KR101401146B1 - 미세 전도체를 가지는 패터닝된 장치를 검사하는 시스템 및방법 - Google Patents

미세 전도체를 가지는 패터닝된 장치를 검사하는 시스템 및방법 Download PDF

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라파엘 벤-투릴라
오페르 사피에르
에밀 버랜드스카이
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오르보테크 엘티디.
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    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects

Abstract

미세 전도체를 가지는 패터닝된 장치를 검사하는 검사 시스템에 있어서, 상기 시스템은: 평면을 정의하는 패터닝된 기판상의 후보 결함 위치를 보여주는 카메라로써, 상기 위치에 대한 하나 이상의 이미지를 획득하며, 상기 카메라는 광축을 정의하고, 상기 하나 이상의 이미지는 상기 광축으로부터 오프셋 된 하나 이상의 광원으로부터의 조명에 의해 조명되며, 상기 조명은 상기 평면에 대응하는 평면에 서로 평행하지 않은 하나 이상의 제 1 및 제 2 경로를 따라 제공되고, 여기서 상기 제 1 조명 경로를 따라 제공되는 조명에 대한 응답이 상기 제 2 조명 경로를 따라 제공되는 조명에 대한 응답과 구별되는 상기 카메라와; 그리고 상기 하나 이상의 이미지를 입력받아, 서로 다른 및/또는 또 다른 유형의 후보 결함들로부터 절단에 의한 후보 결함이나 잔여 물질에 의해 야기되는 후보 결함을 구별하는 결함 분류기를 포함한다.

Description

미세 전도체를 가지는 패터닝된 장치를 검사하는 시스템 및 방법{System And Method For Inspecting Patterned Devices Having Microscopic Conductors}
도 1A는 전기 전도체와 같은 복수의 신축 소자들을 포함하는 디스플레이 패널의 일부에 대한 도면이며, 결함의 유형을 다양하게 나타낸다. 여기서, 디스플레이 패널이 제 1 조명 모드에서 다색, 다방향 검사 프로세스 동작을 사용하여 검사된다.
도 1B는 도 1A의 디스플레이 패널을 나타내는 도면으로, 여기서 디스플레이 패널은 제 2 조명 모드에서 동작하는 도 1A의 다색, 다방향 조사 프로세스를 사용하여 검사된다.
도 2는 도 1A 및 1B에 각각 도시된 두 개의 선택가능한 조명 모드에서 조명을 제공하는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 구성되고 동작하는 조명기를 나타낸다.
도 3A-3C는 도 2에 도시된 조명기의 측면, 끝단 그리고 바닥 형상을 각각 나타낸다.
도 4A는 제 1 조명 모드에서 동작하는 도 2-3C에 도시된 조명기와 조명 광선을 나타내는 도면이다.
도 4B는 제 2 조명 모드에서 동작하는 도 2-3C에 도시된 조명기와 조명 광선 을 나타내는 도면이다.
도 4C는 도 2-3C에 도시된 조명기에 의해 제공되는 광축으로부터 이동된 조명에 대한 각 방향 원점을 나타내는 개략도이다.
도 4D는 입사 조명 빔과 광축 사이의 각도에 대한 함수로써 에지 밝기에 대한 먼지 조명 응답의 명도 사이의 비를 점으로 나타내는 그래프이다.
도 4E는 삼색이 사용되는, 비 방향성 결함으로부터 방향성 결함을 구분하는데 유용한 제 1 다방향 조명 모드를 나타내는 개략도이다.
도 4F는 삼색이 사용되는, 비 방향성 결함으로부터 방향성 결함을 구분하는데 유용한 제 2 다방향 조명 모드를 나타내는 개략도이다.
도 4G는 도시된 두 개의 조명 모드 각각에서, 각 후보 결함의 두 개의 이미지를 획득하고 비교하여 비 방향성 결함으로부터 방향성 결함을 구분하는 데 유용한 한 쌍의 조명 모드를 나타내는 개략도이다.
도 5A는 도 1A 및 1B에 각각 도시된 제 1 및 제 2 조명 모드에서, 수직방향 절단이되거나 절단이 되지 않은, 다양한 원점을 가지는 복수의 신축 소자의 외형을 나타내는 표이다.
도 5B는 도 1A 및 1B에 각각 도시된 제 1 및 제 2 조명 모드에서, 다양한 종류의 먼지-전기 전도체 구조의 외형을 나타내는 표이다.
도 7A는 도 2에 도시된 조명기를 포함하는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 구성되고 동작하는 스캐닝 및 비디오 검증 시스템에 장착된 워크피스를 나타내는 조감도이다.
도 7B는 워크피스가 제거된 도 7A에 도시된 스캐닝 및 비디오 검증 시스템을 나타내는 조감도이다.
도 8은 다양한 덮개가 제거된 도 7A-7B에 도시된 광학 헤드의 확대도이다.
도 9는 도 7A-7B의 검증 카메라 서브시스템을 나타내는 측면도이다.
도 10은 미세 구조를 가지는 워크피스 내의 후보 결함을 방향성 있게 조명하는 자동 광 검사 시스템을 나타내는 개략적인 기능 블록도이다.
도 11은 도 10에 도시된 시스템의 바람직한 동작 방법을 나타내는 개략적인 흐름도이다.
도 12는 도 10의 서브 시스템을 처리하는 방향 정보를 설정하는 바람직한 방법을 나타내는 개략적인 흐름도이다.
본 발명은 제조된 대상 상의 미세 구조에 대한 광범위한 검사에 관한 것이다.
제조 중인 평판 디스플레의 결함을 검사하기 위한 자동 광 검사 시스템(이스라엘 야브네에 위치한 오보텍 사(Orbotech Ltd)로부터 상업적으로 사용되는 SuperVisionTM과, InVsionTM 시스템 포함한다)은 전형적으로 추정 결함의 이미지를 획득하도록 동작하는 결함 분류 서브 시스템(defect classification sub-system)을 포함한다. 추정 결함은 폴리크로마틱 또는 모노크로마틱 명시야 조명(bright field illumination)을 사용하여 조명된다.
제작 중인 평판 디스플레이의 결함을 검사하기 위한 일부 자동 광 검사 시스템(예를 들면, 이스라엘 야브네에 위치한 오보텍 사로부터 생산된 광학 테스터의 Pointer-5000 시리즈)이 추가로 이미지를 획득한다. 이미지는 광축으부터 이동된 위치로부터 공급되는 단일색 조명에 의해 조명된다.
미국 특허 제6,947,151호는 서로 다른 색의 빛을 포함하는 조명을 사용하는 표면 상태 검사 방법 및 기판 검사 장치에 대해 기술한다. 여기서 서로 다른 색의 빛은 검사 대상에 대해 서로 다른 수직방향 각도를 가지는 복수의 방향으로 비추어진다.
위의 명세서에서 언급된 모든 출판물들과 직간접적으로 명세서에 인용된 출판물의 공개 물이 여기에 참조문헌으로 포함된다.
본 발명은 디스플레이 패널과 같은 제조 대상물 상에 미세 구조를 검사하는 향상된 시스템 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 시스템에 대한 하나의 실시예는 FPD(flat panel display) 패널 상의 절단 및 먼지 결함들을 구별하기 위한 것이다. 양쪽 유형의 결함들이 모두 명 영역 조명에서 암점(dark spot)으로 나타나고 암 시야 조명에서는 밝게 보인다. 먼지 결함은 조명 방향에 독립적으로 밝게 나타나므로, 본 발명의 바람직한 실시예는 조명의 방위 각에 매우 민감한 절단 밝기(cut brightness)를 분석함으로써 절단 및 먼지 결함들을 구별한다. 바람직하게는, 패널이 다양한 색에 의해 복수의 방향으로부터 동시에 조명되고, 이로써 가시화 및 외관상 결함의 성질에 대한 기계적 분석을 용이하게 하고 검사 시간을 가능한 짧게 한다. 패널의 다 방향, 다중 스펙트럼 조명의 결과로써, 절단 결함이 그 위치(방향성)에 강하게 의존하는 하나의 특정 색을 가진다. 반면에, 먼지 결함은 상대된 색을 가지는 두 개의 색을 가지는 것으로 나타낸다. 획득된 색 이미지는 각 색에 대하여 구체적으로 추가 분석될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예는 FPD 패널상에 관찰되는 결함의 서로 다른 유형들의 분류를 개선되도록 하며, 더욱 구체적으로 절단 및 먼지 결함들을 구별하도록 한다. FPD 제작중에, 많은 활성 막들이 하나의 유리 평판 상에 형성될 수 있다. 결함 유형을 식별하는 능력이 생산 라인 내의 문제를 표시할 수 있다. 본 발명의 시스템의 출력은 생산 라인이 적절히 고정되도록 함으로써 수율을 향상시킨다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, DF(dark field) 조명방법이 사용되며, 다색 조명 장치를 사용하여 절단 및 먼지 결함들을 구별한다. 강한 빛의 산란 때문에, 양쪽 유형의 결함이 일반적인 명 영역 조명에서 암점으로 나타나며, 일반적인 암 시야 조명에서 밝게 나타난다. 조명 방법은 절단 및 먼지 결함들을 구분하는데 유용한데, 왜냐하면 절단 밝기가 조명의 방위각 방향에 매우 민감한 (방위각 방향은 x-y 평면상의 방향이다) 반면에, 먼지 결함은 조명 방향에 독립적으로 밝게 보이기 때문이다.
바람직하게는, 패널이 다양한 색에 의해 여러 방향으로부터 동시에 조명된 다. 서로 다른 색은 서로 다른 방위각 방향에 연관되며, 이는 결함 성질의 가시화 및 자동 분류, 그리고 검사 시간 단축을 용이하게 한다. 결과적으로, 단축 결함은 방향성(위치)에 강하게 의존하는 주요 색을 가지며, 반면에 먼지 결함은, 작업자(사람)에 의해 또는 기계 분석시에 구별 및 인식하도록 하는 바와 같이 바람직하게 사용되는 두 색 또는 모든 색들 혼합 또는 복합 색으로 나타난다. 보다 컴퓨터화된 분석을 위해 결과 색 영상이 대응하는 1색 그림으로 분해될 수 있다. FPD 패널이 일반적으로 알려진 라인 위치(예, 방향에 있어서: 0도, 90도, 45도 및 135도)를 포함하며, 조명기는 전형적으로 두 그룹의 조명기 유닛(예, 워크피스의 알려진 라인 위치에 평행하게 배치된 발광 다이오나 광 섬유) 또는 모든 가능한 각도를 커버하기 위한 패널(예, 0도 및 90도 축과 45도 및 135도 축을 따라)을 포함한다.
모든 정보가 하나의 셀에 대한 이미지로부터 추출되는 경우에 이웃하는 셀들 사이의 비교가 가능하면, 본 발명의 방법은 특히 큰 셀 디스플레이(TV-패널)의 스캐닝에 유용하다.
본 발명의 시스템 및 방법은 평판 디스플레이의 자동 광 검사에 특히 유용하다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 미세 전도체를 가지는 패터닝된 장치를 검사하는 검사 시스템에 있어서, 상기 시스템은: 평면을 정의하는 패터닝된 기판상의 후보 결함 위치를 보여주는 카메라로써, 상기 위치에 대한 하나 이상의 이미지를 획득하며, 상기 카메라는 광축을 정의하고, 상기 하나 이상의 이미지는 상기 광축으로부터 오프셋 된 하나 이상의 광원으로부터의 조명에 의해 조명되며, 상 기 조명은 상기 평면에 대응하는 평면에 서로 평행하지 않은 하나 이상의 제 1 및 제 2 경로를 따라 제공되고, 여기서 상기 제 1 조명 경로를 따라 제공되는 조명에 대한 응답이 상기 제 2 조명 경로를 따라 제공되는 조명에 대한 응답과 구별되는 상기 카메라와; 그리고 상기 하나 이상의 이미지를 입력받아, 다른 유형의 후보 결함들로부터 상기 패터닝된 기판에 대한 외부 입자에 의해 야기되는 후보 결함을 구별하는 결함 분류기를 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 미세 전도체를 가지는 패터닝된 장치를 검사하는 검사 방법에 있어서, 상기 방법은: 평면을 정의하는 패터닝된 기판상에 후보 입자의 위치를 보여주고, 상기 위치의 하나 이상의 이미지를 획득하는 단계로서, 카메라가 광축을 정의하는 상기 단계와; 상기 광축으로부터 오프셋 된 하나 이상의 광원으로부터의 조명을 사용하여 상기 하나 이상의 이미지를 조명하는 단계로서, 상기 조명은 상기 평면에 대응하는 평면에서 상호 평행하지 않은 하나 이상의 제 1 및 제 2 조명 경로들을 따라 공급되고, 상기 제 1 조명 경로를 따라 공급되는 조명에 대한 응답이 상기 제 2 조명 경로를 따라 공급되는 조명에 대한 응답과 구별되는 상기 조명 단계와; 그리고 상기 하나 이상의 이미지를 분석하여, 상기 패터닝된 기판에 대한 외부 입자에 의해 야기된 후보 결함과 다른 유형의 후보 결함들을 구별하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 미세 전도체를 가지는 전기 광학 장치를 검사하는 자동 검사 시스템에 있어서, 상기 시스템은: 대응하는 복수의 결함 위치들의 복수의 암 시야 조명으로 조명된 이미지를 획득하고, 절단과 같은 방향성 결함과 입자와 같은 비 방향성 결함을 구별하는 이에 대응하는 복수의 대응 출력들을 발생하는 결함 분류기를 포함한다. 바람직하게는, 다중 암 시야 조명이 사용된다.
나아가, 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에서, 상기 복수의 출력은 암 시야 조명으로 조명된 이미지들을 포함한다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에서, 복수의 출력들은 개별적인 복수의 결함 위치들의 개별적인 복수의 분류를 포함하고, 하나 이상의 분류는 방향성 결함 카테고리이고 다른 하나 이상의 분류는 비 방향성 결함 카테고리이다.
나아가 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에서, 상기 이미지들은 다 방향성으로 조명된다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에서, 상기 이미지들은 다중 스펙트럼으로 조명된다.
또한, 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에서, 상기 이미지들은 동일한 광학 특성이 있는 반면에 시간에 의해 구분되는 서로 다른 방향으로부터의 방향성 조명에 의해 조명된다.
또한, 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 미세 구조를 가지는 제조된 대상물의 자동 광 검사를 위한 방법에서, 상기 방법은 제작된 대상의 결함을 검증하기 위한 다중 스펨트럼 다중 각도 암 시야 이미지를 사용하는 단계를 포함한다.
나아가, 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에서, 상기 제작된 대상은 평판 디스플레이를 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 미세 구조를 가지는 제작된 대상물을 검사하는 자동 검사 시스템이 제공되며, 상기 시스템은 미세 구조를 가지는 제작된 대상의 일부 이상의 이미지화하는 광학 헤드와, 검사될 제작 대상물과 광학 헤드 사이의 상대적인 이동을 제공하는 상대 동작 제공기를 포함하되, 상기 광학 헤드는 복수의 방향으로부터의 조명을 제공하는 다 방향 조명기를 포함하고, 상기 다 방향 조명기는 복수의 개별적인 방향으로부터의 조명을 제공하는 복수의 서로 다른 색 조명 원을 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 바람직한 실시예에서, 하나 이상의 유형을 가지는 결함을 검사하기 위한 시스템이 제공되며, 상기 결함 유형 중 제 1 유형은 알려진 에지 축을 따라 놓인 에지들을 가지도록 구성되며, 제 2 유형은 알려진 에지 축을 따라 에지를 가지도록 구성되고, 상기 시스템은 에지 검출 각도에서 에지 검출 조명이 알려진 에지 축을 향하도록 한다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에서, 제 1 결함 유형은 절단 결함을 포함하고, 제 2 결함 유형은 먼지 입자를 포함한다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에서, 에지 검출 조명은 DF 조명을 포함한다.
추가로, 본 발명의 다른 바람직한 실시예에서, 에지 검출 각도는 90도이다.
나아가, 본 발명의 다른 바람직한 실시예에서, 조명기는 에지 검출 조명이 에지 검출 각도에서 복수 알려진 에지 축을 향하도록 한다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에서, 복수의 알려진 에지 축에서 방향이 정해진 조명이 서로 다른 색을 가지며, 이로써 복수의 알려진 에지 축들 중 서로 다른 축들에서 조명의 방향이 정해지도록 한다.
또한, 본 발명의 다른 바람직한 실시예에서, 패터닝된 패널의 결함을 검사하기 위한 시스템이 제공되며, 상기 시스템은, 평판 상에 형성되며 에지들을 포함하는 패턴을 검사하는 자동 광 검사 서브 시스템을 포함한다. 상기 자동 광 검사 서브 시스템은 패널 상부의 후보 결함 위치들을 나타내는 신호를 출력한다. 그리고 카메라, 조명기와 이미지 프로세서를 포함하는 결함 검증기를 포함한다. 상기 조명기는, 후보 결함 위치에 존재하는 후보 결함에 대해, 에지에 대하여 각도를 검출하는 지정된 에지에서 후보 결함 상에 미치는 조명을 검출하는 에지를 제공한다.
도 1A는 전기 전도체와 같은 복수의 신축 소자들을 포함하는 디스플레이 패널(10)의 일부에 대한 도면이며, 신축 소자들 중 하나는 결함 위치(40)에 절단 결함을 가지며, 트랜지스터(50)과, 전극(60)과 다른 전기 컴포넌트를 포함한다. 디스플레이 패널(10) 상에 나타난 다른 결함은 외부 입자(70)(가령, 먼지와 같은 것으로 패널(10)의 외부 표면 상이나 포토 레지스트(도시되지 않음)와 같은 코팅 아래에 묻혀 발견될 수 있다)와, 화학 잔여물(75) 그리고 두 개의 전도체들(20) 사이의 바람직하지 않은 전기 연결을 형성하는 쇼트(78)를 포함한다. 예를 들면, 결함 위치에서의 결함 유형(예, 절단, 입자, 쇼트나 다른 결함의 종류)을 분류하기 위하여, 디스플레이 패널(10)은 결함 위치(40)에서의 검사를 필요로 한다. 후보 결함 위치의 존재는 초기 자동화된 검사에 의해(예를 들면, 이 경우에 필요치 않는 경우 에도, 이스라엘, 야브네에 위치한 오르보텍 사의 SuperVisionTM이나 InVisionTM을 사용하여) 결정될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 방향성 특정 조명을 제공하며, 광축(90)의 중앙에 위치한 불스 아이(80, bull's-eye)에 의해 개략적으로 나타내진 다색, 다방향 검사 장치가 본 발명의 실시예에 따라 제 1 조명 모드에서 동작한다. 도시된 바와 같이, 제 1 조명 모드는 광축으로부터 이동되며, 평행하지 않은 축들(일반적으로 직각으로 도시됨)을 따라 공급되는 방향 특정 조명을 포함한다. 평행하지 않은 축들은 검사되는 패널(10) 상의 전도체(20)에 실질적으로 평행하다. 제 1 조명 모드가 예를 들면, 두 개의 상반된 방향으로부터 직진한 파랑("B"로 나타냄)과 같은 제 1 파장길이의 조명과, 제 1 두 개의 상반된 방향에 대하여 평행하지 않은 두 개의 추가로 상반된 방향으로부터 나온 빨강("R"로 나타냄)과 같은 제 2 파장길이의 조명을 포함한다. 축(90)을 따라 보면, 조명된 위치에서 제 1 파장길이의 조명에 대한 응답이 제 2 파장길이의 조명과 구별된다.
도 1B는 도 1A에 도시된 디스플레이 패널을 나타내는 도면으로, 여기서 디스플레이 패널은 제 2 조명 모드에서 동작하는 도 1A의 다색, 다방향 조사 장치를 사용하여 검사된다. 도 1B의 제 2 조명 모드에서, 또한 조명은 광축으로부터 이동되며, 평행하지 않은 축들(일반적으로 직교하는 것으로 도시됨)을 따라 공급되는 방향 특정 조명을 포함한다. 여기서, 평행하지 않은 축들은 검사중인 패널(10) 상의 전도체에 대하여 바람직하게 기울어진다. 제 2 조명 모드는 예를 들면, 검사 중 인 패널(10)의 평면에서 45도 만큼, 제 1 조명 모드에서 사용되는 한 쌍의 제 1 조명 방향으로부터 떨어진 두 개의 상반된 방향들로부터 직진한 파랑("B"로 나타냄)과 같은 제 1 파장길이의 조명을 포함한다. 또한, 제 2 조명 모드에서 사용되는 상반된 두 개의 제 1 방향들에 수직인 두 개의 상반된 추가 방향으로부터 직진한 빨강("R"로 나타냄)과 같은 제 2 파장의 조명을 포함한다. 빨강과 파랑 조명이 도시되었으나, 패널(10) 상의 위치를 조망할 때, 상호 구별가능한 응답을 가지는 적합한 다른 형태의 조명이 사용될 수 있다는 것이 주의한다. 이러한 다른 형태의 조명은 예를 들면, 다른 스펙트라 내의 조명, 편광에 의해 구별되는 조명, 서로 다른 펄스 주파수에서 제공되는 펄스화된 조명 또는 다른 적합한 특성에 의해 구별가능한 조명을 포함한다.
도 2는 도 1A 및 도 1B에 각각 도시된 두 개의 선택가능한 조명 모드에서 조명을 제공하기 위한 본 발명의 실시예에 따라 구성되고 동작하는 조명 슬리브(100)를 나타낸다. 조명 슬리브(100, sleeve)는 선택적으로 동작 가능한 발광 다이오드(R1-R8, B1-B4)와 같은 복수의 조명기를 포함한다. 발광 다이오드는 도 1A 및1B의 제 1 및 제 2 조명 모드들을 제공한다. 바람직하게 다이오드는 복수의 방향들(가령, 0, 45, 90, 135, 180, 225, 270 및 315도의 8 방위각 원점들) 각각에서 하나 이상의 다이오드 세트를 포함한다. 선택적으로, 에지와 같은 기대 방향 특성에 의해 결정되는 기대 방향 각각을 조명할 수 있는 하나 이상의 각을 포함하는 다른 그룹의 각들이 사용될 수 있다. 다음의 LED와 같은 어떤 적합한 LED도 사용될 수 있다. 즉 아길런트 테크놀러지의 상용 LED(파랑: Cat.No. HLMP CB-18UVA00; 빨 강:Cat.No.HLMP EG08-Y2000)를 사용할 수 있다.
일반적으로, 파랑과 같은 하나의 색을 가지는 조명기 세트가 제 1 조명 경로를 정의하도록 서로 상반되게 배치되며, 반면에 빨강과 같은 제 2 색을 가지는 조명기 세트는 제 1 조명 경로에 평행하지 않은 제 2 조명 경로를 정의하도록 서로 상반되게 배치된다. 빨강 다이오드의 각 세트는 일반적으로 두 개의 다이오드를 포함하며, 반면에 파랑 다이오드의 각 세트는 일반적으로 하나의 다이오드를 포함한다. 왜냐하면, 실시예에서, 두 개의 빨강 다이오드가 충분한 밝기를 획득하는데 필요하기 때문이다. 다이오드 기술의 향상의 위해 그리고 조명 명도에 대한 애플리케이션 필요성을 위해, 각 색에 대해 동일한 다이오드 개수를 가지는 것이 적합하다. 상술한 실시예에서, 한 쌍 빨강 다이오드들(R1 및 R2; R3 및 R4; R5 및 R6; 그리고 R7 및 R8)이 0, 45, 180 및 250도 각 위치 각각에서 개별적으로 중앙에 위치한다. 반면에, 하나의 파랑 다이오드(B1, B2, B3, 및 B4)가 90, 135, 270, 및 315도 각각에 개별적으로 위치한다.
도 3A-3C는 도 2에 도시된 조명기 슬리브(100)의 측면, 끝단 그리고 바닥 형상을 각각 나타낸다. 본 발명의 일 실시예에 따라, 비디오의 대상 렌즈 상부로 미끄러지도록 조명기 슬리브(100)의 크기가 결정되어 다색 방향 특정 조명이 이하에 상술되는 바와 같이 제공된다.
도 4A는 제 1 조명 모드에서 동작하는 도 2-3C에 도시된 조명기 슬리브(100)를 나타내는 광선 도면이다. 도 4B는 제 2 조명 모드에서 동작하는 도 2-3C에 도시된 조명기를 나타내는 광선 도면이다. 두꺼운 화살표가 빨강과 같은 제 1 색의 광 선을 나타내는 반면, 두껍지 않은(얇은) 화살표가 파랑과 같은 제 2 색의 광선을 나타낸다. 그리고 점선이 광축(90)을 나타낸다.
본 발명의 일 실시예에서, 조명이 공급되는 각도(수직과 이루는 각)(θ)가 선택되어, 후보 결함의 위치를 보여주는 카메라에 의해 이미지화될 때 입자 및 절단 결함의 개별적인 밝기를 최적화한다. 어두운 영역 조명 각들(θ, α)가 도 4C에 도시된다. 각 (θ)가 수직 축(z)(패널의 x-y 평면에 수직인 축)으로부터 표시된 조명 광선에 대해 측정된다. 각도(α)는 조명 광선의 검사될 패널의 x-y 평면에 위치한 회전각이나 방위각 원점에 대응하는 각도이다.
전형적으로, 제조 중인 평판 디스플레이에서, 전도체와 같은 신축 소자는 구분가능한 에지를 가지며 행 및 열 내에 배열되어 매트릭스를 정의한다. 절단, 스크래치 및 쇼트(short)와 같은 다른 구조 및 결함 또한 구분가능한 에지를 가진다. 각도(수직과 이루는 각)(θ)가, 입자와 같은 다른 검출가능한 구조에 대한 에지 노출을 피하도록 그리고 가능한 에지와 입자들 사이의 노출 균일성을 최적화하도록 선택된다. 조명의 제 1 및 제 2 축들 각각이 전도체 방향 중 하나에 각도(α)에 수직이 되도록 선택될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 지정된 위치에 있는 전도체의 위치 상태가 알려지지 않거나 이미지 프레임 내에서 변경될 수 있다. 따라서, 도 1A 및 1B에대하여 상술한 제 1 및 제 2 조명 모드가 제공된다.
도 4D는 각도(수직과 이루는 각)(θ)를 선택하는 데 도움이 되는 유용한 그래프이다. 도 4D는 조명의 각도(θ)의 함수로써, 패널 상의 조명된 전도체 에지의 명도에 대한 선택 조명된 입자의 명도 비율을 선택된 입자에 대해 표시한다. 따라서 각각의 선택된 입자에 대해, 조명에 대한 응답 명도가 측정되고 에지에 대해 조명에 대한 응답 명도로 나누어진다. 응답 명도는 일반적으로 일정하다. 이후에, 결과가 표준화되고, 표준화된 결과가 표시된다. 곡선(110)은 조명된 에지에 관하여 조명된 입자의 명도를 나타내는 지정된 각도(θ)에서 각 입자에 대한 결과들의 평균값을 연결한다.
도 4D의 그래프에 나타낸 바와 같이, 각도(θ)가 65도에 근접함에 따라, 평균 표준화된, 에지의 조명에 대한 응답 명도에 대해 입자의 조명에 대한 명도 비율이 1에 근접하며, 이는 입자 및 에지에 대한 상대 명도의 평균이 거의 동일하다는 것을 의미한다. 도 4D에 나타냈지만, 입자와 에지 사이의 조명 명도의 균일성 때문에, 65도에 가까운 각도(θ)가 바람직하다. 본 발명의 실시예에서, 물리적 제한(예를 들면 대상 렌즈의 작동 거리에 대한 제한)에 기인하여, 각도(θ)가 약 60가 되도록 선택된다.
구체적으로, 도 4A 및 4B에 도시된 바와 같은 두 개의 제한 조명 모드들의 제공이 제한 요소가 되도록 한 것은 아니다. 선택적으로, 둘 이상 또는 둘 이하의 조명 모드를 이용하여 절단과 같은 방향성 국부 효과를 외부 입자와 같은 비 방향성 국부 효과와 구별할 수 있다. 또한, 두 가지 색의 조명을 제공하는 것이 제한적인 것이 아니다. 선택적으로, 하나의 색이나 다색 조명이 사용될 수 있으며, 이 경우에 추가 이미지들이 획득되며, 예를 들면, 이미지들 각각은 시간 도메인(domain)에서 구별가능하다. 또한, 도 4E 및 4F에 예로써 도시된 바와 같이 둘 이상의 색이 사용되거나, 편광 또는 펄스 주파수와 같은 일부 다른 특징들에 의해 구별 가능한 조명에 의해 직접 조명되는 이미지들이 사용될 수 있다. 도 4E 및 4F의 이미지들 모두가 획득되고 비교되거나, 또는 이러한 삼색 이미지 중 하나만이 획득될 수 있다.
구체적으로, 도 4A 및 4B의 실시예에서, 두 그룹의 조명기들({파랑:0도, 180도; 빨강: 90도, 270도} 및 {파랑:135도, 315도; 빨강:45도, 225도})이 존재하며, 선택적으로 조명기들이 다른 배치가 이용될 수 있다. 예를 들어, 각 조명 모드에서, 각 색에 대해 두 개의 다른 조명 방향들(도 4A-4B의 실시예에서 180도 분리됨)을 사용하는 대신에 각 색에 대해 단일 조명 방향을 사용할 수 있다. 따라서, 방향 특정 조명의 배치가 검사될 패널 상 위치한 서로 다른 각도의 전도체에 적용된다.
도 4G의 실시예에서, 전도체(또는 다른 신축 소자, 이 명세서에서 "전도체"라는 용어는 일 예로써 사용됨)의 조명이 일반적으로 상반된 방향으로부터의 동종의 것이 아니다. 더욱이, 조명의 회전 각도에 대해 일반적으로 수직이라고 가정하면, 조명원에 인접한 전도체 에지가 조명원으로부터 떨어진 전도체 에지보다 더 밝게 보일 수 있다. 전도체가 조명에 의해, 에지에 거의 수직이 아닌 각도(α)로부터 빛을 받는 경우에, 전도체가 어둡게 보일 수 있으며 보이지 않거나 검출되지 않을 수 있다. 이미지 분석 관점으로부터, 바람직하게 형성된 알려진 방향으로 확장하는 에지들의 보이지 않는 것이 바람직하며, 절단, 스크래치, 회로를 쇼트시킬 수 있는 금속성 형성물과 같은 전도체의 형성 중의 결함 및 외부 소자와 같은 다양한 변형물이 이미지에서 강조되도록 한다.
도 4G는 구분가능한 조명의 방향 특성 성질을 나타낸다. 예를 들어, 도 4G의 전도체(120)에 대해, 조명의 제 1 모드에서 에지(III 및 IV)가 빨강 및 파랑 조명 모두에 응답하여 어둡게 나타난다. 이는 전도체가 위치한 기판에 대해 직각인 광축을 따라 획득된 이미지에 나타난다.
도 4G에 도시된 조명의 제 2 모드에서, 전도체가 놓인 기판에 대해 직각인 광축을 따라 획득된 이미지에, 전도체(125)의 에지(III 및 IV)가 도시된 바와 같이 빨강에 응답하여 나타난다. 그러나, 에지(III)가 에지(IV)보다 다소 강하게(즉, 좀더 깊이 있게) 보인다. 거꾸로, 에지(III, IV) 모두가 도시된 바와 같이 파랑 조명에 응답하여 어둡게 보이며 어느 것도 보이지 않을 수동 있다. 이와 같이, 조명의 방향을 변경하여, 패터닝된 기판 내의 다양한 공지의 구조물(예, 전도체 에지)가 원하는 데로, 획득 이미지에서 선택적으로 가시화되거나 감추어질 수 있다.
도시된 실시예에서, 각각 두 개의 이웃한 광원들 사이의 각이 90도(각 조명 모드에서)이다. 이러한 구조는 전도체 라인이 일반적으로 균일한 열과 행 내에 배열된 FPD 패널의 분석에 적합하다. 상기 열과 행에는 전도체 라인이 0도, ±45도, 90도 및 135도의 각에서 두드러지게 발생한다. 그러나, 본 발명의 선택 실시예에 따르면, 광원들 사이의 각이 지정된 조사 애플리케이션의 필요에 따라 변경될 수 있다.
도 5A 및 5B는 도 1A 및 1B 각각의 제 1 및 제 2 조명 모드 하에서 절단 결함-신축 소자 구조의 여러 유형의 외관을 나타내는 표이다. 도 5A의 표의 좌측 열(200)은 수평으로 배치된 전기 전도체("전도체"라는 용어는 여기에 단지 신축 소자의 예시로 사용됨)로 이루어진 부분(210)과, 수직으로 배치된 전기 전도체의 부 분(220)과, 수직으로 배치된 절단 결함(240)이 존재하는 세로로 배치된 전기 전도체의 부분(230)과, 수직으로 배치된 절단 결함(260)이 존재하는 세로로 배치된 전기 전도체의 부분(250)과 그리고 수직으로 배치된 절단 결함(280)이 존재하는 비스듬히 배치된 전기 전도체의 부분(270)과 같은 복수의 미세 구조들을 나타낸다.
도 5B의 표에 도시된 좌측 열(200)은 비스듬히 배치된 절단 결함(294)이 존재하는 수평으로 배치된 전기 전도체의 부분(292)과, 비스듬히 배치된 절단 결함(298)이 존재하는 세로로 배치된 전기 전도체의 부분(296)과 같은 복수의 미세 구조를 도시한다.
도 5A 및 5B에 도시된 표의 중간 열(310)은 개략적으로 도시된 제 1 조명 모드(320) 하에서, 열(200) 내의 다양한 구조의 외관을 나타낸다. 제 1 조명 모드에서 파랑 조명이 수평 축을 따라 양방향으로부터 제공되며, 빨강 조명이 수직 축을 따라 양방향으로부터 제공된다. 도 5A-5B의 표에 도시된 우측 열(330)은, 개략적으로 도시된 제 2 어두운 영역 조명 모드(340) 하에서, 열(200) 내의 다양한 구조의 외관을 나타낸다. 제 2 조명 모드(340)에서, 파랑 조명이 135-316도 축을 따라 양방향으로부터 제공되며, 빨강 조명이 45-225 도 축을 따라 양방향으로부터 제공된다. 도시된 바와 같이, 두꺼운 선으로 표시된 다른 신축 소자 전도체 에지나 점선으로 표시된 절단 에지와 같은 에지들(지정 색의 조명 방향과 직각을 이룸)이 이러한 색으로 나타난다. 두꺼운 선으로 표시된 신축 소자 에지들이나 점선으로 표시된 절단 에지와 같은 에지들(예를 들면 45도 각에서, 조명의 방향에 대해 각을 이룸)이 어둡게 보인다. 색이 특징적으로 열(310, 330)에 표시된 구조 부분 이외의 구조 들은 어둡게 나타난다.
도 6은 도 1A 및 1B 각각에 도시된 제 1 및 제 2 조명 모드 하의 외부 입자-전기 전도체 구조의 여러 유형의 외관들을, 열(310, 330)에 나타내는 표이다. 도 6의 첫 번째 형상은 먼지와 같은 외부 입자(420)를 포함하는 수평 전도체(400)이다. 도 6의 두 번째 형상은 먼지 입자(440)이 놓여 있는 수직 전도체(430)이다. 도 6의 세번 째 형상은 먼지 입자(460)이 놓여 있는 비스듬한 전도체(450)이다. 외부 입자들(420, 440, 460)이 패널의 표면상에 전체적으로 존재하여 포토 레지스트 코딩과 같은 코팅 하부에서 관찰되거나 포함된다. 도시된 바와 같이, 먼지 입자상 불규칙한 에지가 과다하게 존재 함에 의해, 외부 입자는 다양한 방향으로부터 입사된 조명을 산란하고, 서로 다른 색을 가지는 방향 특정 조명에 의해 비춰질 때, 두 개의 조명 모드에서 보라와 같은 혼합 색(방향 특정 색들이 빨강과 파랑인 경우에)으로 보인다. 이는 외부 입자가 도 5A-5B에 도시된 다양한 절단 결함들과 명확히 구별되도록 한다. 절단면들은 일반적으로 특정 방향으로 공급되는 조명에서 보이나, 다른 방향으로 공급되는 조명에서는 보이지 않는다.
도 5A, 5B 및 6, 열(310, 330)에 부분(270, 450)의 위치와 절단 결함(292, 298)의 위치에 대해 지정된 각도 범위의 최종점은 특정 애플리케이션에 대한 예시이며, 모든 애플리케이션에 대해 적합한 것은 아니다. 열(310, 330)의 세 개의 부분들에 대한 정보가 작은 각, 중간 각 및 큰 각에 대해 일반적으로 정확하나, 작은 각, 중간 각 및 큰 각 범위의 정확한 컷-오프 포인트는 도시된 바와 같이 15 도 및 75 도일 필요가 없다. 그리고 바람직하게는, 각 애플리케이션에 대해 경험적으로 결정된다.
도 5A, 5B 및 6에 도시된 표는, 먼지나 선택적으로는 다양한 방향성을 가지는 절단 결함에 기인하여, 조명 모드들(330, 340) 각각의 이용하여 획득된 결함이나 후보 결함의 이미지 쌍의 검사에 의해, 인-라인이나 오프-라인 자동 검사 시스템에서 오퍼레이터나 결함 또는 후보 결함을 분류하는 적합한 이미지 처리 시스템에 사용될 수 있다.
다음의 결함 분류 스킴(scheme)은, 도 1A 및 1B의 실시예에 따라 빨강 및 파랑 방향성 특정 조명을 포함하는 장치 내 결함의 유형을 분류하는 데 사용된다. 예를 들면 다름과 같다.
전도체 에지가 제 1 조명 모드에서 빨강이고 제 2 조명 모드에서 어둡게 나타나며, 결함이 제 1 조명 모드에서 파랑이고 제 2 조명 모드에서 어둡게 나타나는 경우에, 결함은 수평 방향 전도체의 절단 결함이다.
전도체 에지가 제 1 조명 모드에서 빨강이고 제 2 조명 모드에서 어둡게 나타나며, 결함이 제 1 조명 모드에서 어둡게 나타나고 제 2 조명 모드에서 파랑인 경우에, 결함은 수평 방향 전도체의 절단 결함이다.
전도체 에지가 제 1 조명 모드에서 빨강이고 제 2 조명 모드에서 어둡게 나타나며, 결함이 제 1 조명 모드에서 빨강이고 제 2 조명 모드에서 어둡게 나타나는 경우에, 결함은 수평 방향 전도체의 절단 결함이다.
전도체 에지가 제 1 조명 모드에서 파랑이고 제 2 조명 모드에서 어둡게 나타나며, 결함이 제 1 조명 모드에서 빨강이고 제 2 조명 모드에서 어둡게 나타나는 경우에, 결함은 수직 방향 전도체의 절단 결함이다.
전도체 에지가 제 1 조명 모드에서 파랑이고 제 2 조명 모드에서 어둡게 나타나며, 결함이 제 1 조명 모드에서 어둡게 나타나고 제 2 조명 모드에서 빨강인 경우에, 결함은 절단 결함(형체(298), 양의 기울기)이다.
전도체 에지가 제 1 조명 모드에서 파랑이고 제 2 조명 모드에서 어둡게 나타나며, 결함이 제 1 조명 모드에서 어둡게 나타나고 제 2 조명 모드에서 파랑인 경우에, 결함은 절단 결함(형체(298), 음의 기울기)이다.
전도체 에지가 제 1 조명 모드에서 파랑이고 제 2 조명 모드에서 어둡게 나타나며, 결함이 제 1 조명 모드에서 파랑이고 제 2 조명 모드에서 어둡게 나타나는 경우에, 결함은 절단 결함이다.
유사하게, 전도체 에지가 제 1 조명 모드에서 어둡게 나타나고 제 2 조명 모드에서 빨강인 경우에, 결함이 전방으로 기운 전도체를 따라 관찰되며, 도 5 및 6의 테이블에서 결함 부분의 분석에 따라 분류가 적합하게 고안될 수 있다.
제 1 조명 모드 및 제 2 조명 모드 모두에서 결함이 혼합색인 경우(균일하지 않게 배열된 빨강 및 파랑 조명 컴포넌트들을 포함함), 전도체 에지들의 색과 방향에 상관없이, 전형적으로 결함은 광 확산 입자이다.
서로 다른 색들을 사용하여, 방향 정보가 단일 이미지에서 사용 가능하도록 한다. 마찬가지로, 방향 특정 조명으로 조명된 시간 분리 이미지의 시퀀스(sequence)에 방향 정보가 사용가능할 수 있다. 그러나, 방향 특정 색 조명을 사용하여, 동일한 위치의 서로 다른 시간 분리 이미지에 나타나는 결함들 사이의 정 보 및 상관 등록에 대한 다양한 어려움이 제거된다. 여기서는 서로 다른 색들이 참조되는 반면에, 또 다른 구별 가능한 광학 특성을 가지는 조명(예, 편광이나 펄스 주파수)가 사용될 수 있다.
도 7A-7B는 홀더와 덮개가 제거된 도 2의 조명기를 포함하는 본 발명의 실시예에 따라 구성되고 동작하는 스캐닝 자동 광 검사 및 비디오 검증 시스템을 나타내는 조감도이다. 도 8은, 원(500)으로 표시된 도 7A-7B에 도시된 두 개의 광학 헤드 중 하나의 확대도이다. 도 9는 도 8에 잘 도시된 바와 같이 광학 페드의 결함 검증 카메라 시스템(510)을 나타내는 측면도이다. 이하에 구체적으로 기술된 바를 제외하고는, 도 7A-9의 장치는 이스라엘 야브네에 위치한 오보텍 사의 상용 SuperVisionTM 자동 광 검사 시스템과 유사할 수 있다.
도 7A-7B의 스캐닝 및 비디오 검증 시스템은 일반적으로 워크피스(530)가 y 축(550)을 따라 이동하도록 장착된 공기 부유 테이블(520)과 같은 동작-테이블을 포함한다. 도 7A-7B의 자동 광학 검사 및 비디오 검증 시스템에 사용하기에 적합한 부상 컨베이어(levitating conveyer)가 미국 특허 제6,810,297호에 더욱 자세히 기술되며, 이의 명세서가 전체적으로 여기에 참조 문헌으로 포함된다. 도 7B에서, 워크피스(530)가 제거되어 있다. 광학 브리지(560)가 하나 이상의 광학 헤드(570)(도시된 실시예에서는 두 개의 광학 헤드. 하나는 광학 브리지(560)에 의해 직접 서포트되고, 다른 하나는 서브-브리지(574)에 의해 서포트 됨). 각 광학 헤드(570)는 x 축(540)을 따라 동작하도록 장착되며 카메라 서브유닛의 어레이(580)를 포함한다 (네 개의 각 서브유닛이 실시예로 도시됨). 각 카메라 서브 유닛은 스캔 카메라(590)와 같은 카메라와, 스캔 카메라 광학 장치(600) 및 스캔 조명기(610)를 포함한다. 하나 이상의 광학 헤드(570)는 또한 하나 이상의 결함 검증 카메라 서브유닛(510)(이러한 서브 유닛 하나가 실시예로 도시됨)이 도 9를 참조하여 상술한 바와 같이 포함된다.
도 9에 상세히 나타낸 결함 검증 카메라 서브시스템(510)은 일반적으로 고 해상도 비디오 현미경으로 구성되며, 비디오 카메라(예, 덴마크의 JAI 사의 상용 CCD 카메라)와 같은 카메라(700)와, 고 배율 광학장치를 제공하는 튜브 렌즈(710)와 도 2-4B의 다방향 다중 분광 슬리브(100)와 같은 암 시야 조명(720)을 포함한다. 여기서 슬리브(100)는 Lecia 10x/0.3 대물렌즈와 같은 대물 렌즈(725)에 적합하다. 바람직하게는, 다중색 조명원(732)으로부터 광섬유 광학장치(735)를 거쳐 다중색 광을 받아들이는 명 영역 조명기(730)가 제공되며, 비디오 카메라가 광축(790)을 따라 워크피스를 보이는 동안에, 빔 스플리터(740)가 광축(790)을 따라 워크피스(도시되지 않음)를 향해 명 영역 조명기로부터의 조명을 향한다. 명 영역 조명기(730)나 암 시야 조명기(720) 또는 두 조명의 조합 어느 것으로부터도 조명이 제공될 수 있다.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 구성되며 동작하는 자동 광 검사 시스템을 나타내는 개략적인 기능 블록도이다. 자동 광 검사 시스템은 방향 조명 정보를 사용하여 워크피스 결함들을 분류하기 위하여 현미경 구조를 가지는 워크피스 내에 위치한 후보 결함 위치를 직접 조명하기 위한 것이다. 도 10의 자동 광 검사 시스템은 자동 광 검사 시스템(가령, 이스라엘 야브네에 위치한 오보텍 사의 상용 SuperVisionTM 시스템과 같은 워크피스 스캐닝 자동 광 검사 서브 시스템(1000)을 포함한다. 워크피스 스캐닝 서브시스템은 또한 특정 워크피스 위치들(L1, L2, L3, ...)에 위치한 후보 결함들을 나타내기 위해 동작하는 이미지 처리 기능성을 가진다. 다색 방향 특정 비디오 검증 서브시스템(1010)은 워크피스 스캐닝 서브시스템(100)으로부터 후보 결함 위치들을 입력받으며, 암 시야 조명을 사용하여, 전형적으로는 방향 특정 색 조명을 제공하는 도 2-4B 및 9와 같은 다색 다중 방향 광학 헤드를 사용하여, 이러한 위치들을 이미지화함으로써 후보 결함 위치들을 검증한다. 서브 시스템(1000, 1010)은 SuperVisionTM 시스템에서와 같이 집적되어 형성되며, 다라서 두 개의 서브 시스템의 거의 대부분의 구성요소들과 특히 동작 테이블 및 이들의 관련 동작 제공기가 예를 들면, 도 7A-7B에 도시된 바와 같이 공유된다.
비디오 검증 서브시스템에 의해 조명이 후보 결함 위치를 조명하는 방향에 대해 색이 코딩되고 광축으로부터 오프셋 된 조명을 사용하여, 방향성 있게 조명된 후보 결함들의 이미지들이 상술한 바와 같이 생성된다. 이러한 이미지들은 도 5A, 5B 및 6의 표에 도시된 바와 유사할 수 있다. 방향성 있게 조명된 후보 결함 이미지들이 방향 정보 처리 서브 시스템(1020)(예, 이스라엘 야브네에 위치한 오보텍 사의 상용 SuperVisionTM 자동 광 검사 시스템이 공급된 비디오 이미지 처리 패키지)로 입력된다. 본 발명의 일 실시예에서, 비디오 이미지 처리 패키지는 결함 분 류 습득 패키지를 포함하며, 결함 종류를 정의하는 결함 유형의 데이터 베이스(1050)를 참조하여 이미지를 분석한다. 각각의 새로운 후보 결함이 가장 밀접하게 일치되는 결함 유형으로 분류된다. 또는 이외의 다른 적합한 기준에 의해 선택적으로 특정 후보 결함들이 외부 입자들과 같은 비 결함으로 간주할 있다. 후보 결함의 분류가 결함 데이터 베이스(1060) 내의 컴퓨터 메모리에 저장된다.
도 11은 도 10에 도시된 방향 정보 처리 서브시스템과 결함 종류 정의 데이터 베이스(1050)를 설정하도록 하기 위하여, 셋 업 서브시스템(1030)에 의해 수행되는 방법을 나타내는 개략적인 흐름도이다. 단계(1100)에서, 셋 업 서브 시스템은, 광축으로부터 오프셋 된 방향 특정 조명하에서 비디오 이미지 장치(가령, 비디오 결함 검증 서브 시스템(1010))에 의해, 수집된 기본 결함들을 수집하고 분석한다. 단계(1110)에서, 각 기본 또는 표본 결함이 결함 유형(예, 수평 절단 결함, 수직 절단 결함 또는 먼지)으로 지정된다. 상술한 결함 유형 분류는 고도로 간략화되는 것이 적합하며, 실제로는 매우 많은 수의 결함 분류 유형과 하위 유형이 존재할 수 있다. 단계(1120)에서, 충분한 표본들이 축적되어 각각의 바람직한 결함 종류를 정의한다. 그렇지 않으면, 단계(1120)가 통과될 때까지, 단계(1100, 1110)가 반복된다. 단계(1130)에서, 결함 유형의 특성을 정의하는 동작이 습득되고, 도 10에 도시된 결함 종류 정의 데이터 베이스(1050) 내에 저장된다. 결함 분류 프로세스의 정확도가 계산되고(단계(1140)), 단계(1150)에서는 결함 분류를 정의에 대해 바람직한 정확도에 다다랐는지 여부가 확인된다. 그렇지 않은 경우에, 방법은 단계(1100)로 복귀한다.
일단 바람직한 정확도에 도달한 하면, 방법은 셋 업이 완료되고 서브 시스템(1020)이, 습득된 결함이나 데이터 베이스(1050)에 저장된 카테고리를 사용하여 후보 결함을 분류를 시작할 준비가 되었다는 신호를 한다. 일반적으로, 결함 분류가 개선되도록 그리고 전도체의 형성중에 나타나는 실제 결함을 외부 입자와 같이 실제 결함이 아닌 후보 결함과 구별하도록 결함 분류 정의를 개선하는 것이 바람직하다. 새로이 분류된 결함들이 결함 데이터 베이스에 추가되어 결함 분류 프로세스가 개선되도록 한다.
도 12는 도 10에 도시된 서브 시스템의 동작 방법을 나타내는 방향 정보를 설정하는 바람직한 방법을 나타내는 개략적인 흐름도이다. 단계(1200)에서, 워크피스 스캐닝 서브 시스템(1000)은 워크피스를 스캔하고 후보 결함 위치들을 나타낸다. 단계(1210)에서, 제 1 방향 특정 조명하에, 하나 이상의 고 해상도 비디오 이미지가 획득된다. 그리고 단계(1220)에서 하나 이상의 고 해상도 비디오 이미지가, 제 1 방향 특정 조명 하에 획득된다. 선택적으로, 전도체의 주 방향이 지정 위치에 있는 경우에, 제 1 방향 특정 조명하에서 하나의 고 해상도 비디오 이미지만을 획득하기에 적합하다. 제 1 및 제 2 방향 특정 조명은 단일색(monochromatic)이거나 다중색(polychromatic)일 수 있으며, 또는 도 5A-6을 참조하여 예시로써 설명한 바와 같이, 방향 특정 조명이 동일한 이미지에서 둘 이상의 구별가능한 형태의 조명을 포함한다.
단계(1230)에서, 예를 들어, 적합한 전도체 에지들은 어둡게 도시되고 도시되지 않으나, 결함들은 가시화되는 광학 이미지가 선택된다. 단계(1240)에서, 서브 시스템(1010)에 의해 발생한 하나 이상의 비디오 이미지가 제공되어 서브 시스템(1020)의 결함 분류기로 제공된다. 단계(1250)에서, 셋 업 동안에 서브 시스템(1030)에 의해 사전 지정되고 결함 종류 정의 데이터 베이스(1050)에 저장된 결함 분류를 사용하여, 서브 시스템(1020)이 후보 결함들을 비결함(예, 표면상에 위치하거나 표면 코딩 하부에 위치한 외부 입자들)이거나 하나의 분류나 다른 분류의 결함들인지에 따라 분류한다.
본 발명에 따른 일 실시예의 장점 중 하나는, 순서 없는 에지들의 복잡성에 기인하여, 입자가 모든 방향으로부터 입사된 빛을 산란하고 따라서 방향 특정 빛의 복합 응답이 일어남으로써, 결함 식별이 쉬워 진다는 것이다. 반대로, 절단 결함이나 쇼트와 같이, 전도체 형성시 발생하는 결함들은 일반적으로 주 방향을 가지므로, 방향 특정 조명이 비칠 때, 주 응답을 나타낸다. 방향 특정 빛이 색 코드화(color coded)될 때, 입자들은 다색 응답을 나타내는 반면에, 절단, 스크래치, 쇼트 등과 같은 전도체 내의 결함인 형성 결함은 주(predominant)색 응답을 나타낸다. 추가로, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 조명의 방향에 관하여 색 코드화된 방향 특정 조명이 최소 시간에 최소 개수의 이미지들을 포착하거나 획득할 수 있도록 한다. 바람직하게는, 후보 결함 영상화를 위해 사용되는, 빨강 및 파랑과 같은 색들이 색 비디오 카메라에 의해 완전히 구분 가능하게 된다(노이즈 레벨 내).
본 발명의 소프트웨어 구성요소들이 필요한 경우에, ROM(read only memory) 형식으로 구현가능하다. 소프트웨어 구성요소들은 필요한 경우에, 일반적인 기술을 사용하여 하드웨어 내에 구현될 수 있다.
상술한 본 발명의 실시예들은 단지 예시와 설명을 위한 것일 뿐이며, 본 발명을 설명된 형태로 한정하려는 것이 아니다. 따라서, 다양한 변화 및 변경을 할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게 자명하다. 또한, 이 명세서의 상세한 설명이 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항에 의해서 정의된다.
이와 같이 본 발명에 따르면, 디스플레이 패널과 같은 제조 대상물 상에 결함을 검사함에 있어, 절단이나 스크래치 등과 같은 형성 결함과 외부 입자를 구별함으로써, 향상된 검사 시스템 및 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 조명의 방향에 관하여 색 코드화된 방향 특정 조명이 최소 시간에 최소 개수의 이미지들을 포착하거나 획득할 수 있도록 한다.

Claims (30)

  1. 미세 전도체를 가지는 패터닝된 장치를 검사하는 검사 시스템에 있어서, 상기 시스템이:
    기판 평면을 정의하는 패터닝된 기판을 조명하는 제1 및 제2 광원으로서, 이때 상기 제1 및 제2 광원이 제1 및 제2 조명 경로를 각각 발생시키고, 상기 제1 및 제2 조명 경로가 상기 기판 평면에 평행한 평면상에서 서로 평행하지 않은 광원;
    상기 패터닝된 기판에서의 후보 결함(candidate defect) 위치를 보고, 그 같은 위치의 하나 이상의 이미지를 획득하는 카메라로서, 이때 상기 하나 이상의 이미지가 상기 제1 및 제2 광원으로부터 조명되고, 상기 카메라가 광축의 기준이 되며, 상기 제1 및 제2 조명 경로는 상기 광축으로부터 오프셋(offset)되고, 상기 제1 조명 경로를 따라 공급된 조명 응답 명도가 제2 조명 경로를 따라 공급된 조명 응답 명도와 구별되는 카메라; 그리고
    상기 하나 이상의 이미지를 입력 받아 상기 패터닝된 기판에 대한 외부 입자에 의해 야기되는 후보 결함을 다른 유형의 후보 결함들로부터 구별하는 결함 분류기를 포함함을 특징으로 하는 검사 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 카메라로 후보 결함들의 위치를 제공하는 자동 광 검사 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 결함 분류기가 상기 패터닝된 기판의 표면 상부에 형성된 입자에 의해 야기되는 결함을 식별하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 결함 분류기가 상기 패터닝된 기판 내에 코딩 하부에 형성된 입자에 의해 야기되는 결함을 식별하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 결함 분류기가 먼지 입자들에 의해 야기되는 결함을 식별하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 조명 경로를 따라 공급되는 상기 조명이 상기 제 2 조명 경로를 따라 공급되는 조명과 색에 있어서 구별되는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 조명 경로를 따라 공급되는 상기 조명이 상기 제 2 조명 경로를 따라 공급되는 조명과 다른 시간에 공급되는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 조명 경로가 서로 수직인 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 조명이, 에지들과 입자들이 각각 조명되는 평균 명도를 부분적으로 결정하는 각도(수직과 이루는 각)를 가지며,
    상기 각도가, 상기 에지들에 대한 평균 명도와 같은 크기로 상기 입자들에 대한 평균 명도를 제공하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 패터닝된 기판이 행과 열 내에 배열된 전도체를 가지는 제조 중인 디스플레이 패널을 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
  11. 미세 전도체를 가지는 패터닝된 장치를 검사하는 검사 방법에 있어서, 상기 방법이:
    기판 평면을 정의하는 패터닝된 기판을 제1 및 제2 조명 경로를 각각 발생시키는 제1 및 제2 광원으로부터 조명하며, 이때 상기 제1 및 제2 조명 경로가 상기 기판 평면에 평행한 평면상에서 서로 평행하지 않고;
    상기 패터닝된 기판에서의 후보 결함(candidate defect) 위치를 보고(viewing), 카메라를 사용하여 그 같은 위치의 하나 이상의 이미지를 획득하며, 이때 상기 하나 이상의 이미지가 상기 제1 및 제2 광원으로부터의 조명에 의해 조명되고, 상기 카메라가 광축의 기준이 되며, 상기 제1 및 제2 조명 경로는 상기 광축으로부터 오프셋(offset)되며, 상기 제1 조명 경로를 따라 공급된 조명 응답 명도가 제2 조명 경로를 따라 공급된 조명 응답 명도와 구별되고; 그리고
    상기 패터닝된 기판에 대한 외부 입자에 의해 야기되는 후보 결함을 다른 유형의 후보 결함들로부터 구별하기 위해 상기 하나 이상의 이미지를 분석함을 포함함을 특징으로 하는 검사 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 조명이 암 시야 조명을 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    자동 광 검사 장치를 사용하여, 상기 카메라로 후보 결함들의 위치를 공급함을 포함함을 특징으로 하는 검사 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 구별하는 단계는 상기 패터닝된 기판의 표면 상부에 형성된 입자에 의해 야기된 결함을 식별하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 구별하는 단계는 상기 패터닝된 기판 내의 코팅 하부에 형성된 입자들에 의해 야기된 결함을 식별하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 구별하는 단계는 먼지 입자들에 의해 야기된 결함을 식별하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 조명 경로를 따라 공급되는 상기 조명이 상기 제 2 조명 경로를 따라 공급되는 상기 조명과 색에 있어 구별되는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 조명 경로를 따라 공급되는 상기 조명이 상기 제 2 조명 경로를 따라 공급되는 상기 조명과 다른 시간에 공급되는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 조명 경로들이 서로 수직인 것을 특징으로 하는 검사 방법.
  20. 제 11 항에 있어서,
    상기 조명이, 에지들과 입자들이 각각 조명되는 평균 명도를 적어도 부분적으로 결정하는 각도(수직과 이루는 각)를 가지며,
    상기 각도가, 상기 에지들에 대한 평균 명도와 같은 크기로 상기 입자들에 대한 평균 명도를 제공하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
  21. 제 11 항에 있어서,
    상기 패터닝된 기판이 행과 열 내에 배열된 전도체를 가지는 제조 중인 디스플레이 패널을 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
  22. 미세 전도체를 가지는 패터닝된 장치를 검사하는 검사 시스템에 있어서, 상기 시스템이:
    기판 평면을 정의하는 패터닝된 기판을 조명하는 제1 및 제2 광원으로서, 이때 상기 제1 및 제2 광원이 제1 및 제2 조명 경로를 각각 발생시키고, 상기 제1 및 제2 조명 경로가 상기 기판 평면에 평행한 평면상에서 서로 평행하지 않은 광원;
    상기 패터닝된 기판에서의 후보 결함(candidate defect) 위치를 보고, 그 같은 위치의 하나 이상의 이미지를 획득하는 카메라로서, 이때 상기 하나 이상의 이미지가 상기 제1 및 제2 광원으로부터의 조명에 의해 조명되고, 상기 카메라가 광축의 기준이 되며, 상기 제1 및 제2 조명 경로는 상기 광축으로부터 오프셋(offset)되며, 상기 제1 조명 경로를 따라 공급된 조명 응답 명도가 제2 조명 경로를 따라 공급된 조명 응답 명도와 구별되는 카메라; 그리고
    상기 하나 이상의 이미지를 사용하여 상기 패터닝된 기판의 전도 영역 일부에 발생한 절단에 의해 야기되는 결함을 다른 유형의 결함들로부터 구별하는 결함 분류기를 포함함을 특징으로 하는 검사 시스템.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 결함 분류기는 하나 이상의 다른 유형의 결함으로부터 상기 패터닝된 기판상에 위치한 외부 입자를 구별하도록 상기 하나 이상의 이미지를 사용하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 결함 분류기는 하나 이상의 다른 유형의 결함으로부터 상기 패터닝된 기판상에 위치한 잔여 물질을 구별하도록 상기 하나 이상의 이미지를 사용하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 잔여 물질은 잔여물을 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
  26. 제 22 항에 있어서,
    상기 전도 영역 일부는 하나의 전도체 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
  27. 제 22 항에 있어서,
    상기 전도 영역 일부는 하나 이상의 반도체 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
  28. 제 22 항에 있어서,
    상기 전도 영역 일부는 복수의 전도체 소자들 일부 사이 사이의 연결을 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 복수의 전도체 소자들 일부는 하나 이상의 전도체 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 복수의 전도체 소자들 일부는 하나 이상의 반도체 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 시스템.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7636466B2 (en) * 2006-01-11 2009-12-22 Orbotech Ltd System and method for inspecting workpieces having microscopic features
JP4882505B2 (ja) * 2006-05-19 2012-02-22 東京エレクトロン株式会社 異物分布パターンの照合方法及びその装置
DE102007052530A1 (de) * 2007-11-01 2009-05-14 Zimmermann & Schilp Handhabungstechnik Gmbh Vorrichtungen zur Inspektion und Bestrahlung von flächigen Materialien
DE102008057131B4 (de) 2007-12-06 2013-05-29 Honda Motor Co., Ltd. Riemenprüfvorrichtung
JP4503643B2 (ja) * 2007-12-06 2010-07-14 本田技研工業株式会社 金属ベルトの検査装置
JP4611404B2 (ja) * 2008-06-04 2011-01-12 本田技研工業株式会社 ベルト検査装置
KR100913181B1 (ko) * 2008-01-14 2009-08-20 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시장치용 검사설비의 입력장치
JP5622338B2 (ja) * 2008-12-12 2014-11-12 アズビル株式会社 半導体デバイス製造過程における異物とキズ痕との判別検査方法
US9035673B2 (en) * 2010-01-25 2015-05-19 Palo Alto Research Center Incorporated Method of in-process intralayer yield detection, interlayer shunt detection and correction
CN102830123B (zh) * 2012-08-16 2014-07-02 北京科技大学 一种金属板带表面微小缺陷的在线检测方法
JP5655045B2 (ja) * 2012-09-11 2015-01-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 光学式表面欠陥検査装置及び光学式表面欠陥検査方法
JP2014145656A (ja) * 2013-01-29 2014-08-14 Nikka Kk 微粒子付着状態可視化方法、および微粒子付着状態可視化装置
CN104392432A (zh) * 2014-11-03 2015-03-04 深圳市华星光电技术有限公司 基于方向梯度直方图的显示面板缺陷检测方法
US20170118384A1 (en) * 2015-10-26 2017-04-27 National Applied Research Laboratories Adaptive lighting device for optical inspection
US11580398B2 (en) 2016-10-14 2023-02-14 KLA-Tenor Corp. Diagnostic systems and methods for deep learning models configured for semiconductor applications

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06201747A (ja) * 1992-12-25 1994-07-22 Sharp Corp パターン欠陥検査装置
JP2001021332A (ja) 1999-07-06 2001-01-26 Sumitomo Chem Co Ltd 表面検査装置及び表面検査方法
JP2005037281A (ja) 2003-07-16 2005-02-10 Nec Plasma Display Corp 表示装置の製造方法、表示装置用基板の検査方法及び表示装置用基板の検査装置
JP2005156957A (ja) 2003-11-26 2005-06-16 Nec Saitama Ltd 液晶表示装置の表示検査装置とその表示検査方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2914967B2 (ja) * 1986-08-27 1999-07-05 株式会社日立製作所 外観検査方法
JP2524532B2 (ja) * 1989-10-11 1996-08-14 日立電子エンジニアリング株式会社 ウエハ異物検査装置
JPH06229937A (ja) * 1993-02-05 1994-08-19 Nec Yamagata Ltd 半導体装置の回路パタン検査装置
JPH085575A (ja) * 1994-06-21 1996-01-12 Hitachi Electron Eng Co Ltd カラーフィルタの異物突起検出方法および検査装置
JPH09196859A (ja) * 1996-01-23 1997-07-31 Nec Corp 表面欠陥検査装置
JPH09257642A (ja) * 1996-03-18 1997-10-03 Hitachi Electron Eng Co Ltd ガラス基板の欠陥種別判定方法
US6092059A (en) * 1996-12-27 2000-07-18 Cognex Corporation Automatic classifier for real time inspection and classification
US6118524A (en) * 1997-02-26 2000-09-12 Acuity Imaging, Llc Arc illumination apparatus and method
JP3460541B2 (ja) * 1997-10-20 2003-10-27 日産自動車株式会社 被検査面の欠陥検査方法およびその装置
US6256093B1 (en) * 1998-06-25 2001-07-03 Applied Materials, Inc. On-the-fly automatic defect classification for substrates using signal attributes
US6366690B1 (en) * 1998-07-07 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Pixel based machine for patterned wafers
JP3566589B2 (ja) * 1998-07-28 2004-09-15 株式会社日立製作所 欠陥検査装置およびその方法
IL126866A (en) * 1998-11-02 2003-02-12 Orbotech Ltd Apparatus and method for fabricating flat workpieces
US6922482B1 (en) * 1999-06-15 2005-07-26 Applied Materials, Inc. Hybrid invariant adaptive automatic defect classification
US7061601B2 (en) * 1999-07-02 2006-06-13 Kla-Tencor Technologies Corporation System and method for double sided optical inspection of thin film disks or wafers
US6763130B1 (en) * 1999-07-21 2004-07-13 Applied Materials, Inc. Real time defect source identification
KR100389524B1 (ko) * 1999-08-24 2003-06-27 히다치 덴시 엔지니어링 가부시키 가이샤 결함 검사 방법 및 그 장치
JP2001168160A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Sony Corp 半導体ウェハの検査システム
US6465801B1 (en) * 2000-07-31 2002-10-15 Hewlett-Packard Company Dust and scratch detection for an image scanner
US6731384B2 (en) * 2000-10-10 2004-05-04 Hitachi, Ltd. Apparatus for detecting foreign particle and defect and the same method
JP4230674B2 (ja) * 2001-03-01 2009-02-25 株式会社日立製作所 欠陥検査装置およびその方法
JP2002303586A (ja) * 2001-04-03 2002-10-18 Hitachi Ltd 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP4038356B2 (ja) * 2001-04-10 2008-01-23 株式会社日立製作所 欠陥データ解析方法及びその装置並びにレビューシステム
TWI222423B (en) * 2001-12-27 2004-10-21 Orbotech Ltd System and methods for conveying and transporting levitated articles
JP3551188B2 (ja) * 2002-01-10 2004-08-04 オムロン株式会社 表面状態検査方法および基板検査装置
JP2003271927A (ja) * 2002-03-18 2003-09-26 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法
DE10323139A1 (de) * 2003-05-22 2004-12-23 Leica Microsystems Jena Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Hochauflösenden Fehlerfinden und Klassifizieren
DE112005001294T5 (de) * 2004-06-04 2007-04-26 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Halbleiteroberflächenprüfungsvorrichtung sowie Beleuchtungsverfahren
DE102004029014B4 (de) * 2004-06-16 2006-06-22 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren und System zur Inspektion eines Wafers
WO2006006148A2 (en) * 2004-07-12 2006-01-19 Negevtech Ltd. Multi mode inspection method and apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06201747A (ja) * 1992-12-25 1994-07-22 Sharp Corp パターン欠陥検査装置
JP2001021332A (ja) 1999-07-06 2001-01-26 Sumitomo Chem Co Ltd 表面検査装置及び表面検査方法
JP2005037281A (ja) 2003-07-16 2005-02-10 Nec Plasma Display Corp 表示装置の製造方法、表示装置用基板の検査方法及び表示装置用基板の検査装置
JP2005156957A (ja) 2003-11-26 2005-06-16 Nec Saitama Ltd 液晶表示装置の表示検査装置とその表示検査方法

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Publication number Publication date
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