KR101020357B1 - 피처리 기판의 온도 조절 장치 및 온도 조절 방법, 및 이것을 구비한 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
피처리 기판의 온도 조절 장치 및 온도 조절 방법, 및 이것을 구비한 플라즈마 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101020357B1 KR101020357B1 KR1020080106009A KR20080106009A KR101020357B1 KR 101020357 B1 KR101020357 B1 KR 101020357B1 KR 1020080106009 A KR1020080106009 A KR 1020080106009A KR 20080106009 A KR20080106009 A KR 20080106009A KR 101020357 B1 KR101020357 B1 KR 101020357B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- temperature
- fluid
- flow path
- temperature control
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1927—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors
- G05D23/193—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces
- G05D23/1932—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces to control the temperature of a plurality of spaces
- G05D23/1934—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces to control the temperature of a plurality of spaces each space being provided with one sensor acting on one or more control means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
Claims (9)
- 피처리 기판을 영역별로 소정의 온도로 조절하기 위한 온도 계통별의 온도 조절부를 복수 구비한 탑재대와,상기 온도 조절부를 지나 온도 계통별로 유체가 순환하며 흐르는 순환 유로와,상기 순환 유로로 흐르는 유체보다 높은 온도의 가열 유체가 흐르는 가열 유로와,상기 순환 유로로 흐르는 유체보다 낮은 온도의 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로와,상기 탑재대 근방에서, 상기 순환 유로와 상기 가열 유로와 상기 냉각 유로를 온도 계통별로 합류시킴과 동시에, 상기 온도 조절부에 출력하는 유체의 각 유로로부터의 유량비를 조절하는 유량 조절 수단을 포함하는 합류부를 구비한 것을 특징으로 하는피처리 기판의 온도 조절 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 온도 조절부보다도 하류측의 유체를 흡인하여 상기 순환 유로, 상기 가열 유로, 및 상기 냉각 유로에 토출하는 펌프를 온도 계통별로 구비한 것을 특징으 로 하는피처리 기판의 온도 조절 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 유량 조절 수단은, 상기 온도 조절부로 흐르는 유체의 온도를 검출하는 온도 검출 수단에 의한 검출값을 소정의 온도 레벨이 되도록 피드백 제어하는 것임을 특징으로 하는피처리 기판의 온도 조절 장치.
- 피처리 기판을 영역별로 소정의 온도로 조절하기 위한 온도 계통별의 온도 조절부를 복수 구비한 탑재대와,상기 온도 조절부를 지나 온도 계통별로 유체가 순환하며 흐르는 순환 유로와,상기 순환 유로로 흐르는 유체보다 높은 온도의 가열 유체가 흐르는 가열 유로와,상기 순환 유로로 흐르는 유체보다 낮은 온도의 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로와,상기 탑재대의 근방에서, 상기 순환 유로와 상기 가열 유로와 상기 냉각 유로를 온도 계통별로 합류시킴과 동시에, 상기 온도 조절부에 출력하는 유체의 각 유로로부터의 유량비를 조절하는 유량 조절 수단을 포함하는 제 1 합류부와,상기 온도 조절부보다도 하류측에 있어서, 온도 제어부로부터 제공된 유체를 합류시키는 제 2 합류부와, 상기 제 2 합류부로부터의 유체를 흡인하여, 상기 순환 유로, 상기 가열 유로, 및 상기 냉각 유로에 토출하는 펌프를구비한 것을 특징으로 하는피처리 기판의 온도 조절 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 합류부는 상기 펌프와 일체적으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는피처리 기판의 온도 조절 장치.
- 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 유량 조절 수단은, 상기 온도 조절부에 흐르는 유체의 온도를 검출하는 온도 검출 수단에 의한 검출값을 상기 소정의 온도의 값으로 피드백 제어하는 것임을 특징으로 하는피처리 기판의 온도 조절 장치.
- 탑재대에 탑재된 피처리 기판을 영역별로 소정의 온도로 조절하기 위한 피처리 기판의 온도 조절 방법에 있어서,상기 피처리 기판을 영역별로 온도 조절하는 복수의 온도 조절부를 온도 계통별로 상기 탑재대 내부에 마련하여,온도 계통별로 상기 온도 조절부에 흐르는 유체의 목표 온도와 상기 유체의 온도를 비교하여 그 온도차를 산출하고,상기 유체의 온도보다 높은 온도의 가열 유체 및 상기 유체의 온도보다 낮은 온도의 냉각 유체 중 적어도 하나를, 상기 유체가 상기 온도 조절부에 유입하기 바로 전에 상기 유체에 온도 계통별로 합류시킴과 동시에, 상기 유체와 상기 가열 유체의 유량비, 상기 유체와 상기 냉각 유체의 유량비, 또는 상기 유체와 상기 가열 유체와 상기 냉각 유체의 유량비를 조절하고,상기 온도 조절부에 흐르는 유체의 온도를 온도 계통별로 조절하는 것을 특징으로 하는피처리 기판의 온도 조절 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 온도 조절부에 흐르는 유체의 온도를 온도 계통별로 검출하고, 상기 유체의 온도가 목표 온도가 되도록 피드백 제어에 의해 상기 유량비를 조절하는 것을 특징으로 하는피처리 기판의 온도 조절 방법.
- 제 1 항 또는 제 4 항의 온도 조절 장치를 구비한플라즈마 처리 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007285823A JP5032269B2 (ja) | 2007-11-02 | 2007-11-02 | 被処理基板の温度調節装置及び温度調節方法、並びにこれを備えたプラズマ処理装置 |
JPJP-P-2007-285823 | 2007-11-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090045857A KR20090045857A (ko) | 2009-05-08 |
KR101020357B1 true KR101020357B1 (ko) | 2011-03-08 |
Family
ID=40588947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080106009A KR101020357B1 (ko) | 2007-11-02 | 2008-10-28 | 피처리 기판의 온도 조절 장치 및 온도 조절 방법, 및 이것을 구비한 플라즈마 처리 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7988062B2 (ko) |
JP (1) | JP5032269B2 (ko) |
KR (1) | KR101020357B1 (ko) |
CN (1) | CN101424950B (ko) |
TW (1) | TWI492321B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9520308B2 (en) | 2013-10-17 | 2016-12-13 | Techest Co., Ltd | Temperature control system for semiconductor manufacturing system |
Families Citing this family (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4564973B2 (ja) * | 2007-01-26 | 2010-10-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US8827695B2 (en) * | 2008-06-23 | 2014-09-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer's ambiance control |
JP5102706B2 (ja) * | 2008-06-23 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | バッフル板及び基板処理装置 |
US20100116788A1 (en) * | 2008-11-12 | 2010-05-13 | Lam Research Corporation | Substrate temperature control by using liquid controlled multizone substrate support |
JP5460197B2 (ja) * | 2009-09-10 | 2014-04-02 | キヤノン株式会社 | デバイス製造装置およびデバイス製造方法 |
US8410393B2 (en) * | 2010-05-24 | 2013-04-02 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for temperature control of a semiconductor substrate support |
JP5567392B2 (ja) * | 2010-05-25 | 2014-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2011160046A2 (en) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Baker Hughes Incorporated | Apparatus for use downhole including devices having heat carrier channels |
KR101276256B1 (ko) * | 2011-02-11 | 2013-06-20 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP5822578B2 (ja) * | 2011-07-20 | 2015-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台温度制御装置及び基板処理装置 |
US10274270B2 (en) * | 2011-10-27 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | Dual zone common catch heat exchanger/chiller |
US10256123B2 (en) | 2011-10-27 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Component temperature control using a combination of proportional control valves and pulsed valves |
US10553463B2 (en) | 2011-11-15 | 2020-02-04 | Tokyo Electron Limited | Temperature control system, semiconductor manufacturing device, and temperature control method |
JP5912439B2 (ja) * | 2011-11-15 | 2016-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御システム、半導体製造装置及び温度制御方法 |
JP5973731B2 (ja) | 2012-01-13 | 2016-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法 |
JP5905735B2 (ja) | 2012-02-21 | 2016-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板温度の設定可能帯域の変更方法 |
US20130240144A1 (en) * | 2012-03-13 | 2013-09-19 | Applied Materials, Inc. | Fast response fluid temperature control system |
JP5951384B2 (ja) * | 2012-07-20 | 2016-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御システムへの温調流体供給方法及び記憶媒体 |
KR101316001B1 (ko) * | 2013-03-19 | 2013-10-08 | 이순창 | 전자 제어 믹싱 밸브 및 이를 이용한 반도체 제조 장치 |
JP6205225B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板検査装置及び基板温度調整方法 |
US20150228514A1 (en) * | 2014-02-12 | 2015-08-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Multi Fluid Cooling System for Large Temperature Range Chuck |
KR101682875B1 (ko) * | 2014-09-11 | 2016-12-06 | 인베니아 주식회사 | 기판 처리장치 |
US10049905B2 (en) * | 2014-09-25 | 2018-08-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate heat treatment apparatus, substrate heat treatment method, storage medium and heat-treatment-condition detecting apparatus |
JP5970040B2 (ja) * | 2014-10-14 | 2016-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御システム及び温度制御方法 |
US9713286B2 (en) * | 2015-03-03 | 2017-07-18 | International Business Machines Corporation | Active control for two-phase cooling |
KR101681493B1 (ko) * | 2015-03-11 | 2016-12-05 | (주)티티에스 | 서셉터 및 서셉터의 온도 가변 장치 |
JP2017016574A (ja) * | 2015-07-06 | 2017-01-19 | 清水建設株式会社 | タンク調温システム |
US10153136B2 (en) * | 2015-08-04 | 2018-12-11 | Lam Research Corporation | Hollow RF feed with coaxial DC power feed |
JP5938506B1 (ja) * | 2015-09-17 | 2016-06-22 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理システム、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
JP6570390B2 (ja) | 2015-09-24 | 2019-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度調整装置及び基板処理装置 |
JP6339057B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2018-06-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム |
KR102315304B1 (ko) * | 2016-03-22 | 2021-10-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 시스템 내의 온도 제어를 위한 시스템 및 방법 |
CN107403741A (zh) * | 2016-05-18 | 2017-11-28 | 兰州大学 | 一种高真空变温有机半导体器件测量腔 |
JP6675272B2 (ja) * | 2016-06-07 | 2020-04-01 | 日本発條株式会社 | 冷却ユニットおよび冷却ユニットの製造方法 |
KR101862003B1 (ko) | 2016-06-09 | 2018-05-29 | 주식회사 에프에스티 | 유닛 분리형 반도체 공정 설비용 칠러 시스템 |
US10465920B2 (en) * | 2016-09-19 | 2019-11-05 | Watts Regulator Co. | Zone control with modulating boiler |
WO2018082792A1 (en) * | 2016-11-07 | 2018-05-11 | Applied Materials, Inc. | Carrier for holding a substrate, use of the carrier in a processing system, processing system employing the carrier, and method for controlling a temperature of a substrate |
KR101910347B1 (ko) | 2016-12-05 | 2018-10-23 | 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 | 반도체 제조설비의 고도화 온도제어장치 |
JP6837202B2 (ja) | 2017-01-23 | 2021-03-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 基材加熱装置および方法および電子デバイスの製造方法 |
JP2018125461A (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 被加工物の処理装置 |
JP6916633B2 (ja) * | 2017-02-24 | 2021-08-11 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 |
JP6990058B2 (ja) * | 2017-07-24 | 2022-01-12 | 伸和コントロールズ株式会社 | 温度制御装置 |
CN107818940B (zh) * | 2017-11-30 | 2020-04-10 | 上海华力微电子有限公司 | 一种静电吸盘装置及其温控方法 |
US10510564B2 (en) * | 2018-01-10 | 2019-12-17 | Lam Research Corporation | Dynamic coolant mixing manifold |
JP7066438B2 (ja) * | 2018-02-13 | 2022-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 冷却システム |
JP7101023B2 (ja) * | 2018-04-03 | 2022-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調方法 |
US10867829B2 (en) * | 2018-07-17 | 2020-12-15 | Applied Materials, Inc. | Ceramic hybrid insulator plate |
JP7175114B2 (ja) * | 2018-07-19 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び電極部材 |
US20210319984A1 (en) * | 2018-08-15 | 2021-10-14 | Evatec Ag | Method and aparatus for low particle plasma etching |
JP7112915B2 (ja) * | 2018-09-07 | 2022-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調システム |
JP2020043171A (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調方法 |
JP7129877B2 (ja) * | 2018-10-15 | 2022-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御システム及び温度制御方法 |
JP2020120081A (ja) * | 2019-01-28 | 2020-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP7304188B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP7300310B2 (ja) * | 2019-05-20 | 2023-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台の温度調整方法、検査装置及び載置台 |
KR102403198B1 (ko) | 2019-07-19 | 2022-05-27 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP6937806B2 (ja) * | 2019-09-25 | 2021-09-22 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、及び半導体の製造方法 |
JP7353923B2 (ja) * | 2019-11-08 | 2023-10-02 | Ckd株式会社 | 温度制御システム、及び統合温度制御システム |
JP7281387B2 (ja) | 2019-11-08 | 2023-05-25 | Ckd株式会社 | 温度制御システム、及び統合温度制御システム |
JP7339135B2 (ja) | 2019-11-20 | 2023-09-05 | Ckd株式会社 | 温度制御システム |
JP7372122B2 (ja) | 2019-11-20 | 2023-10-31 | Ckd株式会社 | 冷却システム |
CN113053775B (zh) * | 2019-12-27 | 2024-04-09 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 晶圆温度控制器及系统、方法和等离子体处理装置 |
US20210351021A1 (en) * | 2020-05-08 | 2021-11-11 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
JP7473401B2 (ja) * | 2020-06-03 | 2024-04-23 | 株式会社ディスコ | 加工水供給システム |
JP7449799B2 (ja) * | 2020-07-09 | 2024-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台の温度調整方法及び検査装置 |
CN115220498B (zh) * | 2021-06-04 | 2024-07-05 | 广州汽车集团股份有限公司 | 温度控制设备的控制方法、温度控制设备及存储介质 |
CN115472521A (zh) * | 2021-06-11 | 2022-12-13 | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 | 基板处理装置 |
CN114236338A (zh) * | 2021-12-15 | 2022-03-25 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 热循环试验方法、装置、存储介质及电子设备 |
JP2023161767A (ja) * | 2022-04-26 | 2023-11-08 | Ckd株式会社 | 温度調整用流量制御ユニットおよび半導体製造装置 |
CN115036240A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-09-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体工艺腔室及半导体处理设备 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11329926A (ja) | 1998-05-11 | 1999-11-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板冷却装置および基板冷却方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05198582A (ja) * | 1992-01-23 | 1993-08-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造装置及び電極の温度制御方法 |
JPH07271452A (ja) | 1994-03-25 | 1995-10-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の温度調節用プレート装置 |
JPH09270384A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Nikon Corp | 温度制御装置及び露光装置 |
JPH11231946A (ja) * | 1998-02-10 | 1999-08-27 | Komatsu Ltd | 多段蓄熱タンクの温度制御装置 |
JP2000216140A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Hitachi Ltd | ウエハステ―ジおよびウエハ処理装置 |
JP2001134324A (ja) | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Komatsu Ltd | 温度調整システム |
JP2002168551A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置の電極用冷却装置 |
US6634177B2 (en) * | 2002-02-15 | 2003-10-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for the real-time monitoring and control of a wafer temperature |
US6986261B2 (en) * | 2002-11-15 | 2006-01-17 | Tokyo Electron Limited | Method and system for controlling chiller and semiconductor processing system |
JP3910925B2 (ja) * | 2003-02-25 | 2007-04-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP2005210080A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-08-04 | Tokyo Electron Ltd | 温度調節方法及び温度調節装置 |
JP2006261541A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台、基板処理装置および基板処理方法 |
JP4786925B2 (ja) * | 2005-04-04 | 2011-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2007088411A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-04-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 静電吸着装置およびウエハ処理装置ならびにプラズマ処理方法 |
JP4673173B2 (ja) * | 2005-09-15 | 2011-04-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマエッチング方法 |
JP4869167B2 (ja) * | 2007-07-04 | 2012-02-08 | シーケーディ株式会社 | 温度調整用バルブユニット及びそれを用いた温度制御システム |
-
2007
- 2007-11-02 JP JP2007285823A patent/JP5032269B2/ja active Active
-
2008
- 2008-10-28 KR KR1020080106009A patent/KR101020357B1/ko active IP Right Grant
- 2008-10-28 CN CN2008101683679A patent/CN101424950B/zh active Active
- 2008-10-30 US US12/261,341 patent/US7988062B2/en active Active
- 2008-10-31 TW TW097142046A patent/TWI492321B/zh active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11329926A (ja) | 1998-05-11 | 1999-11-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板冷却装置および基板冷却方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9520308B2 (en) | 2013-10-17 | 2016-12-13 | Techest Co., Ltd | Temperature control system for semiconductor manufacturing system |
US10163666B2 (en) | 2013-10-17 | 2018-12-25 | Techest. Co., Ltd. | Temperature control system for semiconductor manufacturing system |
US10163665B2 (en) | 2013-10-17 | 2018-12-25 | Techest Co., Ltd. | Temperature control system for semiconductor manufacturing system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101424950A (zh) | 2009-05-06 |
CN101424950B (zh) | 2011-06-22 |
TWI492321B (zh) | 2015-07-11 |
JP5032269B2 (ja) | 2012-09-26 |
US7988062B2 (en) | 2011-08-02 |
KR20090045857A (ko) | 2009-05-08 |
JP2009117443A (ja) | 2009-05-28 |
TW200926334A (en) | 2009-06-16 |
US20090118872A1 (en) | 2009-05-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101020357B1 (ko) | 피처리 기판의 온도 조절 장치 및 온도 조절 방법, 및 이것을 구비한 플라즈마 처리 장치 | |
JP5912439B2 (ja) | 温度制御システム、半導体製造装置及び温度制御方法 | |
US9410753B2 (en) | Substrate temperature adjusting method and a method of changing the temperature control range of a heater in a substrate processing apparatus | |
US10502508B2 (en) | System including temperature-controllable stage, semiconductor manufacturing equipment and stage temperature control method | |
TWI440079B (zh) | Temperature control method and processing device of the temperature control device and the stage of the stage and the temperature control program of the stage | |
US8696862B2 (en) | Substrate mounting table, substrate processing apparatus and substrate temperature control method | |
US10312062B2 (en) | Temperature control system and temperature control method | |
KR101934322B1 (ko) | 재치대 온도 제어 장치 및 기판 처리 장치 | |
WO2019204124A1 (en) | Ceramic wafer heater with integrated pressurized helium cooling | |
JP2006522452A (ja) | 温度制御された基板支持体表面を有する基板支持体 | |
US20090321017A1 (en) | Plasma Processing Apparatus and Plasma Processing Method | |
CN100437966C (zh) | 可分区控温的静电卡盘系统 | |
US20190326139A1 (en) | Ceramic wafer heater having cooling channels with minimum fluid drag | |
US11784066B2 (en) | Stage and plasma processing apparatus | |
JP7419611B1 (ja) | 伝熱ガスのリーク量低減方法 | |
JP2022143369A (ja) | プラズマ処理装置 | |
WO2024048461A1 (ja) | 温度制御装置、基板処理装置及び温度制御方法 | |
US20220310368A1 (en) | Temperature controller, substrate processing apparatus, and pressure control method | |
CN113921451A (zh) | 载置台、处理基片的装置和对基片进行温度调节的方法 | |
JP2024000263A (ja) | 基板処理装置、プラズマ処理装置及び基板処理方法 | |
JP2024014744A (ja) | シーズニング方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2024134938A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20200035223A (ko) | 드라이 에어의 생성 장치, 드라이 에어의 생성 방법, 및 기판 처리 시스템 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140204 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150130 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160127 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170202 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180219 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190218 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200218 Year of fee payment: 10 |