KR20130033645A - 투명 전극을 포함하는 기재 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 투명 기판; 상기 투명 기판상에 형성된 도전성 패턴; 도전성 패턴의 상부면이 노출된 상태의 평탄면을 형성하도록 도전성 패턴 사이를 충진하는 산란 입자 및 바인더를 포함하는 광추출층; 상기 평탄면상에 형성되고 개구부를 포함하는 투명 전극; 및 투명 전극의 개구부를 덮는 패시베이션층을 포함하는 투명 전극을 포함하는 기재를 제공하며, 상기 기재는 광추출 효율을 개선하고 소자 전체에 고른 전압을 인가하고, 광추출 구조에 대한 수분 및 공기의 침투를 억제함으로써, 소자의 내구성을 높일 수 있다.

Description

투명 전극을 포함하는 기재 및 그 제조방법{Substrate Comprising Transparent Electrode and Method for Manufacturing Thereof}
본 발명은 신규한 구조의 유기전자소자용 기재, 그 제조방법 및 상기 기판을 포함하는 유기전자소자에 관한 것이다.
유기전자소자(organic electric device)는 정공 및/또는 전자를 이용하여 전극과 유기물 사이에서 전하의 흐름을 유도할 수 있는 소자를 의미한다. 유기전자소자는 동작 원리에 따라, 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 형성된 엑시톤(exiton)이 전자와 정공으로 분리되고, 분리된 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원으로 사용되는 형태의 전자소자; 또는 둘 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 유기물에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형태의 전자소자가 있다. 유기전자소자의 예에는 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diodes, OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 드럼 또는 유기 트랜지스터 등이 포함된다.
유기 발광 소자는 발광성 유기 화합물에 전류가 흐르면 빛을 내는 전계 발광 현상을 이용한 자체 발광형 소자를 의미한다. 유기 발광 소자는 열 안정성이 우수하고 구동 전압이 낮다는 장점이 있기 때문에, 디스플레이, 조명 등 다양한 산업 분야에서 차세대 소재로 관심을 받고 있다.
본 발명의 목적은 신규한 구조의 유기전자소자용 기재, 그 제조방법 및 상기 기재를 포함하는 유기전자장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 투명 전극을 포함하는 기재에 관한 것으로,
투명 기판;
상기 투명 기판상에 형성된 도전성 패턴;
도전성 패턴의 상부면이 노출된 상태의 평탄면을 형성하도록 도전성 패턴 사이를 충진하는 산란 입자 및 바인더를 포함하는 광추출층;
상기 평탄면상에 형성되고 개구부를 포함하는 투명 전극; 및
투명 전극의 개구부를 덮는 패시베이션층을 포함하는 투명 전극을 포함하는 기재를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 기재를 제조하는 방법 및 상기 기재를 포함하는 유기전자장치 등을 제공한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전자소자용 기재는, 소자 성능을 저하시킴이 없이, 광추출 효율을 개선하고 소자 전체에 고른 전압을 인가할 수 있다. 또한, 상기 기재는 광추출 구조에 대한 수분 및 공기의 침투를 억제함으로써, 소자의 내구성을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 기재를 포함하는 유기전자소자를 나타낸 모식도이다;
도 2는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 기재를 포함하는 유기전자소자의 제조공정을 나타낸 모식도이다.
본 발명에 따른 유기전자소자용 기재는,
투명 기판;
상기 투명 기판상에 형성된 도전성 패턴;
도전성 패턴의 상부면이 노출된 상태의 평탄면을 형성하도록 도전성 패턴 사이를 충진하는 산란 입자 및 바인더를 포함하는 광추출층;
상기 평탄면상에 형성되고 개구부를 포함하는 투명 전극; 및
투명 전극의 개구부를 덮는 패시베이션층을 포함하는 투명 전극을 포함한다.
본 발명은 광추출층 내에 도전성 패턴을 형성함으로써, 소자의 면저항 증가를 완화 내지 감소시킬 수 있다. 일반적으로 기판 상에 적층되는 제1 전극으로 ITO(Indium Tin Oxide)이 많이 사용하고 있으나, ITO 전극은 약 10 Ω/cm2의 면저항이 발생된다. 이러한 면저항 증가는 발광 불균일을 초래하고 대면적화를 어렵게 하는 요인으로 작용한다. 본 발명에 따른 유기전자소자용 기재는 광추출층 내에 도전성 패턴을 형성함으로써, 제1 전극의 면저항을 감소시키고 발광 균일도를 높일 수 있다.
상기 도전성 패턴의 일면은 광추출층의 평탄면에 노출되어 있는 구조일 수 있다. 평탄면에 노출된 도전성 패턴은 이후에 형성되는 전극층과 전기적으로 연결될 수 있다. 하나의 실시예에서, 평탄면에 노출되어 있는 도전성 패턴의 면적 비율은, 평탄면 전체 면적을 기준으로, 0.001 내지 50%, 구체적으로는 0.01 내지 30%, 보다 구체적으로는 10 내지 20% 범위일 수 있다. 또 다른 하나의 실시예에서, 상기 도전성 패턴의 높이는 0.01 내지 3 ㎛, 보다 구체적으로는 0.1 내지 1 ㎛ 범위이다. 또한, 도전성 패턴의 폭은 1 내지 100 ㎛, 보다 구체적으로는 10 내지 80 ㎛ 범위일 수 있다.
또한, 상기 도전성 패턴은, 전기적 전도성이 있는 재질이라면 특별히 한정되지 않으며, Ag, Au, Al, Cu, Cr 및 Mo/Al/Mo로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상의 조합으로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로는 상기 도전성 패턴은, 은(Ag) 페이스트, 은을 포함한 금속 페이스트 또는 카본을 포함하는 도전 물질의 네트워크 형태일 수 있다. 금속 도전 패턴의 형상은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 복수의 금속 도전 라인이 평형한 형태, 사선형, 격자형, 허니콤형 또는 무정형 등일 수 있다.
유기전자소자, 예를 들어, 유기발광소자는 소자를 구성하는 각 층들 간의 굴절율 차이로 인해 내부 전반사가 발생된다. 구체적으로는, 유기물층에서 발생된 빛이 굴절율이 1.8 이상인 투명 전극과 굴절율이 1.5 정도인 유리기판 사이의 계면에서 1차 전반사가 일어나게 된다. 또한, 유리기판을 통과한 빛도 굴절율이 1.8인 유리기판과 굴절율이 1.0이 공기와의 계면에서 2차 전반사가 일어나게 된다. 이러한 소자 내부의 전반사로 인해 발광 효율이 악화되고, 휘도가 저하될 수 있다. 본 발명은 이러한 유기전자소자의 내부 전반사로 인한 발광 효율 감소를 개선하고, 우수한 발광 균일도를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 광추출층은, 도전성 패턴, 산란 입자, 및 바인더를 포함하는 바탕 영역을 포함한다. 상기 산란 입자와 바탕 영역의 굴절율 차이를 크게 형성함으로써 광추출층 내에서 산란 입자로 향하는 광을 산란함으로써, 소자 내부의 굴절율 차이에 의한 반사 손실을 최소화할 수 있다. 하나의 실시예에서, 상기 산란 입자의 굴절율(Na)와 광추출층의 바인더를 포함하는 바탕 영역의 굴절율(Nb)은 하기 수학식 1의 관계를 만족할 수 있다.
[수학식 1]
|Na-Nb|≥0.3
상기 식에서, Na는 산란 입자의 굴절율이고, Nb는 광추출층의 바인더를 포함하는 바탕 영역의 굴절율을 의미한다.
구체적으로는, 상기 산란 입자의 굴절율(Na)는 1.0 내지 2.0이고, 바탕 영역의 굴절율(Nb)는 1.7 내지 2.5일 수 있으며, 바람직하게는 산란 입자의 굴절율(Na)는 1.2 내지 1.8이고, 바탕 영역의 굴절율(Nb)는 1.8 내지 2.0일 수 있다. 또 다른 하나의 예로는, 상기 산란 입자의 굴절율(Na)는 2.0 내지 3.5이고, 바탕 영역의 굴절율(Nb)는 1.7 내지 2.5일 수 있으며, 바람직하게는 산란 입자의 굴절율(Na)는 2.2 내지 3.0이고, 바탕 영역의 굴절율(Nb)는 1.8 내지 2.0일 수 있다. 본 발명에서 굴절율은, 진공조건 하에서 400 내지 450 nm 파장의 광에 대한 굴절율을 측정한 결과를 나타낸 것이다.
상기 산란 입자는 평탄층과의 굴절율 차이를 이용하여 광을 산란시킬 수 있는 경우라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 실리콘, 실리카, 글래스, 산화 티탄, 불화 마그네슘, 산화 지르코늄, 알루미나, 산화 세륨, 산화 하프늄, 오산화 니오브, 오산화 탄탈, 산화 인듐, 산화 주석, 산화 인듐 주석, 산화 아연, 규소, 황아연, 탄산칼슘, 황산바륨, 실리콘 나이트라이드 및 알루미늄 나이트라이드로 구성된 군으로부터 선택되는 1 종 이상일 수 있다.
상기 산란 입자는 바인더와의 결합에 의해 기재상에 형성될 수 있으며, 단일층 또는 다층 구조이거나 불균일한 적층 구조를 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 산란 입자는 기재상에서 바인더 내에 분산된 구조일 수 있다. 상기 산란 입자를 바인더 내에 분산되도록 형성함으로써, 광을 균일하게 분산할 수 있으므로, 발광면 전체적으로 균일한 발광이 가능하다는 이점이 있다.
상기 산란 입자는 구형, 타원체형 또는 무정형의 형상일 수 있으며, 바람직하게는 구형 또는 타원체형의 형상일 수 있다. 산란 입자의 평균 직경은 0.01 ㎛ 내지 20 ㎛일 수 있으며, 바람직하게는 0.1 내지 5 ㎛일 수 있다.
상기 광추출층 내의 바인더는 특별히 제한되는 것은 아니며, 유기 및 무기 또는 유무기 복합체 바인더일 수 있다. 일실시예에서, 상기 바인더는 무기 또는 유무기 복합체 바인더일 수 있다. 무기 또는 유무기 복합체 바인더는 유기 바인더에 비해 내열성 및 내화학성이 우수하여 소자의 성능 특히 수명에 유리하고, 소자 제작 과정에 있을 수 있는 150도 이상의 고온 공정, 포토 공정 및 식각 공정 등에서도 열화가 일어나지 않기 때문에 다양한 소자 제작에 유리하다는 장점이 있다. 바람직하게는 상기 바인더는 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드(silicon nitride), 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride), 알루미나(alumina) 및 실록산(siloxane) 결합(Si-O)을 기반으로 하는 무기 또는 유무기 복합체 등의 군으로부터 선택되는 1 종 이상일 수 있다. 예를 들어, 실록산을 이용하여 축중합시켜 [Si-O] 결합을 기반으로 한 무기 바인더를 형성하거나, 실록산 결합에서 알킬기가 완전히 제거되지 않은 유무기 복합체의 형태도 사용 가능하다.
상기 광추출층의 바탕 영역을 형성하는 바인더는 고굴절 필러를 더 포함할 수 있다. 상기 고굴절 필러는, 광추출층과 유기층 사이의 굴절율 차이를 줄이기 위한 것이다. 상기 고굴절 필러는 광추출층 내에 분산되어 굴절율을 높일 수 있는 경우라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 알루미나, 알루미늄 나이트라이드, 산화 지르코늄, 산화 티탄, 산화 세륨, 산화 하프늄, 오산화 니오브, 오산화 탄탈, 산화 인듐, 산화 주석, 산화 인듐 주석, 산화 아연, 규소, 황아연, 탄산칼슘, 황산바륨 및 실리콘 나이트라이드로 구성된 군으로부터 선택된 1 종 이상일 수 있다. 바람직하게는 상기 고굴절 필러는 이산화티탄일 수 있다.
상기 기재는 광추출층의 평탄면 상에 형성되고 개구부를 포함하는 투명 전극을 포함한다. 상기 투명 전극은 소자의 제 1 전극으로 작용하며, 광투과성을 가지는 전도성 물질이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 상기 투명 전극으로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxdie), SnO2, CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(Graphene) 등이 있다.
상기 패시베이션층은 투명 전극의 개구부를 덮는 구조로 형성되며, 수분 내지 공기가 산란 입자를 포함하는 광추출층으로 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 통해 소자의 수명을 개선하고, 발광면의 불량을 방지할 수 있다. 상기 패시베이션층은 수분 및 공기를 차단하는 효과가 있는 경우라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 실리콘 나이트라이드(Silicon nitride), 실리콘 옥사이드(Silicon oxide), 옥사나이트라이드(oxynitride), Al2O3 및 폴리이미드(polyimide) 중 어느 하나 이상일 수 있다.
상기 투명 기판은, 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 광투과성 플라스틱 기판 또는 유리 기판일 수 있다.
도 1에는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 기재를 포함하는 유기전자소자(100)의 단면을 모식적으로 도시하였다. 도 1을 참조하면, 투명 기판(10) 상에 도전성 패턴(21)과 산란 입자(22)를 포함하는 광추출층(20)이 형성된다. 광추출층(20)의 투명 기판(10)과의 반대면은 평탄면을 형성하고 있다. 광추출층(20)의 평탄면 위에는 개구부를 갖는 투명 전극(30)이 형성된다. 투명 전극(30)의 개구부와 그 주위는 패시베이션층(30)으로 도포된다. 그 위에, 발광층을 포함하는 유기층(50)과 제2 전극층(60)이 형성된다.
본 발명은 또한, 상기 투명 전극을 포함하는 기재를 제조하는 방법을 제공한다.
일실시예에서, 상기 제조방법은,
투명 기판상에 도전성 패턴을 형성하는 단계;
도전성 패턴 사이를 산란 입자 및 바인더를 포함하는 코팅액을 충진하여 광추출층을 형성하는 단계;
도전성 패턴의 상부면이 노출된 상태의 평탄면을 형성하는 단계;
평탄면 상에 개구부를 포함하는 투명 전극을 형성하는 단계; 및
투명 전극의 개구부를 덮는 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
투명 기판 상에 도전성 패턴을 형성하는 단계는, 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 기판상에 패턴을 직접 형성하거나 포토리소그라피(photolithography) 등에 의해 도전성 패턴을 형성할 수 있다. 도전성 패턴을 구성하는 재질 내지 형상에 대해서는 앞서 설명한 바와 동일한다.
상기 광추출층을 형성하는 단계는 CVD(chemical vapor deposition; 화학기상증착법), PVD(physical vapor deposition; 물리증착법) 또는 졸겔(sol-gel) 코팅에 의해 수행할 수 있다. 예를 들어, 상기 광추출층을 형성하는 단계는, 무기 또는 유무기 복합체 바인더 및 산란 입자를 포함하는 코팅액을 기재 상에 도포하는 단계; 및 코팅액에 포함된 바인더를 축합 반응시켜 매트릭스를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 평탄층을 형성하는 단계는 화학 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 등에 의해 수행할 수 있다. 평탄층의 상부면에 노출되는 도전성 패턴과 추후 적층되는 제1 전극과의 전기적 연결을 촉진할 수 있다.
도 2에는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 기재를 포함하는 유기전자소자의 제조과정이 도시되어 있다. 먼저, 투명 기판 상에 도전성 패턴을 형성하고, 산란 입자가 함유된 고분자 코팅액을 도포하였다. 고분자 코팅액의 도포는 졸겔 방식으로 실시하였다. 그런 다음, 도전성 패턴의 표면이 노출되도록 그라인딩한 후, 쉐도우 마스크를 이용하여 개구부를 포함하도록 투명 전극을 형성하였다. 투명 전극의 개구부는 패시베이션층으로 덮고, 다시 발광층을 포함하는 유기층과 금속 전극을 순차적으로 적층하였다.
또한, 본 발명은 상기 기재를 포함하는 유기전자소자를 제공한다.
상기 유기전자장치는, 본 발명의 일실시예에 따른 투명 전극을 포함하는 기재; 상기 기재 상에 평탄면에 형성된 유기층; 및 제2 전극을 포함할 수 있다. 상기 투명 전극은 제1 전극의 역할을 수행하며, 제2 전극으로는 알루미늄 등과 같은 금속박막이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는, 소자의 특성을 향상시키기 위한 추가적인 적층구조를 더 포함할 수 있다. 투명 전극을 포함하는 기재 상에 적층되는 구조는, 당업자에 의해 다양하게 변경 내지 추가될 수 있으며, 예를 들어, 상기 유기소자는 유기발광소자일 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 실시예 등을 통해 본 발명을 더욱 상술하지만, 본 발명의 범주가 그것에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
TMOS(Si(OCH3)4, 실록산) 10 g에 굴절율이 약 1.52인 고분자 비드(XX75BQ, 직경 3 ㎛, Sekisui(제)) 1 g을 충분히 분산하여 코팅액을 조제하였다. 유리 기판상에 은(Ag) 페이스트를 이용하여 롤 프린딩 방식으로 격자형태의 도전성 패턴을 형성하였다. 도전성 패턴이 형성된 유리기판 상에 제조된 코팅액을 도포하였다. 도포된 코팅액을 경화시켜 고굴절층을 형성하였다. 고굴절층의 표면을 CMP를 통해 그라인딩하여 평탄면을 형성하였다. 형성된 평탄면 상에 쉐도우 마스크를 이용하여 개구부를 포함하는 ITO 전극층을 형성하였다. ITO 전극층의 개구부를 실리콘 나이트라이드(패시베이션층)로 덮고, 유기층을 적층하였다. 상기 유기층은 정공주입층, 정공전달층, 유기발광층, 전자전달층 및 전자주입층을 포함하는 구조로 형성하였다. 상기 유기층의 각 적층구조에서 사용된 소재는 백색 OLED의 제조 분야에서 통상적으로 사용되는 소재를 사용하였고, 그 형성방법 역시 일반적인 방식을 사용하였다. 형성된 유기층 위에 알루미늄 금속 박막을 적층하여 유기전자소자를 제작하였다.
실시예 2
패시베이션층으로 실리콘 옥사이드를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 유기전자소자를 제작하였다.
실시예 3
패시베이션층으로 Al2O3를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 유기전자소자를 제작하였다.
비교예 1
고팅액 조제시 비드를 첨가하지 않았다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 유기전자소자를 제작하였다.
비교예 2
유리 기판 상에 별도의 도전성 패턴을 형성하지 않았다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 유기전자소자를 제작하였다.
비교예 3
투명 전극의 개구부를 덮는 패시베이션층을 형성하지 않았다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 유기전자소자를 제작하였다.
실험예 1: 광추출 효율의 비교
실시예 1, 2 및 비교예 1에서 제조된 유기전자소자에 대하여 광추출 효율을 비교 측정하였다. 구체적으로는, 각각의 유기전자소자를 0.4 mA의 정전류 구동 조건 하에서 구동시키고, 추출되는 광속을 측정하여 광추출 효율을 평가하였다. 측정결과는 하기 표 1에 나타내었다.
No. 광속(Luminous emittance, lm)
실시예 1 0.075
실시예 2 0.080
비교예 1 0.068
표 1의 결과로부터, 본 발명에 따른 유기전자소자는 산란 입자를 포함하는 광추출층에 의해 광속이 현저히 증가됨을 알 수 있다.
실험예 2: 소자의 면저항 측정
실시예 1, 2 및 비교예 2에서 제조한 유기전자소자에 대하여 면저항을 측정하였다. 면저항은 4-탐침 면저항 측정기(4-point probe)를 이용하여 측정하였다. 측정결과는 하기 표 2에 나타내었다.
실시예 1 실시예 2 비교예 2
면저항(Ω/cm2) 5.05 5.12 36
표 2의 결과로부터, 본 발명에 따른 유기전자소자는 도전선 패턴을 형성함으로써, 기존의 기판과 비교하여 현저하게 면저항이 감소되었음을 알 수 있다.
실험예 3: 소자의 내구성 측정
실시예 1, 2 및 비교예 3에서 제조한 유기전자소자에 대하여 내구성을 비교 측정하였다. 구체적으로는, 각 유기전자소자를 0.4 mA의 정전류 구동 조건 하에서 구동시키고, 추출되는 광속을 시간별로 측정하였다. 측정결과는 하기 표 3에 나타내었다.
광속 측정 시점 실시예 1 실시예 2 비교예 3
0 시간 100% 100% 100%
100 시간 97% 98% 90%
300 시간 94% 96% 80%
500 시간 92% 94% 74%
표 3의 결과로부터, 본 발명에 따른 유기전자소자는 500 시간이 지난 시점까지 90% 이상의 광속을 유지하는데 반해, 비교예 3은 광속이 현저히 감소되는 것을 알 수 있다.
10: 투명 기판 20: 광추출층
21: 도전성 패턴 22: 산란 입자
30: 투명 전극 40: 패시베이션층
50: 유기층 60: 제2 전극

Claims (10)

  1. 투명 기판;
    상기 투명 기판상에 형성된 도전성 패턴;
    도전성 패턴의 상부면이 노출된 상태의 평탄면을 형성하도록 도전성 패턴 사이를 충진하는 산란 입자 및 바인더를 포함하는 광추출층;
    상기 평탄면상에 형성되고 개구부를 포함하는 투명 전극; 및
    투명 전극의 개구부를 덮는 패시베이션층을 포함하는 투명 전극을 포함하는 기재.
  2. 제 1 항에 있어서, 도전성 패턴의 높이는 0.01 내지 3 ㎛ 이고, 도전성 패턴의 폭은 1 내지 100 ㎛인 투명 전극을 포함하는 기재.
  3. 제 1 항에 있어서, 산란 입자의 굴절율(Na)와 광추출층의 바인더를 포함하는 바탕 영역의 굴절율(Nb)은 하기 수학식 1의 관계를 만족하는 투명 전극을 포함하는 기재:
    [수학식 1]
    |Na-Nb|≥0.3
  4. 제 1 항에 있어서, 패시베이션층은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 옥시나이트라이드, Al2O3 및 폴리이미드 중 어느 하나 이상인 투명 전극을 포함하는 기재.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 기재를 포함하는 유기전자소자.
  6. 제 5 항에 있어서, 투명 전극을 포함하는 기재상에 형성된 발광층을 포함하는 유기물층 및 금속전극을 더 포함하는 유기전자소자.
  7. 투명 기판상에 도전성 패턴을 형성하는 단계;
    도전성 패턴 사이를 산란 입자 및 바인더를 포함하는 코팅액을 충진하여 광추출층을 형성하는 단계;
    도전성 패턴의 상부면이 노출된 상태의 평탄면을 형성하는 단계;
    평탄면 상에 개구부를 포함하는 투명 전극을 형성하는 단계; 및
    투명 전극의 개구부를 덮는 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하는 투명 전극을 포함하는 기재의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 투명 기판상에 도전성 패턴을 형성하는 단계는, 기판상에 패턴을 직접 형성하거나 포토리소그라피에 의해 도전성 패턴을 형성하는 투명 전극을 포함하는 기재의 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 광추출층을 형성하는 단계는 CVD, PVD 또는 졸겔 코팅에 의해 수행하는 투명 전극을 포함하는 기재의 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 평탄면을 형성하는 단계는 화학 기계적 연마(CMP)에 의해 수행하는 투명 전극을 포함하는 기재의 제조방법.
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KR102382764B1 (ko) * 2021-03-04 2022-04-08 한국세라믹기술원 투명 적층 구조체 및 그 제조 방법

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