TW202301427A - 基板處理設備及基板處理方法 - Google Patents

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鄭多云
白寅雨
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Abstract

所揭露的為一種基板處理設備及方法，其中設置於基板之上以量測基板的溫度之第二量測單元的數量少於設置於加熱器之下以量測加熱器的溫度之第一量測單元的數量，基板的溫度於製程中即時計算，且根據其控制加熱器的溫度，而可將基板的整體之溫度維持為均勻的。因此，可沉積具有均勻厚度的薄膜，進而提升沉積製程的完整性。

Description

基板處理設備及基板處理方法
本發明關於一種基板處理設備及能即時(real time)於腔體中量測基板的溫度之方法。
一般來說，會透過在基板上沉積特定材料製成薄膜的薄膜沉積製程、使用光感材料使薄膜的選擇區域曝光或隱蔽之微影製程，以及移除薄膜中的選擇區域並進行圖案化之蝕刻製程，來製造半導體裝置、顯示裝置或薄膜太陽能電池。於這些製程中，薄膜沉積製程及蝕刻製程是藉由最佳化成真空狀態的基板處理設備來進行。
在被最佳化成真空狀態的基板處理設備中，會使用加熱手段加熱基板，且製程氣體被供應至腔體的反應空間中以進行薄膜沉積製程及蝕刻製程。於基板處理製程中，因為基板的溫度會影響產品的品質，所以會需要精準地量測基板的溫度。
基板的整個區域之溫度或基板的多個區域之溫度被量測以計算基板的溫度分布，進而確保製程的均勻度。
為了量測基板的整個區域之溫度或是基板的多個區域之溫度，需要在對應於多個待測區域之多個位置上設置多個溫度量測裝置。會需要在基板上提供安裝這些溫度量測裝置所需的空間，因此會需要對能提升空間利用率之基板處理設備與方法進行研究。
因此，本發明關於一種實質上解決因習知技術的缺陷及缺點導致的至少一問題的基板處理設備及方法。
本發明的一目的在於提供一種能即時量測腔體中的基板之溫度的基板處理設備及方法。
本發明的另一目的在於提供一種能將腔體中的基板之溫度維持均勻的基板處理設備及方法。
本發明的另一目的在於提供一種能提升沉積製程的完整性之基板處理設備及方法。
本發明的額外優點、目的及特徵將部分於以下描述中闡述且部分在本領域具通常知識者基於檢驗以下描述之後變得顯而易見或可從實施本發明習得。本發明的目的及其他優點可由描述、此處之請求項及相關圖式中具體指出的結構所實現及獲得。
為了達成這些目的及其他優點且根據本發明的目的，如於此實施及廣泛地描述，基板處理設備包含腔體、用以於腔體中支撐基板之基座、設置於基座之下的加熱器、用以量測加熱器的溫度之至少一第一量測單元，以及用以量測基板的溫度之至少一第二量測單元。第一量測單元及第二量測單元具有彼此相異的數量。第二量測單元的數量可少於第一量測單元的數量。
在根據本發明的基板處理設備中，第二量測單元可以預設距離彼此分離。
根據本發明的基板處理設備可更包含一計算器，計算器用以使用第一量測單元以及第二量測單元量測到的第一區域之多個量測值及第一量測單元及第二量測單元量測到的第三區域之多個量測值來計算基板的第二區域之溫度，第二區域位於第一區域及第三區域之間。
在根據本發明的基板處理設備中，計算器可使用由第一量測單元及第二量測單元量測到的第一區域及第三區域之量測值之間的差值及上述量測值之平均值其中至少一者來計算基板的第二區域之溫度。
在根據本發明另一實施例的基板處理設備中，計算器可使用由第一量測單元量測到的第二區域之量測值。
在根據本發明的進一步實施例的基板處理設備中，基座可為可轉動地同時支撐多個基板，且第二量測單元可分別設置於這些基板之上。此時，控制器可使用基板的轉動速度控制第二量測單元的運作。
在另一態樣中，基板處理方法包含於第一區域量測加熱器溫度以及基板溫度的第一步驟、於第三區域量測加熱器溫度以及基板溫度的第二步驟，以及使用第一區域以及第三區域之多個量測值計算於第二區域之基板溫度的第三步驟。第二區域介於第一區域及第三區域之間。
於進一步的態樣中，基板處理方法包含量測並儲存加熱器溫度的第一步驟、量測並儲存基板溫度的第二步驟，以及使用於第一區域的量測基板溫度值及量測加熱器溫度值以及於第三區域之量測基板溫度值及量測加熱器溫度值計算於第二區域之基板溫度的第三步驟。第二區域介於第一區域以及第三區域之間。
在根據本發明的基板處理方法中，可使用第一區域及第三區域處之基板溫度及加熱器溫度之間的差值及上述溫度之平均中的至少一者，來計算第二區域的基板溫度。
在根據本發明的基板處理方法中，可進一步使用於第二區域量測到的加熱器溫度值。
應理解的是，上述之概略性描述及本發明的以下實施方式皆為示例性及解釋性的，並旨在提供所請發明進一步的解釋。
給出於本說明書中揭露的本發明的實施例之具體結構或功能描述僅為了解釋本發明的實施例。本發明的實施例可用各種形式實現，且不應被解釋為以於本說明書中揭露的本發明的實施例為限。
因為本發明的實施例可以各種方式修改且可具有各種形式，所以具體實施例將呈現於圖式中且將於本說明書中被詳細描述。然，根據本發明的概念之實施例並不以這樣的具體實施例為限，且應理解的是本發明包含所有落入本發明的思想及技術範圍中的所有替換、相等物及替代。
將理解的是，雖然用語「第一」、「第二」等可用於描述各種元件，但相對應的元件不應被理解為以這些用語為限，這些用語僅用於辨認元件。舉例來說，在由本發明界定的範圍中，第一元件可稱為第二元件，且相似地，第二元件可稱為第一元件。
將理解的是，當元件被稱為「連接於」或「耦接於」另一元件，此元件可直接連接或耦接於其他元件，或可存在中間元件。相反地，當元件被稱為「直接連接於」或「直接耦接於」另一元件時，不會存在中間元件。如「之間」、「直接位於…之間」、「鄰近」或「直接鄰近」等其他描述元件之間的關係之用語也需要以同樣的方式來解釋。
本說明書中使用的用語僅被提供來解釋具體實施例，而非旨在限制本發明。除非另有說明，否則單數形式可包含多數形式。將進一步理解的是，於本說明書中使用「包含」、「具有」等用語時，係指出所述特徵、數量、步驟、作業、元素、元件或上述之結合的存在，但不排除一或多個其他特徵、數量、步驟、作業、元素、元件或上述之結合的添加或存在。
除非另有說明，否則包含技術及科學用語之於本說明書中使用的所有用語與本發明所屬技術領域具通常知識者一般理解的用語具有相同的意涵。將進一步理解的是，如一般使用的字典中定義的那些用語應被解釋為具有與本發明及相關技術的內容中的意涵一致的意涵，且除非有於此詳細界定，否則不應被解釋為理想化或過度正式的。
以下，將參照相關圖式描述根據本發明的基板處理設備及方法。圖1為呈現基於腔體的根據本發明一實施例的基板處理設備之部分構造之圖式，且圖2為示意性呈現根據本發明的基板處理設備之構造的方塊圖。
根據本發明的實施例之基板處理設備100可包含具有反應空間的腔體110、被提供於腔體110中以支撐基板10的基座120、設置於基座120之下以加熱基座120的加熱器130、被提供於腔體110中以相對於基座120而噴射製程氣體的氣體噴射器140、被提供於腔體110之外以將製程氣體供應至氣體噴射器140的氣體供應單元150，以及用以對腔體110進行排氣的排氣單元160。
腔體110包含腔體本體110b以及設置於腔體本體110b的頂端之蓋體110a。腔體本體110b及蓋體110a彼此耦接以於腔體110中界定反應空間。腔體110可形成為內部形成有用於基板沉積的空間之筒狀外形。腔體110可依據基板10的外形而形成為各種外形。於此，可使用用於半導體製造的矽基板或是用於平板顯示器製造的玻璃基板作為基板10。也就是說，當基板10為圓形時(像是矽基板)，腔體110可形成為具有圓形截面的圓柱外形。當基板10為四邊形時(像是玻璃基板)，腔體110可形成為具有四邊形截面的六面體外形。
基座120及氣體噴射器140可設置於腔體110中以彼此相對。舉例來說，基座120可設置於腔體110的底側，且氣體噴射器140可設置於腔體110的頂側。此外，供基板10透過其引入及移除的基板閘門111可被提供在腔體110的一側。腔體110可被提供有氣體入口151，氣體入口151連接於將製程氣體供應至腔體110中的氣體供應單元150。
此外，排氣單元160可連接於被提供在腔體110的底部之排氣埠112以調整腔體110中的壓力或將腔體110中的製程氣體及異物排出。
舉例來說，基板閘門111可被提供在腔體110的一個側面中以具有足夠的尺寸來引入或移除基板10，可透過腔體110的頂牆形成氣體入口151，且可透過比基座120還低的腔體110之底牆來形成排氣埠112。
基座120被提供於腔體110中，且被引入到腔體110中的至少一基板10設置於基座上。為了使基板10設置於基座120上並受基座120支撐，基座120例如可被提供有用以維持基板10藉由靜電力被吸住的狀態之靜電吸盤，或可藉由真空吸引或使用機械力來支撐基板10。此外，基座120可形成為對應於基板10的外形之平面外形(如圓形或四邊形)，且可被製造成具有比基板10的尺寸還大的尺寸。
用以朝上及朝下移動基座120之升降器121可被提供在基座120之下。升降器121用以支撐基座120的至少一區域，如中心部。當基板10設置於基座120上時，升降器121將基座120移動成鄰近於氣體噴射器140。
此外，加熱器130可安裝於基座120之下或之中。加熱器130可將基板10加熱至預設溫度而使得薄膜沉積、堆疊及蝕刻能輕易在基板10上進行。可在基座120中提供冷卻劑供應通道(未繪示)以供應冷卻劑來降低基板10的溫度。
氣體噴射器140在腔體110的頂側設置於腔體110中以朝設置於基座120上的基板10噴射製程氣體或吹除氣體。在與基座120相同的方式中，氣體噴射器140可形成為對應於基板10的外形之外形。氣體噴射器140可被製造成具有大致呈圓形或四邊形的外形。
同時，如圖2所示，根據本發明的基板處理設備100可更包含設置於腔體110之外的計算器190及控制器180。
如圖1所示，設置於基板之下以加熱基板的加熱器130及用以量測加熱器130的溫度之第一量測單元171可設置於腔體110中。第二量測單元172可設置於耦接於腔體本體110b的頂端之蓋體110a。
控制器180及計算器190可設置於腔體110之外。控制器180進行控制而使得第一量測單元171及第二量測單元172分別量測加熱器130的溫度及基板10的溫度。控制器180可包含用以儲存由第一量測單元171及第二量測單元172所量測的溫度資料之記憶體181。此為一實施例，且記憶體181可設置於控制器180之外。
計算器190可使用儲存在記憶體181中的量測到的基板10及加熱器130的溫度量值來計算基板10的溫度。
可以有多個第二量測單元172設置於蓋體之上以量測基板的溫度。第二量測單元172可由光溫度感測器構成。於一代表性示例中，可使用高溫計(pyrometer)。第二量測單元172可被設置以量測基板的溫度。
可以有多個第一量測單元171設置於加熱器130之下以量測加熱器的多個區域之溫度。
於本發明的實施例中，第二量測單元172的數量相異於第一量測單元171的數量。較佳地，第二量測單元172的數量少於第一量測單元171的數量。
圖3為呈現根據圖1中的構造之於基板處理設備中由第二量測單元測量的基板之區域的示意圖。也就是說，呈現有應用於使用設置於基座120上的一個基板10之製程腔體之實施例。此時，由這些第二量測單元172量測的基板10之區域可包含基板10的中心部(區域172b)以及對稱地位於中心部(區域172b)周圍的基板10之相對區域部(區域172a、172c)。根據第一實施例的第二量測單元172可設置於蓋體110a之上。
圖4為呈現根據本發明另一實施例之基板處理設備的腔體之內部構造的圖式，且圖5為呈現在根據圖4中的構造之基板處理設備中由第二量測單元量測的基板之區域的示意圖。
本發明的其他實施例呈現多個基板10設置於上基座120以被處理的情況。此時，第二量測單元172可設置在不同的基板之上。也就是說，三個第二量測單元172可設置於不同的基板之上。不像是如圖1的實施例中第二量測單元以預設間隔呈直線設置以量測一個基板的三個區域之溫度的實施例，於本實施例中，第二量測單元172可透過形成於氣體噴射器140中的通孔(未繪示)量測設置於基座120上的這些基板的溫度。第二量測單元172可設置於不同的基板10之上以量測位於不同區域中的基板之溫度。舉例來說，第二量測單元172可量測多個區域172a、172b、172c之溫度。此時，控制器180可進行控制而使第二量測單元172以與基板10的轉動循環同步的方式運作，藉以量測相同的基板的每一個區域之溫度。也就是說，控制器180可將運作允許訊號提供至第二量測單元172，而使得第二量測單元172在基板轉動且同時再次到達設置有第二量測單元172的位置之時候運作。同時，第二量測單元172可連續地運作以量測基板10及設置於其之下的基座120之溫度。基座120的溫度高於基板10的溫度。這樣的原因是熱是在基板10設置於基座120上的狀態中被傳遞到基板10。由第二量測單元172量測到的多個量測溫度值可被分成基板10的量測溫度值以及基座120的量測溫度值。於這些溫度值中，可僅使用基板10的量測溫度值。
圖6為描述根據本發明的基板處理設備中的第一量測單元及第二量測單元的設置方式及運作方式的示意圖。以下，將描述一個基板10設置於基座120上的實施例，以協助理解本發明；然而，其運作方式相似於多個基板10設置於基座120上的情況之運作方式。
於本實施例中，如圖6所示，用以量測加熱器130的溫度之第一量測單元171包含五個量測單元171-1、171-2、171-3、171-4、171-5(感測器)，且用以量測基板10的溫度之第二量測單元172包含三個量測單元172-1、172-2、172-3(感測器)。然而，本發明並不以上述的態樣為限。也就是說，只要滿足構成第一量測單元的溫度感測器之數量及構成第二量測單元的溫度感測器之數量彼此相異之情況，則可以實施成任何態樣。較佳地，如本實施例中的態樣所示，構成第二量測單元的溫度感測器之數量是相對較少的。
第一量測單元171設置於加熱器130之下以量測加熱器130的五個區域A1至A5的溫度，且第二量測單元172設置於基板10之上以量測基板10的三個區域A1、A3、A5之溫度。
構成第一量測單元171的1-1量測單元171-1可量測加熱器130的區域A1之溫度，1-2量測單元171-2可量測加熱器130的區域A2之溫度，1-3量測單元171-3可量測加熱器130的區域A3之溫度，1-4量測單元171-4可量測加熱器130之區域A4的溫度，且1-5量測單元171-5可量測加熱器130的區域A5之溫度。同時，位於基板10之上的構成第二量測單元172之2-1量測單元172-1可量測基板10的區域A1之溫度，2-2量測單元172-2可量測基板10的區域A3之溫度，且2-3量測單元172-3可量測基板10的區域A5之溫度。
圖7為呈現根據本發明的基板處理方法的步驟之流程圖。當進行製程且腔體中的溫度達到預設溫度而使得腔體穩定時，控制器180可進行控制而使第一量測單元171及第二量測單元172分別量測加熱器130及基板10的溫度。
於以下敘述中，「第一區域」可包含「區域A1或區域A3」，「第三區域」可指「區域A3或區域A5」，且「第二區域」可指「區域A2或區域A4」。也就是說，於位於「第一區域」及「第三區域」之間的「第二區域」中，第一量測單元171設置於加熱器130之下但是沒有第二量測單元172設置於基板10之上。假設於圖6中的示意圖中「區域A1」為「第一區域」且「區域A3」為「第三區域」，則「第二區域」可指「區域A2」。假設「區域A3」為「第一區域」且「區域A5」為「第三區域」，則「第二區域」可為「區域A4」。
於以下描述中，「區域A1」將稱為「第一區域」，「區域A3」將稱為「第三區域」，且「區域A2」將稱為「第二區域」。
在控制器180的控制下，1-1量測單元171-1及2-1量測單元172-1會分別量測加熱器的第一區域之溫度以及基板的第一區域之溫度(步驟S701)。
1-3量測單元171-3及2-2量測單元172-2可分別量測加熱器的第三區域之溫度以及基板的第三區域之溫度。分別由量測單元171-1、171-3、172-1、172-2量測到的加熱器及基板的量測溫度值會儲存於記憶體181中。同時，於以上敘述中，加熱器及基板的第一區域及第三區域之溫度是依序量測以協助理解本發明；然而，溫度量測可同時進行(步驟S702)。
計算器190可使用儲存在記憶體181中的量值計算基板的第二區域之溫度。也就是說，透過使用基板及加熱器的第一區域之量測溫度值以及基板及加熱器的第三區域之量測溫度值，計算器190可計算介於第一區域以及第三區域之間的第二區域之溫度。計算器190可使用由第一量測單元及第二量測單元所量測到的第一區域之量測值以及由第一量測單元以及第二量測單元量測到的第三區域之量測值之間的差值及上述量測值之平均值中的至少一者。
首先，可單純使用計算2-1量測單元172-1量測到的基板的第一區域之溫度值以及2-2量測單元172-2量測到的基板的第三區域之溫度值的平均值來作為基板中介於第一區域及第三區域之間的第二區域之溫度的方法。然而，加熱器的第二區域之量測溫度值沒有反映在此量值中，因此誤差範圍為是大的。
於另一方法中，將描述計算器190使用第一區域及第三區域的量測值之間的差值(偏移)的情況。此時，可進一步使用由第一量測單元量測到的加熱器的第二區域之量測值。舉例來說，假設基板的第一區域及第三區域之溫度為TA1S及TA3S且加熱器的第一區域及第三區域之溫度為TA1H及TA3H，基板及加熱器在第一區域及第三區域之間的溫度差可分別計算為ΔA1及ΔA3。此時，假設ΔA1及ΔA3的平均值為ΔA2，可藉由從1-2量測單元171-2量測到的第二區域的量值減去作為ΔA1及ΔA3的平均值之ΔA2，而計算出基板的第二區域之溫度。
可使用上述方法量測基板在沒有設置第二量測單元的區域A4之溫度(步驟S703)。
當基板的第一至第三區域之溫度具有位於誤差範圍內的差值時，相較於基板的其他區域之溫度，可控制位於這些區域之下的加熱器而使得基板的溫度為均勻的。若基板的特定區域之溫度具有位於誤差範圍外之差值時，可判定加熱器或設置於區域之下的量測單元為異常的，且可將警示提供給使用者。
同時，在圖8中呈現的根據本發明另一實施例的基板處理方法中，加熱器的溫度可使用第一量測單元來量測且在製程之前的設定基板處理設備的預處理步驟中被儲存，且可在製程期間量測基板的溫度而可量測基板的第二區域之溫度。
在預處理步驟(即第一步驟)中，加熱器的溫度是使用第一量測單元171-1、171-2、171-3、171-4、171-5來量測且被儲存於記憶體181中。在製程設備的初始設定步驟中，會預先儲存透過使用多個熱電偶構成的第一量測單元量測的加熱器之五個區域的量測溫度值(步驟S801)。
在製程期間，基板的區域A1、A3、A5之溫度是使用第二量測單元172量測且被儲存於記憶體181中(步驟S802)。
控制器180可使用儲存在記憶體中的加熱器及基板之第三區域的量測溫度值以及加熱器及基板的第一區域之量測溫度值，來計算基板的第二區域之溫度值(步驟S803)。此時，控制器180的運作方式相同於圖7中的步驟S703中所述之控制器的運作方式。
在根據本發明的基板處理設備及方法中，如上所述，即使第二量測單元沒有設置在第一量測單元設置於加熱器之下的位置，仍可計算基板的區域之溫度並基於其即時監控基板的溫度以控制加熱器的溫度，進而可維持基板的整體之溫度的均勻度。因此，可沉積具有均勻厚度的薄膜，進而提升沉積製程的完整性。
基於以上敘述顯而易見的是，於根據本發明的基板處理設備及方法中，可即時量測腔體中的基板之溫度並使用基板的量測溫度資料控制加熱器溫度，而可提升基板的溫度均勻度，且因此可提升沉積製程的完整性。
本發明所達成的功效並不以上述功效為限，且本發明所屬技術領域具通常知識者能從上述內容清楚理解其他沒有提及的功效。
雖然已參照相關圖式描述本發明的較佳實施例，但本領域具通常知識者將意識到檔可在不脫離於請求項中闡述之本發明的領域及思想之前提下進行各種修改及替換。
10:基板 100:基板處理設備 110:腔體 110a:蓋體 110b:腔體本體 111:基板閘門 112:排氣埠 120:基座 121:升降器 130:加熱器 140:氣體噴射器 150:氣體供應單元 151:氣體入口 160:排氣單元 171:第一量測單元 171-1,171-2,171-3,171-4,171-5:量測單元 172:第二量測單元 172-1,172-2,172-3:量測單元 172a,172b,172c:區域 180:控制器 181:記憶體 190:計算器 A1至A5:區域 S701,S702,S703,S801,S802,S803:步驟
被包含以提供本發明更進一步的理解且構成且併入本申請之部分的相關圖式繪示本發明的一或多個實施例且與敘述一起解釋本發明的原理。於圖式中： 圖1為呈現基於腔體的根據本發明一實施例的基板處理設備之部分構造之圖式。 圖2為示意性呈現根據本發明的基板處理設備之構造的方塊圖。 圖3為呈現根據圖1中的構造之於基板處理設備中由第二量測單元測量的基板之區域的示意圖。 圖4為呈現基於腔體的根據本發明另一實施例之基板處理設備的部分構造之圖式。 圖5為呈現在根據圖4中的構造之基板處理設備中由第二量測單元量測的基板之區域的示意圖。 圖6為描述根據本發明的基板處理設備中的第一量測單元及第二量測單元的設置方式及運作方式的示意圖。 圖7為呈現根據本發明一實施例的基板處理方法的步驟之流程圖。 圖8為呈現根據本發明另一實施例之基板處理方法的步驟之流程圖。
110:腔體
130:加熱器
171:第一量測單元
172:第二量測單元
180:控制器
181:記憶體
190:計算器

Claims (13)

  1. 一種基板處理設備，包含：一腔體；一基座，用以於該腔體中支撐一基板；一加熱器，設置於該基座之下；至少一第一量測單元，用以量測該加熱器的溫度；以及至少一第二量測單元，用以量測該基板的溫度，其中，該至少一第一量測單元及該至少一第二量測單元具有彼此相異的數量。
  2. 如請求項1所述之基板處理設備，其中該至少一第二量測單元的數量少於該至少一第一量測單元的數量。
  3. 如請求項1所述之基板處理設備，更包含一計算器，該計算器用以使用該至少一第一量測單元以及該至少一第二量測單元量測到的一第一區域之多個量測值及該至少一第一量測單元及該至少一第二量測單元量測到的一第三區域之多個量測值來計算該基板的一第二區域之溫度，且該第二區域位於該第一區域及該第三區域之間。
  4. 如請求項3所述之基板處理設備，其中該計算器使用由該至少一第一量測單元及該至少一第二量測單元量測到的該第一區域及該第三區域之該些量測值之間的差值及由該至少一第一量測單元及該至少一第二量測單元量測到的該第一區域及該第三區域的該些量測值之平均值的其中至少一者來計算該基板的該第二區域之溫度。
  5. 如請求項4所述之基板處理設備，其中該計算器進一步使用由該至少一第一量測單元量測到的該第二區域之一量測值計算該基板的該第二區域之溫度。
  6. 如請求項1至5中任一項所述之基板處理設備，其中該基座為可轉動的同時支撐多個基板，並且該至少一第二量測單元分別設置於各該基板之上。
  7. 如請求項1所述之基板處理設備，其中該至少一第二量測單元的數量為多個，該些第二量測單元以一預設距離彼此分離。
  8. 一種基板處理方法，包含：一第一步驟，量測於一第一區域的一加熱器溫度以及一基板溫度；一第二步驟，量測於一第三區域的一加熱器溫度以及一基板溫度；以及一第三步驟，使用該第一區域以及該第三區域之多個量測值計算於一第二區域之一基板溫度，該第二區域介於該第一區域及該第三區域之間。
  9. 如請求項8所述之基板處理方法，其中於該第二區域之該基板溫度是使用於該第一區域及該第三區域之該加熱器溫度及該基板溫度之間的差值以及於該第一區域及該第三區域的該加熱器溫度及該基板溫度之平均值其中至少一者所計算出的。
  10. 如請求項8所述之基板處理方法，更包含於該第二區域量測一加熱器溫度以計算於該第二區域之該基板溫度的一步驟。
  11. 一種基板處理方法，包含：一第一步驟，量測並儲存一加熱器溫度；一第二步驟，量測並儲存一基板溫度；以及一第三步驟，使用於一第一區域的一量測基板溫度值及一量測加熱器溫度值以及於一第三區域之一量測基板溫度值及一量測加熱器溫度值計算於一第二區域之一基板溫度，該第二區域介於該第一區域以及該第三區域之間。
  12. 如請求項11所述之基板處理方法，其中於該第二區域之該基板溫度是使用於該第一區域及該第三區域之該量測加熱器溫度值及該量測基板溫度值之間的差值以及於該第一區域及該第三區域的該量測加熱器溫度值及該量測基板溫度值之平均值其中至少一者所計算出的。
  13. 如請求項11所述之基板處理方法，其中進一步使用於該第二區域之一量測加熱器溫度值計算於該第二區域之該基板溫度。
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