JP6907951B2 - ヒートシンクの検査方法、検査装置及び生産方法、生産システム - Google Patents
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Description
前記基体を鋳造した際の余熱が残った当該基体の表面に成膜処理が施されることで形成された前記放熱層に前記基体から伝わった余熱が残った状態で、前記放熱層の分子からの放射(放射スペクトル)を受光する撮像手段によって前記放熱層を撮像して、前記放熱層の表面の温度分布を表す画像データを取得する工程を備える。
これにより、放熱層の表面の温度分布を表す画像データを取得する際に、キセノンランプなどの加熱手段で放熱層を加熱する加熱工程を省略することができる。そのため、放熱層の基体の表面からの剥離具合に基づいてヒートシンクが不良品か否かを検査する際の効率を向上させることができる。
前記画像データと、予め取得した前記放熱層が前記基体の表面から剥離していない状態での当該放熱層の表面の温度分布を表すサンプリング画像データと、を比較して、前記画像データにおける予め設定された広さの区域内での複数の領域の温度と、前記サンプリング画像データにおける前記画像データの各々の領域に対応する領域の温度と、の差分を算出する工程と、
前記算出した差分に基づいて、前記区域内で予め設定された温度差以上の領域の合計の広さが、前記区域の広さに対して、予め設定された割合以上であるか否かを判定し、前記温度差以上の領域の合計の広さが、前記区域の広さに対して、前記割合以上である場合、前記放熱層が前記基体の表面から剥離した不良品であると判定する工程と、
を備えることが好ましい。
これにより、取得した画像データに基づいて、ヒートシンクが不良品か否かを簡単に検査することができる。
これにより、取得した画像データに基づいて、ヒートシンクが不良品か否かを簡単に検査することができる。
このように画像データとサンプリング画像データとを表示することで、視覚的に欠陥箇所を認識することができる。
前記基体を鋳造した後の当該基体の余熱の温度を検出する工程と、
前記検出した基体の余熱の温度が成膜用樹脂の成膜温度以上の場合、前記基体の表面に前記成膜用樹脂を塗布して前記放熱層を形成する工程と、
前記放熱層に前記基体から伝わった余熱が残った状態で、前記放熱層の分子からの放射を受光する撮像手段によって前記放熱層を撮像して、前記放熱層の表面の温度分布を表す画像データを取得する工程と、
を備える。
これにより、放熱層の表面の温度分布を表す画像データを取得する際に、キセノンランプなどの加熱手段で放熱層を加熱する加熱工程を省略することができる。そのため、放熱層の基体の表面からの剥離具合に基づいてヒートシンクが不良品か否かを検査する際の効率を向上させることができる。
前記基体を鋳造した際の余熱が残った当該基体の表面に成膜処理が施されることで形成された前記放熱層に前記基体から伝わった余熱が残った状態で、前記放熱層を撮像して当該放熱層の表面の温度分布を表す画像データを取得する、前記放熱層の分子からの放射を受光する撮像手段と、
前記画像データに基づいて、前記放熱層が前記基体の表面から剥離した不良品か否かを判定する処理手段と、
を備える。
このような構成により、放熱層の表面の温度分布を表す画像データを取得する際に、キセノンランプなどの加熱手段で放熱層を加熱する加熱工程を省略することができる。そのため、放熱層の基体の表面からの剥離具合に基づいてヒートシンクが不良品か否かを検査する際の効率を向上させることができる。
このように処理手段によって、ヒートシンクが不良品か否かを判定させるため、ヒートシンクを簡単に検査することができる。
このように処理手段によって、ヒートシンクが不良品か否かを判定させるため、ヒートシンクを簡単に検査することができる。
前記基体を鋳造した際の余熱が残った当該基体の温度を検出する温度検出手段と、
前記検出した基体の余熱の温度が成膜用樹脂の成膜温度以上の場合、前記基体の表面に前記成膜用樹脂を塗布して前記放熱層を形成する形成手段と、
前記放熱層に前記基体から伝わった余熱が残った状態で、前記放熱層を撮像して前記放熱層の表面の温度分布を表す画像データを取得する、前記放熱層の分子からの放射を受光する撮像手段と、
前記画像データに基づいて、前記放熱層が前記基体の表面から剥離した不良品であるか否かを判定する処理手段と、
を備える。
このような構成により、放熱層の表面の温度分布を表す画像データを取得する際に、キセノンランプなどの加熱手段で放熱層を加熱する加熱工程を省略することができる。そのため、放熱層の基体の表面からの剥離具合に基づいてヒートシンクが不良品か否かを検査する際の効率を向上させることができる。
先ず、本実施の形態のヒートシンクの生産システムの構成を説明する。図1は、本実施の形態のヒートシンクの生産システムの制御系を示すブロック図である。図2は、本実施の形態のヒートシンクの製造装置における鋳造型を用いて基体を成形した様子を示す図である。図3は、本実施の形態のヒートシンクの製造装置における形成手段を用いて基体の表面に放熱層を形成する様子を示す図である。
上記実施の形態1では、サンプリング画像データを用いてヒートシンク10が良品か不良品かを判定しているが、サンプリング画像データを用いずにヒートシンク10が良品か不良品かを判定してもよい。
上記実施の形態1では、検査装置3の処理手段12によって、ヒートシンク10が良品か不良品かを判定しているが、作業者が表示手段を用いてヒートシンク10が良品か不良品かを判定してもよい。
2 ヒートシンクの製造装置、5 温度検出手段、6 形成手段、7 処理手段
3 ヒートシンクの検査装置、11 撮像手段、12 処理手段
4 鋳造型、4a 固定型、4b 可動型、4c キャビティ
8 基体
9 放熱層
10 ヒートシンク
13、14 載置台
21 ヒートシンクの生産システム
22 ヒートシンクの検査装置、23 処理手段
31 ヒートシンクの生産システム
32 ヒートシンクの検査装置、33 処理手段、34 表示手段
Claims (9)
- 鋳造によって成形された基体の表面に放熱層が形成されたヒートシンクの検査方法であって、
前記基体を鋳造した際の余熱が残った当該基体の表面に成膜処理が施されることで形成された前記放熱層に前記基体から伝わった余熱が残った状態で、前記放熱層の分子からの放射を受光する撮像手段によって前記放熱層を撮像して、前記放熱層の表面の温度分布を表す画像データを取得する工程を備える、ヒートシンクの検査方法。 - 前記画像データと、予め取得した前記放熱層が前記基体の表面から剥離していない状態での当該放熱層の表面の温度分布を表すサンプリング画像データと、を比較して、前記画像データにおける予め設定された広さの区域内での複数の領域の温度と、前記サンプリング画像データにおける前記画像データの各々の領域に対応する領域の温度と、の差分を算出する工程と、
前記算出した差分に基づいて、前記区域内で予め設定された温度差以上の領域の合計の広さが、前記区域の広さに対して、予め設定された割合以上であるか否かを判定し、前記温度差以上の領域の合計の広さが、前記区域の広さに対して、前記割合以上である場合、前記放熱層が前記基体の表面から剥離した不良品であると判定する工程と、
を備える、請求項1に記載のヒートシンクの検査方法。 - 前記画像データにおける予め設定された広さの区域内で予め設定された温度以下の領域の合計の広さが、前記区域の広さに対して、予め設定された割合以上であるか否かを判定し、前記温度以下の領域の合計の広さが、前記区域の広さに対して、前記割合以上である場合、前記放熱層が前記基体の表面から剥離した不良品であると判定する工程を備える、請求項1に記載のヒートシンクの検査方法。
- 前記画像データと、予め取得した前記放熱層が前記基体の表面から剥離していない状態での当該放熱層の表面の温度分布を表すサンプリング画像データと、を表示する工程を備える、請求項1又は2に記載のヒートシンクの検査方法。
- 鋳造によって成形された基体の表面に成膜処理が施されることで放熱層が形成されるヒートシンクの生産方法であって、
前記基体を鋳造した後の当該基体の余熱の温度を検出する工程と、
前記検出した基体の余熱の温度が成膜用樹脂の成膜温度以上の場合、前記基体の表面に前記成膜用樹脂を塗布して前記放熱層を形成する工程と、
前記放熱層に前記基体から伝わった余熱が残った状態で、前記放熱層の分子からの放射を受光する撮像手段によって前記放熱層を撮像して、前記放熱層の表面の温度分布を表す画像データを取得する工程と、
を備える、ヒートシンクの生産方法。 - 鋳造によって成形された基体の表面に放熱層が形成されたヒートシンクの検査装置であって、
前記基体を鋳造した際の余熱が残った当該基体の表面に成膜処理が施されることで形成された前記放熱層に前記基体から伝わった余熱が残った状態で、前記放熱層を撮像して当該放熱層の表面の温度分布を表す画像データを取得する、前記放熱層の分子からの放射を受光する撮像手段と、
前記画像データに基づいて、前記放熱層が前記基体の表面から剥離した不良品か否かを判定する処理手段と、
を備える、ヒートシンクの検査装置。 - 前記処理手段は、前記画像データと、予め取得した前記放熱層が前記基体の表面から剥離していない状態での当該放熱層の表面の温度分布を表すサンプリング画像データと、を比較して、前記画像データにおける予め設定された広さの区域内での複数の領域の温度と、前記サンプリング画像データにおける前記画像データの各々の領域と対応する領域の温度と、の差分を算出し、前記算出した差分に基づいて、前記区域内で予め設定された温度差以上の領域の広さが、前記区域の広さに対して、予め設定された割合以上であるか否かを判定し、前記温度差以上の領域の広さが、前記区域の広さに対して、前記割合以上である場合、前記放熱層が前記基体の表面から剥離した不良品であると判定する、請求項6に記載のヒートシンクの検査装置。
- 前記処理手段は、前記画像データにおける予め設定された広さの区域内で予め設定された温度以下の領域の広さが、前記区域の広さに対して、予め設定された割合以上であるか否かを判定し、前記温度以下の領域の広さが、前記区域の広さに対して、前記割合以上である場合、前記放熱層が前記基体の表面から剥離した不良品であると判定する、請求項6に記載のヒートシンクの検査装置。
- 鋳造によって成形された基体の表面に成膜処理が施されることで放熱層が形成されるヒートシンクの生産システムであって、
前記基体を鋳造した際の余熱が残った当該基体の温度を検出する温度検出手段と、
前記検出した基体の余熱の温度が成膜用樹脂の成膜温度以上の場合、前記基体の表面に前記成膜用樹脂を塗布して前記放熱層を形成する形成手段と、
前記放熱層に前記基体から伝わった余熱が残った状態で、前記放熱層を撮像して前記放熱層の表面の温度分布を表す画像データを取得する、前記放熱層の分子からの放射を受光する撮像手段と、
前記画像データに基づいて、前記放熱層が前記基体の表面から剥離した不良品であるか否かを判定する処理手段と、
を備える、ヒートシンクの生産システム。
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