JP2002261557A - 圧電振動片の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 ＡＴカット水晶ウエハ２１の表面に耐蝕
膜２２、２３とフォトレジスト膜２４とを成膜し、フォ
トリソグラフィを用いてフォトレジスト膜をパターニン
グし、水晶振動片１の外形形状に対応する耐蝕膜の領域
を露出させ、エッチングして水晶ウエハ表面を露出さ
せ、この水晶ウエハの露出部分をエッチングして振動片
の外形形状を加工する。更に、残存するフォトレジスト
膜をパターニングして、水晶振動片の振動部１ａの凹陥
形状に対応する耐蝕膜の領域を露出させ、エッチングし
て水晶ウエハ表面を露出させ、或る深さまでハーフエッ
チングして薄肉化し、振動部の凹陥形状を加工する。耐
蝕膜のエッチングでフォトレジスト膜の表面に形成され
た変質層２８は、パターニング前に酸素プラズマを用い
たドライエッチングにより除去する。 【効果】 最初のフォトレジスト膜をそのまま利用する
ので、工程を簡略化し、工数を削減して作業効率を向上
させ、作業コストを低減できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報通信機器やコ
ンピュータ等のＯＡ機器、電子時計等の民生機器を含む
様々な電子機器について使用される圧電振動子の製造方
法に関し、特に厚みすべりモードを主振動としかつ圧電
体チップの主面に凹設した薄肉振動部に励振電極を形成
した所謂逆メサ型圧電振動子の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、特に携帯電話等による情報通信分
野では、情報伝送の大容量化及び高速化に伴う通信周波
数の高周波化、システムの高速化に対応して、従来の数
十ＭＨｚ程度までの周波数よりも高い、９０〜２００Ｍ
Ｈｚ程度の高周波数で動作する圧電振動子が要求されて
いる。ＡＴカットの水晶振動片等を用いた厚みすべりモ
ードを主振動とする圧電振動子は、その周波数が、それ
と反比例の関係にある圧電振動片の板厚により決定され
る。例えばＡＴカット水晶振動片の板厚が１００μｍの
場合に振動子の周波数は１６．７ＭＨｚで、板厚５０μ
ｍの場合には周波数が３３．４ＭＨｚとなる。従って、
圧電振動子の高周波化を図るためには、水晶その他の圧
電材料からなる振動片の、特に振動部の厚さを薄くする
必要がある。

【０００３】ところが、圧電振動片の厚さが薄くなるほ
ど研磨等の機械加工が困難で、その機械的強度が低下
し、加工中又は使用時に衝撃等により破損し易くなるだ
けでなく、振動に対する強度も低下する。そこで最近
は、例えば特開平１１−３５５０９４号公報、特開平１
１−２０５０６２号公報、再公表ＷＯ９８／０３８７３
６号特許公報に記載されるように、厚さの薄い振動部の
周囲に補強枠として厚い外周部を一体に構成し、それに
より機械的強度を向上させて、振動片の欠けや割れ等を
無くしかつ取扱い及び実装を容易にしつつ、高周波数化
を実現できる所謂逆メサ型の圧電振動子が提案されてい
る。

【０００４】図１３Ａ及びＢは、一般的な逆メサ型圧電
振動片の一例を示しており、矩形板状のＡＴカット水晶
振動片１の中央部のみが振動部１ａとして薄く加工さ
れ、その外周部が補強枠１ｂとして厚く加工されてい
る。振動部１ａの表裏両面には、それぞれ励振電極２が
形成され、補強枠１ｂの一端には、各励振電極２からそ
れぞれ引き出された接続電極３が形成されている。

【０００５】逆メサ型の圧電振動片は、中央部の薄肉化
を機械的な研磨加工で行う場合もあるが、多くの場合、
エッチング加工で行われる。ＡＴカット水晶振動片を逆
メサ型構造に製造する方法としては、一般に以下の２つ
の方法が知られている。１つは、水晶ウエハから複数の
所定寸法のチップをダイシング等で切り出した後に、フ
ォトリソグラフィで各チップにエッチングパターンを形
成し、その中央部を所定の厚さまでエッチングする方法
である。別の方法は、水晶ウエハにフォトリソグラフィ
で複数のエッチングパターンを形成し、所定の厚さまで
エッチングした後に、複数のチップに分割する方法であ
る。

【０００６】図１４〜図１６は、この２番目の方法によ
り逆メサ型ＡＴカット水晶振動片を製造する従来方法の
工程を詳細に説明している。先ず、所定寸法の水晶ウエ
ハ１１を用意し（図１４Ａ）、その表裏両面に例えば厚
さ５００ÅのＣｒ膜１２及びその上に厚さ１０００Åの
Ａｕ膜１３を蒸着又はスパッタリングにより成膜して、
水晶のエッチング液であるフッ酸に対する耐蝕膜を形成
する（図１４Ｂ）。この耐蝕膜の表面にフォトレジスト
を塗布しかつ乾燥させて、フォトレジスト膜１４を成膜
する（図１４Ｃ）。次に、所望の圧電振動片１の外形に
対応するエッチングパターンを描画したフォトマスク１
５をフォトレジスト膜１４の上に配置し、紫外線で露光
して該エッチングパターンを転写し（図１４Ｄ）、フォ
トレジスト膜１４の感光部分を現像除去してＡｕ膜１３
を露出させる（図１４Ｅ）。

【０００７】次に、露出させた前記耐蝕膜のＡｕ膜１３
及びＣｒ膜１２をそれぞれ適当なエッチング液で順次エ
ッチングして、水晶ウエハ１１の表面を露出させる（図
１５Ａ）。残存するフォトレジスト膜１４を全部剥離し
た（図１５Ｂ）後、残存する耐蝕膜を含む水晶ウエハ１
１の全面にフォトレジストを再度塗布しかつ乾燥させ
て、新たにフォトレジスト膜１６を成膜する（図１５
Ｃ）。この上に、圧電振動片の外形及び振動部の形状に
対応するエッチングパターンを描画したフォトマスク１
７を配置し、紫外線で露光して該エッチングパターンを
転写し（図１５Ｄ）、フォトレジスト膜１６の感光部分
を現像除去して、圧電振動片１の外形に対応する水晶ウ
エハ１１の表面及び振動部１ａの形状に対応するＡｕ膜
１３の表面を露出させる（図１６Ａ）。

【０００８】このようにして再び表面を露出させた水晶
ウエハ１１の部分を、例えばフッ化水素酸とフッ化アン
モニウムとの混合液からなる水晶用エッチング液でエッ
チングし、圧電振動片の外形形状を加工する（図１６
Ｂ）。次に、露出させた前記耐蝕膜のＡｕ膜１３及びＣ
ｒ膜１２をそれぞれエッチング液で順次エッチングし
て、振動部の形状に対応する水晶ウエハ１１の表面を露
出させる（図１６Ｃ）。これにより露出した水晶ウエハ
１１の表面を上述した水晶用エッチング液で所定の深さ
までハーフエッチングし、振動部１ａの凹陥形状を形成
する（図１６Ｄ）。最後に、残存するフォトレジスト膜
１６及び前記耐蝕膜を剥離して（図１６Ｅ）、圧電振動
片１の振動部１ａ及び補強枠１ｂの形状を有する複数の
チップを水晶ウエハ１１に形成する。各チップは、水晶
ウエハ１１から分離した後に励振電極を形成し、又はウ
エハの状態で励振電極を形成した後に個々に分離して、
圧電振動片を完成させる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の圧電振動片の製造方法では、圧電振動片の外形
形状を形成するために最初にウエハに形成したフォトレ
ジスト膜を、そのパターニング後に一旦剥離し、その
後、圧電振動片の振動部の凹陥形状を形成するために新
たにフォトレジスト膜を形成し、パターニングした後に
剥離する。このように従来方法は、フォトレジスト膜の
成膜・剥離を２度行う必要があるために作業効率が非常
に悪く、そのために生産性を低下させる虞があるという
問題があった。しかも、２度目に形成したフォトレジス
ト膜は、最初のパターニングに用いたフォトマスクとは
異なるフォトマスクを用いて、圧電振動片の外形形状を
再度転写するので、最初に転写されたパターンとのアラ
イメントが難しく、そのずれにより圧電振動片の加工精
度を低下させる虞がある。

【００１０】そこで本発明の目的は、上記課題を解消し
て、圧電振動片を製造する際にその作業効率が高く、生
産性が向上し、しかも高い加工精度を確保し得る圧電振
動片の製造方法を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、圧電材
料からなる基板の表面に耐蝕膜及びその上にフォトレジ
スト膜を成膜し、該フォトレジスト膜に第１のパターニ
ングをして、圧電振動片の外形形状に対応する耐蝕膜の
第１領域を露出させ、この露出させた耐蝕膜の第１領域
をエッチングにより除去して基板の表面を露出させ、残
存するフォトレジスト膜に第２のパターニングをして、
圧電振動片の振動部の凹陥形状に対応する耐蝕膜の第２
領域を露出させ、露出させた前記基板の部分をエッチン
グにより除去して、圧電振動片の外形形状を加工し、露
出させた前記耐蝕膜の第２領域をエッチングにより除去
して基板の表面を露出させ、この露出させた基板の部分
をハーフエッチングして薄肉化し、圧電振動片の振動部
の凹陥形状を加工することを特徴とする圧電振動片の製
造方法が提供される。

【００１２】このように、最初に形成したフォトレジス
ト膜をそのまま剥離することなく使用し、圧電振動片の
外形形状と振動部の凹陥形状とを加工するので、従来の
ように製造工程の途中で新たなフォトレジスト膜を成膜
・剥離する必要が無く、製造工程を簡略化して作業効率
を向上させることができる。従って、生産性の向上及び
作業コストの低減を図ることができる。また、圧電振動
片の外形形状を再度パターニングする必要がないので、
圧電振動片の外形をエッチングする際に高い加工精度が
得られる。

【００１３】フォトレジスト膜は、第１のパターニング
でその露光面を現像除去した後、露出した耐蝕膜の第１
領域を除去するエッチング液の作用により、残存する非
露光部分の表面に、感光性が劣化した変質層が生じる。
或る実施例では、フォトレジスト膜のパターニングを露
光及び現像除去により行い、第２のパターニングにおけ
るフォトレジスト膜の露光量を第１のパターニングにお
けるフォトレジスト膜の露光量より増大させる。これに
より、その表面が変質したフォトレジスト膜でも良好に
露光させかつ現像除去することができる。

【００１４】別の実施例は、フォトレジスト膜のパター
ニングを露光及び現像除去により行い、第２のパターニ
ングにおける露光前に、第１のパターニングで残存した
フォトレジスト膜の表面層を除去する過程を更に含む。
これにより、第１のパターニングにおけるエッチングで
感光性が劣化した表面の変質層をフォトレジスト膜から
除去できるので、これを第２のパターニングにおいて精
度良く露光することができる。

【００１５】更に別の実施例では、フォトレジスト膜の
パターニングを露光及び現像除去により行い、第２のパ
ターニングにおける露光後で現像除去前に、第１のパタ
ーニングで残存したフォトレジスト膜の表面層を除去す
る過程を更に含むことにより、同様に第１のパターニン
グにおけるエッチングで感光性が劣化した表面の変質層
を除去して、フォトレジスト膜を第２のパターニングに
おいて精度良く露光することができる。

【００１６】この場合、第２のパターニングにおける露
光は、耐蝕膜の第１領域のエッチング後で圧電振動片の
外形形状の加工前に行うことができる。圧電振動片外形
をエッチングする前の基板表面は、フォトレジスト膜及
び耐蝕膜による凹凸があるだけで、全体が略平坦なた
め、第２のパターニング時にフォトマスクのアライメン
ト精度が良く、より良好な露光及びパターニングが可能
になる。

【００１７】また、第２のパターニングにおける露光
は、耐蝕膜の第１領域のエッチング前に行うことができ
る。同様に基板の表面全体が略平坦で、第２のパターニ
ング時にフォトマスクのアライメント精度が良いことに
加えて、フォトレジスト膜は、その表面に耐蝕膜のエッ
チングによる変質層が形成されていないので、露光の感
度低下が無く、より良好で高精度な露光及びパターニン
グが可能になる。

【００１８】或る実施例では、酸素プラズマを用いたド
ライエッチングにより、フォトレジスト膜の表面層を除
去することができる。酸素プラズマによるエッチング
は、フォトレジスト膜表面の変質層をアッシングして完
全に除去でき、しかもその制御が比較的容易で、変質層
より下層のフォトレジスト膜への影響が少ないので、好
ましい。

【００１９】また、或る実施例では、圧電振動片の外形
形状を加工するためのエッチングを基板の両面について
行い、かつ圧電振動片の振動部の凹陥形状を加工するた
めのハーフエッチングを基板の両面について行うことが
できる。基板の両面からエッチング加工をすることによ
り、作業効率が高くかつ加工時間を短縮でき、生産性が
向上する。

【００２０】別の実施例では、圧電振動片の外形形状を
加工するためのエッチングを基板の片面について行い、
かつ同じ基板の片面について、圧電振動片の振動部の凹
陥形状を加工するためのハーフエッチングを行うことが
できる。フォトレジスト膜のパターニングを基板の片面
についてのみ行えばよいので、両面でフォトマスクの位
置合わせを行う必要が無い。両面でフォトマスクのアラ
イメントにずれが生じると、圧電振動片の振動部の凹陥
形状が両面で整合しないため、ＣＩ値の劣化やスプリア
ス発生の虞があるが、このような不都合を生じる虞が無
くなるので、好ましい。

【００２１】また、或る実施例では、圧電振動片の外形
形状を加工するためのエッチングを、基板の表面をハー
フエッチングする第１過程とその残存部分を完全にエッ
チングする第２過程とに分けて行い、第２過程のエッチ
ングを、圧電振動片の振動部の凹陥形状を加工するため
のハーフエッチングと同時に行うことができる。これに
より、圧電振動片の外形形状の加工と振動部の凹陥形状
の加工とを同時に進行させかつ略同時に終了させること
ができ、基板のエッチング処理時間を短縮させることが
できる。基板のエッチング処理時間が長いと、圧電振動
片の外形エッジ部分がオーバーエッチングで欠ける虞が
あり、そのために外周部の補強枠の幅を大きくとること
が望ましい。これに対して本発明によれば、基板のエッ
チング処理時間の短縮により、圧電振動片の外形エッジ
部分のオーバーエッチングによる欠けを防止できるか
ら、外周部の補強枠を縮小して中央の振動部を拡大する
ことができ、スプリアスが抑制される。

【００２２】別の実施例では、圧電振動片の外形形状を
加工するためのエッチングを、基板の表面をハーフエッ
チングする第１過程とその残存部分を完全にエッチング
する第２過程とに分けて行い、第１過程のエッチングを
基板の片面について行い、圧電振動片の振動部の凹陥形
状を加工するためのハーフエッチングと同時に基板の反
対側の片面全面をエッチングすることにより、第２過程
のエッチングを行うことができる。これにより、圧電振
動片の外形形状の加工と振動部の凹陥形状の加工とを同
時に進行かつ略同時に終了させることに加えて、基板の
両面からエッチング加工を行うので、基板のエッチング
処理時間を更に短縮させることができる。しかも、圧電
振動片は、中央の振動部が両面共エッチング面となるの
で、振動特性が良好になる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の方法を適用して、
図１１Ａ及びＢに示す逆メサ型ＡＴカット水晶振動片を
製造する工程を、添付図面に基づいて詳細に説明する。
尚、各図において、同じ構成要素には同じ参照番号を付
すことにする。

【００２４】図１〜図３は、本発明による圧電振動片の
製造方法の第１の実施形態を工程順に示している。先
ず、従来の工程と同様に、所定寸法の水晶ウエハ２１を
用意し（図１Ａ）、その表裏両面に例えば厚さ５００Å
のＣｒ膜２２及びその上に厚さ１０００ÅのＡｕ膜２３
を蒸着又はスパッタリングにより成膜して、水晶のエッ
チング液であるフッ酸に対する耐蝕膜を形成する（図１
Ｂ）。この耐蝕膜の表面にフォトレジストを塗布しかつ
乾燥させて、フォトレジスト膜２４を成膜する（図１
Ｃ）。次に、所望の圧電振動片１の外形に対応するエッ
チングパターンを描画したフォトマスク２５を、ウエハ
両面のフォトレジスト膜２４の上にそれぞれ配置し、紫
外線で露光して該エッチングパターンを転写する（図１
Ｄ）。フォトレジスト膜２４の感光部分は、現像液で現
像して除去し、圧電振動片１の外形に対応する領域のＡ
ｕ膜２３を露出させる（図１Ｅ）。

【００２５】次に、露出させた前記耐蝕膜のＡｕ膜２３
及びその下側のＣｒ膜２２をそれぞれ適当なエッチング
液で順次エッチングして、水晶ウエハ２１の表面を露出
させる（図２Ａ）。本実施例によれば、この上に、圧電
振動片の振動部１ａの形状に対応するエッチングパター
ンを描画したフォトマスク２６を配置し、残存するフォ
トレジスト膜２４を紫外線で露光して該エッチングパタ
ーンを転写する（図２Ｂ）。このフォトレジスト膜２４
の感光部分を現像液で現像して除去し、残存する前記耐
蝕膜の、振動部１ａの形状に対応する領域のＡｕ膜２３
表面を露出させる（図２Ｃ）。

【００２６】次に、露出している水晶ウエハ２１の部分
を両面から、例えばフッ化水素酸とフッ化アンモニウム
との混合液からなる水晶用エッチング液でエッチング
し、圧電振動片１の外形形状を形成する（図３Ａ）。露
出している前記耐蝕膜のＡｕ膜２３及びその下側のＣｒ
膜２２をそれぞれ適当なエッチング液で順次エッチング
し、水晶ウエハ２１の表面を露出させる（図３Ｂ）。こ
の水晶ウエハ２１の露出面を両面から、それぞれ上述し
た水晶用エッチング液で所望の深さまでハーフエッチン
グし、振動部１ａの凹陥形状を形成する（図３Ｃ）。最
後に、残存するフォトレジスト膜２４と前記耐蝕膜とを
完全に剥離する（図３Ｄ）と、振動部１ａと補強枠１ｂ
とからなる逆メサ構造を有する複数のチップ２７が水晶
ウエハ２１に形成される。これらチップ２７を水晶ウエ
ハ２１から分離し、励振電極２及び接続電極３を形成す
ると、所望のＡＴカット水晶電振動片１が完成する。

【００２７】このように本発明によれば、圧電振動片１
の外形形状に対応する水晶ウエハ２１の領域を露出させ
る第１のパターニング後に、残存している未露光のフォ
トレジスト膜２４を再度用いて、圧電振動片１の振動部
１ａの凹陥形状をパターニングすることができる。従っ
て、図１３に関連して上述した従来方法における、２度
目のフォトレジスト膜を成膜・剥離する工程を省略する
ことができ、工程を簡略化して工数を少なくし、作業効
率の向上及び作業コストの低減を図ることができる。

【００２８】しかし、前記第１のパターニング後のフォ
トレジスト膜２４は、前記耐蝕膜を除去する過程でＡｕ
用のエッチング液やＣｒ用のエッチング液に晒されてい
るため、その表面層部分が変質し、未露光であるにも拘
わらず、露光感度が低下している。そこで、或る実施例
では、振動部１ａの凹陥形状に対応する前記耐蝕膜を露
出させるための第２のパターニングにおいて、フォトレ
ジスト膜２４を紫外線で再度露光する図２Ｂの過程で、
露光時間を通常より長くしたり露光パワーを通常より大
きくし、露光量を通常より増大させてパターニングする
ことにより、フォトレジスト膜２４の感度低下を補うこ
とができる。他方、前記耐蝕膜の除去を、上述したウェ
ットエッチング以外の方法で行うことにより、このよう
な表面変質層がフォトレジスト膜に形成されない場合に
は、露光感度の低下が無いので、通常の露光量で良好に
パターニングできる。

【００２９】別の実施例では、感度が低下しているフォ
トレジスト膜２４の表面変質層を現像液等のアルカリ液
で除去し、それより下側の通常の感度を有するフォトレ
ジスト膜２４の部分露出させる。これによって、新たな
フォトレジストを成膜したときと同様の感度を回復させ
ることができ、前記第２のパターニングにおいて、通常
の露光量でフォトレジスト膜２４を良好にパターニング
することができる。

【００３０】更に別の実施例では、酸素プラズマを用い
たドライエッチングにより、フォトレジスト膜２４の表
面変質層を除去することができる。酸素プラズマによる
エッチングは、従来公知の方法及び装置を用いて行う。
例えば、水晶ウエハ２１を反応室内に配置し、真空又は
減圧環境下で放電により酸素プラズマを作り、フォトレ
ジスト膜２４の表面に作用させて、有機物からなるフォ
トレジスト膜表面の変質層２８をアッシングすることに
より行う。前記変質層を完全に除去できるだけでなく、
その制御が比較的容易で、変質層より下層のフォトレジ
スト膜への影響を少なくできるため、前記第２のパター
ニングにおいて、同様に通常の露光量でフォトレジスト
膜２４を良好にパターニングすることができる。また最
近は、大気圧又はその近傍圧力下での放電によるプラズ
マを用いたドライエッチング法が知られており、これを
用いて同様にォトレジスト膜２４の表面変質層を除去す
ることができる。

【００３１】図４は、この酸素プラズマによりフォトレ
ジスト膜２４の表面変質層を除去する過程を含む上記第
１の実施形態の変形例を示している。図４Ａは、第１の
実施形態における図２Ａに対応しており、前記第１のパ
ターニングにより圧電振動片１の外形形状に対応する水
晶ウエハ２１の領域が露出し、残存するフォトレジスト
膜２４の表面には、Ａｕ膜２３及びＣｒ膜２２のエッチ
ング液による変質層２８が形成されている。露出してい
る水晶ウエハ２１の部分を両面から、例えばフッ化水素
酸とフッ化アンモニウムとの混合液からなる前記水晶用
エッチング液でエッチングし、圧電振動片１の外形形状
を形成する（図４Ｂ）。

【００３２】この水晶ウエハ２１を上述したように反応
室内に配置し、真空又は減圧雰囲気下で放電により作ら
れた酸素プラズマを作用させて、フォトレジスト膜２４
表面の変質層２８をアッシングする（図４Ｃ）。この上
に、圧電振動片の振動部１ａの形状に対応するエッチン
グパターンを描画したフォトマスク２９を配置し、紫外
線で露光して該エッチングパターンを転写する（図４
Ｄ）。次に、このフォトレジスト膜２４の感光部分を現
像液で現像して除去し、第１の実施形態における図３Ａ
と同様に、残存する前記耐蝕膜の、振動部１ａの形状に
対応する領域のＡｕ膜２３表面を露出させる。この後
は、第１の実施形態における図３Ｂ以下と同じ工程を行
う。

【００３３】図５は、酸素プラズマによりフォトレジス
ト膜２４の表面変質層を除去する過程を含む上記第１の
実施形態の別の変形例を示している。図５Ａは、同様に
図２Ａに対応しており、前記第１のパターニングにより
圧電振動片１の外形形状に対応する水晶ウエハ２１の領
域が露出し、残存するフォトレジスト膜２４の表面に
は、Ａｕ膜２３及びＣｒ膜２２のエッチング液による変
質層２８が形成されている。この上に、圧電振動片の振
動部１ａの形状に対応するエッチングパターンを描画し
たフォトマスク２９を配置し、紫外線で露光して該エッ
チングパターンを転写する（図５Ｂ）。

【００３４】次に、露出している水晶ウエハ２１の部分
を両面から、例えばフッ化水素酸とフッ化アンモニウム
との混合液からなる前記水晶用エッチング液でエッチン
グし、圧電振動片１の外形形状を形成する（図５Ｃ）。
この水晶ウエハ２１を上述したように反応室内に配置
し、真空又は減圧雰囲気下で放電により作られた酸素プ
ラズマを作用させて、フォトレジスト膜２４表面の変質
層２８をアッシングする（図５Ｄ）。次に、このフォト
レジスト膜２４の感光部分を現像液で現像して除去し、
第１の実施形態における図３Ａと同様に、残存する前記
耐蝕膜の、振動部１ａの形状に対応する領域のＡｕ膜２
３表面を露出させる。この後は、第１の実施形態におけ
る図３Ｂ以下と同じ工程を行う。

【００３５】図６は、酸素プラズマによりフォトレジス
ト膜２４の表面変質層を除去する過程を含む上記第１の
実施形態の更に別の変形例を示している。図６Ａは、圧
電振動片１の外形形状に対応してフォトレジスト膜２４
をパターニングした第１の実施形態における図１Ｅの後
の工程を示しており、前記耐蝕膜を露出させた水晶ウエ
ハ２１の上に、圧電振動片の振動部１ａの形状に対応す
るエッチングパターンを描画したフォトマスク２９を配
置し、紫外線で露光して該エッチングパターンを転写す
る。次に、露出している前記耐蝕膜のＡｕ膜２３及びそ
の下側のＣｒ膜２２をそれぞれ適当なエッチング液で順
次エッチングして、水晶ウエハ２１の表面を露出させる
（図６Ｂ）。このとき、残存するフォトレジスト膜２４
の表面には、Ａｕ膜２３及びＣｒ膜２２のエッチング液
による変質層２８が形成される。

【００３６】次に、この露出した水晶ウエハ２１の部分
を両面から、例えばフッ化水素酸とフッ化アンモニウム
との混合液からなる前記水晶用エッチング液でエッチン
グし、圧電振動片１の外形形状を形成する（図６Ｃ）。
この水晶ウエハ２１を上述したように反応室内に配置
し、真空又は減圧雰囲気下で放電により作られた酸素プ
ラズマを作用させて、フォトレジスト膜２４表面の変質
層２８をアッシングする（図６Ｄ）。次に、このフォト
レジスト膜２４の感光部分を現像液で現像して除去し、
第１の実施形態における図３Ａと同様に、残存する前記
耐蝕膜の、振動部１ａの形状に対応する領域のＡｕ膜２
３表面を露出させる。この後は、第１の実施形態におけ
る図３Ｂ以下と同じ工程を行う。

【００３７】次に、図７を用いて、本発明による圧電振
動片の製造方法の第２の実施形態を説明する。この実施
形態の工程中、図１Ａ〜Ｅ及び図２Ａ〜Ｃに対応する部
分は第１の実施形態と同一であるので、それらに関する
図面及び説明は省略する。

【００３８】第１の実施形態と同様にして、圧電振動片
の振動部１ａの形状に対応するエッチングパターンをフ
ォトレジスト膜２４に転写した後、その感光部分を現像
液で現像除去し、残存する前記耐蝕膜の、該振動部の形
状に対応する領域のＡｕ膜１３表面を露出させる（図７
Ａ）。次に、露出している水晶ウエハ２１の部分を両面
から、上述した水晶用エッチング液で圧電振動片の外形
形状を或る深さまでハーフエッチングする第１過程のエ
ッチングを行う（図７Ｂ）。更に、図７Ａの工程で露出
した前記耐蝕膜のＡｕ膜２３及びその下側のＣｒ膜２２
をそれぞれ適当なエッチング液で順次エッチングし、水
晶ウエハ２１の表面を露出させる（図７Ｃ）。

【００３９】この状態で、水晶ウエハ２１の露出面を両
面から上述した水晶用エッチング液で更にエッチング
し、前記ハーフエッチングで残存する水晶ウエハ２１の
部分を完全にエッチングする第２過程のエッチングを行
い、圧電振動片１の外形形状を形成すると同時に、図７
Ｃの工程で新たに露出させた水晶ウエハ２１の部分を所
望の深さまでハーフエッチングし、振動部１ａの凹陥形
状を形成する（図７Ｄ）。そして、残存するフォトレジ
スト膜２４と前記耐蝕膜とを完全に剥離する（図７Ｅ）
と、振動部１ａと補強枠１ｂとからなる逆メサ構造を有
する複数のチップ２７が水晶ウエハ２１に形成される。
最後に、これらチップ２７を水晶ウエハ２１から分離
し、励振電極２及び接続電極３を形成すると、所望のＡ
Ｔカット水晶電振動片１が完成する。

【００４０】この方法によれば、第１の実施形態の作用
効果に加えて、圧電振動片１の外形形状の加工と振動部
１ａの凹陥形状の加工とを同時に進行させて略同時に終
了させることができるので、従来に比して水晶ウエハ２
１のエッチング処理時間を短縮させることができる。例
えば、従来は圧電振動片１の外形形状を形成するための
エッチング処理時間が約２時間、振動部１ａの凹陥形状
を形成するためのエッチング処理時間が約１時間で、全
体で合計約３時間のエッチング処理時間を要していた。
これに対し、この実施形態では、先に行う圧電振動片１
の外形形状をハーフエッチングする第１過程のエッチン
グに要する処理時間が約１時間、後から同時に行う圧電
振動片１の外形形状を完成するための第２過程のエッチ
ング処理と振動部１ａの凹陥形状を形成するためのエッ
チング処理とに要する時間が約１時間であり、水晶ウエ
ハ２１のエッチング処理時間が全体で合計約２時間で済
むようになる。

【００４１】更に、水晶ウエハ２１のエッチング処理時
間が長いと、圧電振動片１の外形エッジ部分がオーバー
エッチングで欠ける虞があり、そのために外周部の補強
枠１ｂの幅を大きくとることが望ましい。この実施形態
によれば、水晶ウエハのエッチング処理時間が短縮され
るので、かかる圧電振動片補強枠１ｂの外形エッジ部分
のオーバーエッチングによる欠けを防止することができ
る。従って、補強枠１ｂの幅を従来より縮小し、同じ圧
電振動片１の外形寸法で振動部１ａの寸法を拡大するこ
とができ、その結果スプリアスを抑制することができ
る。

【００４２】上述した各実施形態の圧電振動片の製造方
法では、水晶ウエハ２１のエッチング処理を両面から行
ったが、水晶ウエハ２１のエッチング処理を片面から行
って振動部の凹陥形状を形成することができる。図８〜
図１０は、このような水晶ウエハの片面をエッチング処
理する本発明の第３の実施形態による圧電振動片の製造
方法を工程順に示している。

【００４３】先ず、第１の実施形態について上述したよ
うに、所定寸法の水晶ウエハ２１を用意し（図８Ａ）、
その表裏両面に例えば厚さ５００ÅのＣｒ膜２２及びそ
の上に厚さ１０００ÅのＡｕ膜２３を蒸着又はスパッタ
リングにより成膜して、水晶のエッチング液であるフッ
酸に対する耐蝕膜を形成する（図８Ｂ）。この耐蝕膜の
表面にフォトレジストを塗布しかつ乾燥させて、フォト
レジスト膜２４を成膜する（図８Ｃ）。次に、所望の圧
電振動片１の外形に対応するエッチングパターンを描画
したフォトマスク２５を、水晶ウエハ２１の片面のフォ
トレジスト膜２４の上に配置し、紫外線で露光して該エ
ッチングパターンを転写する（図８Ｄ）。フォトレジス
ト膜２４の感光部分は、現像液で現像して除去し、水晶
ウエハ２１の前記片面に圧電振動片１の外形に対応する
領域のＡｕ膜２３を露出させる（図８Ｅ）。

【００４４】次に、露出させた前記耐蝕膜のＡｕ膜２３
及びその下側のＣｒ膜２２をそれぞれ適当なエッチング
液で順次エッチングして、水晶ウエハ２１の前記片面に
その水晶表面を露出させる（図９Ａ）。水晶ウエハ２１
の同じ片面の上に、圧電振動片１の振動部の形状に対応
するエッチングパターンを描画したフォトマスク２６を
配置し、残存するフォトレジスト膜２４を紫外線で露光
して該エッチングパターンを転写する（図９Ｂ）。この
フォトレジスト膜２４の感光部分を現像液で現像除去
し、残存する前記耐蝕膜の、振動部の形状に対応する領
域のＡｕ膜２３表面を水晶ウエハ２１の前記片面に露出
させる（図９Ｃ）。フォトレジスト膜２４の表面には、
露光感度が低下した前記変質層が形成されているので、
上述したように通常より長い露光時間又は通常より大き
い露光パワーで紫外線の露光量を通常より増大させて露
光処理し、又は現像液等のアルカリ液で若しくは酸素プ
ラズマで前記変質層を予め除去した後に露光処理し、又
は酸素プラズマで前記変質層を現像処理前に除去するこ
とが望ましい。

【００４５】次に、露出している前記片面の水晶ウエハ
２１の部分を前記水晶用エッチング液でエッチングし、
圧電振動片１の外形形状を形成する（図１０Ａ）。露出
している前記片面のＡｕ膜２３及びその下側のＣｒ膜２
２をそれぞれ適当なエッチング液で順次エッチングし、
水晶ウエハ２１の表面を露出させる（図１０Ｂ）。この
水晶ウエハ２１の露出面を上述した水晶用エッチング液
で所望の深さまでハーフエッチングし、水晶ウエハ２１
の前記片面に振動部の凹陥形状を形成する（図１０
Ｃ）。最後に、残存するフォトレジスト膜２４と前記耐
蝕膜とを水晶ウエハ２１の両面から完全に剥離する（図
１０Ｄ）と、片面に振動部１ａ´と補強枠１ｂ´とを有
する逆メサ構造の複数のチップ２９が水晶ウエハ２１に
形成される。これらチップ２９を水晶ウエハ２１から分
離し、励振電極２及び接続電極３を形成すると、所望の
ＡＴカット水晶電振動片が完成する。

【００４６】第３の実施形態の方法によれば、第１の実
施形態と同様に、最初に成膜したフォトレジスト膜２４
をそのまま剥離することなく、圧電振動片の外形形状の
形成と振動部１ａ´の凹陥形状の形成とに用いているの
で、工程を簡略化して工数を少なくし、作業効率の向上
及び作業コストの低減を図ることができる。更に、水晶
ウエハ２１のエッチングをその片面についてのみ行うの
で、第１の実施形態の場合のように、水晶ウエハの両面
でフォトマスクの位置合わせを行なう必要が無く、その
ズレによって生じる虞があるＣＩ値の劣化やスプリアス
の発生等を防止することができる。

【００４７】また、図示していないが、本発明は、この
第３の実施形態に、図５に示す第２の実施形態を組み合
わせて実施することができる。即ち、圧電振動片１の外
形形状を形成するための図１０Ａのエッチング処理を、
或る深さまでハーフエッチングして一旦止める第１過程
と、残存部分を完全に除去する第２過程との２段階に分
けて行い、この第２過程のエッチング処理を、振動部の
凹陥形状を形成するためのエッチング処理と同時進行さ
せ、略同時に終了させることができる。この方法によれ
ば、第２の実施形態の作用効果に加えて、水晶ウエハ２
１のエッチング処理時間を従来より短縮できると共に、
圧電振動片の特に補強枠１ｂ´の外形エッジ部のオーバ
ーエッチングによる欠けを防止することができる。従っ
て、同じ圧電振動片１の外形寸法で補強枠１ｂ´の寸法
を縮小し、振動部１ａ´の寸法を拡大することができ、
スプリアスを抑制することができる。

【００４８】次に、図１１〜図１２を用いて、本発明に
よる圧電振動片の製造方法の第４の実施形態を説明す
る。この実施形態の工程中、図８Ａ〜Ｅに対応する部分
は第３の実施形態と同一であるので、それらに関する図
面及び説明は省略する。

【００４９】図１１Ａは、水晶ウエハ２１の片面におい
て、圧電振動片１の外形形状を形成するためのパターニ
ングにより露出させた前記耐蝕膜のＡｕ膜２３及びその
下側のＣｒ膜２２をそれぞれ適当なエッチング液で順次
エッチングし、水晶ウエハ２１の前記片面にその水晶表
面を露出させた状態を示している。水晶ウエハ２１の同
じ片面の上に、圧電振動片１の振動部の形状に対応する
エッチングパターンを描画したフォトマスク２６を配置
し、残存するフォトレジスト膜２４を紫外線で露光して
該エッチングパターンを転写する（図１１Ｂ）。この実
施形態では、更に水晶ウエハ２１の反対側の面について
も、フォトレジスト膜４４全面に紫外線を露光する。フ
ォトレジスト膜２４の表面には、露光感度が低下した前
記変質層が形成されているので、第３の実施形態と同様
に、通常より長い露光時間又は通常より大きい露光パワ
ーで紫外線の露光量を通常より増大させ、又は現像液等
のアルカリ液で前記変質層を予め除去した後に露光処理
することが望ましい。

【００５０】これら両面のフォトレジスト膜２４の感光
部分を現像液で現像除去する。これにより、前記片面に
ついては、残存する前記耐蝕膜の、振動部の形状に対応
する領域のＡｕ膜２３表面を水晶ウエハ２１の前記片面
に露出させ、かつ前記反対側の面については、耐蝕膜全
面を露出させる（図１１Ｃ）。

【００５１】次に、露出している前記片面の水晶ウエハ
２１の部分を前記水晶用エッチング液で、圧電振動片１
の外形形状に或る深さまでハーフエッチングする第１過
程のエッチングを行う（図１２Ａ）。更に、図１１Ｃの
工程で露出した前記片面の耐蝕膜及び前記反対側の面の
耐蝕膜を構成するＡｕ膜２３及びその下側のＣｒ膜２２
を、それぞれ適当なエッチング液で順次エッチングし、
前記片面については振動部１ａの凹陥形状に対応する水
晶ウエハ２１の表面を、前記反対側の面ついては水晶ウ
エハ２１の全面を露出させる（図１２Ｂ）。

【００５２】この状態で、水晶ウエハ２１の露出面を両
面から上述した水晶用エッチング液で更にエッチング
し、前記ハーフエッチングで残存する水晶ウエハ２１の
部分を完全にエッチングする第２過程のエッチングを行
い、圧電振動片１の外形形状を形成すると同時に、直前
の工程で新たに露出させた水晶ウエハ２１の部分を所望
の深さまでハーフエッチングし、振動部の凹陥形状を形
成する（図１２Ｃ）。最後に、残存するフォトレジスト
膜２４と前記耐蝕膜とを水晶ウエハ２１から完全に剥離
する（図１２Ｄ）と、片面に振動部１ａ´と補強枠１ｂ
´とを有する逆メサ構造の複数のチップ２９が水晶ウエ
ハ２１に形成される。これらチップ２９を水晶ウエハ２
１から分離し、励振電極２及び接続電極３を形成する
と、所望のＡＴカット水晶電振動片が完成する。

【００５３】この第４の実施形態によれば、第３の実施
形態の効果に加えて、水晶ウエハ２１のエッチング処理
時間を更に短縮できると共に、圧電振動片１の特に補強
枠１ｂ´の外形エッジ部分のオーバーエッチングによる
欠けを防止することができる。従って、同じ圧電振動片
１の外形寸法で補強枠１ｂ´の寸法を縮小し、振動部１
ａ´の寸法を拡大することができ、スプリアスを抑制す
ることができる。更に、振動部１ａ´の両面がエッチン
グ処理面で形成されるので、水晶電振動片の振動特性が
良好になるという利点がある。

【００５４】以上、本発明の好適実施例について詳細に
説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技
術的範囲内において上記各実施例に様々な変更・変形を
加えて実施することができる。例えば、上記実施例で
は、ウェットエッチングにより耐蝕膜を除去したが、公
知のドライエッチングを用いることもできる。また、図
４〜図６に関連して説明した第１の実施形態の各変形例
は、第２〜第４の実施形態にも適用することができる。

【００５５】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、最初に
形成した同じフォトレジスト膜をそのまま剥離すること
なく用いて、圧電材料の基板に圧電振動片の外形形状と
振動部の凹陥形状とを加工するので、従来のように別個
にフォトレジスト膜を成膜・パターニング・剥離する必
要が無く、製造工程を簡略化して作業効率を向上させる
と共に、生産性の向上及び作業コストの低減を実現する
ことができる。しかも、圧電振動片の外形形状を２度パ
ターニングしないので、圧電振動片の外形をエッチング
する加工精度が高くなる。

【００５６】フォトレジスト膜は、第１のパターニング
でその露光面を現像除去した後、露出した耐蝕膜の第１
領域を除去するエッチング液の作用により、感光性が劣
化した変質層が残存する未露光部分の表面に生じるが、
特に酸素プラズマを用いたドライエッチングにより、フ
ォトレジスト膜表面の変質層を完全に除去でき、しかも
変質層より下層のフォトレジスト膜への影響が少ないの
で、振動部の凹陥形状の加工をより良好に行うことがで
きる。

【００５７】また、基板の片面のみをパターニングする
ことにより、両面のフォトマスクの位置合わせを行なう
必要が無くなり、両面でのフォトマスクのずれによって
振動部の凹陥形状が両面で整合しないために生じるＣＩ
値の劣化やスプリアス発生等の虞を防止することがで
き、高性能かつ高品質の圧電振動片が得られる。更に、
振動部の両面をエッチングで加工すると、振動特性がよ
り良好な圧電振動片が得られる。

【００５８】更に、圧電振動片の外形形状を加工するた
めのエッチングを、ハーフエッチングで止める第１過程
と、残存部分を完全に除去する第２過程との２段階に分
け、第２過程のエッチングを、振動部の凹陥形状を形成
するためのエッチングと同時進行させることにより、従
来に比して基板のエッチング処理時間を短縮でき、それ
によって圧電振動片の外形エッジ部分のオーバーエッチ
ングによる欠けを防止できるから、外周の補強枠を従来
より縮小して中央の振動部を拡大でき、スプリアスを抑
制できるので、振動特性が向上してより高性能かつ高品
質の圧電振動片が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態による方法を適用した
逆メサ型ＡＴ水晶振動片の製造過程の最初の部分をＡ〜
Ｅ図の工程順に示す説明図。

【図２】図１の工程に連続する製造過程の中間部分をＡ
〜Ｃ図の工程順に示す説明図。

【図３】図２の工程に連続する製造過程の最後の部分を
Ａ〜Ｄ図の工程順に示す説明図。

【図４】酸素プラズマのドライエッチングによりフォト
レジスト膜表面の変質層を除去する工程を含む第１の実
施形態の変形例による製造過程の、図２に対応する中間
部分をＡ〜Ｄ図の工程順に示す説明図。

【図５】図４の別の変形例による製造過程の、同じく図
２に対応する中間部分をＡ〜Ｄ図の工程順に示す説明
図。

【図６】図４の更に別の変形例による製造過程の、同じ
く図２に対応する中間部分をＡ〜Ｄ図の工程順に示す説
明図。

【図７】本発明の第２の実施形態による方法を適用した
逆メサ型ＡＴ水晶振動片の製造過程の、図３に対応する
最後の部分をＡ〜Ｅ図の工程順に示す説明図。

【図８】本発明の第３の実施形態による方法を適用した
逆メサ型ＡＴ水晶振動片の製造過程の最初の部分をＡ〜
Ｅ図の工程順に示す説明図。

【図９】図８の工程に連続する製造過程の中間部分をＡ
〜Ｃ図の工程順に示す説明図。

【図１０】図９の工程に連続する製造過程の最後の部分
をＡ〜Ｄ図の工程順に示す説明図。

【図１１】本発明の第４の実施形態による方法を適用し
た逆メサ型ＡＴ水晶振動片の製造過程の、図９に対応す
る中間部分をＡ〜Ｃ図の工程順に示す説明図。

【図１２】図１１の工程に連続する製造過程の最後の部
分をＡ〜Ｄ図の工程順に示す説明図。

【図１３】Ａ図は従来の一般的な逆メサ型圧電振動片の
一例を示す斜視図、Ｂ図はＡ図のＡ−Ａ線における断面
図。

【図１４】従来の方法による逆メサ型ＡＴ水晶振動片の
製造過程の最初の部分をＡ〜Ｅ図の工程順に示す説明
図。

【図１５】図１４の工程に連続する製造過程の中間部分
をＡ〜Ｄ図の工程順に示す説明図。

【図１６】図１５の工程に連続する製造過程の最後の部
分をＡ〜Ｅ図の工程順に示す説明図。

【符号の説明】

１ 圧電振動片 １ａ、１ａ´ 振動部 １ｂ、１ｂ´ 補強枠 ２ 励振電極 ３ 接続電極 １１、２１ 水晶ウエハ １２、２２ Ｃｒ膜 １３、２３ Ａｕ膜 １４、１６、２４ フォトレジスト膜 １５、１７、２５、２６ フォトマスク ２７、２９ チップ ２８ 変質層

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１４年１月１６日（２００２．１．１
６）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３２】この水晶ウエハ２１を上述したように反応
室内に配置し、真空又は減圧雰囲気下で放電により作ら
れた酸素プラズマを作用させて、フォトレジスト膜２４
表面の変質層２８をアッシングする（図４Ｃ）。この上
に、圧電振動片の振動部１ａの形状に対応するエッチン
グパターンを描画したフォトマスク２６を配置し、紫外
線で露光して該エッチングパターンを転写する（図４
Ｄ）。次に、このフォトレジスト膜２４の感光部分を現
像液で現像して除去し、第１の実施形態における図３Ａ
と同様に、残存する前記耐蝕膜の、振動部１ａの形状に
対応する領域のＡｕ膜２３表面を露出させる。この後
は、第１の実施形態における図３Ｂ以下と同じ工程を行
う。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３８】第１の実施形態と同様にして、圧電振動片
の振動部１ａの形状に対応するエッチングパターンをフ
ォトレジスト膜２４に転写した後、その感光部分を現像
液で現像除去し、残存する前記耐蝕膜の、該振動部の形
状に対応する領域のＡｕ膜２３表面を露出させる（図７
Ａ）。次に、露出している水晶ウエハ２１の部分を両面
から、上述した水晶用エッチング液で圧電振動片の外形
形状を或る深さまでハーフエッチングする第１過程のエ
ッチングを行う（図７Ｂ）。更に、図７Ａの工程で露出
した前記耐蝕膜のＡｕ膜２３及びその下側のＣｒ膜２２
をそれぞれ適当なエッチング液で順次エッチングし、水
晶ウエハ２１の表面を露出させる（図７Ｃ）。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 圧電材料からなる基板の表面に耐蝕膜及
   びその上にフォトレジスト膜を成膜し、 前記フォトレジスト膜に第１のパターニングをして、圧
   電振動片の外形形状に対応する前記耐蝕膜の第１領域を
   露出させ、 露出させた前記耐蝕膜の第１領域をエッチングにより除
   去して前記基板の表面を露出させ、 残存する前記フォトレジスト膜に第２のパターニングを
   して、前記圧電振動片の振動部の凹陥形状に対応する前
   記耐蝕膜の第２領域を露出させ、 露出させた前記基板の部分をエッチングにより除去し
   て、前記圧電振動片の外形形状を加工し、 露出させた前記耐蝕膜の第２領域をエッチングにより除
   去して前記基板の表面を露出させ、 露出させた前記基板の部分をハーフエッチングして薄肉
   化し、前記圧電振動片の振動部の凹陥形状を加工するこ
   とを特徴とする圧電振動片の製造方法。
2. 【請求項２】 前記フォトレジスト膜のパターニングを
   露光及び現像除去により行い、前記第２のパターニング
   におけるフォトレジスト膜の露光量を前記第１のパター
   ニングにおけるフォトレジスト膜の露光量より増大させ
   たことを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片の製造
   方法。
3. 【請求項３】 前記フォトレジスト膜のパターニングを
   露光及び現像除去により行い、前記第２のパターニング
   における露光前に、前記第１のパターニングで残存した
   前記フォトレジスト膜の表面層を除去する過程を更に含
   むことを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片の製造
   方法。
4. 【請求項４】 前記フォトレジスト膜のパターニングを
   露光及び現像除去により行い、前記第２のパターニング
   における露光後で現像除去前に、前記第１のパターニン
   グで残存した前記フォトレジスト膜の表面層を除去する
   過程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の圧電
   振動片の製造方法。
5. 【請求項５】 前記耐蝕膜の第１領域のエッチング後で
   前記圧電振動片の外形形状加工前に前記第２のパターニ
   ングにおける露光を行うことを特徴とする請求項４に記
   載の圧電振動片の製造方法。
6. 【請求項６】 前記耐蝕膜の第１領域のエッチング前に
   前記第２のパターニングにおける露光を行うことを特徴
   とする請求項４に記載の圧電振動片の製造方法。
7. 【請求項７】 酸素プラズマを用いたドライエッチング
   により前記フォトレジスト膜の表面層を除去することを
   特徴とする請求項３乃至６のいずれかに記載の圧電振動
   片の製造方法。
8. 【請求項８】 前記圧電振動片の外形形状を加工するた
   めの前記エッチングを、前記基板の表面をハーフエッチ
   ングする第１過程と残存部分を完全にエッチングする第
   ２過程とに分けて行い、前記第２過程のエッチングを、
   前記圧電振動片の振動部の凹陥形状を加工するための前
   記ハーフエッチングと同時に行うことを特徴とする請求
   項１乃至７のいずれかに記載の圧電振動片の製造方法。
9. 【請求項９】 前記圧電振動片の外形形状を加工するた
   めの前記エッチングを前記基板の両面について行い、か
   つ前記圧電振動片の振動部の凹陥形状を加工するための
   前記ハーフエッチングを前記基板の両面について行うこ
   とを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の圧電
   振動片の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記圧電振動片の外形形状を加工する
    ための前記エッチングを前記基板の片面について行い、
    かつ前記圧電振動片の振動部の凹陥形状を加工するため
    の前記ハーフエッチングを前記基板の片面について行う
    ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の圧
    電振動片の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記圧電振動片の外形形状を加工する
    ための前記エッチングを、前記基板の表面をハーフエッ
    チングする第１過程と残存部分を完全にエッチングする
    第２過程とに分けて行い、前記第１過程のエッチングを
    前記基板の片面について行い、前記圧電振動片の振動部
    の凹陥形状を加工するための前記ハーフエッチングと同
    時に前記基板の反対側の片面全面をエッチングすること
    により、前記第２過程のエッチングを行うことを特徴と
    する請求項１乃至７のいずれかに記載の圧電振動片の製
    造方法。