JP5622338B2 - 半導体デバイス製造過程における異物とキズ痕との判別検査方法 - Google Patents
半導体デバイス製造過程における異物とキズ痕との判別検査方法 Download PDFInfo
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Description
半導体デバイス素子の表面の撮像データに基づいて前記半導体デバイス素子の検査不合格品の原因となる異物と前記半導体デバイス素子の検査不合格品の原因とならない検査用プローブによってできたキズ痕とを判別する半導体デバイス製造過程における異物とキズ痕との判別検査方法であって、
前記半導体デバイス素子の周方向の異なる方向から選択的に斜光を照射する斜光照明手段を用意した後、
前記半導体デバイス素子に対して斜光を対向する二方向から同時に照射する第1のステップと、
前記半導体デバイス素子からの反射光を検出して撮像する第2のステップと、
前記第2のステップで撮像した画像をデジタル処理して異物かキズ痕かを判別する第3のステップと、を少なくとも有し、
前記第2のステップにおいて、前記半導体デバイス素子に対して斜光を対向する二方向から同時に照射して得られる撮像データのうち、前記異なる方向及びこの異なる方向とは別の方向に斜光方向を変えて行った少なくとも2つの撮像データを得た後、前記第3のステップにおいて、前記少なくとも2つの撮像データの両方で所定の輝度を有するものを異物として判別すると共に、前記少なくとも2つの撮像データのうち一方にのみ所定の輝度を有するものを前記検査用プローブによってできた線状をなすキズ痕として判別する半導体デバイス製造過程における異物とキズ痕との判別検査方法であり、
前記第1のステップ乃至第3のステップを行うに先立って、前記半導体デバイス素子の周方向の全方向から被検査対象物を斜光することで、前記検査用プローブによってできた線状をなすキズ痕の長手方向を特定するとともに、前記第1のステップにおいて対向する二方向から同時に斜光を照射する方向を前記検査用プローブによってできた線状をなすキズ痕の長手方向に対して直交する方向にすると共にこの方向とは別に前記検査用プローブによってできた線状をなすキズ痕の長手方向に対して平行な方向にすることを特徴としている。
前記キズ痕は、幅が1μm以下の線状をなすプローブ痕であり、かつ前記異物は、外径が20μm以下の大きさであるのが良い。
13 照明用電源
20 撮像部
21 IC顕微鏡
22 CCDカメラ又はC‐MOSカメラ等のカメラ
30 判別処理部
31 撮像/画像処理用パソコン
32 キャプチャーボード
33 I/Oポート
50 半導体センサチップ
Claims (1)
- 半導体デバイス素子の表面の撮像データに基づいて前記半導体デバイス素子の検査不合格品の原因となる異物と前記半導体デバイス素子の検査不合格品の原因とならない検査用プローブによってできたキズ痕とを判別する半導体デバイス製造過程における異物とキズ痕との判別検査方法であって、
前記半導体デバイス素子の周方向の異なる方向から選択的に斜光を照射する斜光照明手段を用意した後、
前記半導体デバイス素子に対して斜光を対向する二方向から同時に照射する第1のステップと、
前記半導体デバイス素子からの反射光を検出して撮像する第2のステップと、
前記第2のステップで撮像した画像をデジタル処理して異物かキズ痕かを判別する第3のステップと、を少なくとも有し、
前記第2のステップにおいて、前記半導体デバイス素子に対して斜光を対向する二方向から同時に照射して得られる撮像データのうち、前記異なる方向及びこの異なる方向とは別の方向に斜光方向を変えて行った少なくとも2つの撮像データを得た後、前記第3のステップにおいて、前記少なくとも2つの撮像データの両方で所定の輝度を有するものを異物として判別すると共に、前記少なくとも2つの撮像データのうち一方にのみ所定の輝度を有するものを前記検査用プローブによってできた線状をなすキズ痕として判別する半導体デバイス製造過程における異物とキズ痕との判別検査方法であり、
前記第1のステップ乃至第3のステップを行うに先立って、前記半導体デバイス素子の周方向の全方向から被検査対象物を斜光することで、前記検査用プローブによってできた線状をなすキズ痕の長手方向を特定するとともに、前記第1のステップにおいて対向する二方向から同時に斜光を照射する方向を前記検査用プローブによってできた線状をなすキズ痕の長手方向に対して直交する方向にすると共にこの方向とは別に前記検査用プローブによってできた線状をなすキズ痕の長手方向に対して平行な方向にすることを特徴とする半導体デバイス製造過程における異物とキズ痕との判別検査方法。
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