JP7129877B2 - 温度制御システム及び温度制御方法 - Google Patents
温度制御システム及び温度制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7129877B2 JP7129877B2 JP2018194627A JP2018194627A JP7129877B2 JP 7129877 B2 JP7129877 B2 JP 7129877B2 JP 2018194627 A JP2018194627 A JP 2018194627A JP 2018194627 A JP2018194627 A JP 2018194627A JP 7129877 B2 JP7129877 B2 JP 7129877B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- valve
- channel
- temperature
- flow path
- control system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1919—Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the type of controller
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
- F24F5/00—Air-conditioning systems or apparatus not covered by F24F1/00 or F24F3/00, e.g. using solar heat or combined with household units such as an oven or water heater
- F24F5/0007—Air-conditioning systems or apparatus not covered by F24F1/00 or F24F3/00, e.g. using solar heat or combined with household units such as an oven or water heater cooling apparatus specially adapted for use in air-conditioning
- F24F5/0017—Air-conditioning systems or apparatus not covered by F24F1/00 or F24F3/00, e.g. using solar heat or combined with household units such as an oven or water heater cooling apparatus specially adapted for use in air-conditioning using cold storage bodies, e.g. ice
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B41/00—Fluid-circulation arrangements
- F25B41/20—Disposition of valves, e.g. of on-off valves or flow control valves
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B49/00—Arrangement or mounting of control or safety devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
- F24F5/00—Air-conditioning systems or apparatus not covered by F24F1/00 or F24F3/00, e.g. using solar heat or combined with household units such as an oven or water heater
- F24F5/0007—Air-conditioning systems or apparatus not covered by F24F1/00 or F24F3/00, e.g. using solar heat or combined with household units such as an oven or water heater cooling apparatus specially adapted for use in air-conditioning
- F24F5/0017—Air-conditioning systems or apparatus not covered by F24F1/00 or F24F3/00, e.g. using solar heat or combined with household units such as an oven or water heater cooling apparatus specially adapted for use in air-conditioning using cold storage bodies, e.g. ice
- F24F2005/0025—Air-conditioning systems or apparatus not covered by F24F1/00 or F24F3/00, e.g. using solar heat or combined with household units such as an oven or water heater cooling apparatus specially adapted for use in air-conditioning using cold storage bodies, e.g. ice using heat exchange fluid storage tanks
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B2600/00—Control issues
- F25B2600/25—Control of valves
- F25B2600/2501—Bypass valves
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B2700/00—Sensing or detecting of parameters; Sensors therefor
- F25B2700/21—Temperatures
- F25B2700/2101—Temperatures in a bypass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/14—Thermal energy storage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Air Conditioning Control Device (AREA)
Description
第1実施形態に係る温度制御システムSについて、図1から図3を用いて説明する。図1から図3は、第1実施形態に係る温度制御システムSの構成図であり、図1は第1の動作モードにおける動作を示し、図2は第2の動作モードにおける動作を示し、図3は第3の動作モードにおける動作を示す。
次に、図1から図3を参照しつつ、図4を用いて、各動作モードにおける制御装置9の制御とブラインの流れについて説明する。図4は、第1実施形態に係る温度制御システムSの各動作モードにおけるバルブ等の状態例を示す図である。なお、図4に示すように、第1から第3の動作モードにおいて、チラー2から吐出されるブラインの温度(チラー吐出温度)が一定(温度Tc)となるように、冷却器22が制御される。また、チラー2から吐出されるブラインの流量が所定の流量となるように、チラーポンプ(冷却側ポンプ)22が制御される。また、加熱側ポンプ3から吐出されるブラインの流量が所定の流量となるように、加熱側ポンプ3が制御される。
図1に示す第1の動作モード(「第3の工程」とも称する。)は、基台13を降温させる、または、基台13の温度を処理装置1がウェハWを処理する際の温度(低温)で動作する際の動作モードである。
図2に示す第2の動作モード(「第1の工程」とも称する。)は、基台13を昇温させる動作モードである。
図3に示す第3の動作モード(「第2の工程」とも称する。)は、基台13の温度を、処理装置1がウェハWを処理する際の温度(高温・中間温度)で温度制御する際の動作モードである。
次に、制御装置9が実行する動作モードの決定処理について、図5を用いて説明する。図5は、第1実施形態に係る制御装置9が行う動作モードの決定処理を示すフローチャートである。
次に、第3の動作モードにおける流量調整弁(第1バルブ51、第2バルブ52)の開度制御について説明する。
次に、第2実施形態に係る温度制御システムSAについて、図7および図8を用いて説明する。図7は、第2実施形態に係る温度制御システムSAの構成図である。なお、図7は第3の動作モードにおける動作を示す。図8は、第2実施形態に係る温度制御システムSAの各動作モードにおけるバルブ等の状態例を示す図である。
次に、第3実施形態に係る温度制御システムSBについて、図9および図10を用いて説明する。図9は、第3実施形態に係る温度制御システムSBの構成図である。なお、図9は第3の動作モードにおける動作を示す。図10は、第3実施形態に係る温度制御システムSBの各動作モードにおけるバルブ等の状態例を示す図である。
W ウェハ
1 処理装置
10 処理容器
11 載置台
12 静電チャック
12a 電極
12b ヒータ(加熱部)
13 基台(部材)
13a 流入口
13b 流出口
13c 部材流路(部材に形成された流路)
14 支持台
2 チラー
21 チラーポンプ(第2ポンプ)
22 冷却器(温調ユニット)
3 加熱側ポンプ(第1ポンプ)
4 流路
41 上流側流路(第1流路)
42 下流側流路(第2流路)
43 第1バイパス流路
44 第2バイパス流路
41a~41c,42a~42c 流路
a,b,c,d 接続部
5,5A 流路調整部
51,51A 第1バルブ
52,52A 第2バルブ
53,53A 第3バルブ
54,54A 第4バルブ
61 温度センサ
62 流量センサ
9 制御装置(制御部)
91 目標温度取得部
92 温度取得部
93 流量取得部
94 動作モード判定部
95 バルブ制御部
96 記憶部
Claims (20)
- 入口及び出口を有する内部流路を備えるターゲットの温度を制御する温度制御システムであって、
前記温度制御システムは、
前記入口から前記出口まで延びる外部流路であって、前記内部流路及び前記外部流路に熱媒体を循環させる前記外部流路と、
前記ターゲットから離れて前記外部流路内に配置された第1バイパス流路と、
前記ターゲットに隣接して前記外部流路内に配置された第2バイパス流路と、
前記外部流路に配置され、かつ、前記出口の下流または前記入口の上流に配置され、熱媒体を循環させる第1ポンプと、
前記外部流路の中間点に配置された温度調節器と、
前記外部流路に配置され、かつ、前記温度調節器の下流に配置され、熱媒体を循環させる第2ポンプと、
前記第2ポンプの下流の前記外部流路に配置され、かつ、前記第1バイパス流路と前記第2バイパス流路との間に配置された第1バルブと、
前記温度調節器の上流の前記外部流路に配置され、かつ、前記第2バイパス流路と前記第1バイパス流路との間に配置された第2バルブと、
前記第1バイパス流路に配置された第3バルブと、
前記第2バイパス流路に配置された第4バルブと、を備え、
前記第1バルブと前記第2バルブの組及び前記第3バルブと前記第4バルブの組のうち、少なくとも一方の組は、流量制御弁で構成される、
温度制御システム。 - 前記組のうち、他方の組は、開閉弁で構成される、
請求項1に記載の温度制御システム。 - 前記第1ポンプは、
前記出口と、前記外部流路と前記第2バイパス流路との接続部と、の間に配置される、
請求項1または請求項2に記載の温度制御システム。 - 前記第1ポンプは、
前記入口と、前記外部流路と前記第2バイパス流路との接続部と、の間に配置される、
請求項1または請求項2に記載の温度制御システム。 - 前記第1バルブ、前記第2バルブ、前記第3バルブ及び前記第4バルブを制御する制御部を有し、
前記制御部は、
熱媒体の一部を前記温度調節器及び前記第1バイパス流路を通して循環させ、熱媒体の他の一部を前記内部流路及び前記第2バイパス流路を通して循環させる第1の工程と、
前記内部流路に温度調節された熱媒体を供給する第2の工程と、を実行するように構成される、
請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の温度制御システム。 - 前記制御部は、前記第1の工程において、前記第1バルブ及び前記第2バルブを閉じ、前記第3バルブ及び前記第4バルブを開く、
請求項5に記載の温度制御システム。 - 前記制御部は、前記第2の工程において、前記第1バルブ乃至前記第4バルブを開く、
請求項5または請求項6に記載の温度制御システム。 - 前記制御部は、前記第1バルブ、前記第2バルブ、前記第3バルブ及び前記第4バルブを制御して、前記温度調節器で温度調節された熱媒体を前記内部流路に供給する第3の工程を実行するように構成され、
前記制御部は、前記第3の工程において、前記第1バルブ及び前記第2バルブを開き、前記第3バルブ及び前記第4バルブを閉じる、
請求項5乃至請求項7のいずれか1項に記載の温度制御システム。 - 前記内部流路の前記入口または前記出口と、前記外部流路と前記第2バイパス流路との接続部と、の間に配置された温度センサを備え、
前記制御部は、前記温度センサが検出した温度に基づき、前記第1バルブと前記第2バルブの組及び前記第3バルブと前記第4バルブの組のうち、少なくとも一方の組のバルブを制御する、
請求項5乃至請求項8のいずれか1項に記載の温度制御システム。 - 前記内部流路の前記入口または前記出口と、前記外部流路と前記第2バイパス流路との接続部と、の間に配置された流量センサを備え、
前記制御部は、前記流量センサが検出した流量に基づき、前記第1バルブと前記第2バルブの組及び前記第3バルブと前記第4バルブの組のうち、少なくとも一方の組のバルブを制御する、
請求項5乃至請求項9のいずれか1項に記載の温度制御システム。 - 前記ターゲットは、処理容器内にて生成されるプラズマ及び前記ターゲットに配置された加熱部の少なくとも1つにより加熱される、
請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の温度制御システム。 - 前記第1バルブと前記第2バルブの組及び前記第3バルブと前記第4バルブの組は、全て流量制御弁で構成される、
請求項1に記載の温度制御システム。 - 前記外部流路、前記第1バイパス流路及び前記第2バイパス流路のうちの1つに配置された逆止弁を備える、
請求項1に記載の温度制御システム。 - 前記第1バルブ及び前記第3バルブは、前記外部流路と前記第1バイパス流路との接続部に配置された三方弁によって置き換えられる、
請求項1に記載の温度制御システム。 - 前記第2バルブ及び前記第4バルブは、前記外部流路と前記第2バイパス流路との接続部に配置された三方弁によって置き換えられる、
請求項1に記載の温度制御システム。 - 前記第1バルブ及び前記第4バルブは、前記外部流路と前記第2バイパス流路との接続部に配置された三方弁によって置き換えられる、
請求項1に記載の温度制御システム。 - 前記第2バルブ及び前記第3バルブは、前記外部流路と前記第1バイパス流路との接続部に配置された三方弁によって置き換えられる、
請求項1に記載の温度制御システム。 - 入口及び出口を有する内部流路を備えるターゲットの温度を制御する温度制御システムであって、
前記温度制御システムは、
前記入口から前記出口まで延びる外部流路であって、前記内部流路及び前記外部流路に熱媒体を循環させる前記外部流路と、
前記ターゲットから離れて前記外部流路内に配置された第1バイパス流路と、
前記ターゲットに隣接して前記外部流路内に配置された第2バイパス流路と、
前記外部流路に配置され、かつ、前記出口の下流または前記入口の上流に配置され、熱媒体を循環させる第1ポンプと、
前記外部流路の中間点に配置された温度調節器と、
前記外部流路に配置され、かつ、前記温度調節器の下流に配置され、熱媒体を循環させる第2ポンプと、
熱媒体を循環させるための第2の流路と、
熱媒体の流れを調整する流量調整器と、
前記流量調整器を制御する制御部と、を備え、
前記内部流路、前記温度調節器及び前記外部流路の一部は、第1の循環流路を形成し、
前記温度調節器、前記第1バイパス流路及び前記外部流路の一部は、第2の循環流路を形成し、
前記内部流路、前記第2バイパス流路及び前記外部流路の一部は、第3の循環流路を形成し、
前記制御部は、前記流量調整器を制御して、
前記第1の循環流路を閉じ、前記第2の循環流路に熱媒体の一部を循環させ、前記第3の循環流路に熱媒体の他の一部を循環させる第1の工程と、
前記第1の循環流路を循環する熱媒体の一部と、前記第3の循環流路を循環する熱媒体の一部との混合比を制御し、前記第1の循環流路及び前記第3の循環流路に熱媒体を循環させる第2の工程と、を実行するように構成される、
温度制御システム。 - 入口及び出口を有する内部流路を備えるターゲットの温度を制御する温度制御システムの温度制御方法であって、
前記温度制御システムは、
前記内部流路に熱媒体を循環させる第1ポンプと、
熱媒体を吐出する第2ポンプと、
温度調節器と、
前記内部流路の一方と前記温度調節器の一方とを熱媒体が通流可能に接続する第1流路と、
前記内部流路の他方と前記温度調節器の他方とを熱媒体が通流可能に接続する第2流路と、
前記第1流路に配置された第1バルブと、
前記第2流路に配置された第2バルブと、
前記第1バルブおよび前記第2バルブよりも前記温度調節器に近い位置で、前記第1流路と前記第2流路とを接続する第1バイパス流路と、
前記第1バルブおよび前記第2バルブよりも前記内部流路に近い位置で、前記第1流路と前記第2流路とを接続する第2バイパス流路と、
前記第1バイパス流路に配置された第3バルブと、
前記第2バイパス流路に配置された第4バルブと、を備え、
前記第1バルブと前記第2バルブの組および前記第3バルブと前記第4バルブの組のうち、少なくとも一方の組は、流量制御弁で構成され、
熱媒体の一部を前記温度調節器及び前記第1バイパス流路を通して循環させ、熱媒体の他の一部を前記内部流路及び前記第2バイパス流路を通して循環させるステップと、
前記内部流路に温度調節された熱媒体を供給するステップと、を含む、
温度制御方法。 - 熱媒体を循環させるステップの前に、熱媒体の温度が目標温度よりも閾値温度差以上低いと判定し、
熱媒体の温度が目標温度から循環と供給の間の閾値温度差を引いたものよりも高いと判定する、
請求項19に記載の温度制御方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018194627A JP7129877B2 (ja) | 2018-10-15 | 2018-10-15 | 温度制御システム及び温度制御方法 |
KR1020190108996A KR20200042393A (ko) | 2018-10-15 | 2019-09-03 | 온도 제어 시스템 및 온도 제어 방법 |
TW108131831A TWI837172B (zh) | 2018-10-15 | 2019-09-04 | 溫度控制系統及溫度控制方法 |
US16/561,252 US11237577B2 (en) | 2018-10-15 | 2019-09-05 | Temperature control system including multiple valves and temperature control method |
CN201910847198.XA CN111048437B (zh) | 2018-10-15 | 2019-09-09 | 温度控制系统和温度控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018194627A JP7129877B2 (ja) | 2018-10-15 | 2018-10-15 | 温度制御システム及び温度制御方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020064371A JP2020064371A (ja) | 2020-04-23 |
JP2020064371A5 JP2020064371A5 (ja) | 2021-07-29 |
JP7129877B2 true JP7129877B2 (ja) | 2022-09-02 |
Family
ID=70161897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018194627A Active JP7129877B2 (ja) | 2018-10-15 | 2018-10-15 | 温度制御システム及び温度制御方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11237577B2 (ja) |
JP (1) | JP7129877B2 (ja) |
KR (1) | KR20200042393A (ja) |
CN (1) | CN111048437B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20230110251A1 (en) | 2020-03-31 | 2023-04-13 | Mitsui Chemicals, Inc. | Non-aqueous electrolyte for battery, precursor for lithium secondary battery, method for manufacturing lithium secondary battery, lithium secondary battery, phosphazene compound, and additive for battery |
US20210351021A1 (en) * | 2020-05-08 | 2021-11-11 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
CN111457669A (zh) * | 2020-06-02 | 2020-07-28 | 吉林华微电子股份有限公司 | 制冷控温方法、装置及湿法刻蚀系统 |
JP7473401B2 (ja) * | 2020-06-03 | 2024-04-23 | 株式会社ディスコ | 加工水供給システム |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7730935B1 (en) * | 1999-12-27 | 2010-06-08 | Carrier Corporation | Hydronic system control for heating and cooling |
US20040187787A1 (en) * | 2003-03-31 | 2004-09-30 | Dawson Keith E. | Substrate support having temperature controlled substrate support surface |
JP4551256B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台の温度制御装置及び載置台の温度制御方法及び処理装置及び載置台温度制御プログラム |
US7789962B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Device and method for controlling temperature of a mounting table, a program therefor, and a processing apparatus including same |
JP5003931B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2012-08-22 | 株式会社ノーリツ | 熱回収装置、並びに、コージェネレーションシステム |
JP4815295B2 (ja) * | 2006-07-26 | 2011-11-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP5032269B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基板の温度調節装置及び温度調節方法、並びにこれを備えたプラズマ処理装置 |
JP2013007523A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Panasonic Corp | 冷温水給湯装置 |
JP5416748B2 (ja) * | 2011-10-11 | 2014-02-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP5912439B2 (ja) * | 2011-11-15 | 2016-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御システム、半導体製造装置及び温度制御方法 |
JP5905735B2 (ja) * | 2012-02-21 | 2016-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板温度の設定可能帯域の変更方法 |
JP5951384B2 (ja) * | 2012-07-20 | 2016-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御システムへの温調流体供給方法及び記憶媒体 |
DE102012112493A1 (de) * | 2012-12-18 | 2014-06-18 | Behr Gmbh & Co. Kg | Thermoelektrizitäts-Anordnung für den Einsatz in einem Kühlsystem eines Kraftfahrzeuges sowie Kühlsystem mit einer derartigen Thermoelektrizitäts-Anordnung |
JP6310142B2 (ja) * | 2014-03-21 | 2018-04-11 | アリース エコ アーク(ケイマン) シーオー.エルティーディー. | 電気自動車の温度制御システム |
JP2016044834A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | 日本電子株式会社 | 流体循環装置、荷電粒子線装置、および流体循環方法 |
US10515786B2 (en) * | 2015-09-25 | 2019-12-24 | Tokyo Electron Limited | Mounting table and plasma processing apparatus |
JP2018024305A (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 株式会社Soken | 温調システム |
JP2018125461A (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 被加工物の処理装置 |
-
2018
- 2018-10-15 JP JP2018194627A patent/JP7129877B2/ja active Active
-
2019
- 2019-09-03 KR KR1020190108996A patent/KR20200042393A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-09-05 US US16/561,252 patent/US11237577B2/en active Active
- 2019-09-09 CN CN201910847198.XA patent/CN111048437B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200042393A (ko) | 2020-04-23 |
TW202032306A (zh) | 2020-09-01 |
CN111048437B (zh) | 2024-04-05 |
US11237577B2 (en) | 2022-02-01 |
US20200117223A1 (en) | 2020-04-16 |
JP2020064371A (ja) | 2020-04-23 |
CN111048437A (zh) | 2020-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7129877B2 (ja) | 温度制御システム及び温度制御方法 | |
JP5032269B2 (ja) | 被処理基板の温度調節装置及び温度調節方法、並びにこれを備えたプラズマ処理装置 | |
US9984908B2 (en) | Temperature control system, semiconductor manufacturing device, and temperature control method | |
JP3623696B2 (ja) | ワークステーション温度制御システム及びワークステーション温度調節方法 | |
JP4551256B2 (ja) | 載置台の温度制御装置及び載置台の温度制御方法及び処理装置及び載置台温度制御プログラム | |
US10553463B2 (en) | Temperature control system, semiconductor manufacturing device, and temperature control method | |
TWI707216B (zh) | 溫度控制裝置 | |
JP7058538B2 (ja) | 流量制御方法、温度制御方法及び処理装置 | |
US20160104605A1 (en) | Temperature control system and temperature control method | |
JP2008537322A (ja) | チャックシステムにおける温度制御のための装置および方法 | |
JP5496771B2 (ja) | 温度制御装置を用いた温度制御方法 | |
US20210148630A1 (en) | Temperature control system | |
JP2016186998A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
TWI837172B (zh) | 溫度控制系統及溫度控制方法 | |
US20060191897A1 (en) | Apparatus for judging target to be temperature-regulated | |
JP7187303B2 (ja) | 温度制御装置 | |
JPH0936097A (ja) | 温度調整装置 | |
WO2024048461A1 (ja) | 温度制御装置、基板処理装置及び温度制御方法 | |
JP2004218916A (ja) | 温水暖房装置 | |
JP2008164214A (ja) | 温調空気供給装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210614 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210614 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220426 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220616 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220726 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220823 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7129877 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |