步骤；和
在所形成的散射层上形成平坦层以形成平坦化的面的步骤。
18.权利要求17的方法，其中，
所述散射层通过CVD、PVD或者溶胶凝胶涂布形成。
19.权利要求17的方法，其中，
所述平坦层通过CVD、PVD或者溶胶凝胶涂布形成。
20.一种制造有机电子器件的方法，所述方法包括：
在权利要求17制造的衬底上形成第一电极的步骤；
在所述第一电极上形成包括发光层的有机层的步骤；和
在所述有机层上形成第二电极的步骤，其中，
形成所述有机层的步骤包括：将掺杂了碱金属卤化物的电子传输层以40-100nm的厚度形成。
21.权利要求20所述的制造有机电子器件的方法，其中，
形成所述有机层的步骤包括：除了电子传输层之外，在第一电极上形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层中的任意一个以上的步骤。
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9601719B2 (en) * 2011-08-31 2017-03-21 Oledworks Gmbh Light source having an outsource device
KR20130108028A (ko) * 2012-03-23 2013-10-02 주식회사 엘지화학 유기발광소자
KR101628010B1 (ko) * 2012-03-23 2016-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기전자장치용 기판의 제조 방법
KR20130108027A (ko) * 2012-03-23 2013-10-02 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판의 제조방법
JP5956673B2 (ja) * 2012-03-30 2016-07-27 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機電子素子用基板、有機電子装置、基板の製造方法及び照明
KR101421026B1 (ko) * 2012-06-12 2014-07-22 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출층 기판 및 그 제조방법
KR101715112B1 (ko) 2012-06-14 2017-03-10 쌩-고벵 글래스 프랑스 Ｏｌｅｄ 소자용 적층체, 그 제조방법 및 이를 구비한 ｏｌｅｄ 소자
KR101447216B1 (ko) * 2012-07-20 2014-10-06 주식회사 창강화학 산란체를 포함하는 렌즈 어레이 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
CN104737321B (zh) 2012-07-31 2018-05-11 株式会社Lg化学 用于有机电子器件的基板
CN104508854B (zh) * 2012-07-31 2017-12-01 株式会社Lg化学 用于有机电子器件的基板
EP2882007A4 (en) * 2012-07-31 2016-03-16 Lg Chemical Ltd SUBSTRATE FOR ORGANIC ELECTRONIC DEVICE
US20150280173A1 (en) * 2012-10-26 2015-10-01 Pioneer Corporation Light emitting device and manufacturing method of light emitting device
WO2014072868A1 (en) 2012-11-09 2014-05-15 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with improved internal out-coupling and method of providing the same
CN104769739B (zh) * 2012-11-14 2018-01-23 株式会社Lg化学 透明导电膜和包含所述透明导电膜的有机发光器件
EP2922104B1 (en) 2012-11-28 2019-05-08 LG Chem, Ltd. Light-emitting diode
CN103855310A (zh) * 2012-11-30 2014-06-11 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光装置及其制备方法
WO2014084699A1 (ko) * 2012-11-30 2014-06-05 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판
KR101466830B1 (ko) * 2013-05-06 2014-11-28 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법
KR101468972B1 (ko) * 2013-06-04 2014-12-04 코닝정밀소재 주식회사 광산란층이 형성된 기판의 제조방법과 이에 의해 제조된 광산란층이 형성된 기판, 및 상기 광산란층이 형성된 기판을 포함하는 유기발광소자
ES2564141T3 (es) * 2013-06-14 2016-03-18 Saint-Gobain Glass France Substrato de OLED difusor transparente y método para producir tal substrato
KR101466831B1 (ko) 2013-07-03 2014-11-28 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101488660B1 (ko) 2013-08-14 2015-02-02 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR20150024189A (ko) * 2013-08-26 2015-03-06 주식회사 엘지화학 플렉서블 기판의 제조방법 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법
KR101470295B1 (ko) * 2013-09-12 2014-12-08 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101928598B1 (ko) 2013-09-30 2018-12-12 주식회사 엘지화학 폴리이미드 필름 및 그 제조방법
US9691995B2 (en) 2013-12-04 2017-06-27 Lg Chem, Ltd. Method of manufacturing substrate for organic electronic device
KR102054528B1 (ko) * 2014-01-06 2019-12-10 주식회사 엘지화학 투명 도전성막 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2015137205A1 (ja) * 2014-03-10 2015-09-17 コニカミノルタ株式会社 電界発光素子、照明装置、および電界発光素子の製造方法
US10205127B2 (en) * 2014-07-04 2019-02-12 Nec Lighting, Ltd. Organic EL panel-use transparent resin layer, organic EL panel, organic EL lighting device, and organic EL display
KR101650541B1 (ko) * 2014-09-23 2016-08-23 코닝정밀소재 주식회사 플렉서블 기판 및 그 제조방법
WO2016047970A2 (ko) * 2014-09-25 2016-03-31 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101762642B1 (ko) * 2014-09-25 2017-07-31 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101579457B1 (ko) * 2014-12-22 2015-12-22 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR102028142B1 (ko) * 2014-12-31 2019-10-02 엘지디스플레이 주식회사 유기전자소자용 기판
WO2016117924A1 (ko) * 2015-01-21 2016-07-28 코닝정밀소재 주식회사 유기발광장치용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광장치
KR101866243B1 (ko) * 2015-01-21 2018-06-12 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
KR101957756B1 (ko) * 2016-02-19 2019-03-14 율촌화학 주식회사 유기 발광 소자 광추출층, 이를 이용하는 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
CN106206983A (zh) 2016-08-18 2016-12-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种有机发光二极管结构
CN106098742A (zh) * 2016-08-18 2016-11-09 信利（惠州）智能显示有限公司 有机发光显示装置及制造方法
KR102309894B1 (ko) 2017-03-14 2021-10-07 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
CN107942421A (zh) * 2017-11-30 2018-04-20 宁波激智科技股份有限公司 一种光学扩散膜及其制备方法
KR102418724B1 (ko) * 2017-12-05 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
CN108550614B (zh) * 2018-05-31 2020-03-13 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1445095A1 (en) * 2001-10-25 2004-08-11 Matsushita Electric Works, Ltd. Composite thin film holding substrate, transparent conductive film holding substrate, and panel light emitting body
CN101060165A (zh) * 2006-04-17 2007-10-24 株式会社Ites 在透明基板与电极之间具有细微结构体的有机el元件

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007134339A (ja) * 2001-10-25 2007-05-31 Matsushita Electric Works Ltd 面発光体
US7012363B2 (en) * 2002-01-10 2006-03-14 Universal Display Corporation OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies
JPWO2004074399A1 (ja) * 2003-02-20 2006-06-01 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1603367B1 (en) * 2003-03-12 2015-09-09 Mitsubishi Chemical Corporation Electroluminescence device
JP2004327070A (ja) 2003-04-21 2004-11-18 Seiko Epson Corp 表示装置及び方法
WO2005041217A1 (ja) * 2003-10-28 2005-05-06 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス
CN100457443C (zh) * 2004-05-26 2009-02-04 日产化学工业株式会社 面发光体
JP4177788B2 (ja) * 2004-06-09 2008-11-05 株式会社東芝 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2007294901A (ja) * 2006-03-31 2007-11-08 Canon Inc 有機発光素子
US20090015142A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 3M Innovative Properties Company Light extraction film for organic light emitting diode display devices
JP2009070814A (ja) * 2007-08-21 2009-04-02 Fujifilm Corp 散乱部材を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US20090052195A1 (en) * 2007-08-21 2009-02-26 Fujifilm Corporation Scattering member and organic electroluminescent display device using the same
JP5054464B2 (ja) * 2007-08-27 2012-10-24 パナソニック株式会社 有機ｅｌ発光素子
KR101239904B1 (ko) * 2007-08-27 2013-03-06 파나소닉 주식회사 유기 이엘 소자
KR101069520B1 (ko) 2008-10-01 2011-09-30 주식회사 엘지화학 유기발광소자 및 이의 제조방법
US20100110551A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 3M Innovative Properties Company Light extraction film with high index backfill layer and passivation layer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1445095A1 (en) * 2001-10-25 2004-08-11 Matsushita Electric Works, Ltd. Composite thin film holding substrate, transparent conductive film holding substrate, and panel light emitting body
CN101060165A (zh) * 2006-04-17 2007-10-24 株式会社Ites 在透明基板与电极之间具有细微结构体的有机el元件

Also Published As

Publication number Publication date
EP2600431A4 (en) 2014-07-02
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KR101427453B1 (ko) 2014-08-08
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EP2600431B1 (en) 2019-06-26
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US20140014923A1 (en) 2014-01-16
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KR20120024510A (ko) 2012-03-14

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