KR101006786B1 - 압전 진동편의 제조 방법 - Google Patents

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엡슨 토요콤 가부시키 가이샤
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Abstract

표면의 변질층이 적고, 설계된 진동 특성과의 차가 적은 진동 특성을 구비한 압전 진동편의 제조 방법을 제공하는 것이다. 메탈 마스크(30)를 제거한 후에, 웨트 에칭을 행하여 음차형 수정 진동편(10)을 분리 형성하므로, 드라이 에칭에 의해 생긴 변질층(23)을 노출할 수 있고, 웨트 에칭에 의해 변질층(23)을 제거할 수 있다. 따라서, 설계된 진동 특성과의 차가 적은 진동 특성을 구비한 음차형 수정 진동편(10)의 제조 방법을 얻을 수 있다.

Description

압전 진동편의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC VIBRATING PIECE}
본 발명은, 압전 진동편의 제조 방법에 관한 것이다.
압전 재료인 수정 기판을 가공하여 압전 진동편을 형성하는 방법으로서 이하의 방법이 알려져 있다.
드라이 에칭인 리액티브 이온 에칭에 의해, 압전 진동편으로서의 수정 진동자를 가공하는 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 드라이 에칭에서는, 수정 기판의 이방성의 영향을 받기 어려운 가공이 가능하다.
특허 문헌 1 : 일본국 특허공개 평8-242134호 공보(제3페이지, 단락 번호 [0020]∼[0022])
[발명이 해결하고자 하는 과제]
드라이 에칭에 의한 가공에서는, 이온의 충돌에 의한 기판 표면의 온도의 상승, 믹싱 등에 의해 표면에 변질층이 생긴다. 이 변질층은 기판과 동일한 압전 특성을 갖지 않으므로, 압전 진동편으로서 유효하게 작동하는 부분이 감소한다. 또, 변질층의 압전 특성의 예측이 곤란하므로, 변질층을 포함시킨 진동 특성을 설계하는 것이 어렵다.
본 발명의 목적은, 표면의 변질층이 적고, 설계된 진동 특성과의 차가 적은 진동 특성을 구비한 압전 진동편의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
본 발명의 압전 진동편의 제조 방법은, 압전 재료로 이루어지는 기판으로부터 압전 진동편을 형성하는 압전 진동편의 제조 방법으로서, 상기 기판에 드라이 에칭 마스크를 형성하는 마스크 형성 공정과, 상기 마스크 형성 공정 후에, 드라이 에칭에 의해, 상기 기판의 에칭 가공부의 일부를 남겨두고 에칭하는 드라이 에칭 공정과, 상기 드라이 에칭 공정 후에, 상기 드라이 에칭 마스크를 제거하는 마스크 제거 공정과, 상기 마스크 제거 공정 후에, 웨트 에칭에 의해 상기 에칭 가공부의 일부를 제거하고, 상기 압전 진동편을 상기 기판으로부터 분리 형성하는 웨트 에칭 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 발명에 의하면, 드라이 에칭 마스크를 제거한 후에, 웨트 에칭을 행하여 압전 진동편을 분리 형성하므로, 드라이 에칭에 의해 생긴 변질층이 노출되고, 웨트 에칭에 의해 변질층이 제거 또는 그 대부분이 제거된다. 따라서, 표면의 변질층이 적고, 설계된 진동 특성과의 차가 적은 진동 특성을 구비한 압전 진동편의 제조 방법이 얻어진다.
본 발명에서는, 상기 기판의 양면 각각에 대해, 상기 마스크 형성 공정과, 상기 드라이 에칭 공정과, 상기 마스크 제거 공정을 행한 후에, 상기 웨트 에칭 공정을 행하는 것이 바람직하다.
이 발명에서는, 전술한 효과에 더하여, 기판의 양면에 대해 드라이 에칭에 의한 가공을 행하므로, 압전 진동편의 양면에 대해, 드라이 에칭에 의한 기판의 이방성의 영향을 받기 어려운 가공이 가능하다.
본 발명에서는, 상기 웨트 에칭 공정은, 상기 드라이 에칭 마스크가 형성된 기판의 표면을 웨트 에칭하는 것이 바람직하다.
이 발명에서는, 웨트 에칭에 의해, 마스크가 형성된 기판의 표면에 형성된 변질층이 제거된다.
본 발명에서는, 상기 압전 진동편은, 음차형 수정 진동편인 것이 바람직하다.
이 발명에서는, 음차형 수정 진동편의 진동아암은 진동폭이 크고, 변질층의 영향을 받기 쉬우므로, 보다 전술한 효과가 큰 압전 진동편의 제조 방법이 얻어진다.
도 1(a)는 본 발명에 따른 제1 실시 형태의 수정 진동편 연결체의 평면도, (b)는 (a)에 있어서의 A-A 단면도이다.
도 2는 음차형 수정 진동편의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 3은 음차형 수정 진동편의 제조 방법을 나타낸 개략 부분 단면도이다.
도 4(a)는 본 발명에 따른 제2 실시 형태의 수정 진동편 연결체의 평면도, (b)는 (a)에 있어서의 B-B 단면도이다.
도 5는 음차형 수정 진동편의 제조 방법을 나타낸 개략 부분 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 음차형 수정 진동편의 제조 방법을 나타낸 개략 부분 단면도이다.
[부호의 설명]
10 : 압전 진동편으로서의 수정 진동편
20 : 압전 재료로 이루어지는 기판으로서의 수정 기판
25 : 에칭 가공부
30 : 드라이 에칭 마스크로서의 메탈 마스크
이하, 본 발명에 따른 실시 형태에 대해 도면에 의거하여 설명한다. 각 실시 형태에 있어서, 동일한 구성 요소에는, 동일한 부호를 붙여 설명한다.
도 1∼도 3에는 제1 실시 형태가 나타나 있고, 도 4 및 도 5에는 제2 실시 형태가 나타나 있다.
(제1 실시 형태)
도 1에는, 압전 진동편으로서의 음차형 수정 진동편(10)이 연결된, 본 실시 형태에 있어서의 수정 진동편 연결체(100)가 도시되어 있다. 도 2에는, 음차형 수정 진동편(10)의 제조 방법을 나타낸 흐름도가 도시되어 있다. 도 3에는, 음차형 수정 진동편(10)의 제조 방법을 나타낸 개략 부분 단면도가 도시되어 있다.
도 1(a)에는, 수정 진동편 연결체(100)의 평면도, 이 도면 (b)는 (a)에 있어서의 A-A 단면도가 도시되어 있다.
음차형 수정 진동편(10)은, 수정 진동편 연결체(100)의 지지부(1)에 의해 연 결되어 나란히 배치되어 있다. 도 1에서는, 3개의 음차형 수정 진동편(10)이 연결되어 있지만, 실제로는 도시하지 않은 그 이상의 음차형 수정 진동편(10)이 연결되어 있다.
음차형 수정 진동편(10)은, 베이스부(2)에 2개의 진동아암(3)을 구비하고 있다. 진동아암(3)은 단면이 대략 H형 형상이고, 베이스부(2)로부터 동일한 방향을 향해 형성되어 있다. 그리고, 베이스부(2)가 지지부(1)와 연결되어 있다.
2개의 진동아암(3)의 주면(主面) 및 다른 쪽의 주면의 4개소에는, 홈(4)이 형성되어 있다. 홈(4)의 형상은 4개소 모두 대략 동일 형상이고, 그 단면 형상은 대략 コ자형이다. 정확하게는, 홈(4)의 바닥면(41)의 형상은 평면으로는 되어 있지 않다.
이하에, 음차형 수정 진동편(10)의 제조 방법을 도면에 의거하여 설명한다.
도 2에 있어서, 음차형 수정 진동편(10)의 제조 방법은, 마스크 형성 공정인 메탈 마스크 형성 공정으로서의 단계 1(S1) 및 단계 4(S4)와, 드라이 에칭 공정으로서의 단계 2(S2) 및 단계 5(S5)와, 마스크 제거 공정인 메탈 마스크 제거 공정으로서의 단계 3(S3) 및 단계 6(S6)과, 웨트 에칭 공정으로서의 단계 7(S7)을 포함한다. 여기에서, 드라이 에칭 마스크로서 메탈 마스크를 사용하고 있다.
본 실시 형태에서는, 메탈 마스크 형성 공정과, 드라이 에칭 공정과, 메탈 마스크 제거 공정을 2회 행한 후에 웨트 에칭 공정을 행한다.
도 3에 있어서, (a)는 S1, (b)는 S2, (c)는 S3, (d)는 S4, (e)는 S5, (f)는 S6, (g)는 S7의 각각의 공정을 나타낸 개략 부분 단면도이다.
도 3(a)에 있어서, 압전 재료로 이루어지는 기판으로서의 수정 기판(20)의 주면(26)에 메탈 마스크(30)를 형성한다. 수정 기판(20)은, 표리 양면을 균일하게 되도록 연마해 둔다. 메탈 마스크(30)는, 도 1(a)에 나타낸 수정 진동편 연결체(100)의 주면에서 본 형상과 대략 동일한 외형 형상으로 형성한다. 그리고, 홈(4)의 부분에는, 개구부(31)를 형성한다.
메탈 마스크(30)는, 잘 알려진 포토레지스트법과 스퍼터법에 의해 선택적으로 형성할 수 있다. 또, 메탈 마스크(30)의 재료는 니켈 등을 이용할 수 있다. 메탈 마스크(30)가 형성되어 있지 않은 수정 기판(20)의 두께방향의 영역이, 에칭 가공부(25)가 된다.
도 3(b)에 있어서, 드라이 에칭을 행한다. 에칭에 의해, 에칭 가공부(25)와, 메탈 마스크(30)의 개구부(31)에 상당하는 수정 기판(20)이 에칭되어 있다. 진동아암(3)에는 홈(4)이 형성된다. 드라이 에칭은, 에칭 가공부(25)의 일부를 남기도록 행한다.
드라이 에칭은, 일반적으로 채용되고 있는 산화막 드라이 에처인 RIE(리액티브 이온 에칭) 장치로, 반응 가스, 예를 들면 CHF3을 이용하여 행한다. 여기에서, 수정 기판(20)의 온도 상승을 방지하기 위해 에칭되는 주면(26)의 다른 쪽의 주면(27)은 냉각 시트 등과 접촉시켜 둔다.
드라이 에칭 시, 이온의 충돌에 의해 수정 기판(20)의 표면 온도가 상승하여 변질층(23)이 형성된다. 도 3에서는, 변질층(23)은 메탈 마스크(30)의 부분밖에 도시되어 있지 않지만, 표면 온도가 상승한 표면에는, 변질층(23)이 형성되어 있다. 변질층(23)은, 이온이 노출되는 표면의 장소 등에 따라, 그 두께, 질이 다르다.
메탈 마스크(30)가 형성된 수정 기판(20)의 표면이어도, 메탈 마스크(30)의 온도 상승에 의해 변질층(23)이 형성되어 있다.
이 때, 좁은 홈(4)에 있어서의 드라이 에칭 레이트와 그 밖의 넓은 영역의 드라이 에칭 레이트는, 드라이 에칭의 특성인 마이크로 로딩 효과에 따라 다르다. 따라서, 동일한 에칭 조건이어도, 홈(4)은 그 밖의 부분보다 얕게 에칭되어 있다.
또, 홈(4) 및 음차형 수정 진동편(10)의 측면에 해당하는 부분은, 드라이 에칭으로 형성되므로, 수정의 결정의 이방성으로부터 생기는 에칭 이방성이 없고, 수정 기판(20)의 표면에 대해 대략 수직으로 형성되어 있다.
S2의 공정으로, 수정 기판(20)의 주면(26)이 드라이 에칭된 수정 기판(21)이 얻어진다.
도 3(c)에 있어서, 메탈 마스크(30)를 제거한다. 메탈 마스크(30)의 제거는, 염산 등의 산의 수용액 등에 침지함으로써 행한다.
도 3(d)에 있어서, 수정 기판(21)의 다른 쪽의 주면(27)에 S1과 동일하게 메탈 마스크(30)를 형성한다.
도 3(e)에 있어서, S2와 동일하게 드라이 에칭을 행한다. 이 드라이 에칭도, 에칭 가공부(25)의 일부가 남도록 행한다. 따라서, 이 S5의 공정으로, 주면(26)과 다른 주면(27)측으로부터 에칭된 수정 기판(22)이 얻어진다.
도 3(f)에 있어서, S3과 동일하게 메탈 마스크(30)를 제거한다.
도 3(g)에 있어서, 웨트 에칭을 행한다. 웨트 에칭을 행함으로써 변질층(23)을 제거함과 더불어, 에칭 가공부(25)의 일부를 제거한다. 요컨대, 웨트 에칭에 의해, 메탈 마스크(30)가 형성된 수정 기판(20)의 표면을 웨트 에칭하게 된다. 따라서, 메탈 마스크(30)가 형성된 수정 기판(20)의 표면에 형성된 변질층(23)을 제거할 수 있다. 또, 수정의 결정의 이방성으로부터 홈(4)의 바닥면(41)은 평면으로 에칭되어 있지 않다. 웨트 에칭은, 불화수소산 등을 이용하여 행한다.
여기에서, 음차형 수정 진동편(10)은, 수정 진동편 연결체(100)와 함께 수정 기판(20)으로부터 분리 형성된다.
마지막으로, 수정 진동편 연결체(100)로부터 음차형 수정 진동편(10)을 각각 떼어냄으로써, 음차형 수정 진동편(10)이 얻어진다.
이러한 본 실시 형태에 의하면, 이하의 효과가 있다.
(1) 메탈 마스크(30)를 제거한 후에, 웨트 에칭을 행하여 음차형 수정 진동편(10)을 분리 형성하므로, 드라이 에칭에 의해 생긴 변질층(23)을 노출할 수 있고, 웨트 에칭에 의해 변질층(23)을 제거할 수 있다. 요컨대, 웨트 에칭에 의해, 메탈 마스트(30)가 형성된 수정 기판(20)의 표면에 형성된 변질층(23)을 제거할 수 있다. 따라서, 설계된 진동 특성과의 차가 적은 진동 특성을 구비한 음차형 수정 진동편(10)의 제조 방법을 얻을 수 있다.
(2) 전술한 효과에 더하여, 수정 기판(20)의 양면에 대해 드라이 에칭에 의 한 가공을 행하므로, 음차형 수정 진동편(10)의 양면의 홈(4)의 가공에 대해, 드라이 에칭에 의한 수정 기판(20)의 이방성의 영향을 받기 어려운 가공이 가능하다.
(제2 실시 형태)
도 4에는, 압전 진동편으로서의 음차형 수정 진동편(50)이 연결된, 본 실시 형태에 있어서의 수정 진동편 연결체(200)가 도시되어 있다. 또, 도 5에는, 음차형 수정 진동편(50)의 제조 방법을 나타낸 개략 부분 단면도가 도시되어 있다.
도 4(a)에는, 수정 진동편 연결체(200)의 평면도, 이 도면 (b)는 (a)에 있어서의 B-B 단면도가 도시되어 있다.
음차형 수정 진동편(50)에는, 제1 실시 형태에 있어서의 홈(4)이 형성되어 있지 않은 점 이외는, 제1 실시 형태와 동일한 구성으로 되어 있다.
이하에, 음차형 수정 진동편(50)의 제조 방법을 도면에 의거하여 설명한다.
본 실시 형태에 있어서도, 도 2에 나타낸 공정 및 단계를 포함한다.
도 5에 있어서, (a)는 S1, (b)는 S2, (c)는 S3, (d)는 S4, (e)는 S5, (f)는 S6, (g)는 S7의 각각의 공정을 나타낸 개략 부분 단면도이다.
도 5(a) 및 (d)는 메탈 마스크 형성 공정인 S1 및 S4를 나타내고 있지만, 제1 실시 형태와는 개구부(31)가 설치되어 있지 않은 점이 다르다. 그 밖에는 제1 실시 형태와 동일하다.
제1 실시 형태와 동일하게, S1∼S7의 공정을 행한 후, 수정 진동편 연결체(200)로부터 음차형 수정 진동편(50)을 각각 떼어냄으로써, 음차형 수정 진동편(50)이 얻어진다.
이러한 본 실시 형태에 의하면, 홈(4)이 없는 음차형 수정 진동편(50)에 있어서도 제1 실시 형태와 동일한 효과가 있다.
(제3 실시 형태)
도 6에는, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 음차형 수정 진동편(10)의 제조 방법을 나타낸 개략 부분 단면도가 도시되어 있다. 수정 진동편 연결체(100)는 제1 실시 형태를 나타낸 도 1에 도시한 것과 동일하다.
도 6에 있어서, (a)는 S1, (b)는 S2, (c)는 S3, (d)는 S4, (e)는 S5, (f)는 S6, (g)는 S7의 각각의 공정을 나타낸 개략 부분 단면도이다.
도 6(a)에 있어서, 수정 기판(20)의 주면(27)에 메탈 마스크(30)를 형성한다. 메탈 마스크(30)는, 홈(4)의 부분에만 개구부(31)를 설치하여 전면에 형성되어 있다.
도 6(b)에 있어서 드라이 에칭을 행한다. 메탈 마스크(30)의 개구부(31)에 상당하는 수정 기판(20)이 드라이 에칭되고, 주면(27)에 홈(4)만이 형성된다. 드라이 에칭을 행하고 있는 동안, 다른 쪽의 주면(26)을 냉각 시트 등에 의해 냉각하여, 수정 기판(20)의 온도 상승을 방지한다.
도 6(c)에 있어서, 메탈 마스크(30)를 제거한다. 메탈 마스크(30)의 제거는, 제1 실시 형태와 동일하게 행한다.
도 6(d)에 있어서, 수정 기판(21)의 다른 쪽의 주면(26)에, 제1 실시 형태의 S1에서 이용한 것과 동일한 메탈 마스크(30)를 형성한다.
도 6(e)에 있어서, 드라이 에칭을 행한다. 이 에칭은, 주면(27) 부근까지 에칭을 행한다. 이 때, 주면(27)에는, 냉각 시트 등을 접촉시켜 수정 기판(21)의 온도 상승을 방지한다. 또, 에칭 가공부(25)의 일부가 남도록 행한다.
이 S5의 공정으로, 주면(26)과 다른 쪽의 주면(27)측으로부터 에칭된 수정 기판(22)이 얻어진다.
도 6(f)에 있어서, 메탈 마스크(30)를 제거한다.
도 6(g)에 있어서, 웨트 에칭을 행하여 수정 기판(22)의 에칭 가공부(25)의 일부를 제거한다.
이러한 실시 형태에 의하면, 제1 실시 형태의 효과에 더하여 이하의 효과가 있다.
(3) 수정 기판(21)을 주면(26)으로부터 드라이 에칭할 때에, 주면(27)에는 홈(4)만이 형성되어 있을 뿐이므로, 접촉시키는 냉각 시트의 접촉 면적을 충분히 취할 수 있고, 온도 상승에 의한 수정 기판(21)의 왜곡을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명은 전술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서의 변형, 개량 등은 본 발명에 포함되는 것이다.
예를 들면, AT 컷 진동자, 자이로 소자에도 응용이 가능하다.
음차형 수정 진동편(10)은, 진동아암(3)의 표리 양면(측면도 포함한다) 및 홈(4)의 내부에 여진 전극이나 검출 전극이 각각 베이스부(2)에까지 연장되어 형성되고, 패키지 내에 실장되어 수정 진동자를 구성하며, 외부 회로에 접속되어 사용된다.

Claims (5)

  1. 압전 재료로 이루어지는 기판으로부터 압전 진동편을 형성하는 압전 진동편의 제조 방법으로서,
    상기 기판에 드라이 에칭 마스크를 형성하는 마스크 형성 공정과,
    상기 마스크 형성 공정 후에, 드라이 에칭에 의해, 상기 기판의 에칭 가공부의 일부를 남기고 에칭하는 드라이 에칭 공정과,
    상기 드라이 에칭 공정 후에, 상기 드라이 에칭 마스크를 제거하는 마스크 제거 공정과,
    상기 마스크 제거 공정 후에, 웨트 에칭에 의해 상기 에칭 가공부의 일부를 제거하고, 상기 압전 진동편을 상기 기판으로부터 형성하는 웨트 에칭 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 진동편의 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 양면 각각에 대해,
    상기 마스크 형성 공정과,
    상기 드라이 에칭 공정과,
    상기 마스크 제거 공정을 행한 후에,
    상기 웨트 에칭 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 압전 진동편의 제조 방법.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 웨트 에칭 공정은, 상기 드라이 에칭 마스크가 형성된 기판의 표면을 웨트 에칭하는 것을 특징으로 하는 압전 진동편의 제조 방법.
  4. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 압전 진동편은, 음차형 수정 진동편인 것을 특징으로 하는 압전 진동편의 제조 방법.
  5. 삭제
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4197001B2 (ja) * 2006-04-04 2008-12-17 エプソントヨコム株式会社 圧電振動片の製造方法
JP5352777B2 (ja) * 2009-01-30 2013-11-27 パナソニック株式会社 水晶デバイスの製造方法
JP2011029715A (ja) * 2009-07-21 2011-02-10 Seiko Instruments Inc 圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計並びに圧電振動片の製造方法
JP6209886B2 (ja) * 2013-07-18 2017-10-11 セイコーエプソン株式会社 振動片、振動子、発振器、電子機器および移動体
JP6488709B2 (ja) * 2015-01-13 2019-03-27 セイコーエプソン株式会社 振動素子の製造方法、振動素子、電子デバイス、電子機器、および移動体
JP6751274B2 (ja) * 2016-02-18 2020-09-02 コニカミノルタ株式会社 圧電素子の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0983281A (ja) * 1995-09-12 1997-03-28 Meidensha Corp 水晶振動子の製造方法
JP2003198303A (ja) 2001-10-16 2003-07-11 Seiko Epson Corp 圧電振動片及びその加工方法
JP2005130218A (ja) 2003-10-23 2005-05-19 Toyo Commun Equip Co Ltd 水晶片形成方法および水晶片

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57166399A (en) * 1981-03-31 1982-10-13 Citizen Watch Co Ltd Preparation of quartz vibrator
JPH08111623A (ja) * 1994-10-13 1996-04-30 Meidensha Corp 水晶基板のエッチング方法
JPH08242134A (ja) 1995-03-06 1996-09-17 Meidensha Corp 水晶振動子の製造方法
US5695896A (en) * 1995-12-04 1997-12-09 Micron Technology, Inc. Process for fabricating a phase shifting mask
US5815054A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Motorola Inc. Surface micromachined acoustic wave piezoelectric crystal with electrodes on raised ridges and in spaces therebetween
US6661162B1 (en) * 1998-07-24 2003-12-09 Seiko Epson Corporation Piezoelectric resonator and method of producing the same
US6420820B1 (en) * 2000-08-31 2002-07-16 Agilent Technologies, Inc. Acoustic wave resonator and method of operating the same to maintain resonance when subjected to temperature variations
US6496085B2 (en) * 2001-01-02 2002-12-17 Nokia Mobile Phones Ltd Solidly mounted multi-resonator bulk acoustic wave filter with a patterned acoustic mirror
JP3543772B2 (ja) * 2001-02-28 2004-07-21 セイコーエプソン株式会社 圧電振動片の製造方法
JP4867079B2 (ja) * 2001-04-27 2012-02-01 パナソニック株式会社 水晶重合板の製造方法
JP3767425B2 (ja) * 2001-06-13 2006-04-19 セイコーエプソン株式会社 圧電振動片及び圧電デバイス
US6939475B2 (en) * 2001-08-31 2005-09-06 Daishinku Corporation Etching method, etched product formed by the same, and piezoelectric vibration device, method for producing the same
CN1410267A (zh) * 2001-10-09 2003-04-16 飞赫科技股份有限公司 压电式喷墨晶片的成型方法
JP4001029B2 (ja) * 2002-03-25 2007-10-31 セイコーエプソン株式会社 音叉型圧電振動片及びその製造方法、圧電デバイス
JP4060699B2 (ja) * 2002-11-19 2008-03-12 京セラキンセキヘルツ株式会社 水晶振動子の製造方法
JP4305728B2 (ja) * 2003-03-19 2009-07-29 セイコーエプソン株式会社 振動片の製造方法
KR100662865B1 (ko) * 2003-10-08 2007-01-02 삼성전자주식회사 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법
JP4591035B2 (ja) 2004-10-21 2010-12-01 セイコーエプソン株式会社 圧電振動片ならびに圧電デバイスの製造方法
JP4197001B2 (ja) * 2006-04-04 2008-12-17 エプソントヨコム株式会社 圧電振動片の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0983281A (ja) * 1995-09-12 1997-03-28 Meidensha Corp 水晶振動子の製造方法
JP2003198303A (ja) 2001-10-16 2003-07-11 Seiko Epson Corp 圧電振動片及びその加工方法
JP2005130218A (ja) 2003-10-23 2005-05-19 Toyo Commun Equip Co Ltd 水晶片形成方法および水晶片

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