JP2023062806A - 振動素子の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】外形と溝とを一括形成することができる振動素子の製造方法を提供すること。【解決手段】振動素子１の製造方法は、水晶基板２０の第１基板面２０Ａのうち第１および第２振動腕形成領域Ｑ２，Ｑ３に第１下地膜５１を形成する下地膜形成工程Ｓ２と、第１下地膜５１のうち土手部形成領域Ｑｄ１に第１保護膜５３を形成する保護膜形成工程Ｓ３と、第１下地膜５１および第１保護膜５３を介して水晶基板２０をドライエッチングするドライエッチング工程Ｓ４と、を含む。【選択図】図３

Description

本発明は、振動素子の製造方法に関する。
特許文献１には、振動腕に有底の溝を有する音叉型振動子をウエットエッチングおよびドライエッチングにより形成する方法が記載されている。この製造方法では、水晶基板をウエットエッチングすることにより音叉型振動子の外形を形成し、然る後、ドライエッチングにより溝を形成している。
特許文献２には、振動腕に有底の溝を有する音叉型振動子をドライエッチングにより形成する方法が記載されている。この製造方法では、圧電材料からなる基板をドライエッチングする際に、一対の振動腕の間の幅に対して溝の幅を狭くすることによりマイクロローディング効果を用いて、一対の振動腕の間のエッチング深さに対して溝のエッチング深さを浅くし、振動子の溝と外形形状とを一括して形成している。
特開２０１３－１７５９３３号公報 特開２００７－０１３３８２号公報
特許文献１の製造方法は、外形を形成するウエットエッチングと溝を形成するドライエッチングとがそれぞれ別工程であるため、製造工程が複雑であり、外形に対する溝の位置ずれなどが生じ易い。そのため、この製造方法による振動素子は、不要振動などが発生し易い、という問題があった。
一方、特許文献２の製造方法は、外形と溝とを同一工程で一括して形成するので、上述の問題は生じない。しかしながら、この製造方法では、ドライエッチングにおけるマイクロローディング効果を用いて外形と溝とを一括して形成しているので、振動腕の幅や溝の幅および深さなどの寸法の設定に制約が生じ、設計自由度が低い、という課題があった。
そこで、外形と溝とを一括して形成することができ、かつ設計自由度の高い振動素子の製造方法が求められていた。
本発明の振動素子の製造方法は、第１方向に沿って延出し、前記第１方向と交差する第２方向に沿って並ぶ第１振動腕および第２振動腕を備え、前記第１振動腕および前記第２振動腕は、それぞれ、前記第１方向および前記第２方向に交差する第３方向に並んで配置され、表裏関係にある第１面および第２面と、前記第１面に開口する有底の溝と、を有する振動素子の製造方法であって、表裏関係にある第１基板面および第２基板面を有する水晶基板を準備する準備工程と、前記第１基板面のうち、前記第１振動腕が形成される第１振動腕形成領域および前記第２振動腕が形成される第２振動腕形成領域に第１下地膜を形成する下地膜形成工程と、前記第１下地膜のうち、前記溝が形成される溝形成領域を除いた領域に第１保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記第１下地膜および前記第１保護膜を介して前記水晶基板を前記第１基板面側からドライエッチングし、前記第１面と、前記溝と、前記第１振動腕および前記第２振動腕の外形とを形成するドライエッチング工程と、を含む。
実施形態１に係る振動素子を示す平面図。 図１中のＡ１－Ａ１線断面図。 実施形態１に係る振動素子の製造工程を示す図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 実施形態２に係る振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 実施形態３に係る振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の変形例を示す平面図。 図２０中のＡ３－Ａ３線断面図。 振動素子の変形例を示す平面図。 図２２中のＡ４－Ａ４線断面図。 図２２中のＡ５－Ａ５線断面図。 振動素子の変形例を示す平面図。 図２５中のＡ６－Ａ６線断面図。 図２５中のＡ７－Ａ７線断面図。
１．実施形態１
実施形態１に係る振動素子１の製造方法について説明する。
まず、振動素子１の構成について、図１および図２を参照して説明し、次に、振動素子１の製造方法について、図３～図１４を参照して説明する。
なお、説明の便宜上、図３を除く各図には互いに直交する３軸であるＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を示す。また、Ｘ軸に沿う方向をＸ方向（第２方向）とも言い、Ｙ軸に沿う方向をＹ方向（第１方向）とも言い、Ｚ軸に沿う方向をＺ方向（第３方向）とも言う。また、各軸の矢印側をプラス側とも言い、反対側をマイナス側とも言う。また、Ｚ方向のプラス側を「上」とも言い、マイナス側を「下」とも言う。また、Ｚ方向からの平面視を、単に「平面視」とも言う。また、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、後述するように、水晶の結晶軸に相当する。
図１および図２に示すように、振動素子１は、音叉型の振動素子であり、振動基板２と、振動基板２の表面に形成された電極３と、を有する。
振動基板２は、Ｚカットの水晶基板（Ｚカット水晶板）を所望形状にパターニングすることにより形成され、水晶の結晶軸であるＸ軸およびＹ軸で規定されるＸ－Ｙ平面に広がりを有し、Ｚ方向に沿った厚みを有する。Ｘ軸は、電気軸とも言い、Ｙ軸は、機械軸とも言い、Ｚ軸は、光軸とも言う。また、Ｚ方向に沿った厚みを、単に「厚み」とも言う。
振動基板２は、板状をなし、互いに表裏関係にありＺ方向に並んで配置された第１面２Ａおよび第２面２Ｂを有する。また、振動基板２は、基部２１と、基部２１からＹ方向に沿って延出し、Ｘ方向に沿って並ぶ第１振動腕２２および第２振動腕２３と、を有する。
第１振動腕２２は、第１面２Ａに開口する有底の溝２２１と、溝２２１を画定する土手部２２５と、第１面２Ａと第２面２Ｂとを接続する側面１０１と、を有する。土手部２２５は、平面視で第１面２Ａにおいて、Ｘ方向に沿って溝２２１を挟んで並んでいる部分である。
同様に、第２振動腕２３は、第１面２Ａに開口する有底の溝２３１と、溝２３１を画定する土手部２３５と、第１面２Ａと第２面２Ｂとを接続する側面１０３と、を有する。土手部２３５は、平面視で第１面２Ａにおいて、Ｘ方向に沿って溝２３１を挟んで並んでいる部分である。
溝２２１，２３１は、それぞれＹ方向に沿って延在している。また、土手部２２５，２３５は、それぞれ溝２２１，２３１のＸ方向両側に形成され、Ｙ方向に沿って延在している。したがって、第１振動腕２２および第２振動腕２３は、それぞれ、略Ｕ状の横断面形状を有する。これにより、熱弾性損失が低減され、優れた振動特性を有する振動素子１となる。
電極３は、信号電極３１と、接地電極３２と、を有する。信号電極３１は、第１振動腕２２の第１面２Ａおよび第２面２Ｂと第２振動腕２３の側面１０３とに配置されている。一方、接地電極３２は、第１振動腕２２の側面１０１と第２振動腕２３の第１面２Ａおよび第２面２Ｂとに配置されている。接地電極３２を接地した状態で信号電極３１に駆動信号を印加すると、図１中の矢印で示すように、第１振動腕２２および第２振動腕２３が接近、離間を繰り返すようにしてＸ方向に屈曲振動する。
以上、振動素子１について簡単に説明した。
次に、振動素子１の製造方法について説明する。図３に示すように、振動素子１の製造方法は、振動基板２の母材である水晶基板２０を準備する準備工程Ｓ１と、水晶基板２０の第１基板面２０Ａのうち所定の領域に第１下地膜５１を形成する下地膜形成工程Ｓ２と、第１下地膜５１のうち所定の領域に第１保護膜５３を形成する保護膜形成工程Ｓ３と、第１下地膜５１および第１保護膜５３を介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングするドライエッチング工程Ｓ４と、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに残存する第１下地膜５１を除去する下地膜除去工程Ｓ５と、以上の工程により得られた振動基板２の表面に電極３を形成する電極形成工程Ｓ６と、を含む。
また、下地膜形成工程Ｓ２は、水晶基板２０の第１基板面２０Ａを第１下地膜５１により被覆する下地膜コーティング工程Ｓ２１と、第１下地膜５１をパターニングする下地膜パターニング工程Ｓ２２と、を含む。また、保護膜形成工程Ｓ３は、第１下地膜５１を第１保護膜５３により被覆する保護膜コーティング工程Ｓ３１と、第１保護膜５３をパターニングする保護膜パターニング工程Ｓ３２と、を含む。
以下、これら各工程について順に説明する。
≪準備工程Ｓ１≫
図４に示すように、振動基板２の母材である水晶基板２０を準備する。水晶基板２０からは、複数の振動素子１が一括形成される。水晶基板２０は、板状をなし、互いに表裏関係にありＺ方向に並んで配置された第１基板面２０Ａおよび第２基板面２０Ｂを有する。ラッピングやポリッシングなどの研磨処理により、水晶基板２０は所望の厚みに調整されており、第１基板面２０Ａおよび第２基板面２０Ｂは十分に平滑化されている。また、必要に応じて、水晶基板２０にウエットエッチングによる表面処理を行っても構わない。
なお、以下では、後述するドライエッチング工程Ｓ４によって第１振動腕２２が形成される領域を第１振動腕形成領域Ｑ２とも言う。同様に、ドライエッチング工程Ｓ４によって第２振動腕２３が形成される領域を第２振動腕形成領域Ｑ３とも言う。また、第１振動腕形成領域Ｑ２と第２振動腕形成領域Ｑ３との間に位置する領域を腕間領域Ｑ４とも言う。また、隣り合う振動基板２同士の間に位置する領域を素子間領域Ｑ５とも言う。
第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３は、溝２２１，２３１が形成される溝形成領域Ｑ１と、土手部２２５，２３５が形成される土手部形成領域Ｑｄ１と、を有する。換言すると、土手部形成領域Ｑｄ１は、第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３のうち溝形成領域Ｑ１を除いた領域に相当する。溝２２１，２３１および土手部２２５，２３５は、ドライエッチング工程Ｓ４によって形成される。
≪下地膜コーティング工程Ｓ２１≫
図５に示すように、水晶基板２０の第１基板面２０Ａを第１下地膜５１により被覆する。第１下地膜５１は、後述するドライエッチング工程Ｓ４において所定のエッチングレートでエッチングされる材料により形成される。
本実施形態では、第１下地膜５１は、金属により形成される金属膜である。具体的には、第１下地膜５１は、第１金属膜５１２と、第２金属膜５１３と、を積層することにより形成される。第１金属膜５１２は、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに形成される。第２金属膜５１３は、第１金属膜５１２における水晶基板２０とは反対側の面に形成される。第１金属膜５１２における水晶基板２０とは反対側の面は、第１金属膜５１２のＺ方向プラス側の面である。第１金属膜５１２はクロム（Ｃｒ）により形成される。第２金属膜５１３は銅（Ｃｕ）により形成される。
なお、本実施形態では、第１下地膜５１は、第１金属膜５１２と、第２金属膜５１３と、を積層することにより形成されているが、これに限らず、１つの膜で形成されていても構わないし、３つ以上の膜を積層することにより形成されていても構わない。
また、第１下地膜５１は、金属以外の材料で形成されていても構わない。例えば、第１下地膜５１は、レジスト材により形成されるレジスト膜であっても構わない。
≪保護膜コーティング工程Ｓ３１≫
図６に示すように、第１下地膜５１を第１保護膜５３により被覆する。第１保護膜５３は、第１下地膜５１における水晶基板２０とは反対側の面に形成される。第１下地膜５１における水晶基板２０とは反対側の面は、第１下地膜５１のＺ方向プラス側の面である。第１保護膜５３は、後述するドライエッチング工程Ｓ４において所定のエッチングレートでエッチングされる材料により形成される。
本実施形態では、第１保護膜５３は、金属により形成される金属膜である。第１保護膜５３を形成する金属は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）などを用いることができる。なお、第１保護膜５３は、金属以外の材料で形成されていても構わない。例えば、第１保護膜５３は、レジスト材により形成されるレジスト膜であっても構わない。
≪保護膜パターニング工程Ｓ３２≫
まず、図７に示すように、第１保護膜５３における水晶基板２０とは反対側の面に、第１レジスト膜Ｒ１を形成する。第１保護膜５３における水晶基板２０とは反対側の面は、第１保護膜５３のＺ方向プラス側の面である。第１レジスト膜Ｒ１は、フォトリソグラフィー技法を用いて、土手部形成領域Ｑｄ１に形成される。つまり、第１レジスト膜Ｒ１は、平面視で、土手部形成領域Ｑｄ１と重なる。
次に、第１保護膜５３における第１レジスト膜Ｒ１が形成されている面側から第１保護膜５３をエッチングする。つまり、第１レジスト膜Ｒ１をマスクとして、第１保護膜５３のＺ方向プラス側の面側から、第１保護膜５３をエッチングする。これにより、第１レジスト膜Ｒ１が形成されていない溝形成領域Ｑ１、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５の第１保護膜５３は、除去される。
このようにして、図８に示すように、第１下地膜５１のうち所定の領域である土手部形成領域Ｑｄ１に第１保護膜５３を形成することができる。
次に、図９に示すように、第１レジスト膜Ｒ１を除去し、下地膜パターニング工程Ｓ２２に移る。
≪下地膜パターニング工程Ｓ２２≫
下地膜パターニング工程Ｓ２２は、第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３に第２レジスト膜Ｒ２を形成する工程と、第２レジスト膜Ｒ２をマスクとして第１下地膜５１をエッチングする工程と、を有する。
まず、図１０に示すように、フォトリソグラフィー技法を用いて、第１下地膜５１における水晶基板２０とは反対側の面のうち第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３に、第２レジスト膜Ｒ２を形成する。
本実施形態では、下地膜パターニング工程Ｓ２２に先立ち、保護膜コーティング工程Ｓ３１および保護膜パターニング工程Ｓ３２が行われており、第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３のうち土手部形成領域Ｑｄ１には第１保護膜５３が形成されている。そのため、第２レジスト膜Ｒ２は、土手部形成領域Ｑｄ１では、第１保護膜５３を介して第１下地膜５１における水晶基板２０とは反対側の面に形成される。また、第２レジスト膜Ｒ２は、第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３のうち溝形成領域Ｑ１では、第１保護膜５３を介さずに第１下地膜５１における水晶基板２０とは反対側の面に形成される。
次に、第１下地膜５１における第２レジスト膜Ｒ２が形成されている面側から第１下地膜５１をエッチングする。つまり、第２レジスト膜Ｒ２をマスクとして、第１下地膜５１のＺ方向プラス側の面側から、第１下地膜５１をエッチングする。
本実施形態では、第２レジスト膜Ｒ２をマスクとして第１下地膜５１をエッチングする工程は、第１下地膜５１の第１金属膜５１２をエッチングする工程と、第１下地膜５１の第２金属膜５１３をエッチングする工程と、を有する。下地膜パターニング工程Ｓ２２では、まず、第１金属膜５１２における水晶基板２０とは反対側の面に形成されている第２金属膜５１３をエッチングし、次に、第１金属膜５１２をエッチングする。このようにして、第１金属膜５１２と第２金属膜５１３とを積層して形成される第１下地膜５１をエッチングすることができる。
第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３に第２レジスト膜Ｒ２が形成されているため、下地膜パターニング工程Ｓ２２では、第２レジスト膜Ｒ２が形成されていない腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５の第１下地膜５１は、除去される。
このようにして、図１１に示すように、水晶基板２０の第１基板面２０Ａのうち所定の領域である第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３に第１下地膜５１が形成される。
つまり、下地膜コーティング工程Ｓ２１と下地膜パターニング工程Ｓ２２とを含む下地膜形成工程Ｓ２により、水晶基板２０の第１基板面２０Ａのうち、第１振動腕２２が形成される第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕２３が形成される第２振動腕形成領域Ｑ３に第１下地膜５１が形成される。
また、保護膜コーティング工程Ｓ３１と保護膜パターニング工程Ｓ３２とを含む保護膜形成工程Ｓ３により、第１下地膜５１が形成される第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３のうち、溝形成領域Ｑ１を除いた領域である土手部形成領域Ｑｄ１に第１保護膜５３が形成される。
本実施形態では、下地膜コーティング工程Ｓ２１、下地膜パターニング工程Ｓ２２、保護膜コーティング工程Ｓ３１および保護膜パターニング工程Ｓ３２は、下地膜コーティング工程Ｓ２１、保護膜コーティング工程Ｓ３１、保護膜パターニング工程Ｓ３２、下地膜パターニング工程Ｓ２２、の順で行われる。ただし、下地膜コーティング工程Ｓ２１、下地膜パターニング工程Ｓ２２、保護膜コーティング工程Ｓ３１および保護膜パターニング工程Ｓ３２を行う順番は、これに限らない。例えば、下地膜コーティング工程Ｓ２１、下地膜パターニング工程Ｓ２２、保護膜コーティング工程Ｓ３１、保護膜パターニング工程Ｓ３２、の順で行われても構わないし、下地膜コーティング工程Ｓ２１、保護膜コーティング工程Ｓ３１、下地膜パターニング工程Ｓ２２、保護膜パターニング工程Ｓ３２、の順で行われても構わない。
次に、図１２に示すように、第２レジスト膜Ｒ２を除去し、ドライエッチング工程Ｓ４に移る。
≪ドライエッチング工程Ｓ４≫
図１３に示すように、第１下地膜５１および第１保護膜５３を介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングし、第１面２Ａと、溝２２１，２３１と、振動基板２の外形と、を同時に形成する。なお、「同時に形成」とは、１工程において両者を一括して形成することを言う。より詳細には、本工程は、反応性イオンエッチングであり、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）装置を用いて行われる。また、ＲＩＥ装置に導入される反応ガスとしては、特に限定されないが、例えば、ＳＦ6、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ6、Ｃ4Ｆ8等を用いることができる。
ドライエッチング工程Ｓ４において、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに形成されている第１下地膜５１および第１保護膜５３は、それぞれ所定のエッチングレートでエッチングされる。そのため、第１下地膜５１および第１保護膜５３が形成されずに第１基板面２０Ａが露出している領域と、第１下地膜５１が形成されている領域と、第１下地膜５１および第１保護膜５３が形成されている領域と、のそれぞれの領域における水晶基板２０のエッチング深さを第１下地膜５１および第１保護膜５３によって制御することができる。
本実施形態では、水晶基板２０の第１基板面２０Ａのうち腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５には、第１下地膜５１および第１保護膜５３は形成されていない。つまり、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５では、水晶基板２０の第１基板面２０Ａは露出している。このため、ドライエッチング工程Ｓ４が開始されるとともに、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５では、水晶基板２０のエッチングが開始される。第１基板面２０Ａの腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５がエッチングされることにより、振動基板２の外形が形成される。
水晶基板２０の第１基板面２０Ａのうち溝形成領域Ｑ１には、第１下地膜５１が形成されている。このため、ドライエッチング工程Ｓ４が開始されると、まず、第１下地膜５１のエッチングが開始される。そして、第１下地膜５１が除去されることにより、水晶基板２０の第１基板面２０Ａが露出し、水晶基板２０のエッチングが開始される。第１基板面２０Ａの溝形成領域Ｑ１がエッチングされることにより、溝２２１，２３１が形成される。溝形成領域Ｑ１では、水晶基板２０のエッチングの開始が、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５よりも遅くなるため、溝形成領域Ｑ１における水晶基板２０のエッチング深さは、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５における水晶基板２０のエッチング深さよりも浅くなる。
水晶基板２０の第１基板面２０Ａのうち土手部形成領域Ｑｄ１には、第１下地膜５１および第１保護膜５３が形成されている。このため、ドライエッチング工程Ｓ４が開始されると、まず、第１保護膜５３のエッチングが開始される。次に、第１保護膜５３が除去されることにより、第１下地膜５１のエッチングが開始される。そして、第１下地膜５１が除去されることにより、水晶基板２０の第１基板面２０Ａが露出し、水晶基板２０のエッチングが開始される。そのため、土手部形成領域Ｑｄ１では、水晶基板２０の第１基板面２０Ａにおけるエッチングの開始が、溝形成領域Ｑ１よりも遅くなる。つまり、土手部形成領域Ｑｄ１における水晶基板２０のエッチング深さは、溝形成領域Ｑ１における水晶基板２０のエッチング深さよりも浅くなる。
なお、本実施形態では、第１保護膜５３の厚みを十分に厚くすることにより、第１基板面２０Ａの土手部形成領域Ｑｄ１に第１下地膜５１が残存した状態でドライエッチング工程Ｓ４を終了させている。つまり、第１基板面２０Ａの土手部形成領域Ｑｄ１は、第１下地膜５１により保護されている。そのため、本実施形態では、第１基板面２０Ａの土手部形成領域Ｑｄはエッチングされない。
また、本実施形態では、ドライエッチング工程Ｓ４が終了したとき、第１保護膜５３は除去されているが、除去されていなくても構わない。
ドライエッチング工程Ｓ４は、溝２２１，２３１が所望の深さとなった時点で終了する。溝形成領域Ｑ１における水晶基板２０のエッチング深さが、溝２２１，２３１の深さＷａである。腕間領域Ｑ４における水晶基板２０のエッチング深さが、振動基板２の外形の深さＡａである。素子間領域Ｑ５における水晶基板２０のエッチング深さが、振動基板２の外形の深さＢａである。
上述したように、溝形成領域Ｑ１における水晶基板２０のエッチング深さは、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５における水晶基板２０のエッチング深さよりも浅くなる。そのため、振動基板２の外形の深さＡａ，Ｂａは、溝２２１，２３１の深さＷａよりも深くなる。つまり、Ｗａ＜Ａａ、Ｗａ＜Ｂａである。また、深さＡａ、Ｂａは、それぞれ、水晶基板２０の厚みＴａ以上である。つまり、Ａａ≧Ｔａ、Ｂａ≧Ｔａである。深さＡａ，Ｂａを、それぞれ水晶基板２０の厚みＴａ以上とすることにより、ドライエッチング工程Ｓ４において、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５がそれぞれ貫通する。腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５がそれぞれ貫通することにより、第１振動腕２２と、第２振動腕２３と、が形成される。
このように、下地膜形成工程Ｓ２において、水晶基板２０の第１基板面２０Ａのうち第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３に第１下地膜５１を形成し、さらに、保護膜形成工程Ｓ３において、第１下地膜５１が形成される第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３のうち溝形成領域Ｑ１を除いた領域である土手部形成領域Ｑｄ１に第１保護膜５３を形成することにより、ドライエッチング工程Ｓ４において、マイクロローディング効果を利用せずに、第１および第２振動腕２２，２３の外形と溝２２１，２３１とを一括して形成することができる。第１下地膜５１および第１保護膜５３の厚みや幅を調整することにより、第１および第２振動腕２２，２３や溝２２１，２３１などの寸法を制御することができるので、腕間領域Ｑ４におけるＸ方向の幅Ａ、素子間領域Ｑ５におけるＸ方向の幅Ｂ、および溝２２１，２３１におけるＸ方向の幅Ｗなどの寸法の設定に制約がなく、振動素子１の設計自由度を向上させることができる。
また、マイクロローディング効果を利用しないため、ドライエッチングに用いる反応ガスの選択などのドライエッチング条件の制約が緩和されるので、マイクロローディング効果を利用する場合と比べ、振動素子１を容易に製造することができる。
また、上述したように、本実施形態では、ドライエッチング工程Ｓ４において、土手部形成領域Ｑｄ１における水晶基板２０の第１基板面２０Ａに第１下地膜５１が残存した状態でドライエッチングを終了させている。つまり、土手部形成領域Ｑｄ１における水晶基板２０の第１基板面２０Ａは、ドライエッチング工程Ｓ４においてエッチングされていない。土手部形成領域Ｑｄ１における水晶基板２０の第１基板面２０Ａは、後述する下地膜除去工程Ｓ５において、第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａとなる。なお、「第１下地膜５１が残存した状態」とは、「第１下地膜５１の少なくとも一部が残存した状態」を意味する。例えば、本実施形態では、ドライエッチング工程Ｓ４においてドライエッチングが終了したときに、第１下地膜５１を構成する第１金属膜５１２および第２金属膜５１３が水晶基板２０に残存しているが、第２金属膜５１３は除去されていても構わない。
また、本実施形態では、ドライエッチング工程Ｓ４において、土手部形成領域Ｑｄ１における水晶基板２０の第１基板面２０Ａに第１下地膜５１が残存した状態でドライエッチングを終了させているが、土手部形成領域Ｑｄ１における水晶基板２０の第１基板面２０Ａに第１下地膜５１が残存しない状態でドライエッチングを終了させても構わない。つまり、土手部形成領域Ｑｄ１における水晶基板２０の第１基板面２０Ａが、ドライエッチング工程Ｓ４においてエッチングされるようにしても構わない。この場合は、ドライエッチング工程Ｓ４において水晶基板２０がエッチングされた面が、第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａとなる。
このように、第１基板面２０Ａの土手部形成領域Ｑｄ１がエッチングされることにより、あるいはエッチングされないことにより、第１面２Ａが形成される。
また、上述したように、本実施形態では、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５には第１下地膜５１および第１保護膜５３が形成されていない。そのため、ドライエッチング工程Ｓ４におけるドライエッチングの開始ととともに、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５における水晶基板２０のエッチングが開始される。そのため、ドライエッチング工程Ｓ４を短時間で行うことができる。
また、上述したように、本実施形態では、第１下地膜５１は、金属により形成される金属膜である。一般的に、金属のエッチングレートは、レジスト材のエッチングレートよりも低い。そのため、第１下地膜５１を金属膜とすることにより、レジスト膜と比べ、第１下地膜５１の厚みを薄くすることができる。これにより、ドライエッチング工程Ｓ４において形成される第１および第２振動腕２２，２３や溝２２１，２３１などの寸法精度を向上させることができる。
また、上述したように、本実施形態では、第１保護膜５３は、金属により形成される金属膜である。そのため、第１保護膜５３を金属膜とすることにより、レジスト膜と比べ、第１保護膜５３の厚みを薄くすることができる。これにより、ドライエッチング工程Ｓ４において形成される第１および第２振動腕２２，２３や溝２２１，２３１などの寸法精度をさらに向上させることができる。
≪下地膜除去工程Ｓ５≫
図１４に示すように、土手部形成領域Ｑｄ１における水晶基板２０の第１基板面２０Ａに残存する第１下地膜５１を除去する。これにより、水晶基板２０の第１基板面２０Ａが第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａとなる。つまり、第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａは、ドライエッチング工程Ｓ４においてエッチングされていないので、土手部形成領域Ｑｄ１における第１および第２振動腕２２，２３の厚みや第１面２Ａの表面粗さは、水晶基板２０の厚みや第１基板面２０Ａの表面粗さのまま維持されている。そのため、第１および第２振動腕２２，２３の厚み精度が向上し、ねじれ振動などの不要振動の発生が抑制される。
なお、上述したドライエッチング工程Ｓ４において、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに第１下地膜５１が残存しない状態でドライエッチングを終了させる場合は、下地膜除去工程Ｓ５は設けなくても構わない。
また、上述したドライエッチング工程Ｓ４が終了したとき、第１保護膜５３が除去されていない場合は、下地膜除去工程Ｓ５において、第１下地膜５１と、第１保護膜５３と、を一括して除去するようにしても構わない。あるいは、下地膜除去工程Ｓ５を行う前に第１保護膜５３を除去する第１保護膜除去工程を設けても構わない。
以上の工程Ｓ１～Ｓ５により、図１４に示すように、水晶基板２０から複数の振動基板２が一括形成される。
≪電極形成工程Ｓ６≫
振動基板２の表面に金属膜を成膜し、この金属膜をパターニングすることにより、電極３を形成する。
以上により、振動素子１が得られる。
以上のように、ドライエッチングによれば水晶の結晶面の影響を受けずに加工することができるため、優れた寸法精度を実現することができる。また、溝２２１，２３１と振動基板２の外形形状とを一括して形成することにより、振動素子１の製造工程の削減、振動素子１の低コスト化を図ることができる。また、外形形状に対する溝２２１，２３１の位置ずれが阻止され、振動基板２の形成精度が高まる。
以上、振動素子１の製造方法について説明した。ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていても構わない。
例えば、振動素子１は、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第１面２Ａに開口する有底の溝２２１，２３１に加え、さらに第２面２Ｂに開口する有底の溝を有していても構わない。つまり、振動素子１の製造方法は、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第１面２Ａおよび第２面２Ｂにそれぞれ有底の溝を有する振動素子にも適用することができる。
以上述べた通り、本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
振動素子１の製造方法は、第１方向であるＹ方向に沿って延出し、Ｙ方向と交差する第２方向であるＸ方向に沿って並ぶ第１振動腕２２および第２振動腕２３を備え、第１振動腕２２および第２振動腕２３は、それぞれ、Ｙ方向およびＸ方向に交差するＺ方向に並んで配置され、表裏関係にある第１面２Ａおよび第２面２Ｂと、第１面２Ａに開口する有底の溝２２１，２３１と、を有する振動素子の製造方法であって、表裏関係にある第１基板面２０Ａおよび第２基板面２０Ｂを有する水晶基板２０を準備する準備工程Ｓ１と、第１基板面２０Ａのうち、第１振動腕２２が形成される第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕２３が形成される第２振動腕形成領域Ｑ３に第１下地膜５１を形成する下地膜形成工程Ｓ２と、第１下地膜５１のうち、溝２２１，２３１が形成される溝形成領域Ｑ１を除いた領域である土手部形成領域Ｑｄ１に第１保護膜５３を形成する保護膜形成工程Ｓ３と、第１下地膜５１および第１保護膜５３を介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングし、第１面２Ａと、溝２２１，２３１と、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形とを形成するドライエッチング工程Ｓ４と、を含む。
これにより、第１および第２振動腕２２，２３の外形と、溝２２１，２３１を一括して形成することができ、かつ、腕間領域Ｑ４におけるＸ方向の幅Ａ、素子間領域Ｑ５におけるＸ方向の幅Ｂ、および溝２２１，２３１におけるＸ方向の幅Ｗなどの寸法の設定に制約がなく、設計自由度の高い振動素子１の製造方法を提供することができる。
２．実施形態２
実施形態２に係る振動素子１の製造方法について、図１５および図１６を参照して説明する。なお、実施形態１と同一の構成については、同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
実施形態２は、保護膜形成工程Ｓ３が下地膜パターニング工程Ｓ２２のうち第２レジスト膜Ｒ２を形成する工程を含むことや、下地膜パターニング工程Ｓ２２において第２レジスト膜Ｒ２を除去せずに第２レジスト膜Ｒ２を第２保護膜５５とすること以外は、実施形態１と同様である。
換言すると、実施形態２は、ドライエッチング工程Ｓ４において第２レジスト膜Ｒ２が形成されている状態でドライエッチングが開始されること以外は、実施形態１と同様である。
準備工程Ｓ１、下地膜コーティング工程Ｓ２１、保護膜コーティング工程Ｓ３１、および保護膜パターニング工程Ｓ３２は、実施形態１と同一であるので、説明を省略し、下地膜パターニング工程Ｓ２２から説明する。
≪下地膜パターニング工程Ｓ２２≫
図１５に示すように、まず、フォトリソグラフィー技法を用いて、第１下地膜５１における水晶基板２０とは反対側の面のうち第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３に、第２レジスト膜Ｒ２を形成する。
本実施形態では、下地膜パターニング工程Ｓ２２のうち第２レジスト膜Ｒ２を形成する工程は、保護膜形成工程Ｓ３に含まれる。
また、本実施形態では、第２レジスト膜Ｒ２は、ドライエッチング工程Ｓ４において所定のエッチングレートでエッチングされるレジスト材により形成される。また、第２レジスト膜Ｒ２は、第１保護膜５３の厚みよりも薄く形成される。第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３のうち溝形成領域Ｑ１に形成される第２レジスト膜Ｒ２は、第２保護膜５５に相当する。換言すると、保護膜形成工程Ｓ３では、第１下地膜５１の溝形成領域Ｑ１に、第１保護膜５３よりも厚みの薄い第２保護膜５５としての第２レジスト膜Ｒ２が形成される。
次に、第１下地膜５１における第２レジスト膜Ｒ２が形成されている面側から第１下地膜５１をエッチングする。これにより、水晶基板２０の第１基板面２０Ａのうち第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３に第１下地膜５１が形成される。
次に、第２レジスト膜Ｒ２を除去せずに、ドライエッチング工程Ｓ４に移る。
≪ドライエッチング工程Ｓ４≫
図１５に示すように、ドライエッチング工程Ｓ４では、第２レジスト膜Ｒ２が形成されている状態でドライエッチングが開始される。それ以外は、実施形態１と同一である。
第２レジスト膜Ｒ２は、ドライエッチング工程Ｓ４において、第１下地膜５１および第１保護膜５３と同様にエッチングされる。そのため、溝形成領域Ｑ１に第２保護膜５５としての第２レジスト膜Ｒ２が形成されている場合でも、ドライエッチング工程Ｓ４において、図１６に示すように、第１および第２振動腕２２，２３の外形と溝２２１，２３１とを一括して形成することができる。
第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３に第２レジスト膜Ｒ２が形成されている場合でも、ドライエッチング工程Ｓ４において、第１および第２振動腕２２，２３の外形と溝２２１，２３１とを一括して形成することができるので、第２レジスト膜Ｒ２を除去する工程が不要となる。つまり、振動基板２の製造工程を減らすことができる。
ドライエッチング工程Ｓ４が終了すると、下地膜除去工程Ｓ５に移る。下地膜除去工程Ｓ５および電極形成工程Ｓ６は、実施形態１と同一であるので、説明を省略する。
本実施形態によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
溝形成領域Ｑ１に第２保護膜５５としての第２レジスト膜Ｒ２が形成されている場合でも、ドライエッチング工程Ｓ４において、第１および第２振動腕２２，２３の外形と溝２２１，２３１とを一括して形成することができる。また、第２レジスト膜Ｒ２を除去する工程が不要となり、振動基板２の製造工程を減らすことができる。
３．実施形態３
実施形態３に係る振動素子１の製造方法について、図１７、図１８および図１９を参照して説明する。なお、実施形態１と同一の構成については、同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
実施形態３は、下地膜パターニング工程Ｓ２２において、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５に形成されている第１下地膜５１のうち第２金属膜５１３を除去し、残存する第１金属膜５１２を第２下地膜５７とすること以外は、実施形態１と同様である。
換言すると、実施形態３は、ドライエッチング工程Ｓ４において、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５に第２下地膜５７としての第１金属膜５１２が形成されている状態でドライエッチングが開始されること以外は、実施形態１と同様である。
準備工程Ｓ１、下地膜コーティング工程Ｓ２１、保護膜コーティング工程Ｓ３１、および保護膜パターニング工程Ｓ３２は、実施形態１と同一であるので、説明を省略し、下地膜パターニング工程Ｓ２２から説明する。
≪下地膜パターニング工程Ｓ２２≫
図１７に示すように、まず、フォトリソグラフィー技法を用いて、第１下地膜５１における水晶基板２０とは反対側の面のうち第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３に、第２レジスト膜Ｒ２を形成する。
次に、第１下地膜５１における第２レジスト膜Ｒ２が形成されている面側から第１下地膜５１のうち第２金属膜５１３をエッチングする。これにより、第２レジスト膜Ｒ２が形成されていない腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５の第２金属膜５１３が除去される。また、水晶基板２０の第１基板面２０Ａのうち第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３に第１下地膜５１が形成される。
腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５において、第１下地膜５１のうち第２金属膜５１３は除去されるが、第１金属膜５１２は除去されない。つまり、水晶基板２０の第１基板面２０Ａのうち腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５には、第１金属膜５１２が形成されている。水晶基板２０の第１基板面２０Ａのうち腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５に形成されている第１金属膜５１２は、第２下地膜５７に相当する。換言すると、下地膜形成工程Ｓ２では、第１基板面２０Ａの腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５に、第１下地膜５１よりも厚みの薄い第２下地膜５７としての第１金属膜５１２が形成される。
次に、図１８に示すように、第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３に形成されている第２レジスト膜Ｒ２を除去し、ドライエッチング工程Ｓ４に移る。
≪ドライエッチング工程Ｓ４≫
図１８に示すように、ドライエッチング工程Ｓ４では、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５に第２下地膜５７としての第１金属膜５１２が形成されている状態でドライエッチングが開始される。それ以外は、実施形態１と同一である。
ドライエッチング工程Ｓ４において、第２下地膜５７としての第１金属膜５１２は、第１下地膜５１および第１保護膜５３と同様にエッチングされる。そのため、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５に第２下地膜５７としての第１金属膜５１２が形成されている場合でも、ドライエッチング工程Ｓ４において、図１９に示すように、第１および第２振動腕２２，２３の外形と溝２２１，２３１とを一括して形成することができる。
腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５に第１金属膜５１２が形成されている場合でも、第１および第２振動腕２２，２３の外形と溝２２１，２３１とを一括して形成することができるので、下地膜パターニング工程Ｓ２２において第１金属膜５１２をエッチングする工程が不要となる。つまり、振動基板２の製造工程を減らすことができる。
ドライエッチング工程Ｓ４が終了すると、下地膜除去工程Ｓ５に移る。下地膜除去工程Ｓ５および電極形成工程Ｓ６は、実施形態１と同一であるので、説明を省略する。
本実施形態によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
腕間領域Ｑ４に第２下地膜５７としての第１金属膜５１２が形成されている場合でも、ドライエッチング工程Ｓ４において、第１および第２振動腕２２，２３の外形と溝２２１，２３１とを一括して形成することができる。また、第１金属膜５１２を除去する工程が不要となり、振動基板２の製造工程を減らすことができる。
なお、本実施形態では、下地膜パターニング工程Ｓ２２において、水晶基板２０の第１基板面２０Ａのうち腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５に第２下地膜５７としての第１金属膜５１２が形成されているが、第２下地膜５７としての第１金属膜５１２は形成されていなくても構わない。つまり、上述した実施形態１のように、第１基板面２０Ａの腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５に第１下地膜５１が形成されていなくても構わない。第１基板面２０Ａの腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５に第１下地膜５１が形成されていない場合、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５に第２下地膜５７としての第１金属膜５１２が形成されている場合と比べ、ドライエッチング工程Ｓ４を短時間で終了させることができる。
以上、本発明の振動素子の製造方法について、実施形態１、実施形態２および実施形態３に基づいて説明した。
なお、本発明の振動素子の製造方法で製造される振動素子は、特に限定されない。
本発明の振動素子の製造方法で製造される振動素子は、例えば、図２０および図２１に示すような双音叉型振動素子７であってもよい。なお、図２０および図２１では、電極の図示を省略している。双音叉型振動素子７は、一対の基部７１１，７１２と、基部７１１，７１２を連結する第１振動腕７２および第２振動腕７３と、を有する。第１振動腕７２および第２振動腕７３は、表裏関係にある第１面７Ａおよび第２面７Ｂを有する。また、第１振動腕７２および第２振動腕７３は、それぞれ第１面７Ａに開口する有底の溝７２１，７３１と、溝７２１，７３１を画定する土手部７２５，７３５と、を有する。
また、例えば、振動素子は、図２２、図２３および図２４に示すようなジャイロ振動素子８であってもよい。なお、図２２、図２３および図２４では、電極の図示を省略している。ジャイロ振動素子８は、基部８１と、基部８１からＹ方向両側に延出する一対の検出振動腕８２，８３と、基部８１からＸ方向両側に延出する一対の連結腕８４，８５と、連結腕８４の先端部からＹ方向両側に延出する駆動振動腕８６，８７と、連結腕８５の先端部からＹ方向両側に延出する駆動振動腕８８，８９と、を有する。このようなジャイロ振動素子８においては、駆動振動腕８６，８７，８８，８９を図２２中の矢印ＳＤ方向に屈曲振動させている状態でＺ軸まわりの角速度ωｚが作用すると、コリオリの力によって検出振動腕８２，８３に矢印ＳＳ方向への屈曲振動が新たに励振され、当該屈曲振動により検出振動腕８２，８３から出力される電荷に基づいて角速度ωｚを検出する。
検出振動腕８２，８３、および駆動振動腕８６，８７，８８，８９は、表裏関係にある第１面８Ａおよび第２面８Ｂを有する。また、検出振動腕８２，８３は、第１面８Ａに開口する有底の溝８２１，８３１と、溝８２１，８３１を画定する土手部８２５，８３５と、を有する。また、駆動振動腕８６，８７，８８，８９は、第１面８Ａに開口する有底の溝８６１，８７１，８８１，８９１と、溝８６１，８７１，８８１，８９１を画定する土手部８６５，８７５，８８５，８９５と、を有する。このようなジャイロ振動素子８においては、例えば、駆動振動腕８６，８８または駆動振動腕８７，８９が第１振動腕および第２振動腕となる。
また、例えば、振動素子は、図２５、図２６および図２７に示すようなジャイロ振動素子９であってもよい。なお、図２５、図２６および図２７では、電極の図示を省略している。ジャイロ振動素子９は、基部９１と、基部９１からＹ方向プラス側に延出し、Ｘ方向に並ぶ一対の駆動振動腕９２，９３と、基部９１からＹ方向マイナス側に延出し、Ｘ方向に並ぶ一対の検出振動腕９４，９５と、を有する。このようなジャイロ振動素子９においては、駆動振動腕９２，９３を図２５中の矢印ＳＤ方向に屈曲振動させている状態でＹ軸まわりの角速度ωｙが作用すると、コリオリの力によって、検出振動腕９４，９５に矢印ＳＳ方向への屈曲振動が新たに励振され、当該屈曲振動により検出振動腕９４，９５から出力される電荷に基づいて角速度ωｙを検出する。
駆動振動腕９２，９３、および検出振動腕９４，９５は、表裏関係にある第１面９Ａおよび第２面９Ｂを有する。また、駆動振動腕９２，９３は、第１面９Ａに開口する有底の溝９２１，９３１と、溝９２１，９３１を画定する土手部９２５，９３５と、を有する。また、検出振動腕９４，９５は、第１面９Ａに開口する有底の溝９４１，９５１と、溝９４１，９５１を画定する土手部９４５，９５５と、を有する。このようなジャイロ振動素子９においては、駆動振動腕９２，９３または検出振動腕９４，９５が第１振動腕および第２振動腕となる。
１…振動素子、２…振動基板、２Ａ…第１面、２Ｂ…第２面、３…電極、２０…水晶基板、２０Ａ…第１基板面、２０Ｂ…第２基板面、２１…基部、２２…第１振動腕、２３…第２振動腕、３１…信号電極、３２…接地電極、５１…第１下地膜、５３…第１保護膜、２２１，２３１…溝、２２５，２３５…土手部、５１２…第１金属膜、５１３…第２金属膜、Ｑ１…溝形成領域、Ｑ２…第１振動腕形成領域、Ｑ３…第２振動腕形成領域、Ｑ４…腕間領域、Ｑ５…素子間領域、Ｑｄ１…土手部形成領域、Ｓ１…準備工程、Ｓ２…下地膜形成工程、Ｓ３…保護膜形成工程、Ｓ４…ドライエッチング工程、Ｓ５…下地膜除去工程、Ｓ６…電極形成工程、Ｓ２１…下地膜コーティング工程、Ｓ２２…下地膜パターニング工程、Ｓ３１…保護膜コーティング工程、Ｓ３２…保護膜パターニング工程。

Claims (6)

  1. 第１方向に沿って延出し、前記第１方向と交差する第２方向に沿って並ぶ第１振動腕および第２振動腕を備え、
    前記第１振動腕および前記第２振動腕は、それぞれ、前記第１方向および前記第２方向に交差する第３方向に並んで配置され、表裏関係にある第１面および第２面と、前記第１面に開口する有底の溝と、を有する振動素子の製造方法であって、
    表裏関係にある第１基板面および第２基板面を有する水晶基板を準備する準備工程と、
    前記第１基板面のうち、前記第１振動腕が形成される第１振動腕形成領域および前記第２振動腕が形成される第２振動腕形成領域に第１下地膜を形成する下地膜形成工程と、
    前記第１下地膜のうち、前記溝が形成される溝形成領域を除いた領域に第１保護膜を形成する保護膜形成工程と、
    前記第１下地膜および前記第１保護膜を介して前記水晶基板を前記第１基板面側からドライエッチングし、前記第１面と、前記溝と、前記第１振動腕および前記第２振動腕の外形とを形成するドライエッチング工程と、を含む、
    振動素子の製造方法。
  2. 前記保護膜形成工程では、前記第１下地膜の前記溝形成領域に、前記第１保護膜よりも厚みの薄い第２保護膜を形成する、
    請求項１に記載の振動素子の製造方法。
  3. 前記下地膜形成工程では、前記第１基板面の前記第１振動腕形成領域および前記第２振動腕形成領域の間に位置する腕間領域に、前記第１下地膜よりも厚みの薄い第２下地膜を形成する、
    請求項１または請求項２に記載の振動素子の製造方法。
  4. 前記第１基板面の前記第１振動腕形成領域および前記第２振動腕形成領域の間に位置する腕間領域には、前記第１下地膜が形成されていない、
    請求項１または請求項２に記載の振動素子の製造方法。
  5. 前記ドライエッチング工程において、前記ドライエッチングを前記第１基板面に前記第１下地膜が残存した状態で終了させ、
    残存した前記第１下地膜を除去する下地膜除去工程を更に含む、
    請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の振動素子の製造方法。
  6. 前記第１下地膜は金属膜である、
    請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の振動素子の製造方法。
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