CN117792316A - 振动元件的制造方法 - Google Patents

振动元件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117792316A
CN117792316A CN202311262033.9A CN202311262033A CN117792316A CN 117792316 A CN117792316 A CN 117792316A CN 202311262033 A CN202311262033 A CN 202311262033A CN 117792316 A CN117792316 A CN 117792316A
Authority
CN
China
Prior art keywords
protective film
groove
vibration
region
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202311262033.9A
Other languages
English (en)
Inventor
渡边司
山口启一
白石茂
西泽龙太
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN117792316A publication Critical patent/CN117792316A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/21—Crystal tuning forks
    • H03H9/215—Crystal tuning forks consisting of quartz
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5607—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating tuning forks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/026—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the tuning fork type

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

提供振动元件的制造方法，能够容易地形成深度不同的第1槽和第2槽。振动元件的制造方法包含：准备工序，准备具有处于正反关系的第1面和第2面的石英基板；第1保护膜形成工序，在将石英基板的形成有振动元件的区域设为元件形成区域、形成有第1槽的区域设为第1槽形成区域、形成有第2槽的区域设为第2槽形成区域时，在第2槽形成区域上形成第1保护膜；第2保护膜形成工序，在第1槽形成区域上形成蚀刻速率比第1保护膜低的第2保护膜；第3保护膜形成工序，在元件形成区域的除第1槽形成区域和第2槽形成区域以外的区域上形成第3保护膜；以及第1干蚀刻工序，经由第1保护膜、第2保护膜和第3保护膜而从第1面侧对石英基板进行干蚀刻。

Description

振动元件的制造方法
技术领域
本发明涉及振动元件的制造方法。
背景技术
在专利文献1中，作为具有在正面和下表面分别具有槽的一对振动臂的石英振动片的制造方法，记载了如下方法：利用干蚀刻的微观负载(microloading)效应，一并形成石英振动片的外形形状和各振动臂的槽。另外，微观负载效应是指如下效应：在加工宽度窄的密部位置和加工宽度宽的疏部位置中，即使在相同条件下进行干蚀刻，疏部位置的加工深度也比密部位置深，即，蚀刻速率较大。
专利文献1：日本特开2007-013382号公报
但是，在专利文献1中，由于利用微观负载效应一并形成外形形状和槽，因此对振动臂的宽度、振动臂彼此的分离距离等外形形状、槽的宽度、深度等槽形状产生制约。因此，存在设计自由度低、例如无法对多个振动臂形成相同宽度且深度不同的槽的课题。
发明内容
本发明的振动元件的制造方法是如下的振动元件的制造方法，所述振动元件具有处于正反关系的第1面和第2面，并具有：第1振动臂，其具有在所述第1面开口的有底的第1槽；以及第2振动臂，其具有在所述第1面开口的有底的第2槽，所述振动元件的制造方法包含：准备工序，准备具有所述第1面和所述第2面的石英基板；第1保护膜形成工序，在将所述石英基板的形成有所述振动元件的区域设为元件形成区域、形成有所述第1槽的区域设为第1槽形成区域、形成有所述第2槽的区域设为第2槽形成区域时，在所述第2槽形成区域上形成第1保护膜；第2保护膜形成工序，在所述第1槽形成区域上形成蚀刻速率比所述第1保护膜低的第2保护膜；第3保护膜形成工序，在所述元件形成区域的除所述第1槽形成区域和所述第2槽形成区域以外的区域上形成第3保护膜；以及第1干蚀刻工序，经由所述第1保护膜、所述第2保护膜和所述第3保护膜而从所述第1面侧对所述石英基板进行干蚀刻。
附图说明
图1是第1实施方式的振动元件的俯视图。
图2是图1中的A-A线剖视图。
图3是图1中的B-B线剖视图。
图4是表示振动元件的驱动状态的概略图。
图5是表示振动元件的驱动状态的概略图。
图6是表示d1＝d2时的d1、d2与灵敏度之间的关系的图表。
图7是表示d2/d1与灵敏度之间的关系的图表。
图8是表示振动元件的制造方法的流程图。
图9是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图10是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图11是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图12是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图13是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图14是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图15是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图16是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图17是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图18是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图19是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图20是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图21是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图22是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图23是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图24是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图25是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图26是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图27是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图28是表示第3实施方式的振动元件的制造方法的流程图。
图29是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图30是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图31是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图32是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图33是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
图34是表示通过第4实施方式的振动元件的制造方法制造的振动元件的俯视图。
图35是表示振动元件的变形例的剖视图。
图36是表示振动元件的变形例的剖视图。
标号说明
1：振动元件；2：振动基板；2a：上表面；2b：下表面；200：石英基板；21：基部；22：检测振动臂；221：槽；222：槽；23：检测振动臂；231：槽；232：槽；24：支承臂；25：支承臂；26：驱动振动臂；261：槽；262：槽；27：驱动振动臂；271：槽；272：槽；28：驱动振动臂；281：槽；282：槽；29：驱动振动臂；291：槽；292：槽；3：电极；31：第1检测信号电极；32：第1检测接地电极；33：第2检测信号电极；34：第2检测接地电极；35：驱动信号电极；36：驱动接地电极；41：第1保护膜；42：第2保护膜；43：第3保护膜；44：第4保护膜；45：第5保护膜；46：第6保护膜；6：振动元件；7：振动基板；7a：上表面；7b：下表面；71：基部；72：检测振动臂；721：槽；722：槽；73：检测振动臂；731：槽；732：槽；74：驱动振动臂；741：槽；742：槽；75：驱动振动臂；751：槽；752：槽；8：电极；81：第1检测信号电极；82：第1检测接地电极；83：第2检测信号电极；84：第2检测接地电极；85：驱动信号电极；86：驱动接地电极；A1：第1振动臂；A11：第1槽；
A12：第3槽；A2：第2振动臂；A21：第2槽；A22：第4槽；d1：深度；d2：深度；L：基底膜；M1：掩模；M2：掩模；Q1：元件形成区域；Q2：去除区域；Qm1：第1槽形成区域；Qm2：第2槽形成区域；Qm3：第3槽形成区域；Qm4：第4槽形成区域；S1：准备工序；S2：第1保护膜形成工序；S3：第2保护膜形成工序；S4：第3保护膜形成工序；S5：第1干蚀刻工序；S6：第4保护膜形成工序；S7：第5保护膜形成工序；S8：第6保护膜形成工序；S9：第2干蚀刻工序；S10：电极形成工序；t1：厚度；t2：厚度；T1：规定时刻；T2：规定时刻；T3：时刻；T4：规定时刻；T5：规定时刻；T6：时刻；ωy：角速度；ωz：角速度。
具体实施方式
下面，根据附图所示的实施方式，对本发明的振动元件的制造方法进行详细说明。
<第1实施方式>
图1是第1实施方式的振动元件的俯视图。图2是图1中的A-A线剖视图。图3是图1中的B-B线剖视图。图4和图5分别是表示振动元件的驱动状态的概略图。
图6是表示d1＝d2时的d1、d2与灵敏度之间的关系的图表。图7是表示d2/d1与灵敏度之间的关系的图表。图8是表示振动元件的制造方法的流程图。图9至图27分别是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
以下，为了便于说明，图示出相互垂直的3轴即X轴、Y轴以及Z轴。此外，将沿着X轴的方向也称为X轴方向，将沿着Y轴的方向也称为Y轴方向，将沿着Z轴的方向也称为Z轴方向。另外，将各轴的箭头侧也称为“正侧”，将相反侧也称为“负侧”。另外，将Z轴方向的正侧也称为“上”，将负侧也称为“下”。另外，将从Z轴方向的俯视也简称为“俯视”。
首先，对通过本实施方式的振动元件的制造方法制造的振动元件1进行说明。振动元件1是能够检测绕Z轴的角速度ωz的角速度检测元件。如图1至图3所示，这样的振动元件1具有对Z切的石英基板进行构图而成的振动基板2、以及在振动基板2的表面上成膜的电极3。
此外，振动基板2是在Z轴方向上具有厚度且在X-Y平面上扩展的板状，具有处于正反关系的作为第1面的上表面2a和作为第2面的下表面2b。此外，振动基板2具有：位于中央部的基部21；从基部21向Y轴方向两侧延伸的作为第2振动臂A2的一对检测振动臂22、23；从基部21向X轴方向两侧延伸的一对支承臂24、25；从一个支承臂24的末端部向Y轴方向两侧延伸的作为第1振动臂A1的一对驱动振动臂26、27；以及从另一个支承臂25的末端部向Y轴方向两侧延伸的作为第1振动臂A1的一对驱动振动臂28、29。而且，在基部21处被未图示的支承部件支承。
根据这种形状的振动元件1，如后所述，在驱动振动模式中，驱动振动臂26、27、28、29平衡良好地进行弯曲振动，因此，在检测振动臂22、23中不易产生不必要的振动，能够高精度地检测角速度ωz。
检测振动臂22具有：形成于上表面2a的作为第2槽A21的有底的槽221；以及形成于下表面2b的作为第4槽A22的有底的槽222。槽221、222分别沿着检测振动臂22形成。此外，槽221、222对称地形成。
检测振动臂23具有：形成于上表面2a的作为第2槽A21的有底的槽231；以及形成于下表面2b的作为第4槽A22的有底的槽232。槽231、232分别沿着检测振动臂23形成。此外，槽231、232对称地形成。
这2个检测振动臂22、23被设计为彼此相同的结构(形状以及尺寸)。
驱动振动臂26具有：形成于上表面2a的作为第1槽A11的有底的槽261；以及形成于下表面2b的作为第3槽A12的有底的槽262。槽261、262分别沿着驱动振动臂26形成。此外，槽261、262对称地形成。
驱动振动臂27具有：形成于上表面2a的作为第1槽A11的有底的槽271；以及形成于下表面2b的作为第3槽A12的有底的槽272。槽271、272分别沿着驱动振动臂27形成。此外，槽271、272对称地形成。
驱动振动臂28具有：形成于上表面2a的作为第1槽A11的有底的槽281；以及形成于下表面2b的作为第3槽A12的有底的槽282。槽281、282分别沿着驱动振动臂28形成。此外，槽281、282对称地形成。
驱动振动臂29具有：形成于上表面2a的作为第1槽A11的有底的槽291；以及形成于下表面2b的作为第3槽A12的有底的槽292。槽291、292分别沿着驱动振动臂29形成。此外，槽291、292对称地形成。
这四个驱动振动臂26、27、28、29被设计为彼此相同的结构(形状以及尺寸)。
电极3具有第1检测信号电极31、第1检测接地电极32、第2检测信号电极33、第2检测接地电极34、驱动信号电极35和驱动接地电极36。其中，第1检测信号电极31配置于检测振动臂22的上表面2a和下表面2b，第1检测接地电极32配置于检测振动臂22的两侧面。此外，第2检测信号电极33配置于检测振动臂23的上表面2a和下表面2b，第2检测接地电极34配置于检测振动臂23的两侧面。此外，驱动信号电极35配置于驱动振动臂26、27的上表面2a和下表面2b、以及驱动振动臂28、29的两侧面。此外，驱动接地电极36配置于驱动振动臂26、27的两侧面、以及驱动振动臂28、29的上表面2a和下表面2b。
以上，对振动元件1的结构进行了简单说明。这种结构的振动元件1如下检测绕Z轴的角速度ωz。
当在驱动信号电极35与驱动接地电极36之间施加驱动信号时，如图4所示，驱动振动臂26、27和驱动振动臂28、29在X轴方向上以反相进行弯曲振动(以下，也将该状态称为“驱动振动模式”)。另外，在该状态下，驱动振动臂26、27、28、29的振动被消除，检测振动臂22、23不振动。在以驱动振动模式进行驱动的状态下对振动元件1施加角速度ωz时，如图5所示，哥氏力作用于驱动振动臂26、27、28、29而激励出Y轴方向的弯曲振动，检测振动臂22、23以与该弯曲振动相呼应的方式在X轴方向上进行弯曲振动(以下，也将该状态称为“检测振动模式”)。
从第1检测信号电极31取出由于这样的弯曲振动而在检测振动臂22中产生的电荷作为第1检测信号，从第2检测信号电极33取出在检测振动臂23中产生的电荷作为第2检测信号，根据这些第1、第2检测信号求出角速度ωz。另外，由于第1、第2检测信号为互为反相的信号，因此通过使用差分检测方式，能够更高精度地对角速度ωz进行检测。
接着，对形成于检测振动臂22、23的槽与形成于驱动振动臂26、27、28、29的槽之间的关系进行说明。另外，如前文所述，各个检测振动臂22、23为彼此相同的结构，各个驱动振动臂26、27、28、29为彼此相同的结构。因此以下，为了便于说明，将检测振动臂22、23统称为第2振动臂A2，将驱动振动臂26、27、29统称为第1振动臂A1来进行说明。
如上所述，第1振动臂A1具有形成于上表面2a的第1槽A11和形成于下表面2b的第3槽A12。此外，第2振动臂A2具有形成于上表面2a的第2槽A21和形成于下表面2b的第4槽A22。因此，第1振动臂A1以及第2振动臂A2的截面形状分别成为H型。根据这种结构，能够延长第1、第2振动臂A1、A2的弯曲振动时的热传递路径，降低热弹性损失，提高Q值。进而，第1、第2振动臂A1、A2变得柔软，它们容易在X轴方向上弯曲变形。因此，能够增大驱动振动模式下的第1振动臂A1的振幅。第1振动臂A1的振幅越大，哥氏力越大，检测振动模式下的第2振动臂A2的振幅变得越大。因此，能够得到更大的检测信号，角速度ωz的检测灵敏度提高。
以下，如图2所示，将第1振动臂A1的厚度设为t1，将第1振动臂A1的第1、第3槽A11、A12的深度设为d1，将第2振动臂A2的厚度设为t2，将第2、第4槽A21、A22的深度设为d2，对d2/t2与d1/t1之间的关系进行详细说明。此外，d1是第1、第3槽A11、A12的深度的合计。在本实施方式中，由于第1、第3槽A11、A12对称地形成，因此第1、第3槽A11、A12的深度分别为d1/2。同样地，d2是第2、第4槽A21、A22的深度的合计。在本实施方式中，第2、第4槽A21、A22对称地形成，因此第2、第4槽A21、A22的深度分别为d2/2。
图6示出d1、d2(其中，d1＝d2)与角速度ωz的检测灵敏度(灵敏度)之间的关系。另外，振动基板2的板厚即t1、t2为100μm。另外，检测灵敏度以将d1、d2为60μm时的检测灵敏度设为1的比来表示。由该图可知，d1、d2越深，检测灵敏度越高。然而，即使将d1、d2设为90μm(板厚的90％)，与d1、d2为60μm(板厚的60％)时相比，检测灵敏度也仅提高至1.09倍。由此可知，在d1＝d2的情况下，即使增大d1、d2，检测灵敏度也难以提高。
接着，图7示出d2/d1与检测灵敏度之间的关系。另外，振动基板2的板厚即t1、t2为100μm。另外，检测灵敏度以将以往的结构即d2/d1＝1时的检测灵敏度设为1的比来表示。由该图可知，d2/d1越大，检测灵敏度越高。即，相对于第1振动臂A1的第1、第3槽A11、A12，第2振动臂A2的第2、第4槽A21、A22越深，检测灵敏度越高。而且，可知在d2/d1＞1的区域，与以往的结构相比能够提高检测灵敏度。
因此，在振动元件1中，满足d2/d1＞1、即d2/t2＞d1/t1。即，第1、第3槽A11、A12比第2、第4槽A21、A22浅。由此，与以往的结构相比能够提高检测灵敏度，能够得到在以往的结构中无法达到的检测灵敏度。
以上，对振动元件1的整体结构进行了说明。接着说明振动元件1的制造方法。在此，也将驱动振动臂26、27、28、29统称为第1振动臂A1来进行说明，将检测振动臂22、23统称为第2振动臂A2来进行说明。如图8所示，振动元件1的制造方法包含准备工序S1、第1保护膜形成工序S2、第2保护膜形成工序S3、第3保护膜形成工序S4、第1干蚀刻工序S5、第4保护膜形成工序S6、第5保护膜形成工序S7、第6保护膜形成工序S8、第2干蚀刻工序S9以及电极形成工序S10。以下，使用与图2对应的剖视图，依次对这各个工序进行说明。
[准备工序S1]
首先，如图9所示，准备作为振动基板2的母材的Z切的石英基板200。石英基板200具有处于正反关系的作为第1面的上表面2a和作为第2面的下表面2b。石英基板200比振动基板2大，能够由石英基板200形成多个振动基板2。石英基板200能够使用石英晶片，该石英晶片通过利用Z切将经过朗伯加工的人工石英切断而得到。
另外以下，也将形成振动基板2的区域称为元件形成区域Q1，将元件形成区域Q1外的区域称为去除区域Q2，将形成第1槽A11的区域称为第1槽形成区域Qm1，将形成第2槽A21的区域称为第2槽形成区域Qm2，将形成第3槽A12的区域称为第3槽形成区域Qm3，将形成第4槽A22的区域称为第4槽形成区域Qm4。
接着，根据需要，对石英基板200的两面进行用于厚度调整和平坦化的研磨加工。这样的研磨加工也被称为研磨处理(lapping)加工。例如，使用具有上下一对平台的晶片研磨装置，在彼此反向地旋转的平台之间夹入石英基板200，一边使石英基板200旋转并且供给研磨液，一边对石英基板200的两面进行研磨。另外，在研磨加工中，也可以接着上述研磨处理加工，根据需要对石英基板200的两面进行镜面研磨加工。这样的研磨加工也被称为抛光加工。由此，能够使石英基板200的两面镜面化。
[第1保护膜形成工序S2]
接着，如图10所示，在石英基板200的表面形成基底膜L。基底膜L例如由铬(Cr)等金属材料构成。但是，基底膜L的构成材料没有特别限定，也可以省略基底膜L。
接下来，如图11所示，在石英基板200的上表面2a上涂敷第1保护膜41，并通过使用了曝光和显影的光刻技术进行构图。由此，得到形成在第2槽形成区域Qm2上的第1保护膜41。此外，第1保护膜41是正性的光致抗蚀剂即树脂膜。另外，作为涂覆方法，例如可以使用旋涂法、喷涂法等。通过使第1保护膜41为树脂膜，能够使用光刻技术容易地进行构图。因此，第1保护膜41的形成变得容易。但是，第1保护膜41的结构没有特别限定，例如也可以是负性的光致抗蚀剂。另外，第1保护膜41也可以是后述的第2实施方式那样的金属膜。
[第2保护膜形成工序S3]
接下来，如图12所示，在石英基板200的上表面2a上涂敷第2保护膜42，并通过使用了曝光和显影的光刻技术进行构图。由此，得到形成在第1槽形成区域Qm1上及去除区域Q2上的第2保护膜42。此外，第2保护膜42是正性的光致抗蚀剂即树脂膜。另外，作为涂覆方法，例如可以使用旋涂法、喷涂法等。这样，通过使第2保护膜42为树脂膜，能够使用光刻技术容易地进行构图。因此，第2保护膜42的形成变得容易。但是，第2保护膜42的结构没有特别限定，例如也可以是负性的光致抗蚀剂。另外，第2保护膜42也可以是后述的第2实施方式那样的金属膜。
这样的第2保护膜42的蚀刻速率比第1保护膜41低。由此，如后所述，在第1干蚀刻工序S5中，能够一并形成深度不同的第1槽A11和第2槽A21。
[第3保护膜形成工序S4]
接着，如图13所示，隔着第1保护膜41和第2保护膜42在上表面2a上形成第3保护膜43。由此，在元件形成区域Q1的除第1槽形成区域Qm1及第2槽形成区域Qm2以外的区域上形成第3保护膜43。第3保护膜43是由金属材料构成的金属膜。由此，能够发挥优异的耐蚀刻性。特别是，在本实施方式中，第3保护膜43由镍(Ni)构成，通过化学镀镍而成膜。由此，第3保护膜43的成膜变得容易。但是，第3保护膜43的构成材料和成膜方法没有特别限定。
接着，如图14所示，去除位于去除区域Q2上的第2保护膜42。由此，得到由在元件形成区域Q1的除第1槽形成区域Qm1及第2槽形成区域Qm2以外的区域上形成的第3保护膜43、在第1槽形成区域Qm1上形成的第2保护膜42、在第2槽形成区域Qm2上形成的第1保护膜41构成的掩模M1。此外，只要能够得到掩模M1，则第1保护膜形成工序S2、第2保护膜形成工序S3以及第3保护膜形成工序S4的顺序没有特别限定。例如，也可以按照第2保护膜形成工序S3、第1保护膜形成工序S2以及第3保护膜形成工序S4的顺序进行。
其中，第2槽形成区域Qm2上的第1保护膜41构成为，在后述的第1干蚀刻工序S5中以规定的蚀刻速率被蚀刻，在规定时刻T1从石英基板200上被去除。换言之，第1保护膜41以在规定时刻T1从石英基板200上被去除的方式设定材料以及膜厚。同样地，第1槽形成区域Qm1上的第2保护膜42构成为，在后述的第1干蚀刻工序S5中以规定的蚀刻速率被蚀刻，在比规定时刻T1晚的规定时刻T2从石英基板200上被去除。换言之，第2保护膜42以在规定时刻T2从石英基板200上被去除的方式设定材料以及膜厚。此外，在本实施方式中，第1保护膜41与第2保护膜42为相同的膜厚，但两者的膜厚也可以不同。
与此相对，第3保护膜43残留至接下来的第1干蚀刻工序S5结束时。因此，本实施方式的第3保护膜43的蚀刻速率比第1保护膜41以及第2保护膜42低。由此，能够更可靠地使第3保护膜43残留至第1干蚀刻工序S5结束时。另外，能够使第3保护膜43变薄，能够削减第3保护膜43的成膜所需的时间、成本。
[第1干蚀刻工序S5]
接着，从上表面2a侧经由掩模M1对石英基板200进行干蚀刻。利用干蚀刻，能够不受石英的结晶面的影响地进行加工，因此能够实现优异的尺寸精度。另外，干蚀刻是反应性离子蚀刻，使用RIE(反应离子蚀刻)装置进行。另外，导入RIE装置的反应气体并无特别限定，例如可使用SF6、CF4、C2F4、C2F6、C3F6、C4F8等。
当开始该工序时，首先，如图15所示，开始从掩模M1露出的去除区域Q2的蚀刻。即，首先，开始形成振动基板2的外形形状。然后，若直接进行蚀刻，则在规定时刻T1，如图16所示，第2槽形成区域Qm2上的第1保护膜41及基底膜L消失，与此同时开始第2槽形成区域Qm2的蚀刻。由此，晚于振动基板2的外形形状，开始形成第2槽A21。进而，若直接进行蚀刻，则在规定时刻T2，如图17所示，第1槽形成区域Qm1上的第2保护膜42及基底膜L消失，与此同时开始第1槽形成区域Qm1的蚀刻。由此，晚于第2槽A21，开始形成第1槽A11。
然后，如图18所示，在第1槽A11和第2槽A21均成为规定深度的时刻T3，结束干蚀刻。由此，一并形成第1槽A11和第2槽A21。另外，在时刻T3，去除区域Q2的蚀刻深度达到石英基板200的厚度的一半以上。即，在本实施方式中，第1保护膜41以及第2保护膜42的材料以及膜厚被设计为，第1槽A11以及第2槽A21同时成为规定深度，且此时的去除区域Q2的蚀刻深度达到石英基板200的厚度的一半以上。
这样，在本工序中，第2槽形成区域Qm2上的第1保护膜41以及第1槽形成区域Qm1上的第2保护膜42被依次去除，按照去除区域Q2、第2槽形成区域Qm2以及第1槽形成区域Qm1的顺序开始干蚀刻。因此，第2槽形成区域Qm2的蚀刻深度比去除区域Q2的蚀刻深度浅，第1槽形成区域Qm1的蚀刻深度比第2槽形成区域Qm2的蚀刻深度浅。因此，能够在一个工序中一并形成深度不同的第1槽A11和第2槽A21，第1槽A11和第2槽A21的形成变得容易。
另外，根据这样的工序，能够通过第1保护膜41以及第2保护膜42的材料以及膜厚来控制规定时刻T1、T2，因此能够容易且高精度地分别独立控制去除区域Q2、第2槽形成区域Qm2以及第1槽形成区域Qm1的蚀刻深度。因此，能够分别自由地设定第1槽A11和第2槽A21的深度。
以上，从上表面侧对石英基板200进行蚀刻的工序结束。以下的工序S6～S9是从下表面侧对石英基板200进行蚀刻的工序，与上述工序S2～S5相同。因此，对于与工序S6～S9重复的部分，省略说明。
[第4保护膜形成工序S6]
接着，如图19所示，在石英基板200的下表面2b上涂敷第4保护膜44，通过使用了曝光和显影的光刻技术进行构图。由此，得到形成在第4槽形成区域Qm4上的第4保护膜44。第4保护膜44是与上述的第1保护膜41相同的结构。
[第5保护膜形成工序S7]
接着，如图20所示，在石英基板200的下表面2b上涂敷第5保护膜45，通过使用了曝光和显影的光刻技术进行构图。由此，得到形成在第3槽形成区域Qm3上及去除区域Q2上的第5保护膜45。第5保护膜45是与上述的第2保护膜42相同的结构。
另外，第5保护膜45的蚀刻速率比第4保护膜44低。由此，如后所述，在第2干蚀刻工序S9中，能够一并形成深度不同的第3槽A12和第4槽A22。
[第6保护膜形成工序S8]
接着，如图21所示，隔着第4保护膜44和第5保护膜45在下表面2b上形成第6保护膜46。由此，在元件形成区域Q1的除第3槽形成区域Qm3以及第4槽形成区域Qm4以外的区域上形成第6保护膜46。第6保护膜46的结构与前述的第3保护膜43相同。
接着，如图22所示，去除位于去除区域Q2上的第5保护膜45。通过以上工序，得到由在元件形成区域Q1的除第3槽形成区域Qm3以及第4槽形成区域Qm4以外的区域上形成的第6保护膜46、在第3槽形成区域Qm3上形成的第5保护膜45、以及在第4槽形成区域Qm4上形成的第4保护膜44构成的掩模M2。此外，只要能够得到掩模M2，则第4保护膜形成工序S6、第5保护膜形成工序S7以及第6保护膜形成工序S8的顺序没有特别限定。例如，也可以按照第5保护膜形成工序S7、第4保护膜形成工序S6以及第6保护膜形成工序S8的顺序进行。
其中，第4保护膜44构成为在接下来的第2干蚀刻工序S9中以规定的蚀刻速率被蚀刻，在规定时刻T4从石英基板200上被去除。同样地，第5保护膜45构成为在接下来的第2干蚀刻工序S9中以规定的蚀刻速率被蚀刻，并在比规定时刻T4晚的规定时刻T5从石英基板200上被去除。此外，在本实施方式中，第4保护膜44与第5保护膜45为相同的膜厚，但两者的膜厚也可以不同。
与此相对，第6保护膜46残留至接下来的第2干蚀刻工序S9结束时。因此，本实施方式的第6保护膜46的蚀刻速率比第4保护膜44以及第5保护膜45低。由此，能够更可靠地使第6保护膜46残留至第2干蚀刻工序S9结束时。另外，能够使第6保护膜46变薄，也能够削减第6保护膜46的成膜所需的时间、成本。
[第2干蚀刻工序S9]
接着，从下表面2b侧经由掩模M2对石英基板200进行干蚀刻。当开始该工序时，首先，如图23所示，开始从掩模M2露出的去除区域Q2的蚀刻。由此，开始形成振动基板2的外形形状。若直接进行蚀刻，则如图24所示，在规定时刻T4，第4槽形成区域Qm4上的第4保护膜44及基底膜L消失，与此同时开始第4槽形成区域Qm4的蚀刻。由此，晚于振动基板2的外形形状，开始形成第4槽A22。进而，若继续进行蚀刻，则如图25所示，在规定时刻T5，第3槽形成区域Qm3上的第5保护膜45消失，与此同时开始第3槽形成区域Qm3的蚀刻。由此，晚于第4槽A22，开始形成第3槽A12。
然后，如图26所示，在第3槽A12和第4槽A22均成为规定深度的时刻T6结束干蚀刻。由此，一并形成第3槽A12和第4槽A22。另外，在时刻T6，在去除区域Q2中贯通石英基板200，完成了振动基板2的外形形状。由此，不需要用于完成振动基板2的外形形状的进一步的干蚀刻工序，因此，能够实现振动元件1的制造工序的削减、振动元件1的低成本化。
由此，从石英基板200得到多个振动基板2。
[电极形成工序S10]
接下来，在从石英基板200上去除不需要的膜、具体而言为第3保护膜43、第6保护膜46以及基底膜L之后，如图27所示，在振动基板2的表面上形成电极3。但是，基底膜L也可以一直残留在振动基板2的表面。另外，作为电极3的形成方法，没有特别限定，例如，能够通过在振动基板2的表面形成金属膜，并使用光刻技术和蚀刻技术对该金属膜进行构图而形成。
通过以上的工序，得到振动元件1。根据这样的制造方法，由于不利用微观负载效应，因此缓和了振动基板2的形状和尺寸的制约、用于干蚀刻的反应气体的选择等干蚀刻条件的制约。因此，能够容易且高精度地制造设计自由度高的振动元件1。此外，在本实施方式中，到第2干蚀刻工序S9为止，石英基板200的去除区域Q2不贯通，能够将石英基板200的机械强度维持得足够高。即，能够在石英基板200的机械强度一直较高的状态下，进行直到位于最后阶段的第2干蚀刻工序S9为止的各工序。因此，操作性提高，振动元件1的制造变得容易。
以上，对振动元件的制造方法进行了说明。如上所述，在这样的振动元件的制造方法中，振动元件1具有处于正反关系的作为第1面的上表面2a和作为第2面的下表面2b，并具有：第1振动臂A1，其具有在上表面2a开口的有底的第1槽A11；以及第2振动臂A2，其具有在上表面2a开口的有底的第2槽A21，在该振动元件1的制造方法中，具有：准备工序S1，准备具有上表面2a和下表面2b的石英基板200；第1保护膜形成工序S2，在将石英基板200的形成有振动元件1的区域设为元件形成区域Q1、形成有第1槽A11的区域设为第1槽形成区域Qm1、形成有第2槽A21的区域设为第2槽形成区域Qm2时，在第2槽形成区域Qm2上形成第1保护膜41；第2保护膜形成工序S3，在第1槽形成区域Qm1上形成蚀刻速率比第1保护膜41低的第2保护膜42；第3保护膜形成工序S4，在元件形成区域Q1的除第1槽形成区域Qm1和第2槽形成区域Qm2以外的区域上形成第3保护膜43；以及第1干蚀刻工序S5，经由第1保护膜41、第2保护膜42及第3保护膜43从上表面2a侧对石英基板200进行干蚀刻。
根据这样的制造方法，如上所述，在第1干蚀刻工序S5的中途，从所述石英基板200上去除第1保护膜41，延迟去除第2保护膜42。因此，在第1干蚀刻工序S5中一并形成深度不同的第1、第2槽A11、A21。因此，能够容易地形成深度不同的第1、第2槽A11、A21。此外，阻止了第1、第2槽A11、A21相对于外形形状的位置偏移，提高了振动元件1的形成精度。另外，由于不利用微观负载效应，因此缓和了振动基板2的形状、尺寸的制约、用于干蚀刻的反应气体的选择等干蚀刻条件的制约。因此，能够容易且高精度地制造设计自由度高的振动元件1。
另外，如上所述，第3保护膜43的蚀刻速率比第1保护膜41和第2保护膜42低。由此，能够更可靠地使第3保护膜43残留在石英基板200上，直到第1干蚀刻工序S5结束时为止。因此，能够高精度地形成振动基板2的外形形状。
另外，如上所述，第3保护膜43是金属膜。由此，能够容易地降低第3保护膜43的蚀刻速率。
另外，如上所述，第1保护膜41以及第2保护膜42中的至少一方是树脂膜。特别是，在本实施方式中，第1保护膜41以及第2保护膜42均为树脂膜。由此，能够通过直接对第1保护膜41、第2保护膜42进行曝光和显影来进行构图。因此，第1保护膜41、第2保护膜42的形成变得容易。
此外，如前文所述，振动元件1具有在第1振动臂A1的下表面2b开口的第3槽A12、和在第2振动臂A2的下表面2b开口的第4槽A22，包含：第4保护膜形成工序S6，在将形成有第3槽A12的区域设为第3槽形成区域Qm3、形成有第4槽A22的区域设为第4槽形成区域Qm4时，在第4槽形成区域Qm4上形成第4保护膜44；第5保护膜形成工序S7，在第3槽形成区域Qm3上形成蚀刻速率比第4保护膜低的第5保护膜45；第6保护膜形成工序S8，在元件形成区域Q1的除第3槽形成区域Qm3和第4槽形成区域Qm4以外的区域上形成第6保护膜46；以及第2干蚀刻工序S9，经由第4保护膜44、第5保护膜45和第6保护膜46从下表面2b侧对石英基板200进行干蚀刻。由此，能够容易地形成深度不同的第3、第4槽A12、A22。
此外，如上所述，振动元件1是检测角速度的角速度检测元件，第1振动臂A1根据被施加的驱动信号进行弯曲振动，第2振动臂A2根据被施加的角速度ωz进行弯曲振动。即，第1振动臂A1为驱动振动臂26、27、28、29，第2振动臂A2为检测振动臂22、23。由此，由于形成于驱动振动臂26、27、28、29的第1槽A11与形成于检测振动臂22、23的第2槽A21相比较浅，因此能够提高角速度检测元件的检测灵敏度。
此外，如上所述，振动元件1具有：基部21；作为第2振动臂A2的一对检测振动臂22、23，它们从基部21起向作为第1方向的Y轴方向的两侧延伸；一对支承臂24、25，它们从基部21起向作为与Y轴方向交叉的第2方向的X轴方向的两侧延伸；作为第1振动臂A1的一对驱动振动臂26、27，它们从一个支承臂24起向Y轴方向的两侧延伸；以及作为第1振动臂A1的一对驱动振动臂28、29，它们从另一个支承臂25起向Y轴方向的两侧延伸。根据这种结构，由于在驱动振动模式下驱动振动臂26、27、28、29平衡良好地进行弯曲振动，因此在检测振动臂22、23上不易产生不必要的振动，从而能够高精度地对角速度ωz进行检测。
<第2实施方式>
本实施方式的振动元件的制造方法除了第1保护膜41、第2保护膜42、第4保护膜44和第5保护膜45的结构不同以外，与上述第1实施方式的振动元件的制造方法相同。另外，在以下的说明中，关于本实施方式的振动元件的制造方法，以与上述第1实施方式的不同点为中心进行说明，省略相同事项的说明。
在本实施方式的振动元件的制造方法中，第1保护膜41、第2保护膜42、第4保护膜44和第5保护膜45分别是由金属材料构成的金属膜。由此，与前述的第1实施方式那样的由树脂膜构成的情况相比，能够降低第1保护膜41、第2保护膜42、第4保护膜44以及第5保护膜45的蚀刻速率，相应地，能够使这各个膜41、42、44、45变薄。因此，第1保护膜41、第2保护膜42、第4保护膜44以及第5保护膜45的构图精度提高，从而能够进一步提高振动基板2的尺寸精度。
如上所述，在本实施方式的振动元件的制造方法中，第1保护膜41和第2保护膜42中的至少一方是金属膜。特别是，在本实施方式中，第1保护膜41和第2保护膜42均为金属膜。由此，与前述的第1实施方式那样的由树脂膜构成的情况相比，能够降低第1保护膜41和第2保护膜42的蚀刻速率，相应地，能够使这各个膜41、42变薄。因此，第1保护膜41和第2保护膜42的构图精度提高，能够进一步提高振动基板2的尺寸精度。
通过这样的第2实施方式，也能够发挥与上述第1实施方式同样的效果。
<第3实施方式>
图28是表示第3实施方式的振动元件的制造方法的流程图。图29至图33分别是用于说明振动元件的制造方法的剖视图。
本实施方式的振动元件的制造方法除了第1干蚀刻工序S5以后的工序不同以外，与上述第1实施方式的振动元件的制造方法相同。另外，在以下的说明中，关于本实施方式的振动元件的制造方法，以与上述第1实施方式的不同点为中心进行说明，省略相同事项的说明。另外，在本实施方式的各图中，对与上述实施方式相同的结构标注相同的标号。
如图28所示，本实施方式的振动元件的制造方法包含准备工序S1、第1保护膜形成工序S2、第2保护膜形成工序S3、第3保护膜形成工序S4、第1干蚀刻工序S5、第5保护膜形成工序S7、第6保护膜形成工序S8、第2干蚀刻工序S9以及电极形成工序S10。以下，使用与图2对应的剖视图，依次对这各个工序进行说明。此外，由于工序S1～S4以及S10与上述的第1实施方式相同，因此以下仅对工序S5～S9进行说明。
[第1干蚀刻工序S5]
在本工序中，从上表面2a侧经由掩模M1对石英基板200进行干蚀刻，如图29所示，在第1槽A11和第2槽A21均成为规定深度的时刻T3结束干蚀刻。另外，在时刻T3，石英基板200在去除区域Q2中贯通，完成了振动基板2的外形形状。由此，一并形成振动基板2的外形形状、第1槽A11以及第2槽A21。这样，仅通过从上表面2a侧的干蚀刻来形成振动基板2的外形形状，由此，能够在外形形状完成之前持续使用掩模M1。因此，不会产生在使用多个掩模时可能产生的所谓“掩模偏移”，能够以高精度形成外形形状。因此，能够抑制第1、第2振动臂A1、A2的无用振动和振动平衡降低，能够制造具有优异的角速度检测特性的振动元件1。
[第5保护膜形成工序S7]
接着，如图30所示，在石英基板200的下表面2b上涂敷第5保护膜45，通过使用了曝光和显影的光刻技术进行构图。由此，得到形成在第3槽形成区域Qm3以及第4槽形成区域Qm4上的第5保护膜45。
[第6保护膜形成工序S8]
接着，如图31所示，隔着第5保护膜45在下表面2b上形成第6保护膜46。由此，在元件形成区域Q1的除第3槽形成区域Qm3以及第4槽形成区域Qm4以外的区域上形成第6保护膜46。接着，如图32所示，去除第4槽形成区域Qm4上的第5保护膜45。通过以上工序，得到由在元件形成区域Q1的除第3槽形成区域Qm3以及第4槽形成区域Qm4以外的区域上形成的第6保护膜46、和在第3槽形成区域Qm3上形成的第5保护膜45构成的掩模M2。
[第2干蚀刻工序S9]
接着，从下表面2b侧经由掩模M2对石英基板200进行干蚀刻。当开始该工序时，首先，开始从掩模M2露出的第4槽形成区域Qm4的蚀刻。由此，开始形成第4槽A22。若直接进行蚀刻，则第3槽形成区域Qm3上的第5保护膜45及基底膜L消失，与此同时开始第3槽形成区域Qm3的蚀刻。由此，晚于第4槽A22，开始形成第3槽A12。然后，如图33所示，在第3槽A12和第4槽A22均成为规定深度的时刻结束干蚀刻。由此，一并形成第3槽A12和第4槽A22。
通过以上这样的第3实施方式，也能够发挥与上述第1实施方式同样的效果。
<第4实施方式>
图34是第4实施方式的振动元件的俯视图。
在本实施方式的振动元件的制造方法中，除了制造的振动元件的结构不同以外，与上述第1实施方式的振动元件的制造方法相同。另外，在以下的说明中，关于本实施方式的振动元件的制造方法，以与上述第1实施方式的不同点为中心进行说明，省略相同事项的说明。另外，在本实施方式的各图中，对与上述实施方式相同的结构标注相同的标号。
在本实施方式的振动元件的制造方法中，制造出图34所示的振动元件6。振动元件6是能够检测绕Y轴的角速度ωy的角速度检测元件。这样的振动元件6具有：对Z切的石英基板进行构图而成的振动基板7；以及在振动基板7的表面上成膜的电极8。
并且，振动基板7为板状，具有彼此处于正反关系的作为第1面的上表面7a和作为第2面的下表面7b。此外，振动基板7具有：位于其中央部的基部71；从基部71向Y轴方向正侧延伸的作为第2振动臂A2的一对检测振动臂72、73；以及从基部71向Y轴方向负侧延伸的作为第1振动臂A1的一对驱动振动臂74、75。一对检测振动臂72、73在X轴方向上排列配置，一对驱动振动臂74、75在X轴方向上排列配置。
检测振动臂72具有：形成于上表面7a的作为第2槽的有底的槽721；以及形成于下表面7b的作为第4槽的有底的槽722。同样，检测振动臂73具有：形成于上表面7a的作为第2槽的有底的槽731；以及形成于下表面7b的作为第4槽的有底的槽732。
驱动振动臂74具有：形成于上表面7a的作为第1槽的有底的槽741；以及形成于下表面7b的作为第3槽的有底的槽742。同样，驱动振动臂75具有：形成于上表面7a的作为第1槽的有底的槽751；以及形成于下表面7b的作为第3槽的有底的槽752。
电极8具有第1检测信号电极81、第1检测接地电极82、第2检测信号电极83、第2检测接地电极84、驱动信号电极85和驱动接地电极86。
其中，第1检测信号电极81配置于检测振动臂72的上表面7a和下表面7b，第1检测接地电极82配置于检测振动臂72的两侧面。此外，第2检测信号电极83配置于检测振动臂73的上表面7a和下表面7b，第2检测接地电极84配置于检测振动臂73的两侧面。此外，驱动信号电极85配置于驱动振动臂74的上表面7a和下表面7b以及驱动振动臂75的两侧面，驱动接地电极86配置于驱动振动臂74的两侧面以及驱动振动臂75的上表面7a和下表面7b。
通过以上这样的第4实施方式，也能够发挥与上述第1实施方式同样的效果。
以上，根据图示的实施方式对本发明的振动元件的制造方法进行了说明，但是，本发明不限于此，各部分的结构可置换为具有相同功能的任意结构。此外，可以在本发明中附加其他任意的构成物、工序。此外，作为振动元件，并不限定于前文所述的振动元件1、6，例如也可以是音叉型、双音叉型的振动元件。此外，振动元件并不限定于角速度检测元件。
并且例如，如图35和图36所示，振动元件1也可以省略第3槽A12、第4槽A22。在该情况下，振动元件1的制造方法包含上述第3实施方式中的准备工序S1、第1保护膜形成工序S2、第2保护膜形成工序S3、第3保护膜形成工序S4以及第1干蚀刻工序S5。即，能够仅通过从上表面2a侧进行的干蚀刻工序来形成振动基板2。因此，振动元件1的制造变得更容易。

Claims (8)

1.一种振动元件的制造方法，所述振动元件具有处于正反关系的第1面和第2面，并具有：第1振动臂，其具有在所述第1面开口的有底的第1槽；以及第2振动臂，其具有在所述第1面开口的有底的第2槽，该振动元件的制造方法的特征在于，包含：
准备工序，准备具有所述第1面和所述第2面的石英基板；
第1保护膜形成工序，在将所述石英基板的形成有所述振动元件的区域设为元件形成区域、形成有所述第1槽的区域设为第1槽形成区域、形成有所述第2槽的区域设为第2槽形成区域时，在所述第2槽形成区域上形成第1保护膜；
第2保护膜形成工序，在所述第1槽形成区域上形成蚀刻速率比所述第1保护膜低的第2保护膜；
第3保护膜形成工序，在所述元件形成区域的除所述第1槽形成区域和所述第2槽形成区域以外的区域上形成第3保护膜；以及
第1干蚀刻工序，经由所述第1保护膜、所述第2保护膜和所述第3保护膜而从所述第1面侧对所述石英基板进行干蚀刻。
2.根据权利要求1所述的振动元件的制造方法，其中，
所述第3保护膜的蚀刻速率比所述第1保护膜和所述第2保护膜低。
3.根据权利要求2所述的振动元件的制造方法，其中，
所述第3保护膜是金属膜。
4.根据权利要求1所述的振动元件的制造方法，其中，
所述第1保护膜和所述第2保护膜中的至少一方是金属膜。
5.根据权利要求1所述的振动元件的制造方法，其中，
所述第1保护膜和所述第2保护膜中的至少一方是树脂膜。
6.根据权利要求1所述的振动元件的制造方法，其中，
所述振动元件具有在所述第1振动臂的所述第2面开口的第3槽、和在所述第2振动臂的所述第2面开口的第4槽，
该振动元件的制造方法包含以下工序：
第4保护膜形成工序，在将形成有所述第3槽的区域设为第3槽形成区域、形成有所述第4槽的区域设为第4槽形成区域时，在所述第4槽形成区域上形成第4保护膜；
第5保护膜形成工序，在所述第3槽形成区域上形成蚀刻速率比所述第4保护膜低的第5保护膜；
第6保护膜形成工序，在所述元件形成区域的除所述第3槽形成区域和所述第4槽形成区域以外的区域上形成第6保护膜；以及
第2干蚀刻工序，经由所述第4保护膜、所述第5保护膜和所述第6保护膜而从所述第2面侧对所述石英基板进行干蚀刻。
7.根据权利要求1所述的振动元件的制造方法，其中，
所述振动元件是检测角速度的角速度检测元件，
所述第1振动臂根据被施加的驱动信号进行弯曲振动，
所述第2振动臂根据被施加的角速度进行弯曲振动。
8.根据权利要求7所述的振动元件的制造方法，其中，
所述振动元件具有：基部；一对所述第2振动臂，它们从所述基部起向第1方向的两侧延伸；一对支承臂，它们从所述基部起向与所述第1方向交叉的第2方向的两侧延伸；一对所述第1振动臂，它们从一个所述支承臂起向所述第1方向的两侧延伸；以及一对所述第1振动臂，它们从另一个所述支承臂起向所述第1方向的两侧延伸。
CN202311262033.9A 2022-09-29 2023-09-27 振动元件的制造方法 Pending CN117792316A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022155986A JP2024049641A (ja) 2022-09-29 2022-09-29 振動素子の製造方法
JP2022-155986 2022-09-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117792316A true CN117792316A (zh) 2024-03-29

Family

ID=90385817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311262033.9A Pending CN117792316A (zh) 2022-09-29 2023-09-27 振动元件的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240113691A1 (zh)
JP (1) JP2024049641A (zh)
CN (1) CN117792316A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
US20240113691A1 (en) 2024-04-04
JP2024049641A (ja) 2024-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN117792316A (zh) 振动元件的制造方法
KR20010105318A (ko) 진동 구조체 자이로스코프의 제조 방법
CN117792314A (zh) 振动元件的制造方法
US20240113692A1 (en) Method for manufacturing vibrator
US8258676B2 (en) Crystal device and method for manufacturing crystal device
US20240113690A1 (en) Method for manufacturing vibrator
CN117792319A (zh) 振动元件的制造方法
US20240056053A1 (en) Manufacturing Method For Vibrator Element
US20230102578A1 (en) Method Of Manufacturing Vibration Element
US20230126632A1 (en) Method For Manufacturing Vibration Element
US20230097025A1 (en) Method Of Manufacturing Vibration Element
US20230127801A1 (en) Method For Manufacturing Vibration Element
JP2023065838A (ja) 振動素子の製造方法
US20230179164A1 (en) Method For Manufacturing Vibrator Element
JP2023065836A (ja) 振動素子の製造方法
CN114978079A (zh) 振动元件的制造方法
US20220271735A1 (en) Method For Manufacturing Vibration Element
CN116131789A (zh) 振动元件的制造方法
CN115622521A (zh) 振动元件的制造方法
CN116260411A (zh) 振动元件的制造方法
JP2022130275A (ja) 振動素子の製造方法
JP2022130274A (ja) 振動素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination