KR100955561B1 - 열처리장치 및 열처리방법 - Google Patents
열처리장치 및 열처리방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100955561B1 KR100955561B1 KR1020040018865A KR20040018865A KR100955561B1 KR 100955561 B1 KR100955561 B1 KR 100955561B1 KR 1020040018865 A KR1020040018865 A KR 1020040018865A KR 20040018865 A KR20040018865 A KR 20040018865A KR 100955561 B1 KR100955561 B1 KR 100955561B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- temperature
- substrate
- heating plate
- correction amount
- supply power
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title description 18
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 164
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 158
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 60
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 16
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 18
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E04—BUILDING
- E04F—FINISHING WORK ON BUILDINGS, e.g. STAIRS, FLOORS
- E04F13/00—Coverings or linings, e.g. for walls or ceilings
- E04F13/07—Coverings or linings, e.g. for walls or ceilings composed of covering or lining elements; Sub-structures therefor; Fastening means therefor
- E04F13/08—Coverings or linings, e.g. for walls or ceilings composed of covering or lining elements; Sub-structures therefor; Fastening means therefor composed of a plurality of similar covering or lining elements
- E04F13/0875—Coverings or linings, e.g. for walls or ceilings composed of covering or lining elements; Sub-structures therefor; Fastening means therefor composed of a plurality of similar covering or lining elements having a basic insulating layer and at least one covering layer
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E04—BUILDING
- E04B—GENERAL BUILDING CONSTRUCTIONS; WALLS, e.g. PARTITIONS; ROOFS; FLOORS; CEILINGS; INSULATION OR OTHER PROTECTION OF BUILDINGS
- E04B1/00—Constructions in general; Structures which are not restricted either to walls, e.g. partitions, or floors or ceilings or roofs
- E04B1/62—Insulation or other protection; Elements or use of specified material therefor
- E04B1/70—Drying or keeping dry, e.g. by air vents
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E04—BUILDING
- E04B—GENERAL BUILDING CONSTRUCTIONS; WALLS, e.g. PARTITIONS; ROOFS; FLOORS; CEILINGS; INSULATION OR OTHER PROTECTION OF BUILDINGS
- E04B1/00—Constructions in general; Structures which are not restricted either to walls, e.g. partitions, or floors or ceilings or roofs
- E04B1/62—Insulation or other protection; Elements or use of specified material therefor
- E04B1/74—Heat, sound or noise insulation, absorption, or reflection; Other building methods affording favourable thermal or acoustical conditions, e.g. accumulating of heat within walls
- E04B1/76—Heat, sound or noise insulation, absorption, or reflection; Other building methods affording favourable thermal or acoustical conditions, e.g. accumulating of heat within walls specifically with respect to heat only
- E04B1/762—Exterior insulation of exterior walls
- E04B1/7629—Details of the mechanical connection of the insulation to the wall
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Civil Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
Abstract
Description
Claims (12)
- 가열수단을 구비한 가열플레이트에 기판을 얹어 놓고 열처리하는 열처리장치에 있어서,상기 가열플레이트에 기판이 얹어 놓여졌을 때에, 해당 기판의 표면이 미리 설정한 승온패턴으로 승온하도록 가열수단의 공급전력지령치를 출력하는 제 1 조절부와,상기 가열플레이트에 얹어 놓여진 기판의 표면 온도를 측정하는 비접촉온도측정부와,상기 비접촉온도측정부로부터의 온도측정치와 그 때의 기판표면의 온도목표치와의 온도차를 구하는 수단과,상기 온도차와, 그 때의 온도측정치 또는 가열플레이트에 기판을 얹어 놓았을 때를 기준으로 한 시간과, 상기 공급전력의 보정량을 대응시킨 데이터를 기억하는 기억부와,상기 온도차와, 그 때의 온도측정치 또는 가열플레이트에 기판을 얹어 놓았을 때를 기준으로 한 시간에 의거하여 상기 기억부에 기억된 데이터로부터 상기 공급전력의 보정량을 읽어 내고, 이 보정량에 의해 상기 공급전력의 지령치를 보정하는 수단을 구비하고,가열플레이트의 온도를 검출하는 온도검출부와,미리 설정된 온도설정치와 상기 온도검출부에서 검출된 온도검출치에 의거하여 가열수단의 공급전력지령치를 출력하는 제 2 조절부와,제 1 조절부와 제 2 조절부와의 사이에서 전환하는 전환수단을 구비하며,기판의 표면 온도가 소정온도에 도달한 후, 제 1 조절부에서 제 2 조절부로 바뀌는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 가열플레이트에 기판이 얹어 놓여지기 전에는, 제 2 조절부로 바뀌어져 있는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 가열수단은, 서로 독립하여 전력공급이 제어되는 복수의 가열수단으로 이루어지고, 이들 복수의 가열수단에 의해 온도제어되는 기판표면영역의 온도를 각각 검출하도록 복수의 비접촉온도측정부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 기억부에 기억된 공급전력의 보정량은, 공급전력에 가산되는 보정량 또는 공급전력의 배율인 것을 특징으로 하는 열처리장치.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 기억부에 기억된 공급전력의 보정량은, 지금까지의 공급전력의 부족분을 채우기 위해 소정시간만큼 공급전력을 보정하기 위한 보정량과, 상기 소정시간 경과후에, 이후의 공급전력의 부족분을 보상하기 위한 보정량을 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 비접촉온도측정부는, 방사온도계로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
- 가열수단을 구비한 가열플레이트에 기판을 얹어 놓고 열처리하는 열처리방법에 있어서,가열플레이트에 기판이 얹어 놓여지기 전에, 제 2 조절부에 의해 미리 설정된 온도설정치와 가열플레이트의 온도검출치에 의거하여 가열수단을 제어하는 공정과,상기 가열플레이트에 기판이 얹어 놓여졌을 때에, 해당 기판의 표면이 미리 설정된 승온패턴으로 승온하도록 제 1 조절부에서 가열수단의 공급전력지령치를 출력하는 공정과,상기 가열플레이트에 얹어 놓여진 기판의 표면 온도를 비접촉온도측정부에 의해 측정하는 공정과,상기 비접촉온도측정부로부터의 온도측정치와 그 때의 기판표면의 온도목표치와의 온도차를 구하는 공정과,상기 온도차와, 그 때의 온도측정치 또는 가열플레이트에 기판을 얹어 놓았을 때를 기준으로 한 시간에 의거하여 미리 작성한 데이터로부터 상기공급전력의 보정량을 읽어 내어, 이 보정량에 의해 상기 공급전력의 지령치를 보정하는 공정과,가열플레이트에 기판이 얹어 놓여졌을 때에, 제 1 조절부에 의해 가열수단을 제어하는 공정과,기판의 표면 온도가 소정온도에 도달한 후, 제 2 조절부에 의해 미리 설정된 온도설정치와 가열플레이트의 온도검출치에 의거하여 가열수단을 제어하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 열처리방법.
- 삭제
- 제 8 항에 있어서, 가열수단은, 서로 독립하여 전력공급이 제어되는 복수의 가열수단으로 이루어지고, 이들 복수의 가열수단에 의해 온도제어되는 기판의 표면영역 온도를 각각 복수의 비접촉온도측정부에 의해 측정하는 것을 특징으로 하는 열처리방법.
- 제 8 항에 있어서, 보정량에 의해 상기공급전력의 지령치를 보정하는 공정은, 공급전력의 지령치에 보정량을 가산하는 공정 또는 공급전력의 지령치에 보정량에 대응하는 배율을 곱하는 공정인 것을 특징으로 하는 열처리방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 공급전력의 지령치를 보정하는 공정은, 지금까지의 공급전력의 부족분을 채우기 위해서 소정시간만큼 공급전력의 지령치를 보정하는 공정과, 상기 소정시간 경과 후에, 이후의 공급전력의 부족분을 보상하기 위해서 공급전력의 지령치를 보정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2003-00171265 | 2003-06-16 | ||
JP2003171265A JP4033809B2 (ja) | 2003-06-16 | 2003-06-16 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040108537A KR20040108537A (ko) | 2004-12-24 |
KR100955561B1 true KR100955561B1 (ko) | 2010-04-30 |
Family
ID=33534620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040018865A KR100955561B1 (ko) | 2003-06-16 | 2004-03-19 | 열처리장치 및 열처리방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7241633B2 (ko) |
JP (1) | JP4033809B2 (ko) |
KR (1) | KR100955561B1 (ko) |
DE (1) | DE102004029103B4 (ko) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006190795A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法および急速熱処理装置 |
EP1737009A1 (de) * | 2005-06-23 | 2006-12-27 | Abb Research Ltd. | Elektrische Anlage mit einem Kühlelement und Verfahren zum Betrieb dieser Anlage |
JP2007053280A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体加熱ヒータ用容器 |
KR100741918B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-07-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 베이커 공정 온도 최적화 방법 및 그 방법에 대한프로그램을 기록한 기록매체 |
US7977206B2 (en) * | 2008-01-16 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate using the heat treatment apparatus |
US8317450B2 (en) * | 2008-10-30 | 2012-11-27 | Lam Research Corporation | Tactile wafer lifter and methods for operating the same |
JP5226037B2 (ja) * | 2010-06-04 | 2013-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
US20120111852A1 (en) * | 2010-11-08 | 2012-05-10 | General Electric Company | Method and apparatus for temperature monitoring of a cook top |
JP5299442B2 (ja) * | 2011-01-18 | 2013-09-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱装置、基板加熱方法及び記憶媒体 |
JP2013098300A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP5904810B2 (ja) * | 2012-02-08 | 2016-04-20 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 基板熱処理装置および基板熱処理方法 |
CN102759936A (zh) * | 2012-07-30 | 2012-10-31 | 彩虹显示器件股份有限公司 | 一种用于玻璃池炉温度的控制方法 |
US9646898B2 (en) * | 2013-11-27 | 2017-05-09 | Tokyo Electron Limited | Methods for treating a substrate by optical projection of a correction pattern based on a detected spatial heat signature of the substrate |
JP6497097B2 (ja) * | 2015-02-05 | 2019-04-10 | セイコーエプソン株式会社 | 気化熱量測定装置、生体情報測定装置、及び電子機器 |
JP6512089B2 (ja) * | 2015-12-15 | 2019-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理装置の調整方法 |
DE102016211313A1 (de) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | Eos Gmbh Electro Optical Systems | Automatische Justierung einer Heizungsregelung in einer generativen Schichtbauvorrichtung |
JP6757629B2 (ja) * | 2016-08-30 | 2020-09-23 | 東京応化工業株式会社 | 基板加熱装置、基板加熱方法及び赤外線ヒータ |
JP6737094B2 (ja) * | 2016-09-12 | 2020-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱装置、基板加熱方法及び記憶媒体 |
DE102016015502A1 (de) * | 2016-12-23 | 2018-06-28 | Singulus Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Behandlung beschichteter Substrate, insbesondere von Dünnschicht-Solarsubstraten |
JP6930119B2 (ja) * | 2017-01-30 | 2021-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置及び基板処理装置 |
JP6907951B2 (ja) * | 2018-01-11 | 2021-07-21 | トヨタ自動車株式会社 | ヒートシンクの検査方法、検査装置及び生産方法、生産システム |
TWI753401B (zh) * | 2019-04-26 | 2022-01-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 熱處理裝置、熱處理系統及熱處理方法 |
KR20220003151A (ko) * | 2019-06-03 | 2022-01-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 비-접촉식 낮은 기판 온도 측정을 위한 방법 |
JP7441724B2 (ja) | 2020-05-26 | 2024-03-01 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
CN113677055B (zh) * | 2021-08-23 | 2024-03-29 | 小熊电器股份有限公司 | 液体加热器及其基于液量估计的智能加热控制方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000058423A (ja) * | 1998-08-12 | 2000-02-25 | Toshiba Corp | 熱処理方法及び熱処理装置 |
KR20010030216A (ko) * | 1999-09-03 | 2001-04-16 | 히가시 데쓰로 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
WO2002045135A2 (de) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Steag Hamatech Ag | Verfahren zum thermischen behandeln von substraten |
KR20020086307A (ko) * | 2002-06-12 | 2002-11-18 | 코닉 시스템 주식회사 | 급속열처리 장치의 온도보정 방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6113702A (en) * | 1995-09-01 | 2000-09-05 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
US5809211A (en) * | 1995-12-11 | 1998-09-15 | Applied Materials, Inc. | Ramping susceptor-wafer temperature using a single temperature input |
JPH118180A (ja) | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Sony Corp | ベーキング装置 |
JP3933765B2 (ja) | 1997-08-27 | 2007-06-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板加熱処理方法および装置 |
DE19907497C2 (de) | 1999-02-22 | 2003-05-28 | Steag Hamatech Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Wärmebehandlung von Substraten |
US6100506A (en) * | 1999-07-26 | 2000-08-08 | International Business Machines Corporation | Hot plate with in situ surface temperature adjustment |
JP3688264B2 (ja) * | 2002-03-20 | 2005-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
US7006900B2 (en) * | 2002-11-14 | 2006-02-28 | Asm International N.V. | Hybrid cascade model-based predictive control system |
-
2003
- 2003-06-16 JP JP2003171265A patent/JP4033809B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-19 KR KR1020040018865A patent/KR100955561B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-16 US US10/867,712 patent/US7241633B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-16 DE DE102004029103A patent/DE102004029103B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000058423A (ja) * | 1998-08-12 | 2000-02-25 | Toshiba Corp | 熱処理方法及び熱処理装置 |
KR20010030216A (ko) * | 1999-09-03 | 2001-04-16 | 히가시 데쓰로 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
WO2002045135A2 (de) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Steag Hamatech Ag | Verfahren zum thermischen behandeln von substraten |
KR20020086307A (ko) * | 2002-06-12 | 2002-11-18 | 코닉 시스템 주식회사 | 급속열처리 장치의 온도보정 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102004029103A1 (de) | 2005-06-16 |
JP4033809B2 (ja) | 2008-01-16 |
US7241633B2 (en) | 2007-07-10 |
US20040266222A1 (en) | 2004-12-30 |
JP2005011852A (ja) | 2005-01-13 |
KR20040108537A (ko) | 2004-12-24 |
DE102004029103B4 (de) | 2007-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100955561B1 (ko) | 열처리장치 및 열처리방법 | |
US8698052B2 (en) | Temperature control method of heat processing plate, computer storage medium, and temperature control apparatus of heat processing plate | |
US7902485B2 (en) | Temperature setting method of thermal processing plate, temperature setting apparatus of thermal processing plate, program, and computer-readable recording medium recording program thereon | |
US8014895B2 (en) | Temperature setting method of heat processing plate, temperature setting apparatus of heat processing plate, program, and computer-readable recording medium recording program thereon | |
KR101314001B1 (ko) | 온도 제어 방법, 온도 조절기 및 열처리 장치 | |
US6229116B1 (en) | Heat treatment apparatus | |
US7049553B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
TWI743596B (zh) | 基板處理裝置及基板處理裝置之調整方法 | |
JP6930119B2 (ja) | 加熱装置及び基板処理装置 | |
JP4319756B2 (ja) | 処理装置 | |
TWI643246B (zh) | Heat treatment device, abnormality detection method in heat treatment, and readable computer memory medium | |
JP2019161087A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TWI381453B (zh) | Heat treatment apparatus, heat treatment method and memory medium | |
JP2005340286A (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
TW202245074A (zh) | 基板處理設備、溫度量測方法及溫度控制方法 | |
JP2003229348A (ja) | 半導体露光装置 | |
US8135487B2 (en) | Temperature setting method and apparatus for a thermal processing plate | |
JP2002033254A (ja) | 基板加熱装置及びその方法 | |
JP2005011851A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2004119707A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20200021679A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
TW202301427A (zh) | 基板處理設備及基板處理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130404 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140401 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160318 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170322 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180418 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190418 Year of fee payment: 10 |