JPH06229937A - 半導体装置の回路パタン検査装置 - Google Patents
半導体装置の回路パタン検査装置Info
- Publication number
- JPH06229937A JPH06229937A JP1830893A JP1830893A JPH06229937A JP H06229937 A JPH06229937 A JP H06229937A JP 1830893 A JP1830893 A JP 1830893A JP 1830893 A JP1830893 A JP 1830893A JP H06229937 A JPH06229937 A JP H06229937A
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- Japan
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- circuit pattern
- foreign matter
- semiconductor device
- semiconductor substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置の回路パタン検査装置において、回
路パタンの形成方向に左右されず、パタンの陰にある異
物の検出をも可能にすること。 【構成】半導体基板１２の主表面に段差のある回路パタ
ンが形成されており、その陰に異物１３が付着している
場合、レーザ光６，７の光軸が互いに９０°になる様設
定されることにより、一方のレーザ光６が回路パタンに
さえぎられても、他方からのレーザ光７により、異物１
３からの散乱光が得られ、回路パタンの方向にかかわら
ず、異物１３の検出が出来る。
路パタンの形成方向に左右されず、パタンの陰にある異
物の検出をも可能にすること。 【構成】半導体基板１２の主表面に段差のある回路パタ
ンが形成されており、その陰に異物１３が付着している
場合、レーザ光６，７の光軸が互いに９０°になる様設
定されることにより、一方のレーザ光６が回路パタンに
さえぎられても、他方からのレーザ光７により、異物１
３からの散乱光が得られ、回路パタンの方向にかかわら
ず、異物１３の検出が出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の回路パタン
検査装置に関し、特にレーザ光を用いて、その散乱光を
検出することにより半導体装置の主表面の回路パタンが
形成された部分の検査装置に関する。
検査装置に関し、特にレーザ光を用いて、その散乱光を
検出することにより半導体装置の主表面の回路パタンが
形成された部分の検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の回路パタン検査装置
は、図７に示す様に、レーザ発振部１０より発せられた
レーザ光６を、半導体基板１２主表面に照射し、異物１
３があった場合に発生する散乱光３を散乱光検出部２で
検出し、信号処理部１にてデータ処理を行うことによ
り、半導体基板１２の表面に付着した微細な異物１３を
検出することが出来る。
は、図７に示す様に、レーザ発振部１０より発せられた
レーザ光６を、半導体基板１２主表面に照射し、異物１
３があった場合に発生する散乱光３を散乱光検出部２で
検出し、信号処理部１にてデータ処理を行うことによ
り、半導体基板１２の表面に付着した微細な異物１３を
検出することが出来る。
【０００３】半導体装置の基板表面やマスク表面に異物
があると、特性不良となり、製品の歩留りを著しく低下
させることから、製造工程の要所要所において、表面の
検査を行う必要がある。このようなレーザ光照射による
異物からの散乱光検出型の半導体装置の回路パタン検査
装置では半導体基板の上方より基板と垂直にレーザ光を
照射するタイプと、図８，図９に示すように、半導体基
板１７に斜め上部より角度をもってレーザ光６を照射す
るタイプのものと大きく２つのタイプに分けられる。
があると、特性不良となり、製品の歩留りを著しく低下
させることから、製造工程の要所要所において、表面の
検査を行う必要がある。このようなレーザ光照射による
異物からの散乱光検出型の半導体装置の回路パタン検査
装置では半導体基板の上方より基板と垂直にレーザ光を
照射するタイプと、図８，図９に示すように、半導体基
板１７に斜め上部より角度をもってレーザ光６を照射す
るタイプのものと大きく２つのタイプに分けられる。
【０００４】前者においては異物からの散乱光と、主表
面からの散乱光との分離が難しく、感度的に不利であ
る。後者においては、一般に半導体基板１７に対して、
レーザ光６の入射角を小さくしてやることで、異物１３
からの散乱光の強度を大きくするかたが可能である。
面からの散乱光との分離が難しく、感度的に不利であ
る。後者においては、一般に半導体基板１７に対して、
レーザ光６の入射角を小さくしてやることで、異物１３
からの散乱光の強度を大きくするかたが可能である。
【０００５】ここで、回路パタン１５の段差は、通常
０．５〜１．０μｍ程度であり、０．１〜０．３μｍ程
度の異物が、図９のようにパタン１５の陰にかくれたり
すると検出が困難となる。そのため、レーザ光６の入射
角とともに、どちらの方向から半導体基板表面にレーザ
光を入射するかを定める方位角が重要なファクターにな
っており、半導体基板１７の表面に形成された回路パタ
ン１５の方向と、レーザ光の方位角により、異物１３の
検出感度は大きく左右される。
０．５〜１．０μｍ程度であり、０．１〜０．３μｍ程
度の異物が、図９のようにパタン１５の陰にかくれたり
すると検出が困難となる。そのため、レーザ光６の入射
角とともに、どちらの方向から半導体基板表面にレーザ
光を入射するかを定める方位角が重要なファクターにな
っており、半導体基板１７の表面に形成された回路パタ
ン１５の方向と、レーザ光の方位角により、異物１３の
検出感度は大きく左右される。
【０００６】また、検査方式としては、基板１７を回転
させる方式、レーザ光自体を走査させる方式、基板をＸ
−Ｙ方向に移動させる方式などがある。
させる方式、レーザ光自体を走査させる方式、基板をＸ
−Ｙ方向に移動させる方式などがある。
【０００７】尚、半導体基板１２を載置固定したステー
ジ１４は、Ｘ方向及びＹ方向に移動し、異物１３を探す
ために、スキンニングされる。レーザ発振部１０で発生
したレーザ光６はミラー８，ミラー４で、照射角度が整
えられ、半導体基板１２の主表面に、Ｘ方向に沿って斜
めに入射される。レーザ発振部１１からのレーザ光７
は、ミラー９，ミラー５で照射角度が整えられ、Ｙ方向
に沿って斜めに入射される。
ジ１４は、Ｘ方向及びＹ方向に移動し、異物１３を探す
ために、スキンニングされる。レーザ発振部１０で発生
したレーザ光６はミラー８，ミラー４で、照射角度が整
えられ、半導体基板１２の主表面に、Ｘ方向に沿って斜
めに入射される。レーザ発振部１１からのレーザ光７
は、ミラー９，ミラー５で照射角度が整えられ、Ｙ方向
に沿って斜めに入射される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の半導
体装置の回路パタン検査装置では、レーザ光が同時に一
方向からしか照射されないため、パタンの陰に異物が存
在した場合、直ちに検出することが困難であり、角度及
び方位の走査を行って初めて異物にレーザ光があたるこ
とになり、検出時間が大となるという問題点があった。
体装置の回路パタン検査装置では、レーザ光が同時に一
方向からしか照射されないため、パタンの陰に異物が存
在した場合、直ちに検出することが困難であり、角度及
び方位の走査を行って初めて異物にレーザ光があたるこ
とになり、検出時間が大となるという問題点があった。
【０００９】本発明の目的は、前記問題点を解決し、半
導体基板の主表面の異物を直ちに検出できるようにした
半導体装置の回路パタン検査装置を提供することにあ
る。
導体基板の主表面の異物を直ちに検出できるようにした
半導体装置の回路パタン検査装置を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の回
路パタン検査装置は、回路パタンの形成された半導体基
板の主表面に付着している異物からの散乱光を発生させ
るためのレーザ光を、複数の方向から前記主表面に照射
する光学系を有することを特徴とする。
路パタン検査装置は、回路パタンの形成された半導体基
板の主表面に付着している異物からの散乱光を発生させ
るためのレーザ光を、複数の方向から前記主表面に照射
する光学系を有することを特徴とする。
【００１１】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例の半導体装置の回路パ
タン検査装置を示す斜視図である。図１において、本実
施例は、複数のレーザ発振部１０，１１からのレーザ光
６，７が相異る２方向から照射され、ステージ１４によ
り、Ｘ方向，Ｙ方向に移動させながら半導体基板１２の
主表面の検査を行う。異物１３があった場合に発生する
散乱光３を、散乱光検出部２で検出し、信号処理部１で
処理を行う。
る。図１は本発明の第１の実施例の半導体装置の回路パ
タン検査装置を示す斜視図である。図１において、本実
施例は、複数のレーザ発振部１０，１１からのレーザ光
６，７が相異る２方向から照射され、ステージ１４によ
り、Ｘ方向，Ｙ方向に移動させながら半導体基板１２の
主表面の検査を行う。異物１３があった場合に発生する
散乱光３を、散乱光検出部２で検出し、信号処理部１で
処理を行う。
【００１２】図２は図１の半導体基板の回路パタンの正
面図であり、図２中のハッチング部は凸部を示す。図３
は図２の断面図である。図２，図３において、回路パタ
ン１５の陰に異物１３が付着している様な場合、レーザ
光６，７の互いの光軸が９０°に調整された２方向から
照射されることにより、レーザ光６はパタン１５にさえ
ぎられ、異物１３にはあたらないが、これと異る方向か
ら照射されるレーザ光７はこの異物１３にあたるため、
パタン１５の方向にかかわらず、異物１３の検出が可能
である。
面図であり、図２中のハッチング部は凸部を示す。図３
は図２の断面図である。図２，図３において、回路パタ
ン１５の陰に異物１３が付着している様な場合、レーザ
光６，７の互いの光軸が９０°に調整された２方向から
照射されることにより、レーザ光６はパタン１５にさえ
ぎられ、異物１３にはあたらないが、これと異る方向か
ら照射されるレーザ光７はこの異物１３にあたるため、
パタン１５の方向にかかわらず、異物１３の検出が可能
である。
【００１３】ここで、半導体装置の回路パタン１５は通
常、縦・横の２方向で構成されている場合がほとんど
で、部分的に斜め方向のパタンが用いられる。従って、
９０°に設定されたレーザ光でほとんどの検査領域をお
ぎなえるが、４５°の位置に更にレーザ光が照射される
様に設定することによって、ほぼ１００％の領域をカバ
ーすることが可能である。
常、縦・横の２方向で構成されている場合がほとんど
で、部分的に斜め方向のパタンが用いられる。従って、
９０°に設定されたレーザ光でほとんどの検査領域をお
ぎなえるが、４５°の位置に更にレーザ光が照射される
様に設定することによって、ほぼ１００％の領域をカバ
ーすることが可能である。
【００１４】尚、０°，４５°，９０°の三方向からレ
ーザ光を照射する方式もより好ましい。
ーザ光を照射する方式もより好ましい。
【００１５】図４は本発明の第２の実施例の半導体装置
の回路パタン検査装置を示す斜視図である。
の回路パタン検査装置を示す斜視図である。
【００１６】図４において、本第２の実施例では、１つ
のレーザ光発振部１０より発せられたレーザ光を、ビー
ムスプリッタ１６で二つのレーザ光６，７に分けること
により、異る２方向からのレーザ光となし、これらを半
導体基板の主表面に照射し、異物１３からの散乱光を得
る様になっている。
のレーザ光発振部１０より発せられたレーザ光を、ビー
ムスプリッタ１６で二つのレーザ光６，７に分けること
により、異る２方向からのレーザ光となし、これらを半
導体基板の主表面に照射し、異物１３からの散乱光を得
る様になっている。
【００１７】本実施例では、レーザ発振部１０が単体に
なっていることで、構造が簡単になるという効果があ
る。
なっていることで、構造が簡単になるという効果があ
る。
【００１８】異物１３の検出状態は、図５，図６に示す
ように、第１の実施例と同様に検出される。
ように、第１の実施例と同様に検出される。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、半導体
基板表面に付着している異物からの散乱光を発生させる
ためのレーザ光を複数用いることにより、特にこれらレ
ーザ光の光軸が互いに４５°あるいは９０°になる様設
定されることにより、回路パタンの方向にかかわらず、
パタンの陰に付着した様な異物の検出が可能になるとい
う効果を有する。
基板表面に付着している異物からの散乱光を発生させる
ためのレーザ光を複数用いることにより、特にこれらレ
ーザ光の光軸が互いに４５°あるいは９０°になる様設
定されることにより、回路パタンの方向にかかわらず、
パタンの陰に付着した様な異物の検出が可能になるとい
う効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例の半導体装置の回路パタ
ン検査装置を示す斜視図である。
ン検査装置を示す斜視図である。
【図２】図１の半導体基板の主表面を示す正面図であ
る。
る。
【図３】図２の半導体基板の断面図である。
【図４】本発明の第２の実施例の斜視図である。
【図５】図４の半導体基板の主表面を示す正面図であ
る。
る。
【図６】図５の半導体基板の断面図である。
【図７】従来の回路パタン検査装置を示す斜視図であ
る。
る。
【図８】図７の半導体基板の主表面を示す正面図であ
る。
る。
【図９】図８の断面図である。
１ 信号処理部 ２ 散乱光検出部 ３ 散乱光 ４，５，８，９ ミラー ６，７ レーザ光 １０，１１ レーザ発振部 １２ 半導体基板 １６ 異物 １４ ステージ １５ 回路パタン １６ ビームスプリッタ １７ 基板
Claims (2)
- 【請求項１】 回路パタンの形成された半導体基板の主
表面に付着している異物からの散乱光を発生させるため
のレーザ光を、複数の方向から前記主表面に照射する光
学系を有することを特徴とする半導体装置の回路パタン
検査装置。 - 【請求項２】 複数の方向から照射されるレーザ光は、
唯一つのレーザ発振部から得られたものである請求項１
に記載の半導体装置の回路パタン検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1830893A JPH06229937A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 半導体装置の回路パタン検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1830893A JPH06229937A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 半導体装置の回路パタン検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06229937A true JPH06229937A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11967991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1830893A Pending JPH06229937A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 半導体装置の回路パタン検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06229937A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007199066A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Orbotech Ltd | 微細導体を有するパターン化デバイスを検査するシステム及び方法 |
-
1993
- 1993-02-05 JP JP1830893A patent/JPH06229937A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007199066A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Orbotech Ltd | 微細導体を有するパターン化デバイスを検査するシステム及び方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990525 |