JP2004289217A

JP2004289217A - 振動片の製造方法、振動片および振動子

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Publication number: JP2004289217A
Application number: JP2003075457A
Authority: JP
Inventors: Shosaku Goji; 庄作郷治
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2003-03-19
Filing date: 2003-03-19
Publication date: 2004-10-14
Anticipated expiration: 2023-03-19
Also published as: JP4305728B2

Abstract

【課題】凹部が形成されている振動片を製造するのに際して、振動片の外形輪郭の寸法精度を高くできるような方法を提供する。
【解決手段】被処理部材２０は、基板１、基板１上に設けられており、第一の開口部６を形成している金属マスク５Ａ、５Ｂ、および金属マスク５Ａ、５Ｂと第一の開口部６とを被覆するフォトレジスト膜７Ａを備えている。フォトレジスト膜７Ａに第二の開口部１０が形成されている。被処理部材２０をエッチング処理することによって、第二の開口部１０に対応して振動片の輪郭１２を形成する。次いでフォトレジスト膜７Ａを除去する。次いで、振動子１Ａをエッチング処理することによって、第一の開口部６に対応して振動片に凹部を形成する。
【選択図】図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、振動片の製造方法、振動片および振動子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】特許文献１には、振動片の両方の主面に溝を形成し、振動片の断面をＨ型とするための製法が記載されている。具体的には、水晶ウエハの表面と裏面とに金属マスクを形成し、この金属マスク上にフォトレジスト膜を形成し、フォトレジスト膜をパターニングする。そしてフォトレジスト膜のパターンに合わせて金属マスクをパターニングする。このパターンは、振動子の外形輪郭に合わせて設計されている。次いで、金属マスクパターン上にフォトレジスト膜を成膜し、次いでフォトレジスト膜をパターニングする。このフォトレジスト膜のパターンは、振動片の溝のパターンに合わせて設計されている。次いで金属マスクのパターンに合わせて水晶ウエハをエッチングし、振動片の外形輪郭を成形する。次いで、金属マスクを溝パターンに合わせてパターニングし、次いでエッチングによって振動片に溝を形成する。
【特許文献１】
特開２００２−７６８０６号公報
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この製法によれば、振動片に形成される溝の寸法精度は優れている。しかし、振動片の外形輪郭が設計パターンと異なってくる。具体的には、振動片の太さが、設計値に比べて小さくなり、振動片の共振周波数が設計値に比べてずれるという問題があった。そして、振動片の共振周波数の設計値からのずれが、製造された各振動子ごとに異なることもあり、製造歩留り低下の原因となっていた。
【０００４】本発明の課題は、凹部が形成されている振動片を製造するのに際して、振動片の外形輪郭の寸法精度を高くできるような方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、凹部が形成されている振動片を製造する方法であって、
基板、この基板上に設けられており、第一の開口部を形成している金属マスク、および金属マスクと第一の開口部とを被覆するフォトレジスト膜を備えており、このフォトレジスト膜に第二の開口部が形成されている被処理部材をエッチング処理することによって、第二の開口部に対応して振動片の輪郭を形成する第一のエッチング工程、
フォトレジスト膜を除去する除去工程、および
基板をエッチング処理することによって、第一の開口部に対応して凹部を形成する第二のエッチング工程を有することを特徴とする。
【０００６】また、本発明は、前記方法によって製造されたことを特徴とする、振動片に係るものであり、またこの振動片を備えている振動子に係るものである。
【０００７】本発明者は、例えば特許文献１記載のような製法で振動片の輪郭と凹部とを二段階で成形する場合に、振動片の幅が設計値に比べて小さくなる原因を検討し、以下の知見を得た。即ち、第一のエッチング工程では、金属マスクのパターンに合わせて水晶ウエハをエッチングし、振動片の外形輪郭を成形している。次いで、金属マスクを溝パターンに合わせてパターニングし、次いでエッチングによって振動片に溝を形成する（第二のエッチング工程）。しかし、金属マスクを溝パターンに合わせてパターニングするときに、金属マスクにサイドエッチングが発生しやすい。こうなると基板に溝を形成するエッチング工程において、振動片の外形輪郭の方も更にエッチングされ、振動片が細くなり易い。
【０００８】本発明によれば、第一のエッチング工程においては、フォトレジスト膜の開口部から基板をエッチングし、振動片の輪郭を形成している。この後でフォトレジスト膜を除去すると、第一の開口部を形成しているパターニング後の金属マスクが露出する。この後に基板をエッチング処理することによって、第一の開口部に対応して凹部を形成する。
【０００９】つまり、振動片の輪郭形成用のエッチング工程時に、フォトレジスト膜をマスクとして転用しており、溝形成用のパターニングが施された金属マスクはこのフォトレジスト膜下に保護されている。従って、溝形成用の金属マスクのパターンがサイドエッチングを受けることはない。これによって振動片の輪郭の寸法精度を向上させることが可能である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、更に具体的な実施形態について述べる。
図１〜図４は、本発明の第一の実施形態に係るプロセスを説明するためのものである。まず、図１（ａ）に示すように基板１を準備する。基板１はウエハー状であってよい。基板１の材質は限定されないが、圧電単結晶が好ましく、水晶、ニオブ酸リチウム単結晶、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶、ホウ酸リチウム単結晶、ランガサイト単結晶等からなる圧電単結晶が特に好ましい。基板はＺ板、Ｘ板（Ｙ板）のいずれであってもよく、またＺ板やＸ板（Ｙ板）のオフセット基板であってよい。
【００１１】基板１の表面をエッチングすることによって、表面の加工変質層を除去できる。次いで、基板１を洗浄することによって、パーティクルを減らすことができる。この際の洗浄液としては、アルカリ系洗剤、超純水、イソプロピルアルコール（ＥＬグレード）などがある。
【００１２】次いで基板１の主面１ａ、１ｂ上に、それぞれ金属膜２Ａ、２Ｂを形成する。これら金属膜は、後述するエッチング用のマスクとして機能し得る材質からなる。こうした材質は特に限定されないが、以下のものが特に好ましい。下地をＣｒとし、その上にＡｕを積層した多層膜、下地をＴｉとしその上にＡｕを積層した多層膜、タングステンなどがある。
【００１３】次いで、図１（ｂ）に示すように、各金属膜２Ａ、２Ｂ上に、それぞれフォトレジスト膜３Ａ、３Ｂを形成し、被覆する。次いで、図１（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３Ａ、３Ｂをパターニングし、パターニングされたフォトレジスト膜４Ａ、４Ｂを得る。フォトレジスト膜３Ａ、３Ｂのパターニングは、通常の露光方法によって実施できる。露光時にはコンタクトアライナーを使用することができる。
【００１４】次いで、図２（ａ）に示すように、金属膜をエッチングし、フォトレジスト膜４Ａ、４Ｂのパターンを金属膜に転写し、パターニングされた金属マスク５Ａ、５Ｂを形成する。次いで、フォトレジスト膜４Ａ、４Ｂを除去し、図２（ｂ）に示す所定パターンの金属マスク５Ａ、５Ｂを露出させる。ここで、金属マスク５Ａ、５Ｂには、溝パターンに対応する第一の開口部６と、振動子の外形輪郭に対応する第二の開口部１５とが形成されている。
【００１５】次いで、図２（ｃ）に示すように、金属マスク５Ａ、５Ｂ、第一の開口部６および第二の開口部１５を被覆するようにフォトレジスト膜７を形成する。次いで、フォトレジスト膜７をパターニングし、図３（ａ）に示すような被処理部材２０を作製する。被処理部材２０においては、パターニングされたフォトレジスト膜７Ａが形成されており、フォトレジスト膜７Ａの間に第二の開口部１０が形成されている。第二の開口部１０は振動片の外形輪郭に対応する。そして、金属マスク５Ａ、５Ｂおよび第一の開口部６のパターンは、フォトレジスト膜７Ａによって被覆されている。
【００１６】次いで、基板１をエッチングし、図３（ｂ）に示すように外形輪郭１２を形成する（第一のエッチング工程）。このときフォトレジスト膜７Ａはエッチング用マスクとして作用する。また、金属マスク５Ａ、５Ｂおよび第一の開口部６のパターンは、フォトレジスト膜７Ａによって被覆されているので、金属マスク５Ａ、５Ｂのサイドエッチングは防止できる。
【００１７】次いで、フォトレジスト膜７Ａを除去し、図４（ａ）に示すように、金属マスク５Ａ、５Ｂおよび第一の開口部６を露出させる。次いでこの被処理部材をエッチングし（第二のエッチング工程）、図４（ｂ）に示すように凹部１３Ａ、１３Ｂを形成する。
【００１８】本実施形態では、第一のエッチング工程（図３（ａ）〜図３（ｂ））においては、フォトレジスト膜７Ａの開口部１０から基板１をエッチングし、振動片の輪郭を形成している。この後でフォトレジスト膜７Ａを除去すると（図４（ａ））、第一の開口部６を形成しているパターニング後の金属マスク５Ａ、５Ｂが露出する。この後に基板１Ａをエッチング処理することによって、第一の開口部６に対応して凹部１３Ａ、１３Ｂが形成される。
【００１９】つまり、振動片の輪郭形成用のエッチング工程時に、フォトレジスト膜７Ａをマスクとして転用しており、溝形成用のパターニングが施された金属マスク５Ａ、５Ｂはフォトレジスト膜７Ａ下に保護されている。従って、溝形成用の金属マスク５Ａ、５Ｂのパターンがサイドエッチングを受けることはない。これによって振動片の輪郭の寸法精度を向上させることが可能である。
【００２０】エッチングの具体的方法は限定されず、ドライエッチング、ウエットエッチングでよいが、ウエットエッチングが好ましい。
【００２１】金属マスクのエッチング方法それ自体は公知である。例えば、金用エッチャントとしては、よう素とよう化カリウムの水溶液が好ましく、クロム用エッチャントとしては、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸の水溶液が好ましい。また、金とクロムを同時にエッチングする場合には硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸と塩酸の水溶液が好ましい。
【００２２】基板のエッチング方法それ自体は公知である。例えばエッチャントとしては以下を例示できる。
フッ化水素溶液、フッ化水素アンモニウム溶液、バッファードフッ酸溶液（フッ化水素アンモニウムとフッ化アンモニウムの混合液）水酸化ナトリウム溶液などがある。
【００２３】本発明においては、金属マスクを被覆するフォトレジスト膜の材質は、基板用エッチャントに対して耐久性でなければならない。このような材質としては以下を例示できる。
ノボラック樹脂系ポジ型レジスト、主鎖切断（崩壊）型ポジ型レジスト、環化ポリイソプレン−アジド化合物系ネガ型レジスト、フェノール樹脂−アジド化合物系ネガ型レジスト、溶解抑制型電子線ポジ型レジスト、架橋型電子線ネガレジストなどがある。
【００２４】好適な実施形態においては、フォトレジスト膜７の厚さが１μｍ以上であり、より好ましくは３μｍ、更に好ましくは８μｍ以上である。この実施形態について述べる。
【００２５】図３（ａ）、（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜７をエッチングマスクとして振動片の外形輪郭を形成するときに、フォトレジスト膜が破損してエッチャントがフォトレジスト膜の内側に侵入し、溝形成不良となり易いことが判明した。このようにフォトレジスト膜が破れる原因を検討したところ、以下の知見を得た。即ち、被処理部材２０において、金属マスク５Ａ、５Ｂと基板１との界面と、フォトレジスト膜７Ａと基板１との界面との間では、界面の密着性が異なっている。このため、金属マスク５Ａ、５Ｂとフォトレジスト膜との境界３０において熱応力が発生しやすく、この熱応力によってフォトレジスト膜に割れが発生しやすい。このような溝形成時の不良品発生を防止するには、上述のようにフォトレジスト膜の厚さを大きくすることが好ましいことを見いだした。
【００２６】また、このようなフォトレジスト膜の割れによる不良を防止するためには、基板とフォトレジスト膜との間、および金属マスクとフォトレジスト膜との間に、第二のエッチング工程においてエッチングされる材質からなる緩衝層を形成することが好ましい。これによって、基板とフォトレジスト膜との間、および金属マスクとフォトレジスト膜との間の密着性を同等とし、熱応力を低減できる。
【００２７】図５、図６は、この実施形態を説明するための模式的断面図である。本実施形態においては、図２（ｂ）において、第二のエッチング工程においてエッチングされる材質からなる緩衝層を形成し、緩衝層によって基板１の主面１ａ、１ｂおよび金属マスク５Ａ、５Ｂを被覆する。次いで、緩衝層上に、図２（ｃ）に示すフォトレジスト膜７を形成する。このフォトレジスト膜７をパターニングし、図５（ａ）に示す被処理部材２０Ａを得る。
【００２８】被処理部材２０Ａにおいては、パターニングされたフォトレジスト膜７Ａが形成されており、フォトレジスト膜７Ａの間に第二の開口部１０が形成されている。第二の開口部１０は振動片の外形輪郭に対応する。金属マスク５Ａ、５Ｂおよび第一の開口部６のパターンは緩衝層１９によって被覆されており、緩衝層１９はフォトレジスト膜７Ａによっ被覆されている。
【００２９】次いで、基板１をエッチングし、図５（ｂ）に示すように外形輪郭１２を形成する（第一のエッチング工程）。このときフォトレジスト膜７Ａはエッチング用マスクとして作用する。金属マスク５Ａ、５Ｂおよび第一の開口部６のパターンは、フォトレジスト膜７Ａによって被覆されているので、金属マスク５Ａ、５Ｂのサイドエッチングは防止できる。しかも、基板１とフォトレジスト膜７Ａとの間、および金属マスク５Ａ、５Ｂとフォトレジスト膜７Ａとの間の密着性は、緩衝層１９を介在させることによって同等となる。従って、金属マスク５Ａ、５Ｂの外縁界面３０付近において熱応力が低減される。
【００３０】次いで、フォトレジスト膜７Ａを除去し、図６（ａ）に示すように、緩衝層１９、金属マスク５Ａ、５Ｂおよび第一の開口部６を露出させる。次いでこの被処理部材をエッチングし（第二のエッチング工程）、図６（ｂ）に示すように凹部１３Ａ、１３Ｂを形成する。
【００３１】ここで、緩衝層１９のエッチング速度が小さかったり、あるいは緩衝層１９が厚すぎると、凹部１３Ａ、１３Ｂの寸法精度が低下する。従って、緩衝層１９の材質は、水晶のエッチング溶液に容易にエッチングされ、エッチング速度の大きい材質であることが好ましく、特に以下の材質が好ましい。
Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏなどがあり、特にＣｒが好ましい
【００３２】また、緩衝層１９の厚さは、５０ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることが更に好ましい。
【００３３】本発明の振動片は、例えば音叉型振動子の振動片であってよい。このような振動子としては、自動車の方向制御システム用の振動子、セラミックパッケージ音叉型振動子、シリンダータイプ音叉型振動子、音叉水晶発振器、デジタル携帯電話用振動子を例示できる。また、携帯情報端末に取り付けられたカメラの手振れ補正用の振動子を例示できる。
【００３４】図７は、本発明の一実施形態に係る振動子２９を概略的に示す斜視図である。本振動子２９は、基部２１、基部２１から突出す一対の支持片２２、各支持片２２から突出する各一対の駆動振動片２３、および基部２１から突出する一対の検出振動片２６を備えている。各駆動振動片２３の先端には幅広部ないし重量部２５が設けられている。各検出振動片２６の先端には幅広部ないし重量部２８が設けられている。
【００３５】各駆動振動片２３には、それぞれ細長い凹部２４が形成されており、各検出振動片２６にはそれぞれ細長い凹部２７が形成されている。各駆動振動片２３および検出振動片２６に本発明を適用することができる。
【００３６】駆動時には、各駆動振動片２３を矢印Ａのように、支持片２２への付け根を中心としてＸ−Ｙ平面内で屈曲振動させる。この状態で振動子２９をＺ軸の周りに回転させると、各支持片２２が基部２１への付け根を中心として矢印ＢのようにＸ−Ｙ平面内で屈曲振動する。これに対応して、各検出振動片２６が、基部２１への付け根を中心として矢印Ｃのように屈曲振動する。この検出振動片２６の屈曲振動を検出し、回転角速度を算出する。
【００３７】本発明は、上記実施の形態に限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。そして、上記実施の形態の構成は、その一部を省略したり、上述していない他の任意の組み合わせに変更することができる。
【００３８】
【実施例】図１〜図４を参照しつつ説明した前記方法に従い、図７に示すような形態の振動子を作製した。
具体的には、縦２インチ、横２インチ、厚さ０．１ｍｍの水晶基板１を希フッ酸にてエッチング洗浄した後、スピンドライヤーにて乾燥し、主面１ａ、１ｂを清浄化した。次いで、清浄な水晶基板１の主面１ａ、１ｂ上に、スパッタ装置を用いて厚さ０．０１μｍのクロム膜を形成し、クロム膜上に０．２ μｍ厚さのＡｕ膜を成膜し、金属膜２Ａ、２Ｂを形成した（図１（ａ））。次に、Ａｕ膜の成膜面上にスピンコーターによりフォトレジストを塗布し、厚さ１μｍのフォトレジスト膜３Ａ、３Ｂを形成した（図１（ｂ））。フォトレジスト膜の溶剤成分を除去するため、オーブンを用いて１００℃で３０分間プリベークした。
【００３９】次に、基板の主面１ａ、１ｂの高精度アライメントが可能な露光装置と、外形エッチング加工パターンおよび振動片上に形成する溝パターンを描画したフォトマスクを用い、水晶基板１の主面１ａ、１ｂにフォトマスクパターンをフォトリソグラフィによって転写し、レジストパターン４Ａ、４Ｂを形成した（図１（ｃ）。このレジストパターン４Ａ、４Ｂをマスクとして、硝酸セリウムアンモニウムと塩酸と過塩素酸の混合液にて金属膜２Ａ、２Ｂをエッチングし、パターニングされた金属マスク５Ａ、５Ｂを形成した（図２（ａ）。次に、金属マスク５Ａ、５Ｂ上に残留したフォトレジスト膜４Ａ、４Ｂをアセトンにて溶解し、除去した（図２（ｂ））。この金属マスクパターン５Ａ、５Ｂ上に、フォトレジストをスピンコーターによって塗布し、厚さ１０μｍのフォトレジスト膜７を形成した（図２（ｃ））。フォトレジスト膜７の厚さは１０μｍである。
【００４０】次に、表裏面の高精度アライメントが可能な露光装置と、外形エッチング加工パターンのみを描画したフォトマスクを用い、水晶基板１の主面１ａ、１ｂにフォトマスクパターンをフォトリソグラフィによって転写し、レジストパターン７Ａを形成した（図３（ａ））。次に、基板１を、７０℃に加熱した４０％フッ化水素アンモニウム溶液に１０時間浸漬し、水晶をエッチング加工して振動子の外形形状を得た（図３（ｂ）。次に、残留したフォトレジスト膜７Ａをアセトンによって溶解除去し、振動片上の金属マスク５Ａ、５Ｂを露出させた（図４（ａ））。その後、７０℃に加熱した４０％フッ化水素アンモニウム溶液に振動子１Ａを０．５時間浸漬し、振動片の溝パターン１３Ａ、１３Ｂを、深さが３０μｍとなるようエッチング加工した（図４（ｂ））。次に、硝酸セリウムアンモニウムと塩酸と過塩素酸の混合液にて、振動子１Ａ上に残った金属マスク５Ａ、５Ｂを剥離除去し、所望の形状を有する水晶振動子２９を得た。
【００４１】次に、スパッタ装置を用いて、０．０３μｍ厚さのＣｒを下地層として０．２μｍ厚さの電極用Ａｕ膜を、水晶振動子２９の主面１ａ、１ｂ及び側面に成膜した。次に、スプレー式レジストコーターを用いて、振動子２９の主面１ａ、１ｂ及び側面、更にはエッジ部上にフォトレジストを塗布した。次に、表裏面の高精度アライメントが可能な露光装置と、電極配線パターンを描画したフォトマスクとを用い、振動子２９の表裏面に電極配線パターンをフォトリソグラフによって転写し、振動子２９上にフォトレジスト膜からなる電極パターンを形成した。次にフォトレジスト電極パターンをマスクとして、電極金属であるＡｕとＣｒを硝酸第二セリウムアンモニウムと塩酸と過塩素酸の混合液に３０秒浸漬してエッチング除去し、所望の電極パターンが形成された水晶振動子を得た。
【００４２】また、前記実施例において、フォトレジスト膜７の厚さを種々変更し、フォトレジスト膜の割れによる不良の有無を確認したところ、フォトレジスト膜７の厚さを８μｍ以上とすることによって不良が著しく低減した。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、凹部が形成されている振動片を製造するのに際して、振動片の外形輪郭の寸法精度を高くできるような方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、金属膜２Ａ、２Ｂが形成された基板１を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、金属膜２Ａ、２Ｂ上にフォトレジスト膜３Ａ、３Ｂを形成した状態を示す断面図であり、（ｃ）は、パターニングされたフォトレジスト膜４Ａ、４Ｂを示す断面図である。
【図２】（ａ）は、基板１、パターニングされた金属マスク５Ａ、５Ｂおよびフォトレジスト膜４Ａ、４Ｂを示す断面図であり、（ｂ）は、フォトレジスト膜４Ａ、４Ｂを除去した後の状態を示す断面図であり、（ｃ）は、フォトレジスト膜７によって基板１および金属マスク５Ａ、５Ｂを被覆した状態を示す断面図である。
【図３】（ａ）は、フォトレジスト膜７をパターニングした後の被処理部材２０を示す断面図であり、（ｂ）は、被処理部材２０をエッチング処理（第一のエッチング工程）した後の状態を示す断面図である。
【図４】（ａ）は、フォトレジスト膜７Ａを除去した後の状態を示す断面図であり、（ｂ）は、第二のエッチング工程によって凹部１３Ａ、１３Ｂを形成した状態を示す断面図である。
【図５】（ａ）は、緩衝層１９の形成された被処理部材２０Ａを示す断面図であり、（ｂ）は、被処理部材２０Ａをエッチング処理（第一のエッチング工程）した後の状態を示す断面図である。
【図６】（ａ）は、フォトレジスト膜７Ａを除去した後の状態を示す断面図であり、（ｂ）は、第二のエッチング工程によって凹部１３Ａ、１３Ｂを形成した状態を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る振動子２６を概略的に示す斜視図である。
【符号の説明】１基板１Ａ振動子（振動片）１ａ、１ｂ基板１の主面２Ａ、２Ｂ金属膜３Ａ、３Ｂ、７パターニング前のフォトレジスト膜４Ａ、７Ａパターニングされたフォトレジスト膜５Ａ、５Ｂパターニングされた金属マスク６第一の開口部１０第二の開口部１２振動片（外形輪郭）１３Ａ、１３Ｂ凹部２０、２０Ａ被処理部材

Claims

凹部が形成されている振動片を製造する方法であって、
基板、この基板上に設けられており、第一の開口部を形成している金属マスク、およびこの金属マスクと前記第一の開口部とを被覆するフォトレジスト膜を備えており、このフォトレジスト膜に第二の開口部が形成されている被処理部材をエッチング処理することによって、前記第二の開口部に対応して前記振動片の輪郭を形成する第一のエッチング工程、
前記フォトレジスト膜を除去する除去工程、および
前記基板をエッチング処理することによって、前記第一の開口部に対応して前記凹部を形成する第二のエッチング工程
を有することを特徴とする、振動片の製造方法。
前記フォトレジスト膜の厚さが１μｍ以上であることを特徴とする、請求項１記載の方法。
前記基板と前記フォトレジスト膜との間、および前記金属マスクと前記フォトレジスト膜との間に、前記第二のエッチング工程においてエッチングされる材質からなる緩衝層を形成する工程を有することを特徴とする、請求項１または２記載の方法。
前記基板の一方の主面および他方の主面上にそれぞれ前記金属マスクおよび前記フォトレジスト膜を形成することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの請求項に記載の方法。
前記基板が圧電性単結晶からなることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載の方法。
請求項１〜５のいずれか一つの請求項に記載の方法によって製造されたことを特徴とする、振動片。
請求項６記載の振動片を備えていることを特徴とする、振動子。