JP2023085722A - 振動素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】外形と溝とを一括形成することができる振動素子の製造方法を提供すること。【解決手段】振動素子１の製造方法は、第１面２Ａおよび第２面２Ｂとを有する第１振動腕２２および第２振動腕２３を備える振動素子１の製造方法であって、水晶基板２０を準備する準備工程Ｓ１と、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに第１保護膜５を形成する第１保護膜形成工程Ｓ２と、第１保護膜５を介してドライエッチングする第１ドライエッチング工程Ｓ３と、水晶基板２０の第２基板面２０Ｂに第２保護膜６を形成する第２保護膜形成工程Ｓ５と、第２保護膜６を介してドライエッチングする第２ドライエッチング工程Ｓ６と、を含み、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を、第１面２Ａから第２面２Ｂに渡って形成し、第２ドライエッチング工程Ｓ６において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を形成しない。【選択図】図３

Description

本発明は、振動素子の製造方法に関する。

特許文献１には、振動腕に有底の溝を有する音叉型振動子をウエットエッチングおよびドライエッチングにより形成する方法が記載されている。この製造方法では、水晶基板をウエットエッチングすることにより音叉型振動子の外形を形成し、然る後、ドライエッチングにより溝を形成している。
特許文献２には、振動腕に有底の溝を有する音叉型振動子をドライエッチングにより形成する方法が記載されている。この製造方法では、圧電材料からなる基板をドライエッチングする際に、一対の振動腕の間の幅に対して溝の幅を狭くすることによりマイクロローディング効果を用いて、一対の振動腕の間のエッチング深さに対して溝のエッチング深さを浅くし、振動子の溝と外形形状とを一括して形成している。

特開２０１３－１７５９３３号公報 特開２００７－０１３３８２号公報

特許文献１の製造方法は、外形を形成するウエットエッチングと溝を形成するドライエッチングとがそれぞれ別工程であるため、製造工程が複雑であり、外形に対する溝の位置ずれなどが生じ易い。そのため、この製造方法による振動素子は、不要振動などが発生し易い、という問題があった。
一方、特許文献２の製造方法は、外形と溝とを同一工程で一括して形成するので、上述の問題は生じない。しかしながら、この製造方法では、ドライエッチングにおけるマイクロローディング効果を用いて外形と溝とを一括して形成しているので、振動腕の幅や溝の幅および深さなどの寸法の設定に制約が生じ、設計自由度が低い、という課題があった。
そこで、外形と溝とを一括して形成することができ、かつ設計自由度の高い振動素子の製造方法が求められていた。

振動素子の製造方法は、第１方向に沿って延出し、前記第１方向と交差する第２方向に沿って並ぶ第１振動腕および第２振動腕を備え、前記第１振動腕および前記第２振動腕は、それぞれ、前記第１方向および前記第２方向に交差する第３方向に並んで配置され、表裏関係にある第１面および第２面と、前記第１面に開口する有底の第１溝と、前記第２面に開口する有底の第２溝と、を有する振動素子の製造方法であって、表裏関係にある第１基板面および第２基板面を有する水晶基板を準備する準備工程と、前記第１基板面に第１保護膜を形成する第１保護膜形成工程と、前記第１保護膜を介して前記水晶基板を前記第１基板面側からドライエッチングし、前記第１面と、前記第１溝と、前記第１振動腕および前記第２振動腕の外形と、を形成する第１ドライエッチング工程と、前記第２基板面に第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程と、前記第２保護膜を介して前記水晶基板を前記第２基板面側からドライエッチングし、前記第２面と、前記第２溝と、を形成する第２ドライエッチング工程と、を含み、前記第１ドライエッチング工程において、前記第１振動腕および前記第２振動腕の外形を、前記第１面から前記第２面に渡って形成し、前記第２ドライエッチング工程において、前記第１振動腕および前記第２振動腕の外形を形成しない。

実施形態１に係る振動素子を示す平面図。 図１中のＡ１－Ａ１線断面図。 実施形態１に係る振動素子の製造工程を示す図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 第１保護膜の形成工程を示す図。 第１保護膜の形成方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 第２保護膜の形成工程を示す図。 第２保護膜の形成方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 従来技術を説明するための断面図。 図１３中のＦ１部の位置に相当する断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 実施形態２に係る振動素子の製造方法を説明するための断面図。 実施形態３に係る振動素子の製造方法を説明するための断面図。 第１保護膜の形成工程を示す図。 第１保護膜の形成方法を説明するための断面図。 第１保護膜の形成方法を説明するための断面図。 第１保護膜の形成方法を説明するための断面図。 第１保護膜の形成方法を説明するための断面図。 第１保護膜の形成方法を説明するための断面図。 第１保護膜の形成方法を説明するための断面図。 第１保護膜の形成方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 第２保護膜の形成工程を示す図。 第２保護膜の形成方法を説明するための断面図。 第２保護膜の形成方法を説明するための断面図。 第２保護膜の形成方法を説明するための断面図。 振動素子の製造方法を説明するための断面図。 振動素子の変形例を示す平面図。 図３３中のＡ３－Ａ３線断面図。 振動素子の変形例を示す平面図。 図３５中のＡ４－Ａ４線断面図。 図３５中のＡ５－Ａ５線断面図。 振動素子の変形例を示す平面図。 図３８中のＡ６－Ａ６線断面図。 図３８中のＡ７－Ａ７線断面図。

次に、図面を参照して、本開示の実施形態を説明する。
説明の便宜上、図３、図６、図１０、図１８、および図２８を除く各図には、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を図示している。Ｘ軸に沿った方向を「Ｘ方向」、Ｙ軸に沿った方向を「Ｙ方向」、Ｚ軸に沿った方向を「Ｚ方向」と言う。また、各軸方向の矢印先端側を「プラス側」、矢印基端側を「マイナス側」とも言う。例えば、Ｙ方向とは、Ｙ方向プラス側とＹ方向マイナス側との両方の方向を言う。また、Ｚ方向プラス側を「上」、Ｚ方向マイナス側を「下」とも言う。また、Ｚ方向からの平面視を、単に「平面視」とも言う。また、Ｚ方向に沿った厚みを、単に「厚み」とも言う。また、Ｙ方向を「第１方向」、Ｘ方向を「第２方向」、Ｚ方向を「第３方向」とも言う。なお、本実施形態では、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、後述するように、水晶の結晶軸に相当する。

１．実施形態１
実施形態１に係る振動素子１の製造方法について説明する。
まず、振動素子１の構成について、図１および図２を参照して説明し、次に、振動素子１の製造方法について、図３～図１５を参照して説明する。

図１および図２に示すように、振動素子１は、音叉型の振動素子であり、振動基板２と、振動基板２の表面に形成された電極３と、を有する。

振動基板２は、Ｚカットの水晶基板（Ｚカット水晶板）を所望形状にパターニングすることにより形成され、水晶の結晶軸であるＸ軸およびＹ軸で規定されるＸ－Ｙ平面に広がりを有し、Ｚ方向に沿った厚みを有する。Ｘ軸は、電気軸とも言い、Ｙ軸は、機械軸とも言い、Ｚ軸は、光軸とも言う。

振動基板２は、板状をなし、互いに表裏関係にありＺ方向に並んで配置された第１面２Ａおよび第２面２Ｂを有する。また、振動基板２は、基部２１と、基部２１からＹ方向に沿って延出し、Ｘ方向に沿って並ぶ第１振動腕２２および第２振動腕２３と、を有する。

第１振動腕２２は、第１面２Ａに開口する有底の第１溝２２１と、第１溝２２１を画定する第１土手部２２５と、第２面２Ｂに開口する有底の第２溝２２２と、第２溝２２２を画定する第２土手部２２６と、第１面２Ａと第２面２Ｂとを接続する側面１０１と、を有する。第１土手部２２５は、平面視で第１面２Ａにおいて、Ｘ方向に沿って第１溝２２１を挟んで並んでいる部分である。第２土手部２２６は、平面視で第２面２Ｂにおいて、Ｘ方向に沿って第２溝２２２を挟んで並んでいる部分である。

第２振動腕２３は、第１面２Ａに開口する有底の第１溝２３１と、第１溝２３１を画定する第１土手部２３５と、第２面２Ｂに開口する有底の第２溝２３２と、第２溝２３２を画定する第２土手部２３６と、第１面２Ａと第２面２Ｂとを接続する側面１０３と、を有する。第１土手部２３５は、平面視で第１面２Ａにおいて、Ｘ方向に沿って第１溝２３１を挟んで並んでいる部分である。第２土手部２３６は、平面視で第２面２Ｂにおいて、Ｘ方向に沿って第２溝２３２を挟んで並んでいる部分である。

第１溝２２１，２３１および第２溝２２２，２３２は、それぞれＹ方向に沿って延在している。また、第１土手部２２５，２３５は、それぞれ第１溝２２１，２３１のＸ方向両側に形成され、Ｙ方向に沿って延在している。第２土手部２２６，２３６は、それぞれ第２溝２２２，２３２のＸ方向両側に形成され、Ｙ方向に沿って延在している。したがって、第１振動腕２２および第２振動腕２３は、それぞれ、略Ｈ状の横断面形状を有する。これにより、熱弾性損失が低減され、優れた振動特性を有する振動素子１となる。

電極３は、信号電極３１と、接地電極３２と、を有する。信号電極３１は、第１振動腕２２の第１面２Ａおよび第２面２Ｂと第２振動腕２３の側面１０３とに配置されている。一方、接地電極３２は、第１振動腕２２の側面１０１と第２振動腕２３の第１面２Ａおよび第２面２Ｂとに配置されている。接地電極３２を接地した状態で信号電極３１に駆動信号を印加すると、図１中の矢印で示すように、第１振動腕２２および第２振動腕２３が接近、離間を繰り返すようにしてＸ方向に屈曲振動する。

以上、振動素子１について簡単に説明した。
次に、振動素子１の製造方法について、説明する。
図３に示すように、振動素子１の製造方法は、振動基板２の母材である水晶基板２０を準備する準備工程Ｓ１と、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに第１保護膜５を形成する第１保護膜形成工程Ｓ２と、第１保護膜５を介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングする第１ドライエッチング工程Ｓ３と、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに残存する第１保護膜５を除去する第１保護膜除去工程Ｓ４と、水晶基板２０の第２基板面２０Ｂに第２保護膜６を形成する第２保護膜形成工程Ｓ５と、第２保護膜６を介して水晶基板２０を第２基板面２０Ｂ側からドライエッチングする第２ドライエッチング工程Ｓ６と、水晶基板２０の第２基板面２０Ｂに残存する第２保護膜６を除去する第２保護膜除去工程Ｓ７と、以上の工程により得られた振動基板２の表面に電極３を形成する電極形成工程Ｓ８と、を含む。
また、本実施形態では、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を、第１面２Ａから第２面２Ｂに渡って形成し、第２ドライエッチング工程Ｓ６において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を形成しない。
以下、これら各工程について、順に説明する。

≪準備工程Ｓ１≫
図４に示すように、振動基板２の母材である水晶基板２０を準備する。水晶基板２０からは、複数の振動素子１が一括形成される。水晶基板２０は、板状をなし、互いに表裏関係にありＺ方向に並んで配置された第１基板面２０Ａおよび第２基板面２０Ｂを有する。本実施形態では、第１基板面２０Ａは、水晶基板２０の上面であり、第２基板面２０Ｂは水晶基板２０の下面である。
ラッピングやポリッシングなどの研磨処理により、水晶基板２０は所望の厚みに調整されており、第１基板面２０Ａおよび第２基板面２０Ｂは十分に平滑化されている。また、必要に応じて、水晶基板２０にウエットエッチングによる表面処理が行われていても構わない。

本実施形態では、水晶基板２０の第１基板面２０Ａは、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第１面２Ａとなり、水晶基板２０の第２基板面２０Ｂは、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第２面２Ｂとなる。

なお、以下では、第１振動腕２２が形成される領域を第１振動腕形成領域Ｑ２とも言う。第２振動腕２３が形成される領域を第２振動腕形成領域Ｑ３とも言う。また、第１振動腕形成領域Ｑ２と第２振動腕形成領域Ｑ３との間に位置する領域を腕間領域Ｑ４とも言う。また、隣り合う振動基板２同士の間に位置する領域を素子間領域Ｑ５とも言う。

第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３は、第１溝２２１，２３１が形成される第１溝形成領域Ｑ１と、第１土手部２２５，２３５が形成される第１土手部形成領域Ｑｄ１と、を有する。換言すると、第１土手部形成領域Ｑｄ１は、第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３のうち第１溝形成領域Ｑ１を除いた領域に相当する。

また、第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３は、第２溝２２２，２３２が形成される第２溝形成領域Ｑ６と、第２土手部２２６，２３６が形成される第２土手部形成領域Ｑｄ２と、を有する。換言すると、第２土手部形成領域Ｑｄ２は、第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３のうち第２溝形成領域Ｑ６を除いた領域に相当する。

≪第１保護膜形成工程Ｓ２≫
図５に示すように、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに第１保護膜５を形成する。

第１保護膜５は、Ｚ方向に沿った厚みが薄い領域と、Ｚ方向に沿った厚みが厚い領域と、を有する。第１保護膜５は、後述する第１ドライエッチング工程Ｓ３において所定のエッチングレートでエッチングされる材料により形成される。

水晶基板２０は、後述する第１ドライエッチング工程Ｓ３において、水晶基板２０の第１基板面２０Ａ側から第１保護膜５を介してエッチングされる。つまり、水晶基板２０の第１基板面２０Ａは、第１保護膜５が除去された後にエッチングが開始される。そのため、第１保護膜５の厚みが薄い領域では、第１保護膜５の厚みが厚い領域よりも、水晶基板２０のエッチングが早く開始されるので、エッチング深さが深くなる。一方、第１保護膜５の厚みが厚い領域では、第１保護膜５の厚みが薄い領域よりも、水晶基板２０のエッチングが遅く開始されるので、水晶基板２０のエッチング深さが浅くなる。このように、第１保護膜５の厚みを調整することにより、水晶基板２０のエッチング深さを制御することができる。

第１保護膜５は、第１基板面２０Ａの第１振動腕形成領域Ｑ２、第２振動腕形成領域Ｑ３、腕間領域Ｑ４、および素子間領域Ｑ５に形成されている。

腕間領域Ｑ４における第１保護膜５のＺ方向に沿った厚みをＴ１とし、第１溝形成領域Ｑ１における第１保護膜５のＺ方向に沿った厚みをＴ２とし、第１土手部形成領域Ｑｄ１における第１保護膜５のＺ方向に沿った厚みをＴ３とすると、第１保護膜５のＺ方向に沿った厚みは、Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３を満たす。

第１保護膜５の厚みがＴ１＜Ｔ２＜Ｔ３を満たすように第１保護膜５を形成することにより、後述する第１ドライエッチング工程Ｓ３において、腕間領域Ｑ４における水晶基板２０のエッチング深さは、第１溝形成領域Ｑ１における水晶基板２０のエッチング深さよりも深くなる。また、第１溝形成領域Ｑ１における水晶基板２０のエッチング深さは、第１土手部形成領域Ｑｄ１における水晶基板２０のエッチング深さよりも深くなる。

また、素子間領域Ｑ５における第１保護膜５のＺ方向に沿った厚みをＴ１１とすると、第１保護膜５のＺ方向に沿った厚みは、Ｔ１１＜Ｔ２＜Ｔ３を満たす。

第１保護膜５の厚みがＴ１１＜Ｔ２＜Ｔ３を満たすように第１保護膜５を形成することにより、後述する第１ドライエッチング工程Ｓ３において、素子間領域Ｑ５における水晶基板２０のエッチング深さは、第１溝形成領域Ｑ１における水晶基板２０のエッチング深さよりも深くなる。

本実施形態では、素子間領域Ｑ５における第１保護膜５は、腕間領域Ｑ４における第１保護膜５と同様に形成される。そのため、素子間領域Ｑ５における第１保護膜５の厚みＴ１１は、腕間領域Ｑ４における第１保護膜５の厚みＴ１と略等しい。

なお、「略等しい」とは、製造条件などのばらつきにより厳密には等しくならない場合を含む概念である。

第１保護膜５を形成する方法について、説明する。
図６に示すように、本実施形態では、第１保護膜形成工程Ｓ２は、水晶基板２０の第１基板面２０Ａにレジスト材を塗布することによりレジスト膜を形成する第１塗布工程Ｓ２１と、第１基板面２０Ａに形成されるレジスト膜を露光する第１露光工程Ｓ２２と、第１基板面２０Ａに形成されるレジスト膜を現像する第１現像工程Ｓ２３と、を含む。

図７に示すように、第１塗布工程Ｓ２１において、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに第１レジスト膜Ｒ１を形成する。第１レジスト膜Ｒ１は、レジスト材により形成されるレジスト膜である。第１レジスト膜Ｒ１は、第１基板面２０Ａにレジスト材を所定の厚みで塗布することにより形成される。レジスト材を塗布する方法としては、例えば、スピンコート法やスプレーコート法などを用いることができる。
本実施形態では、レジスト材は、ポジ型のフォトレジストである。なお、レジスト材は、ネガ型であっても構わない。

次に、第１露光工程Ｓ２２において、第１基板面２０Ａに形成される第１レジスト膜Ｒ１に電磁波Ｌ１を照射する。電磁波Ｌ１は、腕間領域Ｑ４、第１溝形成領域Ｑ１、第１土手部形成領域Ｑｄ１、および素子間領域Ｑ５のそれぞれの領域に応じた露光強度Ｅで、第１レジスト膜Ｒ１に照射される。図７に、Ｘ方向における電磁波Ｌ１の露光強度Ｅの分布の一例を示す。電磁波Ｌ１の露光強度Ｅは、フィルターやグレイスケールマスクなどを用いて変化させることができる。

次に、第１現像工程Ｓ２３において、第１基板面２０Ａに形成される第１レジスト膜Ｒ１を現像する。第１保護膜５の厚みは、第１露光工程Ｓ２２において第１レジスト膜Ｒ１に照射された電磁波Ｌ１の露光強度Ｅに応じた厚みとなる。
このようにして、図５に示す第１保護膜５が形成される。

本実施形態では、第１保護膜５は、第１レジスト膜Ｒ１により形成される。そのため、第１保護膜５を容易に形成することができる。

なお、第１保護膜５を形成する方法は、上述した方法に限定されない。例えば、第１保護膜５は、インプリント法などの印刷技法を用いて形成しても構わない。

また、第１保護膜５は、レジスト材により形成されるレジスト膜に限定されない。例えば、第１保護膜５は、ニッケル、銅、クロムなどの金属により形成される金属膜であっても構わない。このような金属膜は、例えば、めっき法により形成することができる。一般的に、金属のエッチングレートは、レジスト材に用いられるフォトレジストのエッチングレートよりも低い。そのため、第１保護膜５を金属膜とすることにより、レジスト膜と比べ、第１保護膜５の厚みを薄くすることができる。これにより、第１ドライエッチング工程Ｓ３において形成される第１および第２振動腕２２，２３や第１溝２２１，２３１などの寸法精度を向上させることができる。

≪第１ドライエッチング工程Ｓ３≫
図８に示すように、第１保護膜５を介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングし、第１面２Ａと、第１溝２２１，２３１と、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形と、を同時に形成する。「同時に形成する」とは、１つの工程で一括して形成されるという意味である。つまり、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１面２Ａと、第１溝２２１，２３１と、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形と、が一括して形成される。
より詳細には、本工程は、反応性イオンエッチングであり、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）装置を用いて行われる。また、ＲＩＥ装置に導入される反応ガスとしては、特に限定されないが、例えば、ＳＦ₆、ＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₄、Ｃ₂Ｆ₆、Ｃ₃Ｆ₆、Ｃ₄Ｆ₈等を用いることができる。

水晶基板２０の第１基板面２０Ａに形成される第１保護膜５は、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、所定のエッチングレートでエッチングされる。そして、第１保護膜５が除去されることにより、第１基板面２０Ａが露出し、水晶基板２０のエッチングが開始される。そのため、第１保護膜５の厚みを調整することにより、水晶基板２０のエッチング深さを制御することができる。また、第１保護膜５の厚みを十分に厚くすることにより、第１基板面２０Ａに第１保護膜５が残存した状態で第１ドライエッチング工程Ｓ３を終了させて、第１基板面２０Ａがエッチングされないようにすることもできる。

第１ドライエッチング工程Ｓ３は、第１溝２２１，２３１が所望の深さとなった時点で終了する。第１溝形成領域Ｑ１における水晶基板２０のエッチング深さが、第１溝２２１，２３１の深さＷａである。腕間領域Ｑ４における水晶基板２０のエッチング深さは、深さＡａである。素子間領域Ｑ５における水晶基板２０のエッチング深さは、深さＢａである。腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５がエッチングされることにより、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形が形成される。

上述したように、腕間領域Ｑ４における第１保護膜５の厚みＴ１と、素子間領域Ｑ５における第１保護膜５の厚みＴ１１と、は第１溝形成領域Ｑ１における第１保護膜５の厚みＴ２よりも薄い。つまり、Ｔ１＜Ｔ２、Ｔ１１＜Ｔ２である。そのため、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５における水晶基板２０のエッチング深さＡａ，Ｂａは、第１溝２２１，２３１の深さＷａよりも深くなる。つまり、Ｗａ＜Ａａ、Ｗａ＜Ｂａである。

また、上述したように、第１溝形成領域Ｑ１における第１保護膜５の厚みＴ２は、第１土手部形成領域Ｑｄ１における第１保護膜５の厚みＴ３よりも薄い。つまり、Ｔ２＜Ｔ３である。そのため、第１溝２２１，２３１の深さＷａは、第１土手部形成領域Ｑｄ１における水晶基板２０のエッチング深さよりも深くなる。

このように、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１保護膜５を介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングすることにより、第１および第２振動腕２２，２３の外形と第１溝２２１，２３１とを一括して形成することができる。

ドライエッチングによれば水晶の結晶面の影響を受けずに加工することができるため、第１溝２２１，２３１と、振動基板２の外形形状と、を優れた寸法精度で形成することができる。

また、第１溝２２１，２３１と振動基板２の外形形状とを一括して形成することにより、振動素子１の製造工程の削減、振動素子１の低コスト化を図ることができる。また、外形形状に対する第１溝２２１，２３１の位置ずれが阻止されるので、振動基板２の形成精度を高めることができる。

また、第１保護膜５の厚みがＴ１＜Ｔ２＜Ｔ３、Ｔ１１＜Ｔ２＜Ｔ３を満たすように第１保護膜５を形成することにより、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、マイクロローディング効果を利用せずに、第１および第２振動腕２２，２３の外形と第１溝２２１，２３１とを一括して形成することができる。

マイクロローディング効果を利用しないため、腕間領域Ｑ４の幅、素子間領域Ｑ５の幅、および第１溝２２１，２３１の幅などの寸法の設定に制約がなく、振動素子１の設計自由度を向上させることができる。例えば、第１保護膜形成工程Ｓ２において、第１保護膜５の厚みや幅を調整することにより、第１溝２２１，２３１や、第１および第２振動腕２２，２３の外形の寸法を制御することができる。

また、マイクロローディング効果を利用しないため、ドライエッチングに用いる反応ガスの選択などのドライエッチング条件の制約が緩和されるので、マイクロローディング効果を利用する場合と比べ、振動素子１を容易に製造することができる。

また、本実施形態では、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５における水晶基板２０のエッチング深さＡａ，Ｂａは、それぞれ、水晶基板２０の厚みＴａ以上である。つまり、Ａａ≧Ｔａ、Ｂａ≧Ｔａである。

腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５における水晶基板２０のエッチング深さＡａ，Ｂａを、水晶基板２０の厚みＴａ以上とすることにより、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５の水晶基板２０は、その厚み方向の全てがエッチングにより除去される。つまり、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５の水晶基板２０は、第１基板面２０Ａから第２基板面２０Ｂに渡って全て除去され、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５は、貫通する。
このようにして、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第１面２Ａとなる第１基板面２０Ａから、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第２面２Ｂとなる第２基板面２０Ｂに渡って、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形が形成される。つまり、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の厚み方向の全てに渡って、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形が形成される。換言すると、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１振動腕２２の側面１０１と、第２振動腕２３の側面１０３と、が形成される。

第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第１面２Ａから、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第２面２Ｂに渡って、形成することにより、後述する第２ドライエッチング工程Ｓ６において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を形成することが不要となる。

また、本実施形態では、腕間領域Ｑ４における第１保護膜５の厚みＴ１と、素子間領域Ｑ５における第１保護膜５の厚みＴ１１と、は０＜Ｔ１、０＜Ｔ１１である。
０＜Ｔ１、０＜Ｔ１１とすることにより、第１レジスト膜Ｒ１の厚みにばらつきが生じた場合でも、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５における水晶基板２０のエッチング深さＡａ，Ｂａと、第１溝２２１，２３１の深さＷａと、の差を略一定の深さとすることができる。

第１レジスト膜Ｒ１の厚みのばらつきに応じて、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５における第１保護膜５の厚みＴ１，Ｔ１１と、第１溝形成領域Ｑ１における第１保護膜５の厚みＴ２と、はそれぞればらつきが生じるが、０＜Ｔ１、０＜Ｔ１１とすることにより、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５における第１保護膜５の厚みＴ１，Ｔ１１と、第１溝形成領域Ｑ１における第１保護膜５の厚みＴ２と、の差は略一定に保たれる。つまり、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５において水晶基板２０のエッチングが開始される時間と、第１溝形成領域Ｑ１において水晶基板２０のエッチングが開始される時間と、の時間差は略一定の時間となる。そのため、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５における水晶基板２０のエッチング深さＡａ，Ｂａと、第１溝２２１，２３１の深さＷａと、の差を略一定の深さとすることができる。

また、本実施形態では、第１土手部形成領域Ｑｄ１における第１保護膜５の厚みＴ３を十分に厚くすることにより、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１基板面２０Ａの第１土手部形成領域Ｑｄ１に第１保護膜５が残存した状態でドライエッチングを終了させている。つまり、第１基板面２０Ａの第１土手部形成領域Ｑｄ１は、第１保護膜５に保護されており、第１ドライエッチング工程Ｓ３においてエッチングされていない。第１基板面２０Ａの第１土手部形成領域Ｑｄ１は、後述する第１保護膜除去工程Ｓ４において、第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａとなる。

なお、第１土手部形成領域Ｑｄ１における第１保護膜５の厚みＴ３を調整することにより、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１基板面２０Ａの第１土手部形成領域Ｑｄ１に第１保護膜５が残存しない状態でドライエッチングを終了させても構わない。つまり、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１基板面２０Ａの第１土手部形成領域Ｑｄ１がエッチングされるようにしても構わない。この場合は、第１ドライエッチング工程Ｓ３においてエッチングされた面が、第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａとなる。

このように、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１基板面２０Ａの第１土手部形成領域Ｑｄ１をエッチングすることにより、あるいはエッチングしないことにより、第１面２Ａを形成することができる。

≪第１保護膜除去工程Ｓ４≫
図９に示すように、第１基板面２０Ａの第１土手部形成領域Ｑｄ１に残存する第１保護膜５を除去する。これにより、水晶基板２０の第１基板面２０Ａが第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａとなる。つまり、第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａは、第１ドライエッチング工程Ｓ３においてエッチングされていないので、第１土手部形成領域Ｑｄ１における第１および第２振動腕２２，２３の厚みや第１面２Ａの表面粗さは、水晶基板２０の厚みや第１基板面２０Ａの表面粗さのまま維持されている。そのため、第１および第２振動腕２２，２３の厚み精度が向上し、ねじれ振動などの不要振動の発生が抑制される。

なお、上述した第１ドライエッチング工程Ｓ３において、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに第１保護膜５が残存しない状態でドライエッチングを終了させた場合は、第１保護膜除去工程Ｓ４は設けなくても構わない。

第１保護膜除去工程Ｓ４の終了後、水晶基板２０の第２基板面２０Ｂの加工に移る。

≪第２保護膜形成工程Ｓ５≫
図９に示すように、水晶基板２０の第２基板面２０Ｂに、第２保護膜６を形成する。

第２保護膜６は、第２基板面２０Ｂの第２溝形成領域Ｑ６以外の領域に形成される。本実施形態では、第２保護膜６は、第２基板面２０Ｂの第２土手部形成領域Ｑｄ２に形成される。

第２基板面２０Ｂの第２溝形成領域Ｑ６に第２保護膜６は形成されないので、後述する第２ドライエッチング工程Ｓ６において、第２溝形成領域Ｑ６に第２溝２２２，２３２を形成することができる。

第２保護膜６を形成する方法について、説明する。
図１０に示すように、本実施形態では、第２保護膜形成工程Ｓ５は、水晶基板２０の第２基板面２０Ｂにレジスト材を塗布することによりレジスト膜を形成する第２塗布工程Ｓ５１と、第２基板面２０Ｂに形成されるレジスト膜を露光する第２露光工程Ｓ５２と、第２基板面２０Ｂに形成されるレジスト膜を現像する第２現像工程Ｓ５３と、を含む。

図１１に示すように、第２塗布工程Ｓ５１において、水晶基板２０の第２基板面２０Ｂに第１レジスト膜Ｒ１を形成する。第２塗布工程Ｓ５１は、第１塗布工程Ｓ２１と同様に行われる。

次に、第２露光工程Ｓ５２において、第２基板面２０Ｂに形成される第１レジスト膜Ｒ１に電磁波Ｌ２を照射する。後述する第２現像工程Ｓ５３において第２溝形成領域Ｑ６の第１レジスト膜Ｒ１が除去されるように、電磁波Ｌ２は照射される。本実施形態では、第２土手部形成領域Ｑｄ２の第１レジスト膜Ｒ１が残存するように、電磁波Ｌ２は照射される。

次に、第２現像工程Ｓ５３において、第２基板面２０Ｂに形成される第１レジスト膜Ｒ１を現像する。第２現像工程Ｓ５３は、第１現像工程Ｓ２３と同様に行われる。
このようにして、図９に示す第２保護膜６が形成される。

また、本実施形態では、第２保護膜６は、第１レジスト膜Ｒ１により形成される。そのため、第２保護膜６を容易に形成することができる。

なお、第２保護膜６を形成する方法は、上述した方法に限定されない。例えば、第２保護膜６は、インプリント法などの印刷技法を用いて形成しても構わない。

また、第２保護膜６は、レジスト材により形成されるレジスト膜に限定されない。例えば、第２保護膜６は、金属により形成される金属膜であっても構わない。

また、本実施形態では、第１保護膜５および第２保護膜６は、レジスト膜であるが、第１保護膜５および第２保護膜６のうち、一方がレジスト膜であり、他方が金属膜であっても構わない。また、第１保護膜５および第２保護膜６が、金属膜であっても構わない。

≪第２ドライエッチング工程Ｓ６≫
図１２に示すように、第２保護膜６を介して水晶基板２０を第２基板面２０Ｂ側からドライエッチングし、第２面２Ｂと、第２溝２２２，２３２と、を同時に形成する。つまり、第２ドライエッチング工程Ｓ６において、第２面２Ｂと、第２溝２２２，２３２と、が一括して形成される。本工程は、第１ドライエッチング工程Ｓ３と同様に行われる。

上述したように、第２保護膜形成工程Ｓ５において、第２基板面２０Ｂの第２溝形成領域Ｑ６に第２保護膜６は形成されない。そのため、第２ドライエッチング工程Ｓ６において、水晶基板２０の第２溝形成領域Ｑ６がエッチングされる。

第２ドライエッチング工程Ｓ６は、第２溝２２２，２３２が所望の深さとなった時点で終了する。第２溝形成領域Ｑ６における水晶基板２０のエッチング深さが、第２溝２２２，２３２の深さＷｂである。

このように、第２ドライエッチング工程Ｓ６において、第２保護膜６を介して水晶基板２０を第２基板面２０Ｂ側からドライエッチングすることにより、第２溝２２２，２３２を形成することができる。

ドライエッチングによれば水晶の結晶面の影響を受けずに加工することができるため、第２溝２２２，２３２を優れた寸法精度で形成することができる。

マイクロローディング効果を利用しないため、第２溝２２２，２３２の幅などの寸法の設定に制約がなく、振動素子１の設計自由度を向上させることができる。

また、マイクロローディング効果を利用しないため、ドライエッチング条件の制約が緩和されるので、振動素子１を容易に製造することができる。

ところで、従来技術では、図１３に示すように、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに設けられた図示しない保護膜を介して、第１基板面２０Ａ側からドライエッチングを行い、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を形成するとともに、水晶基板２０の第２基板面２０Ｂに設けられた図示しない保護膜を介して、第２基板面２０Ｂ側からドライエッチングを行い、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を形成している。第１基板面２０Ａ側からドライエッチングを行ったときの腕間領域Ｑ４におけるエッチング深さＡｃ、および素子間領域Ｑ５におけるエッチング深さＢｃは、第１基板面２０Ａ側からドライエッチングを行ったときの第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形の深さとなる。第２基板面２０Ｂ側からドライエッチングを行ったときの腕間領域Ｑ４におけるエッチング深さＡｄ、および素子間領域Ｑ５におけるエッチング深さＢｄは、水晶基板２０の第２基板面２０Ｂ側からドライエッチングを行ったときの第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形の深さとなる。

そして、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形の深さＡｃ，Ｂｃと、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形の深さＡｄ，Ｂｄと、が重なることにより、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５において水晶基板２０が貫通する。腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５において水晶基板２０が貫通することにより、第１振動腕２２および第２振動腕２３のそれぞれの側面１０１，１０３が形成される。

このため、例えば、Ｚ方向からの平面視で、第１基板面２０Ａに設けられた保護膜と、第２基板面２０Ｂに設けられた保護膜と、のそれぞれの位置が製造ばらつきなどによりずれている場合は、図１４に示すように、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形の深さＡｃ，Ｂｃと、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形の深さＡｄ，Ｂｄと、が重なる領域１０５において、段差１０７が形成される場合がある。図１４では、第１振動腕２２の側面１０１を例示しているが、第２振動腕２３の側面１０３でも同様に、段差１０７が形成される。

第１振動腕２２および第２振動腕２３のそれぞれの側面１０１，１０３に段差１０７が形成されると、不要振動の発生や、衝撃時に段差１０７を起点とした割れや欠けなどの破損が生じる虞がある。

一方、本実施形態では、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第１面２Ａから、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第２面２Ｂに渡って、形成し、第２ドライエッチング工程Ｓ６において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を形成しない。そのため、第１振動腕２２および第２振動腕２３のそれぞれの側面１０１，１０３に段差１０７が形成されない。そのため、段差１０７による不要振動の発生や、振動素子１の破損を抑制することができる。

また、本実施形態では、第２土手部形成領域Ｑｄ２における第２保護膜６の厚みを十分に厚くすることにより、第２ドライエッチング工程Ｓ６において、第２基板面２０Ｂの第２土手部形成領域Ｑｄ２に第２保護膜６が残存した状態でドライエッチングを終了させている。つまり、第２基板面２０Ｂの第２土手部形成領域Ｑｄ２は、第２ドライエッチング工程Ｓ６においてエッチングされていない。第２基板面２０Ｂの第２土手部形成領域Ｑｄ２は、後述する第２保護膜除去工程Ｓ７において、第１および第２振動腕２２，２３の第２面２Ｂとなる。

なお、第２土手部形成領域Ｑｄ２における第２保護膜６の厚みを調整することにより、第２ドライエッチング工程Ｓ６において、第２基板面２０Ｂの第２土手部形成領域Ｑｄ２に第２保護膜６が残存しない状態でドライエッチングを終了させても構わない。つまり、第２基板面２０Ｂの第２土手部形成領域Ｑｄ２が、第２ドライエッチング工程Ｓ６においてエッチングされるようにしても構わない。この場合は、第２ドライエッチング工程Ｓ６においてエッチングされた面が、第１および第２振動腕２２，２３の第２面２Ｂとなる。

このように、第２ドライエッチング工程Ｓ６において、第２基板面２０Ｂの第２土手部形成領域Ｑｄ２をエッチングすることにより、あるいはエッチングしないことにより、第２面２Ｂを形成することができる。

≪第２保護膜除去工程Ｓ７≫
図１５に示すように、第２基板面２０Ｂの第２土手部形成領域Ｑｄ２に残存する第２保護膜６を除去する。これにより、水晶基板２０の第２基板面２０Ｂが第１および第２振動腕２２，２３の第２面２Ｂとなる。つまり、第１および第２振動腕２２，２３の第２面２Ｂは、第２ドライエッチング工程Ｓ６においてエッチングされていないので、第２土手部形成領域Ｑｄ２における第１および第２振動腕２２，２３の厚みや第２面２Ｂの表面粗さは、水晶基板２０の厚みや第２基板面２０Ｂの表面粗さのまま維持されている。そのため、第１および第２振動腕２２，２３の厚み精度が向上し、ねじれ振動などの不要振動の発生が抑制される。

なお、上述した第２ドライエッチング工程Ｓ６において、水晶基板２０の第２基板面２０Ｂに第２保護膜６が残存しない状態でドライエッチングを終了させた場合は、第２保護膜除去工程Ｓ７は設けなくても構わない。

また、本実施形態では、第１保護膜除去工程Ｓ４において、第１基板面２０Ａに残存する第１保護膜５を除去し、第２保護膜除去工程Ｓ７において、第２基板面２０Ｂに残存する第２保護膜６を除去しているが、第１保護膜除去工程Ｓ４を設けずに、第２保護膜除去工程Ｓ７において、第１基板面２０Ａに残存する第１保護膜５と、第２基板面２０Ｂに残存する第２保護膜６と、を一括して除去しても構わない。

以上の工程Ｓ１～Ｓ７により、図１５に示すように、水晶基板２０から複数の振動基板２が一括形成される。

≪電極形成工程Ｓ８≫
振動基板２の表面に金属膜を成膜し、この金属膜をパターニングすることにより、電極３を形成する。

以上により、振動素子１が得られる。

以上述べた通り、本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
振動素子１の製造方法は、第１方向であるＹ方向に沿って延出し、Ｙ方向と交差する第２方向であるＸ方向に沿って並ぶ第１振動腕２２および第２振動腕２３を備え、第１振動腕２２および第２振動腕２３は、それぞれ、Ｙ方向およびＸ方向に交差する第３方向であるＺ方向に並んで配置され、表裏関係にある第１面２Ａおよび第２面２Ｂと、第１面２Ａに開口する有底の第１溝２２１，２３１と、第２面２Ｂに開口する有底の第２溝２２２，２３２と、を有する振動素子１の製造方法であって、表裏関係にある第１基板面２０Ａおよび第２基板面２０Ｂを有する水晶基板２０を準備する準備工程Ｓ１と、第１基板面２０Ａに第１保護膜５を形成する第１保護膜形成工程Ｓ２と、第１保護膜５を介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングし、第１面２Ａと、第１溝２２１，２３１と、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形と、を形成する第１ドライエッチング工程Ｓ３と、第２基板面２０Ｂに第２保護膜６を形成する第２保護膜形成工程Ｓ５と、第２保護膜６を介して水晶基板２０を第２基板面２０Ｂ側からドライエッチングし、第２面２Ｂと、第２溝２２２，２３２と、を形成する第２ドライエッチング工程Ｓ６と、を含み、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を、第１面２Ａから第２面２Ｂに渡って形成し、第２ドライエッチング工程Ｓ６において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を形成しない。
これにより、第１および第２振動腕２２，２３の外形と、第１溝２２１，２３１と、を一括して形成することができ、かつ、腕間領域Ｑ４の幅、素子間領域Ｑ５の幅、第１溝２２１，２３１の幅、および第２溝２２２，２３２の幅などの寸法の設定に制約がなく、設計自由度の高い振動素子１の製造方法を提供することができる。

また、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を、第１面２Ａから第２面２Ｂに渡って形成し、第２ドライエッチング工程Ｓ６において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を形成しないため、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形面である側面１０１，１０３に段差１０７ができず、段差１０７による不要振動の発生や、振動素子１の破損を抑制できる。

２．実施形態２
実施形態２に係る振動素子１の製造方法について、図１６を参照して説明する。なお、実施形態１と同一の構成については、同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
実施形態２は、第１保護膜５において、Ｔ１＝０、Ｔ１１＝０であること以外は、実施形態１と同様である。

準備工程Ｓ１は、実施形態１と同一であるので、説明を省略し、第１保護膜形成工程Ｓ２から説明する。

≪第１保護膜形成工程Ｓ２≫
図１６に示すように、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに、第１保護膜５を形成する。本工程は、実施形態１と同様に行われる。

第１保護膜５の厚みは、Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３、Ｔ１１＜Ｔ２＜Ｔ３を満たす。
ただし、本実施形態では、第１保護膜５は、第１基板面２０Ａの第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３に形成されているが、第１基板面２０Ａの腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５には形成されていない。つまり、第１保護膜５において、Ｔ１＝０、Ｔ１１＝０である。

≪第１ドライエッチング工程Ｓ３≫
本工程は、実施形態１と同様に行われる。
第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第１面２Ａとなる第１基板面２０Ａから、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第２面２Ｂとなる第２基板面２０Ｂに渡って、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形が形成される。

本実施形態では、第１保護膜形成工程Ｓ２において、第１基板面２０Ａの腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５には第１保護膜５が形成されていないため、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、ドライエッチングの開始とともに、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５における水晶基板２０のエッチングが開始される。そのため、第１ドライエッチング工程Ｓ３をより短時間で行うことができる。

第１ドライエッチング工程Ｓ３が終了すると、第１保護膜除去工程Ｓ４に移る。
第１保護膜除去工程Ｓ４以降の工程は、実施形態１と同一であるので、説明を省略する。

以上により、振動素子１が得られる。

以上述べた通り、本実施形態によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
第１保護膜５において、Ｔ１＝０とすることにより、腕間領域Ｑ４のエッチングをより短時間で行うことができる。

３．実施形態３
実施形態３に係る振動素子１の製造方法について、図１７～図３２を参照して説明する。なお、実施形態１と同一の構成については、同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
実施形態３は、第１保護膜５ｂが第１下地膜５１および第３保護膜５３を含むことや、第１保護膜形成工程Ｓ２が第１下地膜形成工程Ｓ１００および第３保護膜形成工程Ｓ１１０を含むことや、第２保護膜６ｂが第２下地膜６１および第４保護膜６３を含むことや、第２保護膜形成工程Ｓ５が第２下地膜形成工程Ｓ１２０および第４保護膜形成工程Ｓ１３０を含むことや、第１保護膜５ｂにおいて、Ｔ１＝０、Ｔ１１＝０であること以外は、実施形態１と同様である。

準備工程Ｓ１は、実施形態１と同一であるので、説明を省略し、第１保護膜形成工程Ｓ２から説明する。

≪第１保護膜形成工程Ｓ２≫
図１７に示すように、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに、第１保護膜５ｂを形成する。第１保護膜５ｂは、第１下地膜５１および第３保護膜５３を含む。

第１保護膜５ｂは、第１基板面２０Ａの第１振動腕形成領域Ｑ２と、第２振動腕形成領域Ｑ３と、に形成される。
詳細には、第１保護膜５ｂのうち、第１下地膜５１は、第１基板面２０Ａの第１振動腕形成領域Ｑ２と、第２振動腕形成領域Ｑ３と、に形成される。第１保護膜５ｂのうち、第３保護膜５３は、第１下地膜５１における水晶基板２０とは反対側の面の第１土手部形成領域Ｑｄ１に形成される。第１下地膜５１における水晶基板２０とは反対側の面は、第１下地膜５１の上面である。

つまり、第１基板面２０Ａの第１溝形成領域Ｑ１には、第１下地膜５１が、第１保護膜５ｂとして形成される。第１基板面２０Ａの第１土手部形成領域Ｑｄ１には、第１下地膜５１および第３保護膜５３が、第１保護膜５ｂとして形成される。第１土手部形成領域Ｑｄ１において、第１下地膜５１と、第３保護膜５３と、はＺ方向プラス側に沿ってこの順で積層している。

第１基板面２０Ａの第１溝形成領域Ｑ１における第１保護膜５ｂの厚みＴ２は、第１下地膜５１の厚みである。第１基板面２０Ａの第１土手部形成領域Ｑｄ１における第１保護膜５ｂの厚みＴ３は、第１下地膜５１の厚みと、第３保護膜５３の厚みと、を合計した厚みである。腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５には第１保護膜５ｂが形成されていないので、第１基板面２０Ａの腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５における第１保護膜５ｂのそれぞれ厚みＴ１，Ｔ１１は、Ｔ１＝０、Ｔ１１＝０である。
つまり、第１保護膜５ｂの厚みは、Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３、Ｔ１１＜Ｔ２＜Ｔ３を満たす。なお、本実施形態では、Ｔ１＝０、Ｔ１１＝０であるが、第１保護膜５ｂの厚みが、Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３、Ｔ１１＜Ｔ２＜Ｔ３を満たす限りにおいて、０＜Ｔ１、０＜Ｔ１１であっても構わない。

第１下地膜５１について、説明する。
第１下地膜５１は、第１ドライエッチング工程Ｓ３において所定のエッチングレートでエッチングされる材料により形成される。

本実施形態では、第１下地膜５１は、金属により形成される金属膜である。第１下地膜５１は、第１金属膜５１２と、第２金属膜５１３と、を積層することにより形成される。第１金属膜５１２は、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに形成される。第２金属膜５１３は、第１金属膜５１２における水晶基板２０とは反対側の面に形成される。第１金属膜５１２における水晶基板２０とは反対側の面は、第１金属膜５１２の上面である。第１金属膜５１２はクロム（Ｃｒ）により形成される。第２金属膜５１３は銅（Ｃｕ）により形成される。

なお、本実施形態では、第１下地膜５１は、第１金属膜５１２と、第２金属膜５１３と、を積層することにより形成されているが、これに限らず、１つの膜で形成されていても構わないし、３つ以上の膜を積層することにより形成されていても構わない。

また、第１下地膜５１は、金属以外の材料で形成されていても構わない。例えば、第１下地膜５１は、レジスト材により形成されるレジスト膜であっても構わない。ただし、第１下地膜５１を金属膜とすることにより、レジスト膜と比べ、第１下地膜５１の厚みを薄くすることができる。これにより、第１ドライエッチング工程Ｓ３において形成される第１および第２振動腕２２，２３や第１溝２２１，２３１などの寸法精度を向上させることができる。

次に、第３保護膜５３について、説明する。
第３保護膜５３は、第１ドライエッチング工程Ｓ３において所定のエッチングレートでエッチングされる材料により形成される。

本実施形態では、第３保護膜５３は、金属により形成される金属膜である。第３保護膜５３を形成する金属は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）などを用いることができる。なお、第３保護膜５３は、金属以外の材料で形成されていても構わない。例えば、第３保護膜５３は、レジスト材により形成されるレジスト膜であっても構わない。ただし、第３保護膜５３を金属膜とすることにより、レジスト膜と比べ、第３保護膜５３の厚みを薄くすることができる。これにより、第１ドライエッチング工程Ｓ３において形成される第１および第２振動腕２２，２３や第１溝２２１，２３１などの寸法精度をさらに向上させることができる。

次に、第１保護膜５ｂを形成する方法について、説明する。
図１８に示すように、本実施形態では、第１保護膜形成工程Ｓ２は、第１下地膜形成工程Ｓ１００および第３保護膜形成工程Ｓ１１０を含む。

第１下地膜形成工程Ｓ１００は、水晶基板２０の第１基板面２０Ａのうち、第１振動腕２２が形成される第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕２３が形成される第２振動腕形成領域Ｑ３に第１下地膜５１を形成する工程である。

第１下地膜形成工程Ｓ１００は、水晶基板２０の第１基板面２０Ａを第１下地膜５１により被覆する第１下地膜コーティング工程Ｓ１０１と、第１下地膜５１をパターニングする第１下地膜パターニング工程Ｓ１０２と、を含む。

なお、第１下地膜５１を下地膜５１とも言い、第１下地膜形成工程Ｓ１００を下地膜形成工程Ｓ１００とも言う。

第３保護膜形成工程Ｓ１１０は、第１下地膜形成工程Ｓ１００において形成される第１下地膜５１のうち、第１溝２２１，２３１が形成される第１溝形成領域Ｑ１を除いた領域である第１土手部形成領域Ｑｄ１に第３保護膜５３を形成する工程である。

第３保護膜形成工程Ｓ１１０は、第１下地膜５１を第３保護膜５３により被覆する第３保護膜コーティング工程Ｓ１１１と、第３保護膜５３をパターニングする第３保護膜パターニング工程Ｓ１１２と、を含む。

本実施形態では、第１下地膜コーティング工程Ｓ１０１、第３保護膜コーティング工程Ｓ１１１、第３保護膜パターニング工程Ｓ１１２、第１下地膜パターニング工程Ｓ１０２、の順番で行われるが、各工程Ｓ１０１，Ｓ１０２，Ｓ１１１，Ｓ１１２の順番はこれに限らない。例えば、工程Ｓ１０１、工程Ｓ１０２、工程Ｓ１１１、工程Ｓ１１２、の順番で行われても構わないし、工程Ｓ１０１、工程Ｓ１１１、工程Ｓ１０２、工程Ｓ１１２、の順番で行われても構わない。

≪第１下地膜コーティング工程Ｓ１０１≫
図１９に示すように、水晶基板２０の第１基板面２０Ａを第１下地膜５１により被覆する。

≪第３保護膜コーティング工程Ｓ１１１≫
図２０に示すように、第１下地膜５１を第３保護膜５３により被覆する。第３保護膜５３は、第１下地膜５１における水晶基板２０とは反対側の面に形成される。

≪第３保護膜パターニング工程Ｓ１１２≫
まず、図２１に示すように、第３保護膜５３における水晶基板２０とは反対側の面に、第２レジスト膜Ｒ１１を形成する。第３保護膜５３における水晶基板２０とは反対側の面は、第３保護膜５３の上面である。第２レジスト膜Ｒ１１は、フォトリソグラフィー技法を用いて、第１土手部形成領域Ｑｄ１に形成される。つまり、第２レジスト膜Ｒ１１は、平面視で、第１土手部形成領域Ｑｄ１と重なる。

次に、第３保護膜５３における第２レジスト膜Ｒ１１が形成されている面側から第３保護膜５３をエッチングする。つまり、第２レジスト膜Ｒ１１をマスクとして、第３保護膜５３の上面側から、第３保護膜５３をエッチングする。これにより、第２レジスト膜Ｒ１１が形成されていない第１溝形成領域Ｑ１、腕間領域Ｑ４、および素子間領域Ｑ５の第３保護膜５３は、除去される。
このようにして、図２２に示すように、第１下地膜５１が形成されている領域のうち、第１土手部形成領域Ｑｄ１に、第３保護膜５３を形成することができる。

次に、図２３に示すように、第２レジスト膜Ｒ１１を除去し、第１下地膜パターニング工程Ｓ１０２に移る。

≪第１下地膜パターニング工程Ｓ１０２≫
まず、図２４に示すように、フォトリソグラフィー技法を用いて、第１下地膜５１が形成されている領域のうち、第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３に第３レジスト膜Ｒ１２を形成する。

本実施形態では、第１下地膜パターニング工程Ｓ１０２に先立ち、第１土手部形成領域Ｑｄ１には、第３保護膜５３が形成されている。そのため、第１下地膜５１が形成されている領域のうち、第１土手部形成領域Ｑｄ１では、第３レジスト膜Ｒ１２は、第３保護膜５３を介して第１下地膜５１を被覆するように形成される。第１下地膜５１が形成されている領域のうち、第１溝形成領域Ｑ１では、第３レジスト膜Ｒ１２は、第３保護膜５３を介さずに第１下地膜５１の上面を被覆するように形成される。

次に、第１下地膜５１における第３レジスト膜Ｒ１２が形成されている面側から第３レジスト膜Ｒ１２を介して第１下地膜５１をエッチングする。つまり、第３レジスト膜Ｒ１２をマスクとして、第１下地膜５１の上面側から、第１下地膜５１をエッチングする。

第３レジスト膜Ｒ１２は、第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３に形成されており、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５には形成されていない。そのため、第１下地膜パターニング工程Ｓ１０２では、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５の第１下地膜５１が除去される。
このようにして、図２５に示すように、第１基板面２０Ａの第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３に第１下地膜５１が形成される。

次に、第３レジスト膜Ｒ１２を除去する。このようにして、図１７に示す第１保護膜５ｂが形成される。
第３レジスト膜Ｒ１２の除去が終了すると、第１ドライエッチング工程Ｓ３に移る。

≪第１ドライエッチング工程Ｓ３≫
本工程は、実施形態１と同様に行われる。

図２６に示すように、第１保護膜５ｂを介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングし、第１面２Ａと、第１溝２２１，２３１と、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形と、を同時に形成する。

第１ドライエッチング工程Ｓ３において、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに形成されている第１下地膜５１および第３保護膜５３は、それぞれ所定のエッチングレートでエッチングされる。そのため、第１保護膜５ｂが形成されずに第１基板面２０Ａが露出している領域と、第１保護膜５ｂとして第１下地膜５１が形成されている領域と、第１保護膜５ｂとして第１下地膜５１および第３保護膜５３が形成されている領域と、のそれぞれの領域における水晶基板２０のエッチング深さを第１下地膜５１および第３保護膜５３によって制御することができる。

つまり、第１保護膜形成工程Ｓ２において、第１下地膜５１と第３保護膜５３とを含む第１保護膜５ｂを形成することによっても、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、マイクロローディング効果を利用せずに、第１および第２振動腕２２，２３の外形と第１溝２２１，２３１とを一括して形成することができる。

また、第１保護膜形成工程Ｓ２において、第１下地膜５１と第３保護膜５３とを含む第１保護膜５ｂを形成することによっても、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第１面２Ａとなる第１基板面２０Ａから、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第２面２Ｂとなる第２基板面２０Ｂに渡って、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を形成することができる。

また、上述したように、本実施形態では、第１保護膜形成工程Ｓ２において、第１基板面２０Ａの腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５には第１保護膜５ｂが形成されていない。換言すると、第１基板面２０Ａの腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５には第１下地膜５１が形成されていない。つまり、第１保護膜５ｂにおいて、Ｔ１＝０、Ｔ１１＝０である。
このように、第１基板面２０Ａの腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５には第１保護膜５ｂが形成されていないので、第１ドライエッチング工程Ｓ３におけるドライエッチングの開始とともに、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５における水晶基板２０のエッチングが開始される。そのため第１ドライエッチング工程Ｓ３をより短時間で行うことができる。

また、本実施形態では、第１基板面２０Ａの第１土手部形成領域Ｑｄ１に第１保護膜５ｂが残存した状態で第１ドライエッチング工程Ｓ３を終了させている。そのため、第１基板面２０Ａの第１土手部形成領域Ｑｄ１は、第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａとなる。なお、第１基板面２０Ａの第１土手部形成領域Ｑｄ１に第１保護膜５ｂが残存しない状態で第１ドライエッチング工程Ｓ３を終了させても構わない。

第１ドライエッチング工程Ｓ３が終了すると、第１保護膜除去工程Ｓ４に移る。
第１保護膜除去工程Ｓ４は、実施形態１と同一であるので、説明を省略し、第２保護膜形成工程Ｓ５から説明する。第１保護膜除去工程Ｓ４の終了後、水晶基板２０の第２基板面２０Ｂの加工に移る。

≪第２保護膜形成工程Ｓ５≫
図２７に示すように、水晶基板２０の第２基板面２０Ｂに、第２保護膜６ｂを形成する。第２保護膜６ｂは、第２下地膜６１および第４保護膜６３を含む。

第２保護膜６ｂは、第２基板面２０Ｂの第２溝形成領域Ｑ６以外の領域に形成される。本実施形態では、第２保護膜６ｂは、第２基板面２０Ｂの第２土手部形成領域Ｑｄ２に形成される。

詳細には、第２保護膜６ｂのうち、第２下地膜６１は、第２基板面２０Ｂの第２土手部形成領域Ｑｄ２に形成される。第２保護膜６ｂのうち、第４保護膜６３は、第２下地膜６１における水晶基板２０とは反対側の面の第２土手部形成領域Ｑｄ２に形成される。第２下地膜６１における水晶基板２０とは反対側の面は、第２下地膜６１の下面である。
つまり、第２基板面２０Ｂの第２土手部形成領域Ｑｄ２において、第２下地膜６１と、第４保護膜６３と、はＺ方向マイナス側に沿ってこの順で積層している。

第２下地膜６１について、説明する。
第２下地膜６１は、第２ドライエッチング工程Ｓ６において所定のエッチングレートでエッチングされる材料により形成される。

本実施形態では、第２下地膜６１は、金属により形成される金属膜である。第２下地膜６１は、第１金属膜６１２と、第２金属膜６１３と、を積層することにより形成される。

なお、本実施形態では、第２下地膜６１は、第１金属膜６１２と、第２金属膜６１３と、を積層することにより形成されているが、これに限らず、１つの膜で形成されていても構わないし、３つ以上の膜を積層することにより形成されていても構わない。

また、第２下地膜６１は、金属以外の材料で形成されていても構わない。例えば、第２下地膜６１は、レジスト材により形成されるレジスト膜であっても構わない。

次に、第４保護膜６３について、説明する。
第４保護膜６３は、第２ドライエッチング工程Ｓ６において所定のエッチングレートでエッチングされる材料により形成される。

本実施形態では、第４保護膜６３は、金属により形成される金属膜である。第４保護膜６３を形成する金属は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）などを用いることができる。なお、第４保護膜６３は、金属以外の材料で形成されていても構わない。例えば、第４保護膜６３は、レジスト材により形成されるレジスト膜であっても構わない。

次に、第２保護膜６ｂを形成する方法について、説明する。
図２８に示すように、本実施形態では、第２保護膜形成工程Ｓ５は、第２下地膜形成工程Ｓ１２０および第４保護膜形成工程Ｓ１３０を含む。

第２下地膜形成工程Ｓ１２０は、水晶基板２０の第２基板面２０Ｂのうち、第２土手部形成領域Ｑｄ２に第２下地膜６１を形成する工程である。

第２下地膜形成工程Ｓ１２０は、水晶基板２０の第２基板面２０Ｂを第２下地膜６１により被覆する第２下地膜コーティング工程Ｓ１２１と、第２下地膜６１をパターニングする第２下地膜パターニング工程Ｓ１２２と、を含む。

第４保護膜形成工程Ｓ１３０は、第２下地膜形成工程Ｓ１２０において形成される第２下地膜６１のうち、第２土手部形成領域Ｑｄ２に第４保護膜６３を形成する工程である。

第４保護膜形成工程Ｓ１３０は、第２下地膜６１を第４保護膜６３により被覆する第４保護膜コーティング工程Ｓ１３１と、第４保護膜６３をパターニングする第４保護膜パターニング工程Ｓ１３２と、を含む。

本実施形態では、第２下地膜コーティング工程Ｓ１２１、第４保護膜コーティング工程Ｓ１３１、第４保護膜パターニング工程Ｓ１３２、第２下地膜パターニング工程Ｓ１２２、の順番で行われるが、各工程Ｓ１２１，Ｓ１２２，Ｓ１３１，Ｓ１３２の順番はこれに限らない。例えば、工程Ｓ１２１、工程Ｓ１２２、工程Ｓ１３１、工程Ｓ１３２、の順番で行われても構わない。

≪第２下地膜コーティング工程Ｓ１２１≫
図２９に示すように、水晶基板２０の第２基板面２０Ｂを第２下地膜６１により被覆する。

≪第４保護膜コーティング工程Ｓ１３１≫
図２９に示すように、第２下地膜６１を第４保護膜６３により被覆する。第４保護膜６３は、第２下地膜６１における水晶基板２０とは反対側の面に形成される。

≪第４保護膜パターニング工程Ｓ１３２≫
まず、図２９に示すように、第４保護膜６３における水晶基板２０とは反対側の面に、第２レジスト膜Ｒ１１を形成する。第４保護膜６３における水晶基板２０とは反対側の面は、第４保護膜６３の下面である。第２レジスト膜Ｒ１１は、フォトリソグラフィー技法を用いて、第２溝形成領域Ｑ６以外の領域に形成される。本実施形態では、第２レジスト膜Ｒ１１は、第２土手部形成領域Ｑｄ２に形成される。つまり、第２レジスト膜Ｒ１１は、平面視で、第２土手部形成領域Ｑｄ２と重なる。

次に、第４保護膜６３における第２レジスト膜Ｒ１１が形成されている面側から第４保護膜６３をエッチングする。つまり、第２レジスト膜Ｒ１１をマスクとして、第４保護膜６３の下面側から、第４保護膜６３をエッチングする。これにより、図３０に示すように、第２レジスト膜Ｒ１１が形成されていない第２溝形成領域Ｑ６の第４保護膜６３は、除去される。
次に、図３０に示すように、第２レジスト膜Ｒ１１を除去し、第２下地膜パターニング工程Ｓ１２２に移る。

≪第２下地膜パターニング工程Ｓ１２２≫
まず、図３１に示すように、フォトリソグラフィー技法を用いて、第２下地膜６１のうち、第２溝形成領域Ｑ６以外の領域に第３レジスト膜Ｒ１２を形成する。本実施形態では、第２土手部形成領域Ｑｄ２に第３レジスト膜Ｒ１２を形成する。

本実施形態では、第２下地膜パターニング工程Ｓ１２２に先立ち、第２土手部形成領域Ｑｄ２には、第４保護膜６３が形成されている。そのため、第２土手部形成領域Ｑｄ２では、第３レジスト膜Ｒ１２は、第４保護膜６３を介して第２下地膜６１を被覆するように形成される。

次に、第２下地膜６１における第３レジスト膜Ｒ１２が形成されている面側から第３レジスト膜Ｒ１２を介して第２下地膜６１をエッチングする。つまり、第３レジスト膜Ｒ１２をマスクとして、第２下地膜６１の下面側から、第２下地膜６１をエッチングする。

第３レジスト膜Ｒ１２は、第２土手部形成領域Ｑｄ２に形成されており、第２溝形成領域Ｑ６には形成されていない。そのため、第２下地膜パターニング工程Ｓ１２２では、第２溝形成領域Ｑ６の第２下地膜６１が除去される。
このようにして、第２基板面２０Ｂの第２土手部形成領域Ｑｄ２に第２下地膜６１が形成される。

次に、第３レジスト膜Ｒ１２を除去する。このようにして、図２７に示す第２保護膜６ｂが形成される。
第３レジスト膜Ｒ１２の除去が終了すると、第２ドライエッチング工程Ｓ６に移る。

≪第２ドライエッチング工程Ｓ６≫
本工程は、実施形態１と同様に行われる。

図３２に示すように、第２保護膜６ｂを介して水晶基板２０を第２基板面２０Ｂ側からドライエッチングし、第２面２Ｂと、第２溝２２２，２３２と、を同時に形成する。

上述したように、第２保護膜形成工程Ｓ５において、第２基板面２０Ｂの第２溝形成領域Ｑ６に第２保護膜６ｂは形成されない。そのため、第２ドライエッチング工程Ｓ６において、水晶基板２０の第２溝形成領域Ｑ６がエッチングされる。

また、上述したように、第１ドライエッチング工程Ｓ３において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第１面２Ａから、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第２面２Ｂに渡って、形成している。そのため、第２ドライエッチング工程Ｓ６において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を形成しない。

また、本実施形態では、第２基板面２０Ｂの第２土手部形成領域Ｑｄ２に第２保護膜６ｂが残存した状態で第２ドライエッチング工程Ｓ６を終了させている。そのため、第２基板面２０Ｂの第２土手部形成領域Ｑｄ２は、第１および第２振動腕２２，２３の第２面２Ｂとなる。なお、第２基板面２０Ｂの第２土手部形成領域Ｑｄ２に第２保護膜６ｂが残存しない状態で第２ドライエッチング工程Ｓ６を終了させても構わない。

第２ドライエッチング工程Ｓ６が終了すると、第２保護膜除去工程Ｓ７に移る。
第２保護膜除去工程Ｓ７以降の工程は、実施形態１と同一であるので、説明を省略する。

以上により、振動素子１が得られる。

なお、本実施形態では、第２下地膜形成工程Ｓ１２０において、第２下地膜６１は、第２基板面２０Ｂの第２土手部形成領域Ｑｄ２に形成され、第２溝形成領域Ｑ６に形成されていないが、第２下地膜６１は、第２溝形成領域Ｑ６に形成されていても構わない。つまり、図３０に示すように、第２下地膜６１は、第２基板面２０Ｂの第２土手部形成領域Ｑｄ２および第２溝形成領域Ｑ６に形成されていても構わない。
このような場合でも、第２ドライエッチング工程Ｓ６において、ドライエッチングを行うことにより、第２溝２２２，２３２を形成することができる。第２下地膜６１を第２溝形成領域Ｑ６から除去する必要が無いため、第２下地膜パターニング工程Ｓ１２２を省略することができ、第２保護膜形成工程Ｓ５を簡素化することができる。

以上述べた通り、本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
第１下地膜５１と第３保護膜５３とを含む第１保護膜５ｂを形成することによっても、実施形態１と同様な効果が得られる。

また、腕間領域Ｑ４には第１下地膜５１を形成しないことにより、すなわち、Ｔ１＝０とすることにより、実施形態２と同様な効果が得られる。

以上、振動素子１の製造方法について、実施形態１、実施形態２、および実施形態３に基づいて説明した。ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていても構わない。また、各実施形態を適宜組み合わせても構わない。

例えば、本開示では、第１面２Ａから第２面２Ｂに渡って第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を形成する工程である第１ドライエッチング工程Ｓ３を行い、その後に、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を形成しない工程である第２ドライエッチング工程Ｓ６を行っているが、第１ドライエッチング工程Ｓ３と、第２ドライエッチング工程Ｓ６と、の順番は、これに限らない。つまり、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を形成しない工程である第２ドライエッチング工程Ｓ６を行い、その後に、第１面２Ａから第２面２Ｂに渡って第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形を形成する第１ドライエッチング工程Ｓ３を行っても構わない。
詳細には、例えば、振動素子１の製造方法は、準備工程Ｓ１、第２保護膜形成工程Ｓ５、第２ドライエッチング工程Ｓ６、第２保護膜除去工程Ｓ７、第１保護膜形成工程Ｓ２、第１ドライエッチング工程Ｓ３、第１保護膜除去工程Ｓ４、電極形成工程Ｓ８、の順番であっても構わない。この場合、第２保護膜形成工程Ｓ５において、第２基板面２０Ｂの第２溝形成領域Ｑ６以外の領域である第２土手部形成領域Ｑｄ２、腕間領域Ｑ４、および素子間領域Ｑ５に第２保護膜６，６ｂを形成する。そして、第２ドライエッチング工程Ｓ６では、第２溝形成領域Ｑ６をエッチングして、第２溝２２２，２３２を形成する。第２保護膜形成工程Ｓ５において、第２基板面２０Ｂの第２溝形成領域Ｑ６以外の領域に第２保護膜６，６ｂを形成することにより、第２ドライエッチング工程Ｓ６において、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形は形成しない。

また、本発明の振動素子の製造方法で製造される振動素子は、特に限定されない。
本発明の振動素子の製造方法で製造される振動素子は、例えば、図３３および図３４に示すような双音叉型振動素子７であってもよい。なお、図３３および図３４では、電極の図示を省略している。双音叉型振動素子７は、一対の基部７１１，７１２と、基部７１１，７１２を連結する第１振動腕７２および第２振動腕７３と、を有する。また、第１振動腕７２および第２振動腕７３は、それぞれ第１面７Ａに開口する有底の第１溝７２１，７３１と、第２面７Ｂに開口する有底の第２溝７２２，７３２と、第１溝７２１，７３１を画定する第１土手部７２５，７３５と、第２溝７２２，７３２を画定する第２土手部７２６，７３６と、を有する。

また、例えば、振動素子は、図３５、図３６および図３７に示すようなジャイロ振動素子８であってもよい。なお、図３５、図３６および図３７では、電極の図示を省略している。ジャイロ振動素子８は、基部８１と、基部８１からＹ方向両側に延出する一対の検出振動腕８２，８３と、基部８１からＸ方向両側に延出する一対の連結腕８４，８５と、連結腕８４の先端部からＹ方向両側に延出する駆動振動腕８６，８７と、連結腕８５の先端部からＹ方向両側に延出する駆動振動腕８８，８９と、を有する。このようなジャイロ振動素子８においては、駆動振動腕８６，８７，８８，８９を図３５中の矢印ＳＤ方向に屈曲振動させている状態でＺ軸まわりの角速度ωｚが作用すると、コリオリの力によって検出振動腕８２，８３に矢印ＳＳ方向への屈曲振動が新たに励振され、当該屈曲振動により検出振動腕８２，８３から出力される電荷に基づいて角速度ωｚを検出する。

また、検出振動腕８２，８３は、第１面８Ａに開口する有底の第１溝８２１，８３１と、第２面８Ｂに開口する有底の第２溝８２２，８３２と、第１溝８２１，８３１を画定する第１土手部８２５，８３５と、第２溝８２２，８３２を画定する第２土手部８２６，８３６と、を有する。また、駆動振動腕８６，８７，８８，８９は、第１面８Ａに開口する有底の第１溝８６１，８７１，８８１，８９１と、第２面８Ｂに開口する有底の第２溝８６２，８７２，８８２，８９２と、第１溝８６１，８７１，８８１，８９１を画定する第１土手部８６５，８７５，８８５，８９５と、第２溝８６２，８７２，８８２，８９２を画定する第２土手部８６６，８７６，８８６，８９６と、を有する。このようなジャイロ振動素子８においては、例えば、駆動振動腕８６，８８または駆動振動腕８７，８９が第１振動腕および第２振動腕となる。

また、例えば、振動素子は、図３８、図３９および図４０に示すようなジャイロ振動素子９であってもよい。なお、図３８、図３９および図４０では、電極の図示を省略している。ジャイロ振動素子９は、基部９１と、基部９１からＹ方向プラス側に延出し、Ｘ方向に並ぶ一対の駆動振動腕９２，９３と、基部９１からＹ方向マイナス側に延出し、Ｘ方向に並ぶ一対の検出振動腕９４，９５と、を有する。このようなジャイロ振動素子９においては、駆動振動腕９２，９３を図３８中の矢印ＳＤ方向に屈曲振動させている状態でＹ軸まわりの角速度ωｙが作用すると、コリオリの力によって、検出振動腕９４，９５に矢印ＳＳ方向への屈曲振動が新たに励振され、当該屈曲振動により検出振動腕９４，９５から出力される電荷に基づいて角速度ωｙを検出する。

また、駆動振動腕９２，９３は、第１面９Ａに開口する有底の第１溝９２１，９３１と、第２面９Ｂに開口する有底の第２溝９２２，９３２と、第１溝９２１，９３１を画定する第１土手部９２５，９３５と、第２溝９２２，９３２を画定する第２土手部９２６，９３６と、を有する。また、検出振動腕９４，９５は、第１面９Ａに開口する有底の第１溝９４１，９５１と、第２面９Ｂに開口する有底の第２溝９４２，９５２と、第１溝９４１，９５１を画定する第１土手部９４５，９５５と、第２溝９４２，９５２を画定する第２土手部９４６，９５６と、を有する。このようなジャイロ振動素子９においては、駆動振動腕９２，９３または検出振動腕９４，９５が第１振動腕および第２振動腕となる。

１…振動素子、２…振動基板、２Ａ…第１面、２Ｂ…第２面、５，５ｂ…第１保護膜、６，６ｂ…第２保護膜、２０…水晶基板、２０Ａ…第１基板面、２０Ｂ…第２基板面、２１…基部、２２…第１振動腕、２３…第２振動腕、５１…第１下地膜、５３…第３保護膜、６１…第２下地膜、６３…第４保護膜、１０１，１０３…側面、２２１，２３１…第１溝、２２２，２３２…第２溝、２２５，２３５…第１土手部、２２６，２３６…第２土手部、Ｑ１…第１溝形成領域、Ｑ２…第１振動腕形成領域、Ｑ３…第２振動腕形成領域、Ｑ４…腕間領域、Ｑ５…素子間領域、Ｑ６…第２溝形成領域、Ｑｄ１…第１土手部形成領域、Ｑｄ２…第２土手部形成領域、Ｓ１…準備工程、Ｓ２…第１保護膜形成工程、Ｓ３…第１ドライエッチング工程、Ｓ４…第１保護膜除去工程、Ｓ５…第２保護膜形成工程、Ｓ６…第２ドライエッチング工程、Ｓ７…第２保護膜除去工程、Ｓ８…電極形成工程、Ｓ１００…第１下地膜形成工程、Ｓ１１０…第３保護膜形成工程、Ｓ１２０…第２下地膜形成工程、Ｓ１３０…第４保護膜形成工程。

Claims (7)

1. 第１方向に沿って延出し、前記第１方向と交差する第２方向に沿って並ぶ第１振動腕および第２振動腕を備え、
   前記第１振動腕および前記第２振動腕は、それぞれ、前記第１方向および前記第２方向に交差する第３方向に並んで配置され、表裏関係にある第１面および第２面と、前記第１面に開口する有底の第１溝と、前記第２面に開口する有底の第２溝と、を有する振動素子の製造方法であって、
   表裏関係にある第１基板面および第２基板面を有する水晶基板を準備する準備工程と、
   前記第１基板面に第１保護膜を形成する第１保護膜形成工程と、
   前記第１保護膜を介して前記水晶基板を前記第１基板面側からドライエッチングし、前記第１面と、前記第１溝と、前記第１振動腕および前記第２振動腕の外形と、を形成する第１ドライエッチング工程と、
   前記第２基板面に第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程と、
   前記第２保護膜を介して前記水晶基板を前記第２基板面側からドライエッチングし、前記第２面と、前記第２溝と、を形成する第２ドライエッチング工程と、を含み、
   前記第１ドライエッチング工程において、前記第１振動腕および前記第２振動腕の外形を、前記第１面から前記第２面に渡って形成し、
   前記第２ドライエッチング工程において、前記第１振動腕および前記第２振動腕の外形を形成しない、
   振動素子の製造方法。
2. 前記第１振動腕が形成される第１振動腕形成領域および前記第２振動腕が形成される第２振動腕形成領域の間に位置する腕間領域における前記第１保護膜の前記第３方向に沿った厚みをＴ１とし、
   前記第１溝が形成される第１溝形成領域における前記第１保護膜の前記第３方向に沿った厚みをＴ２とし、
   前記第１振動腕形成領域および前記第２振動腕形成領域のうち前記第１溝形成領域を除いた領域における前記第１保護膜の前記第３方向に沿った厚みをＴ３としたとき、
   前記第１保護膜において、Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３を満たす、
   請求項１に記載の振動素子の製造方法。
3. 前記第１保護膜において、Ｔ１＝０である、
   請求項２に記載の振動素子の製造方法。
4. 前記第１保護膜は、下地膜および第３保護膜を含み、
   前記第１保護膜形成工程は、
   前記第１基板面のうち、前記第１振動腕が形成される第１振動腕形成領域および前記第２振動腕が形成される第２振動腕形成領域に前記下地膜を形成する下地膜形成工程と、
   前記下地膜のうち、前記第１溝が形成される第１溝形成領域を除いた領域に前記第３保護膜を形成する第３保護膜形成工程と、を含む、
   請求項１に記載の振動素子の製造方法。
5. 前記第１基板面の前記第１振動腕形成領域および前記第２振動腕形成領域の間に位置する腕間領域には、前記下地膜が形成されていない、
   請求項４に記載の振動素子の製造方法。
6. 前記第１ドライエッチング工程において、前記ドライエッチングを前記第１基板面に前記第１保護膜が残存した状態で終了させ、残存した前記第１保護膜を除去する第１保護膜除去工程を更に含む、
   請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の振動素子の製造方法。
7. 前記第２ドライエッチング工程において、前記ドライエッチングを前記第２基板面に前記第２保護膜が残存した状態で終了させ、残存した前記第２保護膜を除去する第２保護膜除去工程を更に含む、
   請求項６に記載の振動素子の製造方法。

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