JP4525623B2 - 圧電振動片の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、圧電振動片の製造方法に関する。
圧電材料である水晶基板を加工して圧電振動片を形成する方法として以下の方法が知ら
れている。
ドライエッチングであるリアクティブイオンエッチングによって、圧電振動片としての
水晶振動子を加工する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。ドライエッチン
グでは、水晶基板の異方性の影響を受けにくい加工が可能である。
特開平8−242134号公報(第3頁、段落番号[0020]〜[0022])
ドライエッチングによる加工では、イオンの衝突による基板表面の温度の上昇、ミキシ
ング等によって表面に変質層が生じる。この変質層は基板と同じ圧電特性をもたないので
、圧電振動片として有効に作動する部分が減少する。また、変質層の圧電特性の予測が困
難であるため、変質層を含めた振動特性を設計することが難しい。
本発明の目的は、表面の変質層が少なく、設計された振動特性との差が少ない振動特性
を備えた圧電振動片の製造方法を提供することにある。
本発明の圧電振動片の製造方法は、圧電材料からなる基板から振動部を備えた圧電振動片を形成する圧電振動片の製造方法であって、前記基板にドライエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、前記マスク形成工程後に、ドライエッチングによって、前記基板のエッチング加工部の一部を残してエッチングするドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程の後に、前記ドライエッチングマスクを除去するマスク除去工程と、前記マスク除去工程後に、ウェットエッチングによって、前記エッチング加工部の一部を除去し前記圧電振動片を前記基板から形成するとともに、前記ドライエッチング工程で前記振動部に形成された変質層の少なくとも一部を除去するウェットエッチング工程とを含むことを特徴とする。
この発明によれば、ドライエッチングマスクを除去した後に、ウェットエッチングを行い圧電振動片を形成するので、ドライエッチングによって生じた変質層が露出し、ウェットエッチングによって変質層が除去またはその大部分が除去される。したがって、表面の変質層が少なく、設計された振動特性との差が少ない振動特性を備えた圧電振動片の製造方法が得られる。
本発明では、前記基板の両面それぞれについて、前記マスク形成工程と、前記ドライエ
ッチング工程と、前記マスク除去工程とを行った後に、前記ウェットエッチング工程を行
うのが好ましい。
この発明では、前述の効果に加え、基板の両面についてドライエッチングによる加工を
行うので、圧電振動片の両面に対して、ドライエッチングによる基板の異方性の影響を受
けにくい加工が可能である。
本発明では、前記ウェットエッチング工程は、前記ドライエッチングマスクが形成され
た基板の表面をウェットエッチングするのが好ましい。
この発明では、ウェットエッチングによって、マスクが形成された基板の表面に形成さ
れた変質層が除去される。
本発明では、前記圧電振動片は、音叉型圧電振動片であり、前記振動部は、前記音叉型圧電振動片の振動腕であるのが好ましい。
また本発明では、前記基板は水晶からなるのが好ましい。
この発明では、音叉型水晶振動片の振動腕は振動幅が大きく、変質層の影響を受けやすいため、より前述の効果の大きい圧電振動片の製造方法が得られる。
以下、本発明にかかる実施形態について図面に基づいて説明する。各実施形態において
、同じ構成要素には、同じ符号を付して説明する。
図1〜図3には第1実施形態が示され、図4および図5には第2実施形態が示されてい
る。
(第1実施形態)
図1には、圧電振動片としての音叉型水晶振動片10が連結された、本実施形態におけ
る水晶振動片連結体100が示されている。図2には、音叉型水晶振動片10の製造方法
を表すフロー図が示されている。図3には、音叉型水晶振動片10の製造方法を表す概略
部分断面図が示されている。
図1(a)には、水晶振動片連結体100の平面図、同図(b)は(a)におけるA−
A断面図が示されている。
音叉型水晶振動片10は、水晶振動片連結体100の支持部1によって連結され、並ん
で配置されている。図1では、3個の音叉型水晶振動片10が連結されているが、実際に
は図示しないそれ以上の音叉型水晶振動片10が連結されている。
音叉型水晶振動片10は、基部2に2本の振動腕3を備えている。振動腕3は断面が略
H型形状で、基部2から同じ方向に向けて形成されている。そして、基部2が支持部1と
連結している。
2本の振動腕3の主面および他方の主面の4ヵ所には、溝4が形成されている。溝4の
形状は4ヵ所とも略同形状で、その断面形状は略コの字型である。正確には、溝4の底面
41の形状は平面とはなっていない。
以下に、音叉型水晶振動片10の製造方法を図に基づいて説明する。
図2において、音叉型水晶振動片10の製造方法は、マスク形成工程であるメタルマス
ク形成工程としてのステップ1(S1)およびステップ4(S4)と、ドライエッチング
工程としてのステップ2(S2)およびステップ5(S5)と、マスク除去工程であるメ
タルマスク除去工程としてのステップ3(S3)およびステップ6(S6)と、ウェット
エッチング工程としてのステップ7(S7)とを含む。ここで、ドライエッチングマスク
としてメタルマスクを使用している。
本実施形態では、メタルマスク形成工程と、ドライエッチング工程と、メタルマスク除
去工程とを2回行った後にウェットエッチング工程を行う。
図3において、(a)はS1、(b)はS2、(c)はS3、(d)はS4、(e)は
S5、(f)はS6、(g)はS7のそれぞれの工程を示した概略部分断面図である。
図3(a)において、圧電材料からなる基板としての水晶基板20の主面26にメタル
マスク30を形成する。水晶基板20は、表裏両面を均一になるように研磨しておく。メ
タルマスク30は、図1(a)に示した水晶振動片連結体100の主面から見た形状と略
同じ外形状に形成する。そして、溝4の部分には、開口部31を形成する。
メタルマスク30は、よく知られたフォトレジスト法とスパッタ法とによって選択的に
形成できる。また、メタルマスク30の材料は、ニッケル等を用いることができる。メタ
ルマスク30の形成されていない水晶基板20の厚み方向の領域が、エッチング加工部2
5となる。
図3(b)において、ドライエッチングを行う。エッチングにより、エッチング加工部
25と、メタルマスク30の開口部31とに相当する水晶基板20がエッチングされてい
る。振動腕3には、溝4が穿設される。ドライエッチングは、エッチング加工部25の一
部を残すように行う。
ドライエッチングは、一般に採用されている酸化膜ドライエッチャーであるRIE(リ
アクティブイオンエッチング)装置にて、反応ガス、例えばCHF3を用いて行う。ここ
で、水晶基板20の温度上昇を防ぐためにエッチングされる主面26の他方の主面27は
冷却シート等と接触させておく。
ドライエッチングの際、イオンの衝突により水晶基板20の表面温度が上昇し、変質層
23が形成される。図3では、変質層23はメタルマスク30の部分しか図示されていな
いが、表面温度が上昇した表面には、変質層23が形成されている。変質層23は、イオ
ンのさらされる表面の場所等によりその厚さ、質が異なる。
メタルマスク30が形成された水晶基板20の表面であっても、メタルマスク30の温
度上昇によって変質層23が形成されている。
この際、狭い溝4におけるドライエッチングレートとその他の広い領域のドライエッチ
ングレートとは、ドライエッチングの特性であるマイクロローディング効果によって異な
る。したがって、同じエッチング条件であっても、溝4はその他の部分より浅くエッチン
グされている。
また、溝4および音叉型水晶振動片10の側面に該当する部分は、ドライエッチングで
形成されるため、水晶の結晶の異方性から生ずるエッチング異方性がなく、水晶基板20
の表面に対して略垂直に形成されている。
S2の工程で、水晶基板20の主面26がドライエッチングされた水晶基板21が得ら
れる。
図3(c)において、メタルマスク30を除去する。メタルマスク30の除去は、塩酸
等の酸の水溶液等に浸漬することで行う。
図3(d)において、水晶基板21の他方の主面27にS1と同様にメタルマスク30
を形成する。
図3(e)において、S2と同様にドライエッチングを行う。このドライエッチングも
、エッチング加工部25の一部が残るように行う。したがって、このS5の工程で、主面
26と他の主面27側からエッチングされた水晶基板22が得られる。
図3(f)において、S3と同様にメタルマスク30を除去する。
図3(g)において、ウェットエッチングを行う。ウェットエッチングを行うことによ
り変質層23を除去するとともに、エッチング加工部25の一部を除去する。つまり、ウ
ェットエッチングによって、メタルマスク30が形成された水晶基板20の表面をウェッ
トエッチングすることになる。したがって、メタルマスク30が形成された水晶基板20
の表面に形成された変質層23を除去することができる。また、水晶の結晶の異方性から
溝4の底面41は平面にエッチングされていない。ウェットエッチングは、フッ化水素酸
等を用いて行う。
ここで、音叉型水晶振動片10は、水晶振動片連結体100とともに水晶基板20から
分離形成される。
最後に、水晶振動片連結体100から音叉型水晶振動片10を個々に切り離すことによ
って、音叉型水晶振動片10が得られる。
このような本実施形態によれば、以下の効果がある。
(1)メタルマスク30を除去した後に、ウェットエッチングを行い音叉型水晶振動片
10を分離形成するので、ドライエッチングによって生じた変質層23を露出でき、ウェ
ットエッチングによって変質層23を除去できる。つまり、ウェットエッチングによって
、メタルマスク30が形成された水晶基板20の表面に形成された変質層23を除去でき
る。したがって、設計された振動特性との差が少ない振動特性を備えた音叉型水晶振動片
10の製造方法を得ることができる。
(2)前述の効果に加え、水晶基板20の両面についてドライエッチングによる加工を
行うので、音叉型水晶振動片10の両面の溝4の加工に対して、ドライエッチングによる
水晶基板20の異方性の影響を受けにくい加工ができる。
(第2実施形態)
図4には、圧電振動片としての音叉型水晶振動片50が連結された、本実施形態におけ
る水晶振動片連結体200が示されている。また、図5には、音叉型水晶振動片50の製
造方法を表す概略部分断面図が示されている。
図4(a)には、水晶振動片連結体200の平面図、同図(b)は(a)におけるB−
B断面図が示されている。
音叉型水晶振動片50には、第1実施形態における溝4が形成されていない点以外は、
第1実施形態と同様の構成となっている。
以下に、音叉型水晶振動片50の製造方法を図に基づいて説明する。
本実施形態においても、図2に示した工程およびステップを含む。
図5において、(a)はS1、(b)はS2、(c)はS3、(d)はS4、(e)は
S5、(f)はS6、(g)はS7のそれぞれの工程を示した概略部分断面図である。
図5(a)および(d)はメタルマスク形成工程であるS1およびS4を示しているが
、第1実施形態とは開口部31が設けられていない点が異なる。その他は第1実施形態と
同様である。
第1実施形態と同様に、S1〜S7の工程を行なった後、水晶振動片連結体200から
音叉型水晶振動片50を個々に切り離すことによって、音叉型水晶振動片50が得られる

このような本実施形態によれば、溝4のない音叉型水晶振動片50においても第1実施
形態と同様の効果がある。
(第3実施形態)
図6には、本発明の第3実施形態にかかる音叉型水晶振動片10の製造方法を表す概略
部分断面図が示されている。水晶振動片連結体100は第1実施形態を表した図1に示し
たものと同様である。
図6において、(a)はS1、(b)はS2、(c)はS3、(d)はS4、(e)は
S5、(f)はS6、(g)はS7のそれぞれの工程を示した概略部分断面図である。
図6(a)において、水晶基板20の主面27にメタルマスク30を形成する。メタル
マスク30は、溝4の部分にのみ開口部31を設けて全面に形成されている。
図6(b)においてドライエッチングを行う。メタルマスク30の開口部31に相当す
る水晶基板20がドライエッチングされ、主面27に溝4のみが形成される。ドライエッ
チングを行っている間、他方の主面26を冷却シート等によって冷却し、水晶基板20の
温度上昇を防ぐ。
図6(c)において、メタルマスク30を除去する。メタルマスク30の除去は、第1
実施形態と同様に行う。
図6(d)において、水晶基板21の他方の主面26に、第1実施形態のS1で用いた
ものと同様のメタルマスク30を形成する。
図6(e)において、ドライエッチングを行う。このエッチングは、主面27付近まで
エッチングを行う。このとき、主面27には、冷却シート等を接触させ水晶基板21の温
度上昇を防ぐ。また、エッチング加工部25の一部が残るように行う。
このS5の工程で、主面26と他方の主面27側からエッチングされた水晶基板22が
得られる。
図6(f)において、メタルマスク30を除去する。
図6(g)において、ウェットエッチングを行い水晶基板22のエッチング加工部25
の一部を除去する。
このような実施形態によれば、第1実施形態の効果に加え以下の効果がある。
(3)水晶基板21を主面26からドライエッチングするときに、主面27には溝4の
みが形成されているだけなので、接触させる冷却シートの接触面積を十分にとることがで
き、温度上昇による水晶基板21の歪みを押さえることができる。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる
範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、ATカット振動子、ジャイロ素子にも応用が可能である。
音叉型水晶振動片10は、振動腕3の表裏両面(側面も含む)および溝4の内部に励振
電極や検出電極がそれぞれ基部2にまで延在されて形成され、パッケージ内に実装されて
水晶振動子を構成し、外部回路に接続されて使用される。
(a)は、本発明にかかる第1実施形態の水晶振動片連結体の平面図、(b)は、(a)におけるA−A断面図。 音叉型水晶振動片の製造方法を表すフロー図。 音叉型水晶振動片の製造方法を表す概略部分断面図。 (a)は、本発明にかかる第2実施形態の水晶振動片連結体の平面図、(b)は、(a)におけるB−B断面図。 音叉型水晶振動片の製造方法を表す概略部分断面図。 本発明の第3実施形態にかかる音叉型水晶振動片の製造方法を表す概略部分断面図。
符号の説明
10…圧電振動片としての水晶振動片、20…圧電材料からなる基板としての水晶基板
、25…エッチング加工部、30…ドライエッチングマスクとしてのメタルマスク。

Claims (5)

  1. 圧電材料からなる基板から振動部を備えた圧電振動片を形成する圧電振動片の製造方法であって、
    前記基板にドライエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、
    前記マスク形成工程後に、ドライエッチングによって、前記基板のエッチング加工部の一部を残してエッチングするドライエッチング工程と、
    前記ドライエッチング工程の後に、前記ドライエッチングマスクを除去するマスク除去工程と、
    前記マスク除去工程後に、ウェットエッチングによって、前記エッチング加工部の一部を除去し前記圧電振動片を前記基板から形成するとともに、前記ドライエッチング工程で前記振動部に形成された変質層の少なくとも一部を除去するウェットエッチング工程とを含む
    ことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
  2. 請求項1に記載の圧電振動片の製造方法において、
    前記基板の両面それぞれについて、
    前記マスク形成工程と、
    前記ドライエッチング工程と、
    前記マスク除去工程とを行った後に、
    前記ウェットエッチング工程を行う
    ことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
  3. 請求項1または請求項2に記載の圧電振動片の製造方法において、
    前記ウェットエッチング工程は、前記ドライエッチングマスクが形成された基板の表面をウェットエッチングする
    ことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
  4. 請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の圧電振動片の製造方法において、
    前記圧電振動片は、音叉型圧電振動片であり、
    前記振動部は、前記音叉型圧電振動片の振動腕である
    ことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
  5. 請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の圧電振動片の製造方法において、
    前記基板は水晶からなる
    ことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
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