JP2023065838A - 振動素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 164
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 135
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 51
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 44
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
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- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/026—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the tuning fork type
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Abstract
【課題】外形と溝とを一括形成することができる振動素子の製造方法を提供する。【解決手段】振動素子１の製造方法は、第１保護膜形成工程と、第１ドライエッチング工程と、第２ドライエッチング工程と、を含む。第１保護膜形成工程は、第１保護膜５１を形成する。第１ドライエッチング工程は、第１保護膜５１を介してドライエッチングし、溝２２１と、溝２３１と、第１振動腕２２及び第２振動腕２３の外形と、を形成する。第２保護膜形成工程は、溝２２１及び溝２３１に第２保護膜５２を形成する。第２ドライエッチング工程は、第２保護膜５２を介してドライエッチングし、第１面２Ａと、第１振動腕２２及び第２振動腕２３の外形とを形成する。【選択図】図８
Description
本発明は、振動素子の製造方法に関する。
特許文献１には、振動腕に有底の溝を有する音叉型振動子をウエットエッチングおよびドライエッチングにより形成する方法が記載されている。この製造方法では、水晶基板をウエットエッチングすることにより音叉型振動子の外形を形成し、然る後、ドライエッチングにより溝を形成している。
特許文献２には、振動腕に有底の溝を有する音叉型振動子をドライエッチングにより形成する方法が記載されている。この製造方法では、圧電材料からなる基板をドライエッチングする際に、一対の振動腕の間の幅に対して溝の幅を狭くすることによりマイクロローディング効果を用いて、一対の振動腕の間のエッチング深さに対して溝のエッチング深さを浅くし、振動子の溝と外形形状とを一括して形成している。
特許文献２には、振動腕に有底の溝を有する音叉型振動子をドライエッチングにより形成する方法が記載されている。この製造方法では、圧電材料からなる基板をドライエッチングする際に、一対の振動腕の間の幅に対して溝の幅を狭くすることによりマイクロローディング効果を用いて、一対の振動腕の間のエッチング深さに対して溝のエッチング深さを浅くし、振動子の溝と外形形状とを一括して形成している。
特許文献１の製造方法は、外形を形成するウエットエッチングと溝を形成するドライエッチングとがそれぞれ別工程であるため、製造工程が複雑であり、外形に対する溝の位置ずれなどが生じ易い。そのため、この製造方法による振動素子は、不要振動などが発生し易い、という問題があった。
一方、特許文献２の製造方法は、外形と溝とを同一工程で一括して形成するので、上述の問題は生じない。しかしながら、この製造方法では、ドライエッチングにおけるマイクロローディング効果を用いて外形と溝とを一括して形成しているので、振動腕の幅や溝の幅および深さなどの寸法の設定に制約が生じ、設計自由度が低い、という課題があった。
そこで、外形と溝とを一括して形成することができ、かつ設計自由度の高い振動素子の製造方法が求められていた。
一方、特許文献２の製造方法は、外形と溝とを同一工程で一括して形成するので、上述の問題は生じない。しかしながら、この製造方法では、ドライエッチングにおけるマイクロローディング効果を用いて外形と溝とを一括して形成しているので、振動腕の幅や溝の幅および深さなどの寸法の設定に制約が生じ、設計自由度が低い、という課題があった。
そこで、外形と溝とを一括して形成することができ、かつ設計自由度の高い振動素子の製造方法が求められていた。
本発明の振動素子の製造方法は、第１方向に沿って延出し、前記第１方向と交差する第２方向に沿って並ぶ第１振動腕および第２振動腕を備え、前記第１振動腕および前記第２振動腕は、それぞれ、前記第１方向および前記第２方向に交差する第３方向に並んで配置され、表裏関係にある第１面および第２面と、前記第１面に開口する有底の溝と、を有する振動素子の製造方法であって、表裏関係にある第１基板面および第２基板面を有する水晶基板を準備する準備工程と、前記第１基板面の、前記第１振動腕が形成される第１振動腕形成領域および前記第２振動腕が形成される第２振動腕形成領域のうち、前記溝が形成される溝形成領域を除いた領域に第１保護膜を形成する第１保護膜形成工程と、前記第１保護膜を介して前記水晶基板を前記第１基板面側からドライエッチングし、前記溝と、前記第１振動腕および前記第２振動腕の外形と、を形成する第１ドライエッチング工程と、前記溝に第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程と、前記第２保護膜を介して前記水晶基板を前記第１基板面側からドライエッチングし、前記第１面と、前記第１振動腕および前記第２振動腕の外形と、を形成する第２ドライエッチング工程と、を含む。
１．実施形態１
実施形態１に係る振動素子１の製造方法について説明する。
まず、振動素子１の構成について、図１および図２を参照して説明し、次に、振動素子１の製造方法について、図３～図１０を参照して説明する。
実施形態１に係る振動素子１の製造方法について説明する。
まず、振動素子１の構成について、図１および図２を参照して説明し、次に、振動素子１の製造方法について、図３～図１０を参照して説明する。
なお、説明の便宜上、図３を除く各図には互いに直交する３軸であるＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を示す。また、Ｘ軸に沿う方向をＸ方向（第２方向）とも言い、Ｙ軸に沿う方向をＹ方向（第１方向）とも言い、Ｚ軸に沿う方向をＺ方向（第３方向）とも言う。また、各軸の矢印側をプラス側とも言い、反対側をマイナス側とも言う。また、Ｚ方向のプラス側を「上」とも言い、マイナス側を「下」とも言う。また、Ｚ方向からの平面視を、単に「平面視」とも言う。また、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、後述するように、水晶の結晶軸に相当する。
図１および図２に示すように、振動素子１は、音叉型の振動素子であり、振動基板２と、振動基板２の表面に形成された電極３と、を有する。
振動基板２は、Ｚカットの水晶基板（Ｚカット水晶板）を所望形状にパターニングすることにより形成され、水晶の結晶軸であるＸ軸およびＹ軸で規定されるＸ－Ｙ平面に広がりを有し、Ｚ方向に沿った厚みを有する。Ｘ軸は、電気軸とも言い、Ｙ軸は、機械軸とも言い、Ｚ軸は、光軸とも言う。また、Ｚ方向に沿った厚みを、単に「厚み」とも言う。
振動基板２は、板状をなし、互いに表裏関係にありＺ方向に並んで配置された第１面２Ａおよび第２面２Ｂを有する。また、振動基板２は、基部２１と、基部２１からＹ方向に沿って延出し、Ｘ方向に沿って並ぶ第１振動腕２２および第２振動腕２３と、を有する。
第１振動腕２２は、第１面２Ａに開口する有底の溝２２１と、溝２２１を画定する土手部２２５と、第１面２Ａと第２面２Ｂとを接続する側面１０１と、を有する。土手部２２５は、平面視で第１面２Ａにおいて、Ｘ方向に沿って溝２２１を挟んで並んでいる部分である。
同様に、第２振動腕２３は、第１面２Ａに開口する有底の溝２３１と、溝２３１を画定する土手部２３５と、第１面２Ａと第２面２Ｂとを接続する側面１０３と、を有する。土手部２３５は、平面視で第１面２Ａにおいて、Ｘ方向に沿って溝２３１を挟んで並んでいる部分である。
溝２２１，２３１は、それぞれＹ方向に沿って延在している。また、土手部２２５，２３５は、それぞれ溝２２１，２３１のＸ方向両側に形成され、Ｙ方向に沿って延在している。したがって、第１振動腕２２および第２振動腕２３は、それぞれ、略Ｕ状の横断面形状を有する。これにより、熱弾性損失が低減され、優れた振動特性を有する振動素子１となる。
電極３は、信号電極３１と、接地電極３２と、を有する。信号電極３１は、第１振動腕２２の第１面２Ａおよび第２面２Ｂと第２振動腕２３の側面１０３とに配置されている。一方、接地電極３２は、第１振動腕２２の側面１０１と第２振動腕２３の第１面２Ａおよび第２面２Ｂとに配置されている。接地電極３２を接地した状態で信号電極３１に駆動信号を印加すると、図１中の矢印で示すように、第１振動腕２２および第２振動腕２３が接近、離間を繰り返すようにしてＸ方向に屈曲振動する。
以上、振動素子１について簡単に説明した。
次に、振動素子１の製造方法について説明する。図３に示すように、振動素子１の製造方法は、振動基板２の母材である水晶基板２０を準備する準備工程Ｓ１と、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに第１保護膜５１を形成する第１保護膜形成工程Ｓ２と、第１保護膜５１を介して水晶基板２０をドライエッチングし、溝２２１，２３１を形成する第１ドライエッチング工程Ｓ３と、溝２２１，２３１に第２保護膜５２を形成する第２保護膜形成工程Ｓ４と、第２保護膜５２を介して水晶基板２０をドライエッチングする第２ドライエッチング工程Ｓ５と、第１基板面２０Ａに残存する第１保護膜５１を除去する第１保護膜除去工程Ｓ６と、溝２２１，２３１に残存する第２保護膜５２を除去する第２保護膜除去工程Ｓ７と、以上の工程により得られた振動基板２の表面に電極３を形成する電極形成工程Ｓ８と、を含む。
なお、第１保護膜除去工程Ｓ６は、本開示における「保護膜除去工程」に相当する。
以下、これら各工程について順に説明する。
次に、振動素子１の製造方法について説明する。図３に示すように、振動素子１の製造方法は、振動基板２の母材である水晶基板２０を準備する準備工程Ｓ１と、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに第１保護膜５１を形成する第１保護膜形成工程Ｓ２と、第１保護膜５１を介して水晶基板２０をドライエッチングし、溝２２１，２３１を形成する第１ドライエッチング工程Ｓ３と、溝２２１，２３１に第２保護膜５２を形成する第２保護膜形成工程Ｓ４と、第２保護膜５２を介して水晶基板２０をドライエッチングする第２ドライエッチング工程Ｓ５と、第１基板面２０Ａに残存する第１保護膜５１を除去する第１保護膜除去工程Ｓ６と、溝２２１，２３１に残存する第２保護膜５２を除去する第２保護膜除去工程Ｓ７と、以上の工程により得られた振動基板２の表面に電極３を形成する電極形成工程Ｓ８と、を含む。
なお、第１保護膜除去工程Ｓ６は、本開示における「保護膜除去工程」に相当する。
以下、これら各工程について順に説明する。
≪準備工程Ｓ１≫
図４に示すように、振動基板２の母材である水晶基板２０を準備する。水晶基板２０からは、複数の振動素子１が一括形成される。水晶基板２０は、板状をなし、互いに表裏関係にありＺ方向に並んで配置された第１基板面２０Ａおよび第２基板面２０Ｂを有する。ラッピングやポリッシングなどの研磨処理により、水晶基板２０は所望の厚みに調整されており、第１基板面２０Ａおよび第２基板面２０Ｂは十分に平滑化されている。また、必要に応じて、水晶基板２０にウエットエッチングによる表面処理を行っても構わない。
図４に示すように、振動基板２の母材である水晶基板２０を準備する。水晶基板２０からは、複数の振動素子１が一括形成される。水晶基板２０は、板状をなし、互いに表裏関係にありＺ方向に並んで配置された第１基板面２０Ａおよび第２基板面２０Ｂを有する。ラッピングやポリッシングなどの研磨処理により、水晶基板２０は所望の厚みに調整されており、第１基板面２０Ａおよび第２基板面２０Ｂは十分に平滑化されている。また、必要に応じて、水晶基板２０にウエットエッチングによる表面処理を行っても構わない。
なお、以下では、第１振動腕２２が形成される領域を第１振動腕形成領域Ｑ２とも言う。第２振動腕２３が形成される領域を第２振動腕形成領域Ｑ３とも言う。また、第１振動腕形成領域Ｑ２と第２振動腕形成領域Ｑ３との間に位置する領域を腕間領域Ｑ４とも言う。また、隣り合う振動基板２同士の間に位置する領域を素子間領域Ｑ５とも言う。
第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３は、溝２２１，２３１が形成される溝形成領域Ｑ１と、土手部２２５，２３５が形成される土手部形成領域Ｑｄ１と、を有する。換言すると、土手部形成領域Ｑｄ１は、第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕形成領域Ｑ３のうち溝形成領域Ｑ１を除いた領域に相当する。溝２２１，２３１および土手部２２５，２３５は、後述する第１ドライエッチング工程Ｓ３によって形成される。
≪第１保護膜形成工程Ｓ２≫
図５に示すように、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに第１保護膜５１を形成する。第１保護膜５１は、第１基板面２０Ａの土手部形成領域Ｑｄ１に形成される。
図５に示すように、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに第１保護膜５１を形成する。第１保護膜５１は、第１基板面２０Ａの土手部形成領域Ｑｄ１に形成される。
本実施形態では、第１保護膜５１は、樹脂により形成される樹脂膜である。例えば、第１保護膜５１は、感光性樹脂であるレジスト材を第１基板面２０Ａに塗布し、リソグラフィー技法を用いてパターニングすることにより、形成することができる。また、例えば、第１保護膜５１は、スクリーン印刷法やインプリント法などの印刷技法を用いて、樹脂を選択的に塗布することにより形成することもできる。このように、樹脂膜は容易に形成することができるので、第１保護膜５１を樹脂膜とすることにより、第１保護膜形成工程Ｓ２を簡素化することができる。
本実施形態では、第１保護膜５１の厚みは、後述する第１ドライエッチング工程Ｓ３および第２ドライエッチング工程Ｓ５が終了したときに、土手部形成領域Ｑｄ１に第１保護膜５１が残存するように十分に厚く形成されている。ただし、第１保護膜５１の厚みは、第１ドライエッチング工程Ｓ３または第２ドライエッチング工程Ｓ５が終了したときに、土手部形成領域Ｑｄ１から除去されるように薄く形成されていても構わない。
また、本実施形態では、第１保護膜５１は、樹脂により形成されているが、樹脂以外の材料で形成されていても構わない。例えば、第１保護膜５１は、金属により形成される金属膜であっても構わない。
≪第１ドライエッチング工程Ｓ３≫
図６に示すように、第１保護膜５１を介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングし、溝２２１，２３１と、振動基板２の外形と、を同時に形成する。なお、「同時に形成」とは、１工程において両者を一括して形成することを言う。本工程は、反応性イオンエッチングであり、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）装置を用いて行われる。また、ＲＩＥ装置に導入される反応ガスとしては、特に限定されないが、例えば、ＳＦ6、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ6、Ｃ4Ｆ8等を用いることができる。
図６に示すように、第１保護膜５１を介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングし、溝２２１，２３１と、振動基板２の外形と、を同時に形成する。なお、「同時に形成」とは、１工程において両者を一括して形成することを言う。本工程は、反応性イオンエッチングであり、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）装置を用いて行われる。また、ＲＩＥ装置に導入される反応ガスとしては、特に限定されないが、例えば、ＳＦ6、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ6、Ｃ4Ｆ8等を用いることができる。
本工程では、土手部形成領域Ｑｄ１に形成される第１保護膜５１をマスクとして、土手部形成領域Ｑｄ１以外の領域がエッチングされる。土手部形成領域Ｑｄ１以外の領域とは、溝形成領域Ｑ１、腕間領域Ｑ４、および素子間領域Ｑ５である。水晶基板２０の溝形成領域Ｑ１が第１基板面２０Ａ側からエッチングされることにより、溝２２１，２３１が形成される。溝形成領域Ｑ１におけるエッチング深さは、溝２２１，２３１の深さに相当する。水晶基板２０の腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５が第１基板面２０Ａ側からエッチングされることにより、振動基板２の外形が形成される。腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５におけるエッチング深さは、振動基板２の外形の深さに相当する。なお、「振動基板２の外形」を「第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形」とも言う。
第１ドライエッチング工程Ｓ３は、溝２２１，２３１の深さが所望の深さＷａとなった時点で終了する。本実施形態では、本工程終了時点における振動基板２の外形の深さは、溝２２１，２３１の深さＷａと略等しい。なお、「略等しい」とは、エッチング条件などのばらつきにより厳密には等しくならない場合を含む概念である。
また、本実施形態では、上述したように、第１保護膜５１は、第１基板面２０Ａの土手部形成領域Ｑｄ１に形成されており、溝形成領域Ｑ１、腕間領域Ｑ４、および素子間領域Ｑ５には形成されていない。つまり、第１基板面２０Ａの溝形成領域Ｑ１、腕間領域Ｑ４、および素子間領域Ｑ５は露出している。そのため、第１ドライエッチング工程Ｓ３では、ドライエッチングの開始とともに、溝形成領域Ｑ１、腕間領域Ｑ４、および素子間領域Ｑ５のエッチングが開始される。そのため、第１ドライエッチング工程Ｓ３を短時間で行うことができる。
≪第２保護膜形成工程Ｓ４≫
図７に示すように、溝２２１，２３１に第２保護膜５２を形成する。
図７に示すように、溝２２１，２３１に第２保護膜５２を形成する。
本実施形態では、第２保護膜５２は、樹脂により形成される樹脂膜である。第２保護膜５２は、樹脂を溝２２１，２３１に埋め込むことにより形成される。例えば、第２保護膜５２は、感光性樹脂であるレジスト材を第１基板面２０Ａ側から水晶基板２０に塗布し、リソグラフィー技法を用いてパターニングすることにより、形成することができる。また、例えば、第２保護膜５２は、スクリーン印刷法やインプリント法などの印刷技法を用いて、樹脂を選択的に塗布することにより形成することもできる。このように、樹脂膜は容易に形成することができるので、第２保護膜５２を樹脂膜とすることにより、第２保護膜形成工程Ｓ４を簡素化することができる。
本実施形態では、第２保護膜５２の厚みは、後述する第２ドライエッチング工程Ｓ５が終了したときに溝２２１，２３１の深さＷａ以上の厚みとなるように形成されている。ただし、第２保護膜５２の厚みは、第２ドライエッチング工程Ｓ５が終了したときに第２保護膜５２が溝２２１，２３１の底面に残存するように十分に厚く形成されていれば構わない。
また、本実施形態では、第２保護膜５２は、樹脂を溝２２１，２３１に埋め込むことにより形成される厚膜であるが、溝２２１，２３１の側壁および底面をそれぞれ被覆する薄膜であっても構わない。
また、本実施形態では、第２保護膜５２は、樹脂により形成されているが、樹脂以外の材料で形成されていても構わない。例えば、第２保護膜５２は、金属により形成される金属膜であっても構わない。
≪第２ドライエッチング工程Ｓ５≫
図８に示すように、第２保護膜５２を介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングし、第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａと、振動基板２の外形と、を同時に形成する。本工程は、反応性イオンエッチングであり、ＲＩＥ装置を用いて行われる。
図８に示すように、第２保護膜５２を介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングし、第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａと、振動基板２の外形と、を同時に形成する。本工程は、反応性イオンエッチングであり、ＲＩＥ装置を用いて行われる。
本工程では、溝形成領域Ｑ１に形成される第２保護膜５２をマスクとして、溝形成領域Ｑ１以外の領域がエッチングされる。ただし、本実施形態では、上述したように、土手部形成領域Ｑｄ１に第１保護膜５１が残存している。そのため、本工程では、第１保護膜５１と第２保護膜５２とをマスクとして、水晶基板２０の溝形成領域Ｑ１および土手部形成領域Ｑｄ１以外の領域がエッチングされる。溝形成領域Ｑ１および土手部形成領域Ｑｄ１以外の領域とは、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５である。
このようにして、水晶基板２０の腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５が第１基板面２０Ａ側からエッチングされることにより、振動基板２の外形が形成される。
第２ドライエッチング工程Ｓ５は、振動基板２の外形の深さが所望の深さＡａ，Ｂａとなった時点で終了する。つまり、本工程終了時点では、腕間領域Ｑ４のエッチング深さは深さＡａであり、素子間領域Ｑ５のエッチング深さは深さＢａである。本実施形態では、深さＡａと、深さＢａと、は略等しい。
本実施形態では、振動基板２の外形の深さＡａ，Ｂａは、それぞれ、水晶基板２０の厚みＴａ以上である。つまり、Ａａ≧Ｔａ、Ｂａ≧Ｔａである。深さＡａ，Ｂａを水晶基板２０の厚みＴａ以上とすることにより、第２ドライエッチング工程Ｓ５において、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５がそれぞれ貫通する。腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５がそれぞれ貫通することにより、第１振動腕２２と、第２振動腕２３と、が形成される。
また、本実施形態では、第２ドライエッチング工程Ｓ５において、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに第１保護膜５１が残存した状態でドライエッチングを終了させている。つまり、第１基板面２０Ａの土手部形成領域Ｑｄ１は、第１保護膜５１に保護されており、第１および第２ドライエッチング工程Ｓ３，Ｓ５においてエッチングされていない。第１基板面２０Ａの土手部形成領域Ｑｄ１は、後述する第１保護膜除去工程Ｓ６において、第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａとなる。
また、第２ドライエッチング工程Ｓ５において、第１基板面２０Ａに第１保護膜５１が残存しない状態でドライエッチングを終了させても構わない。つまり、土手部形成領域Ｑｄ１がエッチングされるようにしても構わない。この場合は、第２ドライエッチング工程Ｓ５においてエッチングされた面が、第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａとなる。
このようにして、第１基板面２０Ａの土手部形成領域Ｑｄ１がエッチングされることにより、あるいはエッチングされないことにより、第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａが形成される。
ここで、第１保護膜形成工程Ｓ２、第１ドライエッチング工程Ｓ３、第２保護膜形成工程Ｓ４、および第２ドライエッチング工程Ｓ５についてまとめると、以下のようになる。
ドライエッチングによれば水晶の結晶面の影響を受けずに加工することができるため、溝２２１，２３１と、第１および第２振動腕２２，２３の外形と、を優れた寸法精度で形成することができる。
また、溝２２１，２３１と振動基板２の外形形状とを一括して形成することにより、振動素子１の製造工程の削減、振動素子１の低コスト化を図ることができる。また、外形形状に対する溝２２１，２３１の位置ずれが阻止されるので、振動基板２の形成精度を高めることができる。
また、マイクロローディング効果を利用せずに、溝２２１，２３１と、第１および第２振動腕２２，２３の外形と、を形成することができるので、腕間領域Ｑ４の幅、素子間領域Ｑ５の幅、および溝２２１，２３１の幅などの寸法の設定に制約がなく、振動素子１の設計自由度を向上させることができる。例えば、第１保護膜形成工程Ｓ２において、第１保護膜５１の厚みや幅を調整することにより、溝２２１，２３１や、第１および第２振動腕２２，２３の外形の寸法を制御することができる。
また、マイクロローディング効果を利用しないため、ドライエッチングに用いる反応ガスの選択などのドライエッチング条件の制約が緩和されるので、マイクロローディング効果を利用する場合と比べ、振動素子１を容易に製造することができる。
≪第１保護膜除去工程Ｓ６≫
図９に示すように、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに残存する第１保護膜５１を除去する。これにより、第１基板面２０Ａが第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａとなる。第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａは、第１ドライエッチング工程Ｓ３および第２ドライエッチング工程Ｓ５においてエッチングされていないので、第１および第２振動腕２２，２３の厚みや第１面２Ａの表面粗さは、水晶基板２０の厚みや第１基板面２０Ａの表面粗さのまま維持されている。そのため、第１および第２振動腕２２，２３の厚み精度が向上し、ねじれ振動などの不要振動の発生が抑制される。
図９に示すように、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに残存する第１保護膜５１を除去する。これにより、第１基板面２０Ａが第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａとなる。第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａは、第１ドライエッチング工程Ｓ３および第２ドライエッチング工程Ｓ５においてエッチングされていないので、第１および第２振動腕２２，２３の厚みや第１面２Ａの表面粗さは、水晶基板２０の厚みや第１基板面２０Ａの表面粗さのまま維持されている。そのため、第１および第２振動腕２２，２３の厚み精度が向上し、ねじれ振動などの不要振動の発生が抑制される。
なお、第２ドライエッチング工程Ｓ５が終了したときに、第１基板面２０Ａから第１保護膜５１が除去されて残存していない場合は、第１保護膜除去工程Ｓ６は設けなくても構わない。
≪第２保護膜除去工程Ｓ７≫
図１０に示すように、溝２２１，２３１に残存する第２保護膜５２を除去する。
図１０に示すように、溝２２１，２３１に残存する第２保護膜５２を除去する。
なお、第１保護膜除去工程Ｓ６と、第２保護膜除去工程Ｓ７と、を行う順番は、この順に限らず、実行順を入れ替えても構わない。また、第１保護膜除去工程Ｓ６と、第２保護膜除去工程Ｓ７と、を一つの工程として、第１保護膜５１と第２保護膜５２とを一括して除去するようにしても構わない。
以上の工程Ｓ１～Ｓ７により、図１０に示すように、水晶基板２０から複数の振動基板２が一括形成される。
≪電極形成工程Ｓ８≫
振動基板２の表面に金属膜を成膜し、この金属膜をパターニングすることにより、電極３を形成する。
以上により、振動素子１が得られる。
振動基板２の表面に金属膜を成膜し、この金属膜をパターニングすることにより、電極３を形成する。
以上により、振動素子１が得られる。
以上述べた通り、本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
振動素子１の製造方法は、第１方向であるＹ方向に沿って延出し、Ｙ方向と交差する第２方向であるＸ方向に沿って並ぶ第１振動腕２２および第２振動腕２３を備え、第１振動腕２２および第２振動腕２３は、それぞれ、Ｙ方向およびＸ方向に交差する第３方向であるＺ方向に並んで配置され、表裏関係にある第１面２Ａおよび第２面２Ｂと、第１面２Ａに開口する有底の溝２２１，２３１と、を有する振動素子１の製造方法であって、表裏関係にある第１基板面２０Ａおよび第２基板面２０Ｂを有する水晶基板２０を準備する準備工程Ｓ１と、第１基板面２０Ａの、第１振動腕２２が形成される第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕２３が形成される第２振動腕形成領域Ｑ３のうち、溝２２１，２３１が形成される溝形成領域Ｑ１を除いた領域である土手部形成領域Ｑｄ１に第１保護膜５１を形成する第１保護膜形成工程Ｓ２と、第１保護膜５１を介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングし、溝２２１，２３１と、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形と、を形成する第１ドライエッチング工程Ｓ３と、溝２２１，２３１に第２保護膜５２を形成する第２保護膜形成工程Ｓ４と、第２保護膜５２を介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングし、第１面２Ａと、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形と、を形成する第２ドライエッチング工程Ｓ５と、を含む。
これにより、第１および第２振動腕２２，２３の外形と、溝２２１，２３１と、を一括して形成することができ、かつ、腕間領域Ｑ４の幅、素子間領域Ｑ５の幅、および溝２２１，２３１の幅などの寸法の設定に制約がなく、設計自由度の高い振動素子１の製造方法を提供することができる。
振動素子１の製造方法は、第１方向であるＹ方向に沿って延出し、Ｙ方向と交差する第２方向であるＸ方向に沿って並ぶ第１振動腕２２および第２振動腕２３を備え、第１振動腕２２および第２振動腕２３は、それぞれ、Ｙ方向およびＸ方向に交差する第３方向であるＺ方向に並んで配置され、表裏関係にある第１面２Ａおよび第２面２Ｂと、第１面２Ａに開口する有底の溝２２１，２３１と、を有する振動素子１の製造方法であって、表裏関係にある第１基板面２０Ａおよび第２基板面２０Ｂを有する水晶基板２０を準備する準備工程Ｓ１と、第１基板面２０Ａの、第１振動腕２２が形成される第１振動腕形成領域Ｑ２および第２振動腕２３が形成される第２振動腕形成領域Ｑ３のうち、溝２２１，２３１が形成される溝形成領域Ｑ１を除いた領域である土手部形成領域Ｑｄ１に第１保護膜５１を形成する第１保護膜形成工程Ｓ２と、第１保護膜５１を介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングし、溝２２１，２３１と、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形と、を形成する第１ドライエッチング工程Ｓ３と、溝２２１，２３１に第２保護膜５２を形成する第２保護膜形成工程Ｓ４と、第２保護膜５２を介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングし、第１面２Ａと、第１振動腕２２および第２振動腕２３の外形と、を形成する第２ドライエッチング工程Ｓ５と、を含む。
これにより、第１および第２振動腕２２，２３の外形と、溝２２１，２３１と、を一括して形成することができ、かつ、腕間領域Ｑ４の幅、素子間領域Ｑ５の幅、および溝２２１，２３１の幅などの寸法の設定に制約がなく、設計自由度の高い振動素子１の製造方法を提供することができる。
また、上述したように、土手部形成領域Ｑｄ１に形成される第１保護膜５１と、溝形成領域Ｑ１に形成される第２保護膜５２と、を樹脂膜とすることにより、第１および第２保護膜形成工程Ｓ２，Ｓ４を簡素化することができる。
２．実施形態２
実施形態２に係る振動素子１の製造方法について、図１１～図１５を参照して説明する。なお、実施形態１と同一の構成については、同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
実施形態２は、第１保護膜形成工程Ｓ２において土手部形成領域Ｑｄ１に形成される第１保護膜５１ａが金属膜であることや、第１保護膜５１ａが第１金属膜５１１と第２金属膜５１２とを有することや、第１保護膜形成工程Ｓ２において土手部形成領域Ｑｄ１以外の領域に第１金属膜５１１が形成されること以外は、実施形態１と同様である。
実施形態２に係る振動素子１の製造方法について、図１１～図１５を参照して説明する。なお、実施形態１と同一の構成については、同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
実施形態２は、第１保護膜形成工程Ｓ２において土手部形成領域Ｑｄ１に形成される第１保護膜５１ａが金属膜であることや、第１保護膜５１ａが第１金属膜５１１と第２金属膜５１２とを有することや、第１保護膜形成工程Ｓ２において土手部形成領域Ｑｄ１以外の領域に第１金属膜５１１が形成されること以外は、実施形態１と同様である。
なお、土手部形成領域Ｑｄ１以外の領域のうち溝形成領域Ｑ１に形成される第１金属膜５１１は、本開示における第３保護膜５５に相当する。土手部形成領域Ｑｄ１以外の領域のうち腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５に形成される第１金属膜５１１は、本開示における第４保護膜５７に相当する。
準備工程Ｓ１は、実施形態１と同一であるので、説明を省略し、第１保護膜形成工程Ｓ２から説明する。
≪第１保護膜形成工程Ｓ２≫
図１１に示すように、まず、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに第１金属膜５１１を形成する。第１金属膜５１１は、後述する第２金属膜５１２の形成を促すための下地膜である。第１金属膜５１１は、例えば、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などにより形成することができる。第１金属膜５１１は、例えば、スパッタリングや蒸着などの気相成膜法を用いて形成することができる。
次に、第１金属膜５１１における水晶基板２０とは反対側の面に、フォトリソグラフィー技法を用いて、レジスト膜Ｒ１を形成する。第１金属膜５１１における水晶基板２０とは反対側の面とは、第１金属膜５１１のＺ方向プラス側の面である。レジスト膜Ｒ１は、土手部形成領域Ｑｄ１に開口部を有する。つまり、レジスト膜Ｒ１は、土手部形成領域Ｑｄ１に第２金属膜５１２を形成し得るようにパターニングされている。
図１１に示すように、まず、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに第１金属膜５１１を形成する。第１金属膜５１１は、後述する第２金属膜５１２の形成を促すための下地膜である。第１金属膜５１１は、例えば、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などにより形成することができる。第１金属膜５１１は、例えば、スパッタリングや蒸着などの気相成膜法を用いて形成することができる。
次に、第１金属膜５１１における水晶基板２０とは反対側の面に、フォトリソグラフィー技法を用いて、レジスト膜Ｒ１を形成する。第１金属膜５１１における水晶基板２０とは反対側の面とは、第１金属膜５１１のＺ方向プラス側の面である。レジスト膜Ｒ１は、土手部形成領域Ｑｄ１に開口部を有する。つまり、レジスト膜Ｒ１は、土手部形成領域Ｑｄ１に第２金属膜５１２を形成し得るようにパターニングされている。
次に、レジスト膜Ｒ１の開口部を介して、第１金属膜５１１における水晶基板２０とは反対側の面に第２金属膜５１２を形成する。つまり、レジスト膜Ｒ１をマスクとして、第１金属膜５１１に第２金属膜５１２を積層する。このようにして、第１基板面２０Ａの土手部形成領域Ｑｄ１には、第１金属膜５１１と第２金属膜５１２とを有する第１保護膜５１ａが形成される。第２金属膜５１２は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）により形成することができる。第２金属膜５１２は、例えば、無電解めっき法を用いて形成することができる。
第１保護膜５１ａを形成した後、レジスト膜Ｒ１を除去する。これにより、図１２のようになる。
第１保護膜５１ａを形成した後、レジスト膜Ｒ１を除去する。これにより、図１２のようになる。
図１２に示すように、第１基板面２０Ａの土手部形成領域Ｑｄ１には、第１金属膜５１１と第２金属膜５１２とを有する第１保護膜５１ａが形成される。つまり、本実施形態では、第１保護膜５１ａは、金属により形成される金属膜である。一般的に、金属のエッチングレートは、レジスト材として用いられる感光性樹脂のエッチングレートよりも低い。そのため、第１保護膜５１ａを金属膜とすることにより、樹脂膜と比べ、第１保護膜５１ａの厚みを薄くすることができる。これにより、第１ドライエッチング工程Ｓ３において形成される第１および第２振動腕２２，２３や溝２２１，２３１などの寸法精度を向上させることができる。
また、第１基板面２０Ａの溝形成領域Ｑ１には、第３保護膜５５としての第１金属膜５１１が形成される。第１基板面２０Ａの腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５には、第４保護膜５７としての第１金属膜５１１が形成される。第３保護膜５５および第４保護膜５７としての第１金属膜５１１の厚みは、第１保護膜５１ａよりも薄い。
≪第１ドライエッチング工程Ｓ３≫
図１３に示すように、第１保護膜５１ａを介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングする。
図１３に示すように、第１保護膜５１ａを介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングする。
本実施形態では、第１基板面２０Ａの溝形成領域Ｑ１、腕間領域Ｑ４、および素子間領域Ｑ５に第１金属膜５１１が形成されている状態でドライエッチングが開始される。溝形成領域Ｑ１に形成される第３保護膜５５としての第１金属膜５１１と、腕間領域Ｑ４、および素子間領域Ｑ５に形成される第４保護膜５７としての第１金属膜５１１と、は土手部形成領域Ｑｄ１に形成される第１保護膜５１ａよりも厚みが薄い。そのため、第３保護膜５５および第４保護膜５７は、第１保護膜５１ａと比べ、第１ドライエッチング工程Ｓ３において容易に除去される。
従って、溝形成領域Ｑ１に第３保護膜５５としての第１金属膜５１１が形成されている場合でも、溝２２１，２３１と、振動基板２の外形と、を一括して形成することができる。そのため、第３保護膜５５としての第１金属膜５１１を除去する工程が不要となり、振動基板２の製造工程を減らすことができる。
また、腕間領域Ｑ４および素子間領域Ｑ５に第４保護膜５７としての第１金属膜５１１が形成されている場合でも、溝２２１，２３１と、振動基板２の外形と、を一括して形成することができる。そのため、第４保護膜５７としての第１金属膜５１１を除去する工程が不要となり、振動基板２の製造工程を減らすことができる。
≪第２保護膜形成工程Ｓ４≫
図１４に示すように、溝２２１，２３１に第２保護膜５２を形成する。
図１４に示すように、溝２２１，２３１に第２保護膜５２を形成する。
本実施形態では、第２保護膜５２は、樹脂により形成される樹脂膜である。第２保護膜５２は、樹脂を溝２２１，２３１に埋め込むことにより形成される。
≪第２ドライエッチング工程Ｓ５≫
図１５に示すように、第２保護膜５２を介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングし、第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａと、振動基板２の外形と、を同時に形成する。
図１５に示すように、第２保護膜５２を介して水晶基板２０を第１基板面２０Ａ側からドライエッチングし、第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａと、振動基板２の外形と、を同時に形成する。
本実施形態では、第２ドライエッチング工程Ｓ５において、水晶基板２０の第１基板面２０Ａに第１保護膜５１ａが残存した状態でドライエッチングを終了させている。つまり、第１基板面２０Ａの土手部形成領域Ｑｄ１は、第１保護膜５１ａに保護されており、第１および第２ドライエッチング工程Ｓ３，Ｓ５においてエッチングされていない。第１基板面２０Ａの土手部形成領域Ｑｄ１は、後述する第１保護膜除去工程Ｓ６において、第１および第２振動腕２２，２３の第１面２Ａとなる。なお、「第１保護膜５１ａが残存した状態」とは、「第１保護膜５１ａの少なくとも一部が残存した状態」を意味する。例えば、本実施形態では、第２ドライエッチング工程Ｓ５が終了したときに、第１保護膜５１ａを構成する第１金属膜５１１および第２金属膜５１２が第１基板面２０Ａに残存しているが、第２金属膜５１２は除去されていても構わない。
第２ドライエッチング工程Ｓ５が終了すると、第１保護膜除去工程Ｓ６に移る。
第１保護膜除去工程Ｓ６、第２保護膜除去工程Ｓ７、および電極形成工程Ｓ８は、実施形態１と同一であるので、説明を省略する。
以上により、振動素子１が得られる。
第１保護膜除去工程Ｓ６、第２保護膜除去工程Ｓ７、および電極形成工程Ｓ８は、実施形態１と同一であるので、説明を省略する。
以上により、振動素子１が得られる。
本実施形態によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
土手部形成領域Ｑｄ１に形成される第１保護膜５１ａを金属膜とすることにより、第１および第２振動腕２２，２３や溝２２１，２３１などの寸法精度を向上させることができる。
土手部形成領域Ｑｄ１に形成される第１保護膜５１ａを金属膜とすることにより、第１および第２振動腕２２，２３や溝２２１，２３１などの寸法精度を向上させることができる。
以上、振動素子１の製造方法について、実施形態１および実施形態２に基づいて説明した。ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていても構わない。また、各実施形態を適宜組み合わせても構わない。
例えば、第１保護膜５１および第２保護膜５２のうちの少なくとも一つが、樹脂膜であれば構わない。
また、例えば、第１保護膜５１および第２保護膜５２のうちの少なくとも一つが、金属膜であれば構わない。
また、例えば、第１基板面２０Ａの腕間領域Ｑ４には、第４保護膜５７が形成されていなくても構わない。つまり、第１基板面２０Ａの腕間領域Ｑ４は、露出していても構わない。換言すると、第１基板面２０Ａの腕間領域Ｑ４には、保護膜が形成されていなくても構わない。
また、例えば、第１基板面２０Ａの素子間領域Ｑ５には、第４保護膜５７が形成されていなくても構わない。つまり、第１基板面２０Ａの素子間領域Ｑ５は、露出していても構わない。換言すると、第１基板面２０Ａの素子間領域Ｑ５には、保護膜が形成されていなくても構わない。
また、例えば、振動素子１は、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第１面２Ａに開口する有底の溝２２１，２３１に加え、さらに第２面２Ｂに開口する有底の溝を有していても構わない。つまり、振動素子１の製造方法は、第１振動腕２２および第２振動腕２３の第１面２Ａおよび第２面２Ｂにそれぞれ有底の溝を有する振動素子にも適用することができる。
また、本発明の振動素子の製造方法で製造される振動素子は、特に限定されない。
本発明の振動素子の製造方法で製造される振動素子は、例えば、図１６および図１７に示すような双音叉型振動素子７であってもよい。なお、図１６および図１７では、電極の図示を省略している。双音叉型振動素子７は、一対の基部７１１，７１２と、基部７１１，７１２を連結する第１振動腕７２および第２振動腕７３と、を有する。第１振動腕７２および第２振動腕７３は、表裏関係にある第１面７Ａおよび第２面７Ｂを有する。また、第１振動腕７２および第２振動腕７３は、それぞれ第１面７Ａに開口する有底の溝７２１，７３１と、溝７２１，７３１を画定する土手部７２５，７３５と、を有する。
本発明の振動素子の製造方法で製造される振動素子は、例えば、図１６および図１７に示すような双音叉型振動素子７であってもよい。なお、図１６および図１７では、電極の図示を省略している。双音叉型振動素子７は、一対の基部７１１，７１２と、基部７１１，７１２を連結する第１振動腕７２および第２振動腕７３と、を有する。第１振動腕７２および第２振動腕７３は、表裏関係にある第１面７Ａおよび第２面７Ｂを有する。また、第１振動腕７２および第２振動腕７３は、それぞれ第１面７Ａに開口する有底の溝７２１，７３１と、溝７２１，７３１を画定する土手部７２５，７３５と、を有する。
また、例えば、振動素子は、図１８、図１９および図２０に示すようなジャイロ振動素子８であってもよい。なお、図１８、図１９および図２０では、電極の図示を省略している。ジャイロ振動素子８は、基部８１と、基部８１からＹ方向両側に延出する一対の検出振動腕８２，８３と、基部８１からＸ方向両側に延出する一対の連結腕８４，８５と、連結腕８４の先端部からＹ方向両側に延出する駆動振動腕８６，８７と、連結腕８５の先端部からＹ方向両側に延出する駆動振動腕８８，８９と、を有する。このようなジャイロ振動素子８においては、駆動振動腕８６，８７，８８，８９を図１８中の矢印ＳＤ方向に屈曲振動させている状態でＺ軸まわりの角速度ωｚが作用すると、コリオリの力によって検出振動腕８２，８３に矢印ＳＳ方向への屈曲振動が新たに励振され、当該屈曲振動により検出振動腕８２，８３から出力される電荷に基づいて角速度ωｚを検出する。
検出振動腕８２，８３、および駆動振動腕８６，８７，８８，８９は、表裏関係にある第１面８Ａおよび第２面８Ｂを有する。また、検出振動腕８２，８３は、第１面８Ａに開口する有底の溝８２１，８３１と、溝８２１，８３１を画定する土手部８２５，８３５と、を有する。また、駆動振動腕８６，８７，８８，８９は、第１面８Ａに開口する有底の溝８６１，８７１，８８１，８９１と、溝８６１，８７１，８８１，８９１を画定する土手部８６５，８７５，８８５，８９５と、を有する。このようなジャイロ振動素子８においては、例えば、駆動振動腕８６，８８または駆動振動腕８７，８９が第１振動腕および第２振動腕となる。
また、例えば、振動素子は、図２１、図２２および図２３に示すようなジャイロ振動素子９であってもよい。なお、図２１、図２２および図２３では、電極の図示を省略している。ジャイロ振動素子９は、基部９１と、基部９１からＹ方向プラス側に延出し、Ｘ方向に並ぶ一対の駆動振動腕９２，９３と、基部９１からＹ方向マイナス側に延出し、Ｘ方向に並ぶ一対の検出振動腕９４，９５と、を有する。このようなジャイロ振動素子９においては、駆動振動腕９２，９３を図２１中の矢印ＳＤ方向に屈曲振動させている状態でＹ軸まわりの角速度ωｙが作用すると、コリオリの力によって、検出振動腕９４，９５に矢印ＳＳ方向への屈曲振動が新たに励振され、当該屈曲振動により検出振動腕９４，９５から出力される電荷に基づいて角速度ωｙを検出する。
駆動振動腕９２，９３、および検出振動腕９４，９５は、表裏関係にある第１面９Ａおよび第２面９Ｂを有する。また、駆動振動腕９２，９３は、第１面９Ａに開口する有底の溝９２１，９３１と、溝９２１，９３１を画定する土手部９２５，９３５と、を有する。また、検出振動腕９４，９５は、第１面９Ａに開口する有底の溝９４１，９５１と、溝９４１，９５１を画定する土手部９４５，９５５と、を有する。このようなジャイロ振動素子９においては、駆動振動腕９２，９３または検出振動腕９４，９５が第１振動腕および第２振動腕となる。
１…振動素子、２…振動基板、２Ａ…第１面、２Ｂ…第２面、３…電極、２０…水晶基板、２０Ａ…第１基板面、２０Ｂ…第２基板面、２１…基部、２２…第１振動腕、２３…第２振動腕、２２１，２３１…溝、２２５，２３５…土手部、５１，５１ａ…第１保護膜、５２…第２保護膜、Ｑ１…溝形成領域、Ｑ２…第１振動腕形成領域、Ｑ３…第２振動腕形成領域、Ｑ４…腕間領域、Ｑ５…素子間領域、Ｑｄ１…土手部形成領域、Ｓ１…準備工程、Ｓ２…第１保護膜形成工程、Ｓ３…第１ドライエッチング工程、Ｓ４…第２保護膜形成工程、Ｓ５…第２ドライエッチング工程、Ｓ６…第１保護膜除去工程、Ｓ７…第２保護膜除去工程、Ｓ８…電極形成工程。
Claims (7)
- 第１方向に沿って延出し、前記第１方向と交差する第２方向に沿って並ぶ第１振動腕および第２振動腕を備え、
前記第１振動腕および前記第２振動腕は、それぞれ、前記第１方向および前記第２方向に交差する第３方向に並んで配置され、表裏関係にある第１面および第２面と、前記第１面に開口する有底の溝と、を有する振動素子の製造方法であって、
表裏関係にある第１基板面および第２基板面を有する水晶基板を準備する準備工程と、
前記第１基板面の、前記第１振動腕が形成される第１振動腕形成領域および前記第２振動腕が形成される第２振動腕形成領域のうち、前記溝が形成される溝形成領域を除いた領域に第１保護膜を形成する第１保護膜形成工程と、
前記第１保護膜を介して前記水晶基板を前記第１基板面側からドライエッチングし、前記溝と、前記第１振動腕および前記第２振動腕の外形と、を形成する第１ドライエッチング工程と、
前記溝に第２保護膜を形成する第２保護膜形成工程と、
前記第２保護膜を介して前記水晶基板を前記第１基板面側からドライエッチングし、前記第１面と、前記第１振動腕および前記第２振動腕の外形と、を形成する第２ドライエッチング工程と、を含む、
振動素子の製造方法。 - 前記第１保護膜および前記第２保護膜のうちの少なくとも一つは、樹脂膜である、
請求項１に記載の振動素子の製造方法。 - 前記第１保護膜および前記第２保護膜のうちの少なくとも一つは、金属膜である、
請求項１に記載の振動素子の製造方法。 - 前記第１保護膜形成工程において、前記溝形成領域に、前記第１保護膜よりも厚みの薄い第３保護膜を形成する、
請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の振動素子の製造方法。 - 前記第１保護膜形成工程において、前記第１基板面の前記第１振動腕形成領域および前記第２振動腕形成領域の間に位置する腕間領域に、前記第１保護膜よりも厚みの薄い第４保護膜を形成する、
請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の振動素子の製造方法。 - 前記第１基板面の前記第１振動腕形成領域および前記第２振動腕形成領域の間に位置する腕間領域には、保護膜が形成されていない、
請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の振動素子の製造方法。 - 前記第２ドライエッチング工程において、前記ドライエッチングを前記第１基板面に前記第１保護膜が残存した状態で終了させ、
残存した前記第１保護膜を除去する保護膜除去工程を更に含む、
請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の振動素子の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021176210A JP2023065838A (ja) | 2021-10-28 | 2021-10-28 | 振動素子の製造方法 |
| CN202211315911.4A CN116054767A (zh) | 2021-10-28 | 2022-10-26 | 振动元件的制造方法 |
| US17/974,671 US20230134199A1 (en) | 2021-10-28 | 2022-10-27 | Method for Manufacturing Vibration Element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021176210A JP2023065838A (ja) | 2021-10-28 | 2021-10-28 | 振動素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023065838A true JP2023065838A (ja) | 2023-05-15 |
Family
ID=86112198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2021176210A Pending JP2023065838A (ja) | 2021-10-28 | 2021-10-28 | 振動素子の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230134199A1 (ja) |
| JP (1) | JP2023065838A (ja) |
| CN (1) | CN116054767A (ja) |
-
2021
- 2021-10-28 JP JP2021176210A patent/JP2023065838A/ja active Pending
-
2022
- 2022-10-26 CN CN202211315911.4A patent/CN116054767A/zh active Pending
- 2022-10-27 US US17/974,671 patent/US20230134199A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20230134199A1 (en) | 2023-05-04 |
| CN116054767A (zh) | 2023-05-02 |
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