KR100942619B1

KR100942619B1 - 반사 방지막 형성용 열산 발생제, 반사 방지막 형성용조성물, 이를 이용한 반사 방지막

Info

Publication number: KR100942619B1
Application number: KR1020077026816A
Authority: KR
Inventors: 다이스케 카와나; 야스시 후지이; 히사노부 하라다; 나오키 야마시타
Original assignee: 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
Priority date: 2005-06-07
Filing date: 2007-11-19
Publication date: 2010-02-17
Also published as: WO2006132089A1; US20090130595A1; KR20080002976A; JP5080250B2; JP5324675B2; JPWO2006132089A1; JP2012128436A; US7785768B2

Abstract

하기 식 (1)로 표시되는 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성용 열산 발생제, 반사 방지막 형성용 조성물, 이를 이용한 반사 방지막을 제공한다.

(여기서, R¹은 탄소수 1∼20의 알킬기, 알케닐기, 옥소알킬기 또는 옥소알케닐기(이들 기에 있어서의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어 있어도 좋다)를 나타내고, R²는 탄소수 1∼20의 직쇄상, 분기상 또는 환상의 알킬기, 알케닐기, 옥소알킬기 또는 옥소알케닐기, 탄소수 6∼20의 아릴기, 또는 탄소수 7∼12의 아랄킬기 또는 아릴옥소알킬기를 나타내고, R³은 수소 원자, 또는 알킬기를 나타내고, Y^－는 비친핵성 대향 이온을 나타낸다.) 이들에 의해, 내에칭 특성이나, 단파장광에 대한 반사 방지능(단파장광의 흡수능)이 양호하고, 또한 상층의 포토레지스트막에 있어서의 스컴의 발생을 억제할 수가 있다.

반사 방지막, 열산 발생제, 내에칭, 반사 방지능, 포토레지스트막, 스컴

Description

반사 방지막 형성용 열산 발생제, 반사 방지막 형성용 조성물, 이를 이용한 반사 방지막{THERMOACID GENERATOR FOR ANTIREFLECTION FILM FORMATION, COMPOSITION FOR ANTIREFLECTION FILM FORMATION, AND ANTIREFLECTION FILM MADE THEREFROM}

본 발명은 집적 회로 소자 등의 제조 공정에 있어서의 미세 가공에 이용되는 반사 방지막 형성용 조성물 및 이를 이용한 패턴(pattern) 형성 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 300nm 이하의 파장의 광으로 노광하여 패턴을 형성할 때에 매우 적합한 반사 방지막 형성용 열산(thermoacid) 발생제, 반사 방지막 형성용 조성물 및 반사 방지막에 관한 것이다.

집적 회로 소자의 제조에 있어서는, 고집적도의 집적 회로를 얻기 위해서, 리소그래피 프로세스(lithography process)에 있어서의 가공 사이즈(size)의 미세화가 진행되고 있다. 이 리소그래피 프로세스는 피가공층 상에 포토레지스트(photoresist) 조성물을 도포, 노광, 현상하여 레지스트 패턴(resist pattern)을 형성하고, 그 레지스트 패턴을 배선층, 유전체층 등의 피가공막에 전사하는 방법이다.

종래, 레지스트 패턴으로부터 노출된 피가공막의 노출 영역은 드라이 에 칭(dry etching)에 의해 제거되고 있었다. 그러나, 레지스트층(resist layer)(즉 레지스트 패턴(resist pattern))은 가공 사이즈의 미세화에 수반하는 노광 광원의 단파장화 등에 의해 박막화되어 있고, 충분한 드라이 에칭 내성을 확보할 수 없고, 피가공막의 고정밀도의 가공이 곤란하게 되어 있다. 또, 노광광의 피가공막에 있어서의 반사가 문제로 되고, 레지스트 패턴을 양호한 형상으로 형성하는 것이 곤란하게 되어 있다.

그래서, 레지스트 패턴을 피가공막에 정밀도 좋게 전사하기 위해서, 반사 방지막(하드 마스크(hard mask))이 피가공막과 포토레지스트층(photoresist layer)의 사이에 삽입되는 것이 검토되도록 되어 있다. 이 반사 방지막의 특성으로서는, 레지스트 패턴과의 에칭 레이트(etching rate)의 차가 클 것이 요구되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1, 2, 3 참조).

[특허문헌 1] 일본 특허공개 2004－310019

[특허문헌 2] 일본 특허공개 2005－015779

[특허문헌 3] 일본 특허공개 2005－018054

<발명이 해결하고자 하는 과제>

그렇지만, 상기 각 문헌에 있어서의 반사 방지막재는 노광광의 반사는 방지할 수 있지만, 반사 방지막의 상층에 형성되는 포토레지스트막의 현상 후에 있어서의 스컴(scum)의 발생을 억제하는 것이 곤란하다. 이 스컴은 후의 에칭(etching)의 방해로 되고 바람직하지 않다.

본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 내에칭(etching) 특성이나, 단파장광에 대한 반사 방지능(단파장광의 흡수능)이 양호하고, 또한 상층의 포토레지스트막에 있어서의 스컴(scum)의 발생을 억제할 수가 있는 반사 방지막 형성용 열산(thermoacid) 발생제, 반사 방지막 형성용 조성물 및 반사 방지막을 제공하는데 있다.

<과제를 해결하기 위한 수단>

본 발명의 반사 방지막 형성용 조성물은 하기 식 (1)로 표시되는 것을 특징으로 하고 있다.　

(여기서, R¹은 알킬(alkyl)기, 알케닐(alkenyl)기, 옥소알킬(oxoalkyl)기 또는 옥소알케닐(oxoalkenyl)기(이들 기에 있어서의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어 있어도 좋다)를 나타내고, R²는 알킬기, 알케닐기, 옥소알킬기 또는 옥소알케닐기, 아릴(aryl)기, 또는 아랄킬(aralkyl)기 또는 아릴옥소알킬(aryloxoalkyl)기를 나타내고, R³은 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, x는 0∼2의 정수, y는 1∼5의 정수를 나타내고, x가 2인 경우, 2개의 R²는 환을 형성해도 좋고, 환을 형성하는 경우에는 R²는 탄소수 1∼12의 알킬렌(alkylene)기를 나타내고, Y^－는 비친핵성(non-nucleophilic) 대향 이온을 나타낸다.)

또, 본 발명의 반사 방지막 형성용 조성물은 상기 반사 방지막 형성용 산 발생제, 및 광흡수기 및 가교기를 가지는 규소 함유 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.

상기 반사 방지막 형성용 산 발생제를 이용하고 있기 때문에, 반사 방지막 형성용 조성물로 형성된 반사 방지막 상에 형성되는 레지스트막의 현상 후의 끌림(trailing)의 발생, 스컴(scum)의 발생을 방지할 수가 있다.

<발명의 효과>

본 발명의 반사 방지막 형성용 조성물을 이용함으로써, 치수 정밀도가 높은 패턴을 형성할 수가 있다.

본 발명의 반사 방지막 형성용 열산 발생제는 하기 식 (1)로 표시된다.

(여기서, R¹은 탄소수 1∼20의 알킬(alkyl)기, 알케닐(alkenyl)기, 옥소알킬(oxoalkyl)기 또는 옥소알케닐(oxoalkenyl)기(이들 기에 있어서의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어 있어도 좋다)를 나타내고, R²는 알킬기, 알케닐기, 옥소알킬기 또는 옥소알케닐기, 탄소수 6∼20의 아릴(aryl)기, 또는 탄소수 7∼20의 아랄킬(aralkyl)기 또는 아릴옥소알킬(aryloxoalkyl)기를 나타내고, R³은 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, x는 0∼2의 정수, y는 1∼5의 정수를 나타내고, x가 2인 경우, 2개의 R²는 환을 형성해도 좋고, 환을 형성하는 경우에는 R²는 탄소수 1∼12의 알킬렌(alkylenen)기를 나타내고, Y^－는 비친핵성 대향 이온을 나타낸다.)

상기 R¹의 알킬(alkyl)기로서는, 직쇄상, 분기상 또는 환상이라도 좋고, 탄소수 1∼20, 바람직하게는 탄소수 1∼6의 것을 들 수 있다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n－부틸기, sec－부틸기, tert－부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 시클로펜틸(cyclopentyl)기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로프로필메틸(cyclopropylmethyl)기, 4－메틸시클로헥실기, 시클로헥실메틸기, 노보닐(norbornyl)기, 아다만틸(adamantyl)기 등을 들 수 있다.

상기 R¹의 알케닐(alkenyl)기로서는, 직쇄상, 분기상 또는 환상이라도 좋고, 탄소수 2∼20, 바람직하게는 탄소수 1∼6의 것을 들 수 있다. 구체적으로는, 비닐(vinyl)기, 알릴(allyl)기, 프로페닐(propenyl)기, 부테닐(butenyl)기, 헥세닐(hexenyl)기, 시클로헥세닐(cyclohexenyl)기 등을 들 수 있다.

상기 R¹의 옥소알킬(oxoalkyl)기로서는, 구체적으로는, 2－옥소시클로펜틸(2 －oxocylcopentyl)기, 2－옥소시클로헥실기 등을 들 수 있고, 2－옥소프로필기, 2－시클로펜틸－2－옥소에틸기, 2－시클로헥실－2－옥소에틸기, 2－(4－메틸시클로헥실)－2－옥소에틸기 등을 들 수가 있다.

또, 상기 R¹에 있어서의 기의 수소 원자가 불소 원자로 치환되어 있는 것은 발생하는 산의 산 강도를 향상시킬 수가 있고, 끌림(trailing), 스컴(scum)을 한층 더 개선할 수가 있다.

상기 R²의 알킬기, 알케닐(alkenyl)기, 옥소알킬(oxoalkyl)기로서는 R¹과 마찬가지이다.

상기 R²의 아릴(aryl)기로서는, 탄소수 6∼20, 바람직하게는 탄소수 6∼14의 것을 들 수 있다. 구체적으로는, 페닐(phenyl)기, 나프틸(naphthyl)기 등이나, p－메톡시페닐(p－methoxyphenyl)기, m－메톡시페닐기, o－메톡시페닐기, 에톡시페닐기, p－tert－부톡시페닐기, m－tert－부톡시페닐기 등의 알콕시페닐(alkoxyphenyl)기, 2－메틸페닐기, 3－메틸페닐기, 4－메틸페닐기, 에틸페닐기, 4－tert－부틸페닐기, 4－부틸페닐기, 디메틸페닐기 등의 알킬페닐(alkylphenyl)기, 메틸나프틸(methylnaphthyl)기, 에틸나프틸기 등의 알킬나프틸(alkylnaphthyl)기, 메톡시나프틸기, 에톡시나프틸기 등의 알콕시나프틸(alkoxynaphthyl)기, 디메틸나프틸기, 디에틸나프틸기 등의 디알킬나프틸(dialkylnaphthyl)기, 디메톡시나프틸기, 디에톡시나프틸기 등의 디알콕시나프틸(dialkoxynaphthyl)기 등을 들 수 있다.

상기 R²의 아랄킬(aralkyl)기로서는, 탄소수 7∼20, 바람직하게는 탄소수 7∼12의 것을 들 수 있다. 구체적으로는, 벤질기, 페닐에틸기, 페네틸(phenethyl)기 등을 들 수 있다.

상기 R²의 아릴옥소알킬(aryloxoalkyl)기로서는, 탄소수 7∼20, 바람직하게는 탄소수 7∼12의 것을 들 수 있다. 구체적으로는, 2－페닐－2－옥소에틸기, 2－(1－나프틸)－2－옥소에틸기, 2－(2－나프틸)－2－옥소에틸기 등의 2－아릴－2－옥소에틸(2－aryl－2－oxoethyl)기 등을 들 수 있다.

또한, x가 2인 경우, 2개의 R²는 서로 동일해도 달라도 좋고, 하나로 되어 환을 형성해도 좋다. 하나로 되어 환을 형성하는 경우에는, R²는 탄소수 1∼12, 바람직하게는 탄소수 1∼6의 알킬렌(alkylene)기를 나타낸다.

상기 R³의 알킬기로서는, 직쇄상, 분기상 또는 환상이라도 좋고, 탄소수 1∼20, 바람직하게는 탄소수 1∼6의 것을 들 수 있다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n－부틸기, sec－부틸기, tert－부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로프로필메틸기, 4－메틸시클로헥실기, 시클로헥실메틸기, 노보닐(norbornyl)기, 아다만틸(adamantyl)기 등을 들 수 있다.

Y^－의 비친핵성 대향 이온로서는, 염화물 이온, 브롬화물 이온 등의 할라이드(halide) 이온, 하기 식 (c－1) (c－2) (c－3)으로 표시되는 것을 들 수 있다.

여기서, R²⁰¹, R²⁰², R²⁰³은 수소 원자가 불소 원자로 치환되어 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 좋은 아릴기(이들 기에 있어서의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어 있어도 좋다)를 나타낸다.

R²⁰¹, R²⁰², R²⁰³으로서는 R²와 마찬가지의 것을 들 수 있다.

또, 2개의 R²⁰²는 서로 동일해도 달라도 좋고, 하나로 되어 환을 형성해도 좋다. 하나로 되어 환을 형성하는 경우에는 R²⁰²는 탄소수 1∼12, 바람직하게는 탄소수 1∼6의 알킬렌(alkylene)기를 나타낸다.

상기 반사 방지막 형성용 열산(thermoacid) 발생제로서는, 하기 식 (1a) (1b) (1d) (1e)의 화합물 등을 들 수 있다.

상기 반사 방지막 형성용 열산 발생제는 반사 방지막 형성용 조성물에 적용하여 반사 방지막을 형성한 경우, 반사 방지막의 상층에 형성되는 레지스트 패턴(resist pattern)에 있어서의 끌림(trailing)의 발생, 스컴(scum)의 발생을 방지할 수가 있다.

상기의 효과는 그 이유 등에 대해서 확실하지 않지만, 본 발명의 반사 방지막 형성용 열산 발생제로부터 발생한다고 생각되는 2종의 산(오늄염(onium salt)의 부위로부터 발생하는 산, 및 R¹－COO－의 부위로부터 발생하는 산)에 의한 효과라고 추측된다. 즉, 본 발명의 반사 방지막 형성용 열산 발생제는 2종 이상의 산이 발생하는 산 발생제라고 바꾸어 말할 수가 있다.

본 발명의 반사 방지막 형성용 조성물은 광흡수기 및 가교기를 가지는 규소 함유 화합물 및 상기 반사 방지막 형성용 열산 발생제를 포함하고 있는 것이다.

상기 반사 방지막 형성용 열산 발생제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수가 있다.

상기 반사 방지막 형성용 열산 발생제의 첨가량은 후술하는 규소 함유 화합물 100질량부에 대해서 바람직하게는 0.1∼50질량부, 보다 바람직하게는 0.5∼40질량부이다. 0.1질량부 이상 첨가함으로써 가교 반응의 촉진 효과를 충분히 발휘할 수 있게 된다.

또, 상기 반사 방지막 형성용 열산 발생제 외에, 열산 발생제, 광산 발생제, 열염기 발생제, 광염기 발생제를 더 조합해도 좋다.

본 발명에 있어서의 규소 함유 화합물은 광흡수기 및 가교기를 가지고 있다.

상기 광흡수기라는 것은 파장 150∼300nm의 범위에서 흡수를 가지는 기이다. 이 광흡수기로서는, 예를 들면 벤젠(benzene)환, 안트라센(anthracene)환, 나프탈렌(naphthalene)환 등의 광흡수부를 가지는 기를 들 수 있다. 상기 광흡수부는 1개 이상의 －O－, －O(CO)－로 중단되어 있어도 좋은 탄소 1∼20의 알킬렌(alkylene)기를 개재하여 주골격의 Si 원자에 결합되어 있는 것이 바람직하다. 또, 벤젠환, 안트라센환, 나프탈렌환 등의 광흡수부는 탄소수 1∼6의 알킬기, 히드록시기 등의 치환기로 1개 이상 치환되어 있어도 좋다. 이들 광흡수기 중에서도 벤젠환이 바람직하다. 또, 상기 흡수기 외에 Si－Si 결합을 가지는 흡수부를 가지는 기를 사용할 수도 있다. 이들 광흡수부는 규소 함유 화합물의 주골격에 포함되어 있어도 좋다.

또한, 상기 광흡수부에 하기 가교기가 결합되어 있어도 좋다.

상기 가교기라는 것은 다른 가교기와 반응할 수가 있는, 혹은 별도 첨가한 가교제와 반응할 수가 있는 기를 말한다. 가교기로서는, 히드로실릴(hydrosilyl)기 혹은 가교 가능한 유기기를 들 수 있다. 이 가교기는 열에 의해 가교하는 것이 바람직하고, 예를 들면 에폭시(epoxy)기를 가지는 기, 글리시딜(glycidyl)기를 가지는 기, 옥세타닐(oxetanyl)기를 가지는 유기기를 들 수 있다. 이들 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 가지는 유기기는 1개 이상의 －O－, －O(CO)－로 중단되어 있어도 좋은 탄소 1∼20의 알킬렌(alkylene)기를 개재하여 Si 원자에 결합되어 있는 것이 바람직하다. 상기 가교기로서는, 보존 안정성의 이유로부터 옥세타닐기를 가지는 것이 가장 바람직하다.

이 가교기로서는, 에폭시기, 글리시딜기, 옥세타닐기를 가지는 탄소수 1∼40의 알킬기(다만, 에테르(ether) 결합을 가지고 있어도 좋다)를 바람직한 것으로서 들 수 있다. 이 상기 가교기로서는, 특히 옥세타닐기를 가지는 탄소수 1∼40의 알킬기(다만, 에테르 결합을 가지고 있어도 좋다)가 바람직하다. 또한, 이 가교기로서는, －(CH₂)_dO(CH₂)_eC(CH₂OCH₂)(CH₂)_fCH₃(d는 1∼20의 정수, e는 1∼20의 정수, f는 0∼20의 정수)인 것이 바람직하다.

이들 가교기를 도입한 규소 함유 화합물을 이용함으로써, 150∼350℃, 바람직하게는 150∼250℃의 저온 베이크(bake)에 의해 안정한 반사 방지막을 형성할 수가 있다.

상기 규소 함유 화합물로서는, 예를 들면, 실록산(siloxane) 화합물, 실리콘 카바이드(silicon carbide) 화합물, 폴리실란(polysilane) 화합물, 및 실라잔(silazane) 화합물 등을 들 수 있다. 이들 규소 함유 화합물은, 질량평균분자량(겔 퍼미에이션 크로마토그래피(gel permeation chromatography)에 의한 폴리스티렌(polystyrene) 환산 기준)은 특히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 200∼10000, 보다 바람직하게는 500∼5000이다. 이것은 성막성, 막의 평탄성을 확보함과 아울러, 에칭(etching) 내성도 뛰어나기 때문이다.

상기 실록산(siloxane) 화합물은 보다 상세하게는, 적어도 하기 일반식 (a1) 및 (a2)로 표시되는 구성 단위를 가지는 실록산 화합물(A)로 표시된다.　

식 중, R¹⁰¹은 광흡수기이고, R¹⁰³은 가교기이고, R¹⁰², 및 R¹⁰⁴는 각각 수소 원자, 히드록시기, 또는 탄소수 1∼3의 알킬기이고, m, n은 각각 0 또는 1이다.

또한, m, n이 0인 경우의 실록산(siloxane) 화합물은 실세스퀴옥산(silsesquioxane)이고, 실리콘 래더(silicon ladder) 구조의 중합체이다. m, n이 1인 경우의 실록산 화합물은 직쇄상의 실리콘 중합체이다. 그 이외의 경우에는 이들 공중합체로 된다. 특히, 실리콘 래더(silicon ladder)형의 실록산 화합물은 반사 방지막 형성용 조성물에 있어서 경시 안정성의 면에서 바람직한 화합물이다.

상기 구성 단위 (a1) 및 (a2)를 포함하는 실록산 화합물은 하기 (a＇1) 및 (a＇2)의 규소 함유 화합물을 포함하는 혼합물을 가수분해·축합함으로써 얻을 수 있다.　

(여기서, R¹⁰¹, R¹⁰², R¹⁰³, R¹⁰⁴, m, n은 상기와 마찬가지이고, X는 할로겐(halogen)기, 히드록시기, 탄소수 1∼5의 알콕시(alkoxy)기이고, X가 복수인 경우에는 동일해도 달라도 좋다.)

또, 상기 이외의 가수분해성 기(상기 X에 상당한다)를 가지는 규소 함유 화합물(a3)을 이용하여 제3의 구성 단위를 도입해도 좋다.

가수분해 반응에 있어서의 물의 양은 모노머 1몰당 0.2∼10몰을 첨가하는 것이 바람직하다. 이때에 촉매를 이용할 수도 있고, 초산, 프로피온산(propionic acid), 올레산(oleic acid), 스테아르산(stearic acid), 리놀레산(linoleic acid), 살리실산(salicylic acid), 안식향산, 개미산, 말론산(malonic acid), 프탈산(phthalic acid), 푸마르산(fumaric acid), 구연산, 주석산, 염산, 황산, 질산, 술폰산, 메틸술폰산, 토실산, 트리플루오로메탄술폰산(trifluoromethanesulfonic acid) 등의 산, 암모니아, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 수산화 바륨, 수산화 칼슘, 트리메틸 아민, 트리에틸 아민, 트리에탄올 아민, 테트라메틸 암모늄 히드록시드, 코린 히드록시드(corrin hydroxide), 테트라부틸 암모늄 히드록시드 등의 염기, 테트라알콕시티타늄, 트리알콕시모노(아세틸아세토나토)티타늄, 테트라알콕시 지르코늄, 트리알콕시모노(아세틸아세토나토)지르코늄 등의 금속 킬레이트(chelate) 화합물을 들 수가 있다. 또, 가교기로서 옥세타닐(oxetanyl)기, 에폭시(epoxy)기 등을 가지는 경우에는 개환시키지 않는 상태로 하기 위해서 계를 pH 7 이상의 분위기로 하는 것이 바람직하고, 암모니아, 4급 암모늄염, 유기 아민류 등의 알칼리제가 바람직하게 이용된다. 특히 염기 촉매로서의 활성이 양호하고 반응의 제어가 용이하기 때문에, 테트라알킬 암모늄 히드록시드(tetraalkyl ammonium hydroxide)가 바람직하게 이용된다.

또, 상기 실록산(siloxane) 화합물은 실릴(silyl)화제로 처리하는 것이 바람직하다.

상기 실릴화제로서는, 트리메틸메톡시실란(trimethylmethoxysilane), 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane), 테트라메틸디부틸디실라잔, 헥사에틸디실라잔, 테트라메틸디비닐디실라잔, 테트라비닐디메틸디실라잔, N－트리메틸실릴아세트아미드, N, O－비스(트리메틸실릴)아세트아미드, N－트리메틸실릴이미다졸 등을 들 수 있지만, 바람직하게는 헥사알킬디실라잔(hexaalkyldisilazane)이고, 특히 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane)이 바람직하다. 이와 같이, 실릴화제로 처리함으로써 보존 안정성을 향상시킬 수가 있다.

상기 실록산(siloxane) 화합물(A)에 있어서, 구성 단위 (a1)은 0.01∼99몰%인 것이 바람직하고, 0.1∼70몰%인 것이 보다 바람직하고, 0.15∼30몰%인 것이 한층 더 바람직하다. 상기의 범위로 함으로써 광흡수 특성을 향상시킬 수가 있다. 특히, 레지스트막(resist film)의 노광에 ArF 레이저 즉 파장 193nm를 이용하는 경우 에는, 이 파장의 광에 대한 광학 파라미터(parameter)(k값)가 0.002∼0.95, 바람직하게는 0.01∼0.7, 더 바람직하게는 0.05∼0.25의 범위 내에 있는 반사 방지막이 형성되도록 조정되는 것이 필요하다. 이 조정은 구성 단위 (1)의 함유 비율을 증감함으로써 행할 수가 있다.

또, 상기 실록산 화합물(A)에 있어서, 구성 단위 (a2)는 0.01∼99몰%인 것이 바람직하고, 0.1∼70몰%인 것이 보다 바람직하고, 0.15∼30몰%인 것이 한층 더 바람직하다. 상기의 범위로 함으로써, 형성된 반사 방지막의 경화성을 향상시키고, 상층과의 믹싱(mixing)이나 균열 등을 생기기 어렵게 할 수가 있다.

또한, 상기 실록산 화합물에 있어서는, SiO 단위에 대해서 탄소수 0∼6으로 설정되어 있는 것이 바람직하다.　

특히, 주골격에 흡수부를 가지는 규소 함유 화합물로서 바람직한 것으로서, 상기 실리콘 카바이드(silicon carbide) 화합물에 있어서, 하기의 식 (B)로 표시되는 것을 들 수 있다.　

(식 중, R³⁰¹, R³⁰²는 1가의 유기기이고, 그들의 적어도 일방은 상기와 마찬가지의 가교기이고, R³⁰³은 광흡수기이고, 예를 들면 아릴렌(arylene)기를 나타내고, p 및 q는 각각 0∼20의 정수이고, l은 반복 단위수를 나타내는 정수이고, l은 5∼ 200의 범위가 바람직하다.)

상기 R³⁰¹, R³⁰²로서의 1가의 유기기로서는, 탄소수 1∼40의 알킬(alkyl)기 또는 아릴(aryl)기를 들 수 있다.

상기 (B)로 표시되는 화합물은 예를 들면, 하기 식 (B＇)　

(식 중, R^H는 수소 또는 R³⁰¹, R³⁰²에 상당하는 1가의 유기기이고, 2개의 R^H 중의 적어도 하나는 수소이다.)

과, 분자 말단에 탄소－탄소 이중 결합을 가지고, 상기 이중 결합의 잔기에 가교기를 가지는 화합물을 히드로실릴(hydrosilyl)화 반응시킴으로써 얻을 수 있다.

또, 상기 (B＇)의 화합물은 하기 식 (b＇1) 및 (b＇2)　

(Z는 할로겐(halogen)을 나타낸다)를 그리냐르(Grignard) 반응시켜 용이하게 얻어진다.

또한, 주골격에 흡수부를 가지고 있지 않은 경우(R³⁰³이 없는 경우)에는, R³⁰¹, R³⁰²의 어느 것이 광흡수기를 가지는 것도 이용할 수가 있다.

본 발명의 반사 방지막 형성용 조성물은 용제를 함유하는 것이 바람직하다. 이 용제로서는, 메틸 알코올, 에틸 알코올, 프로필 알코올, 부틸 알코올 등의 1가 알코올, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세린, 트리메틸올프로판, 헥산트리올 등의 다가 알코올, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필 에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸 에테르 등의 다가 알코올의 모노에테르(monoether)류, 초산 메틸, 초산 에틸, 초산 부틸, 젖산 에틸 등의 에스테르(ester)류, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 시클로알킬 케톤, 메틸 이소아밀 케톤(methyl isoamyl ketone) 등의 케톤(ketone)류, 에틸렌글리콜 디메틸 에테르(ethyleneglycol dimethyl ether), 에틸렌글리콜 디에틸 에테르, 에틸렌글리콜 디프로필 에테르, 에틸렌글리콜 디부틸 에테르, 프로필렌글리콜 디메틸 에테르(PGDM), 프로필렌글리콜 디에틸 에테르, 프로필렌글리콜 디부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 메틸 에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸 에테르 등의 다가 알코올의 수산기를 모두 알킬 에테르화한 다가 알코올 에테르(alcohol ether)류 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 시클로알킬 케톤 또는 알킬렌글리콜 디알킬 에테 르(alkyleneglycol dialkyl ether)가 보다 적합하다. 또한, 알킬렌글리콜 디메틸 에테르로서는 PGDM(프로필렌글리콜 디메틸 에테르)가 매우 적합하다. 이들 유기 용매는 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다. 이 용제는 상기 규소 함유 화합물에 대해서 1∼50배량, 바람직하게는 2∼20배량의 비율로 사용되는 것이 바람직하다.

본 발명의 반사 방지막 형성용 조성물에는, 가교 반응을 촉진시키고, 반사 방지막의 경화성을 향상시키기 위해서 가교제를 첨가해도 좋다.

이 가교제로서는, 비스페놀 A(bisphenol A)형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락(phenol novolak)형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락(cresol novolak)형 에폭시 수지 등의 에폭시 화합물； 디비닐벤젠, 디비닐술폰, 트리아크릴포름알, 글리옥살(glyoxal)이나 다가 알코올의 아크릴산 에스테르 또는 메타크릴산 에스테르나, 멜라민, 요소, 벤조구아나민(benzoguanamine), 글리콜우릴(glycoluril)의 아미노기의 적어도 2개가 메틸올(methylol)기 또는 저급 알콕시메틸(alkoxymethyl)기로 치환된 화합물 등의 2개 이상의 반응성 기를 가지는 화합물 등을 들 수 있다.

상기 가교제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수가 있다.

가교제의 첨가량은 규소 함유 화합물 100질량부에 대해서 바람직하게는 0.1∼50질량부, 보다 바람직하게는 0.5∼40질량부이다. 0.1질량부 이상 첨가함으로써 가교 반응의 촉진 효과를 충분히 발휘할 수 있게 된다. 또, 50질량부 이하로 함으로써, 가교 반응을 더 촉진시키고, 반사 방지막의 경화성을 더 향상시킬 수가 있 다.

(패턴 형성 방법)

본 발명의 반사 방지막 형성용 조성물을 이용한 패턴 형성 방법에 대해서 설명한다. 이 패턴 형성 방법은 리소그래피(lithography)에 의해 기판 등의 피가공막에 패턴을 형성하는 방법이다.

본 패턴 형성 방법은 적어도 하기 (1)∼(4)의 공정을 가진다.

(1) 피가공막 상에 본 발명의 반사 방지막 형성용 조성물을 도포하고 베이크(bake)하여 반사 방지막을 형성한다.

(2) 반사 방지막 상에 포토레지스트(photoresist) 조성물을 도포하고, 프리베이크(prebake)하여 포토레지스트막(photoresist film)을 형성한다.

(3) 포토레지스트막의 패턴 회로 영역을 노광한 후, 현상액으로 현상하여 레지스트 패턴(resist pattern)을 형성한다.

(4) 레지스트 패턴을 마스크(mask)로 하여 반사 방지막 및 기판을 에칭(etching)하여 피가공막에 패턴을 형성한다.

또, 상기의 패턴 형성 방법에서는, 레지스트 패턴을 마스크로 하여 반사 방지막 및 피가공막을 에칭하여, 피가공막에 패턴을 형성하였지만, 레지스트 패턴을 마스크로 하여 반사 방지막을 에칭하고, 또한 패턴이 형성된 반사 방지막을 마스크로 하여 피가공막을 에칭하여 피가공막에 패턴을 형성할 수도 있다.

또한 상기의 피가공막과 반사 방지막의 사이에 하층막(bottom layer)을 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우의 피가공막에 패턴을 형성하는 방법으로서는, (i) 레지스트 패턴을 마스크로 하여 반사 방지막, 하층막 및 피가공막을 에칭하여, 피가공막에 패턴을 형성하는 방법, (ii) 레지스트 패턴을 마스크로 하여 반사 방지막을 에칭하여, 또한 패턴이 형성된 반사 방지막을 마스크로 하여 하층막 및 피가공막을 에칭하여 피가공막에 패턴을 형성하는 방법, (iii) 레지스트 패턴을 마스크로 하여 반사 방지막을 에칭하고, 또한 패턴이 형성된 반사 방지막을 마스크로 하여 하층막 및 피가공막을 에칭하고, 피가공막에 패턴을 형성하는 방법, (iｖ) 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 반사 방지막 및 하층막을 에칭하고, 또한 패턴이 형성된 하층막을 마스크로 하여 피가공막에 패턴을 형성하는 방법 등을 들 수 있다.

여기서, 하층막으로서는, 크레졸 노볼락(cresol novolak), 나프톨 노볼락(naphthol novolak), 카톨디시클로펜타디엔 노볼락, 아모퍼스 카본(amorphous carbon), 폴리히드록시스티렌(polyhydroxystyrene), 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 폴리이미드, 폴리술폰 등의 수지를 들 수 있다.

상기와 같이, 반사 방지막에는 그 상층 및/또는 하층의 에칭 레이트(etching rate)에 맞춰 에칭 레이트가 조정되는 것이 요구된다.

본 발명의 반사 방지막 형성용 조성물은 레지스트 패턴, 반사 방지막 및 하층막을 이용하여, 피가공막을 패터닝(patterning)하는 용도로 이용된다. 특히, 상기 (ii) 레지스트 패턴을 마스크로 하여 반사 방지막을 에칭하여, 또한 패턴이 형성된 반사 방지막을 마스크로 하여 하층막 및 피가공막을 에칭하여 피가공막에 패턴을 형성하는 방법을 이용하는 것이 바람직하다.

이 반사 방지막을 형성하는데는, 피가공막 혹은 하층막 상에 반사 방지막 형 성용 조성물을 회전 도포하고, 건조후 가열하여 형성하면 좋다. 가열은 한 번의 가열 또는 다단 가열법을 이용할 수가 있다. 다단 가열법을 이용하는 경우에는, 예를 들면 100∼120℃에 있어서 60∼120초간, 다음에 200∼250℃에 있어서 60∼120초간 가열하는 것이 가능하다. 이와 같이 하여, 예를 들면 두께 30∼200nm의 반사 방지막을 형성한 후, 통상의 방법에 의해 이 위에 레지스트 재료를 100∼300nm의 두께로 설치하여 레지스트막을 제조한다. 상기 하층막은 피가공막 상에 반사 방지막과 마찬가지로 예를 들면 200∼600nm의 두께로 형성하면 좋다.

본 발명의 반사 방지막 형성용 조성물은 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)와 같은 기재 상에 관용의 스핀 코팅(spin coating)법을 이용하여 간단하게 도포할 수가 있고, 소망 두께의 반사 방지막을 형성시킬 수가 있다. 지금까지의 레지스트 프로세스(resist process)에 있어서는, 증착에 의해 기재 상에 산화막을 형성하고, 그 위에 레지스트막을 입히는 것이 필요하였다는 것을 생각하면, 매우 간편화되어 있는 것을 알 수 있다.

레지스트층의 형성에 이용하는 레지스트 조성물은 공지의 것을 사용할 수 있고, 예를 들면 베이스(base) 수지와 유기 용매와 산 발생제의 조합을 이용할 수가 있다.

베이스 수지로서는, 폴리히드록시스티렌(polyhydroxystyrene) 및 그 유도체, 폴리아크릴산(polyacrylic acid) 및 그 유도체, 폴리메타크릴산(polymethacrylic acid) 및 그 유도체, 히드록시스티렌과 아크릴산과 메타크릴산과 그들 유도체로부터 선택되어 형성되는 공중합체, 시클로올레핀(cycloolefin) 및 그 유도체와 무수 말레산과 아크릴산 및 그 유도체로부터 선택되는 3 이상의 공중합체, 시클로올레핀 및 그 유도체와 말레이미드(maleimide)와 아크릴산 및 그 유도체로부터 선택되는 3 이상의 공중합체, 폴리노보넨(polynorbornene), 및 메타세시스(metathesis) 개환 중합체로 이루어지는 1군으로부터 선택되는 1종 이상의 고분자 중합체를 들 수 있다. 또한, 여기에서 말하는 유도체는, 아크릴산 유도체에는 아크릴산 에스테르 등, 메타크릴산 유도체에는 메타크릴산 에스테르 등, 히드록시스티렌 유도체에는 알콕시스티렌(alkoxystyrene) 등이 포함되듯이, 주요한 골격이 유도 후에 남아 있는 것을 의미한다.

KrF 엑시머 레이저(excimer laser)용 레지스트용으로서는, 폴리히드록시 스티렌(PHS), 히드록시스티렌과 스티렌과 아크릴산 에스테르와 메타크릴산 에스테르와 말레이미도 N 카복실산 에스테르로부터 선택되어 형성되는 공중합체, ArF 엑시머 레이저용 레지스트로서는, 아크릴산 에스테르계, 메타크릴산 에스테르계, 노보넨(norbornene)과 무수 말레산의 교호 공중합계, 테트라시클로도데센(tetracyclododecene)과 무수 말레산의 교호 공중합계, 폴리노보넨(polynorbornene)계, 개환 중합에 의한 메타세시스(metathesis) 중합계를 들 수 있지만, 이들 중합계 폴리머(polymer)에 한정되는 것은 아니다.

<실시예>

이하, 본 발명에 대해서 실시예에 의해 더 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 하등 한정되는 것은 아니다.

(규소 함유 화합물)

＜합성예 1－1＞

하기 식의 모노머 (a＇1－1a) 및 (a＇2－1)　

을 가수분해·중합하여, 하기 식의 구성 단위를 포함하는 실록산 화합물(A1)(분자량mw： 800, a：b=1：1)을 얻었다.

＜합성예 1－2＞

우선, 1, 4－디브로모벤젠(1, 4－dibromobenzene), 디클로로메틸실란(dichloromethylsilane)의 테트라히드로퓨란(tetrahydrofuran) 용액에, 마그네슘에 1, 2－디브로모에탄(1, 2－dibromoethane)을 가하여 당해 마그네슘을 활성화시킨 테트라히드로퓨란 용액을 적하하고 반응시킴으로써 하기 식

으로 표시되는 폴리카보실란(polycarbosilane)을 얻었다.

이 폴리카보실란, 3－에틸－3－알릴옥시메틸옥세탄의 톨루엔 용액을 가열하고, 거기에 1, 3－디비닐－1, 1, 3, 3－테트라메틸디실록산 백금 착체의 크실렌 용액을 가하여 반응시킴으로써, 하기 식 (B1)의 실리콘 카바이드(silicon carbide) 화합물을 얻었다. 이 화합물의 분자량은 4000이었다.　

(열산 발생제)

＜합성예 2－1＞

하기 식 (1c)의 화합물(벤질－4－히드록시페닐메틸술포늄　비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드)의 합성　

염화 벤질과 4－히드록시페닐메틸술피드를 반응시켜 얻어진 벤질－4－히드록시페닐메틸술포늄　클로라이드 30g(0.11몰)을 물　500mL에 용해시키고, 이것에 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미도리튬　33.9g(0.118몰)과 초산 에틸　500mL를 가하여 교반하면서, 5∼10℃에서 2시간 교반하였다. 수층을 제거하고 유기층을 건조시킨 뒤, 반응액을 감압 농축하고 진공 건조시켰다. 얻어진 유상물(油狀物)을 헥산으로 처리하고 재차 진공 건조시켰다. 진공 건조 후, 백색 결정의 벤질－4－히드록시페닐메틸술포늄　비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드　44.1g(수율 76.7%)를 얻었다. 융점은 76∼80℃였다.

＜합성예 2－2＞

(1a)의 화합물(4－메톡시카보닐옥시페닐벤질메틸술포늄　비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드)의 합성

(1c)의 화합물　17g(0.033몰)을 아세트니트릴 300ml에 용해시키고, 10℃이하에서 트리에틸 아민 3.5g(0.035몰)을 가하고, 30분 후 메톡시카보닐 클로라이드(0.035몰)를 적하하였다. 3시간 교반 후, 부생하는 트리에틸 아민의 염산염을 여과하여 제거하고, 아세트니트릴층을 감압 농축하였다. 이에 의해, 미색(微色) 투명 점조 액체인 4－메톡시카보닐옥시페닐벤질메틸술포늄　비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드가 얻어졌다.

＜합성예 2－3＞

(1b)의 화합물(4－아세톡시페닐벤질메틸술포늄　비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드)의 합성

(1c)의 화합물　17g(0.033몰)을 아세트니트릴 300ml에 용해시키고, 10℃ 이하에서 트리에틸 아민 3.5g(0.035몰)을 가하고, 30분 후 염화 아세틸 2.7g(0.035몰)을 적하하였다. 3시간 교반 후, 부생하는 트리에틸 아민의 염산염을 여과하여 제거하고, 아세트니트릴층을 감압 농축하였다. 이에 의해, 미색 투명 점조 액체인 4－아세톡시페닐벤질메틸술포늄　비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드 9.4g(수율 51.5%)이 얻어졌다.

(실시예 1)

상기 실록산 화합물(A1) 100질량부, 열산 발생제로서 식 (1a)의 화합물을 2질량부, 용제로서 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 3000질량부를 이용하여, 하드 마스크 형성용 조성물(반사 방지막 형성용 조성물)을 조제하였다.

(패턴 형성)

실리콘 웨이퍼(silicon wafer) 상에 관용의 레지스트 코터(resist coater)를 이용하여, 조제한 하드 마스크(hard mask) 형성용 조성물을 도포하고, 80℃에서 60초, 150℃에서 60초, 250℃에서 60초의 조건에서 가열 처리를 함으로써, 두께 40nm의 하드 마스크를 형성하였다.

또한, 상기 하드 마스크 상에 레지스트 조성물을 도포하여 레지스트층을 형성하고, 마스크를 개재하여 ArF 노광 장치(니콘사 제조； S－302A)로 노광하고 현상함으로써, 120nm 스페이스(space)/120nm 피치(pitch)의 라인 패턴(line pattern)을 형성하였다.

그리고, 얻어진 레지스트 패턴 형상(단면 형상)에 대해서, 끌림(trailing)의 발생, 스컴(scum)의 발생에 대해서 관찰하였다. 그 결과에 대해서 표 1에 나타낸다.

상기 레지스트 조성물로서는, 이하의 각 성분

수지： 하기 식으로 표시되는 유니트(unit)(C1：C2：C3=4：4：2, 분자량 10000)를 가지는 수지　100질량%　

산 발생제： 1) 하기 식의 화합물　2.0질량%　　

　　　　　　2) 하기 식의 화합물　0.8질량%　　

산 실활(失活)제： 1) 트리에탄올 아민　0.25질량%

　　　　　　 2) γ－부틸올락톤　25.0질량%

용제： 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트：프로필렌글리콜 모노메틸 에테르=6：4를 혼합하여 조제한 것을 이용하였다.

(실시예 2)

실시예 1에 있어서, 열산(thermoacid) 발생제로서 (1b)의 화합물을 이용한 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 하드 마스크(hard mask), 레지스트 패턴(resist pattern)을 형성하고, 그 레지스트 패턴의 형상에 대해서 평가하였다. 그 결과에 대해서는 표 1에 나타낸다.

(실시예 3)

실시예 1에 있어서, 실록산(siloxane) 화합물(A1)에 대신하여, 실리콘 카바이드(silicon carbide) 화합물(B1)을 이용한 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 하드 마스크, 레지스트 패턴을 형성하고, 그 레지스트 패턴의 형상에 대해서 평가하였다. 그 결과에 대해서는 표 1에 나타낸다.

(실시예 4)

실시예 1에 있어서, 열산 발생제로서 하기 식 (1d)의 화합물을 이용한 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 하드 마스크 형성용 조성물(반사 방지막 형성용 조성물)을 조정하였다.

(패턴 형성)

실리콘 웨이퍼(silicon wafer) 상에 관용의 레지스트 코터(resist coater)를 이용하여, 조정한 하드 마스크 형성용 조성물을 도포하고, 250℃에서 90초의 조건에서 가열 처리를 함으로써, 두께 45nm의 하드 마스크(hard mask)를 형성하였다.

또한, 상기 하드 마스크에 레지스트 조성물을 도포하여 레지스트층을 형성하고, 마스크를 개재하여 ArF 노광 장치(니콘사； S－302A)로 노광하고 현상함으로써, 120nm 스페이스(space)/120nm 피치(pitch)의 라인 패턴(line pattern)을 형성하였다. 그 레지스트 패턴의 형상에 대해서 평가하였다. 그 결과에 대해서는 표 1에 나타낸다. 또한, 레지스트 조성물로서는, 실시예 1과 마찬가지의 레지스트 조성물을 이용하였다.

(실시예 5)

실시예 4에 있어서, 열산 발생제로서(1e)의 화합물을 이용한 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 하드 마스크, 레지스트 패턴을 형성하고, 그 레지스트 패턴의 형상에 대해서 평가하였다. 그 결과에 대해서는 표 1에 나타낸다.　

(비교예 1)

실시예 1에 있어서, 열산 발생제로서(1c)의 화합물을 이용한 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 하드 마스크, 레지스트 패턴을 형성하고, 그 레지스트 패턴의 형상에 대해서 평가하였다.

그 결과에 대해서는 표 1에 나타낸다.

Claims

하기 식 (1)로 표시되는 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성용 열산 발생제.　

(여기서, R¹은 알킬기, 알케닐기, 옥소알킬기 또는 옥소알케닐기(이들 기에 있어서의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어 있어도 좋다)를 나타내고, R²는 알킬기, 알케닐기, 옥소알킬기 또는 옥소알케닐기, 또는 아랄킬기 또는 아릴옥소알킬기를 나타내고, R³은 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, x는 0∼2의 정수, y는 1∼5의 정수를 나타내고, x가 2인 경우, 2개의 R²는 서로 동일해도 달라도 좋고, 환을 형성해도 좋고, 환을 형성하는 경우에는 R²는 탄소수 1∼12의 알킬렌기를 나타내고, Y^－는 하기 식 (c－1), (c－2), 또는 (c－3)으로 표시되는 것이다.)

(여기서, R²⁰¹, R²⁰², R²⁰³은 수소 원자가 불소 원자로 치환되어 있어도 좋은 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 좋은 아릴기(이들 기에 있어서의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어 있어도 좋다)를 나타낸다.)
제1항에 있어서,

상기 R¹은 탄소수 1∼6의 직쇄상 알킬 또는 옥소알킬기(이들 기에 있어서의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어 있어도 좋다)인 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성용 열산 발생제.
제1항 또는 제2항 기재의 반사 방지막 형성용 열산 발생제, 및 광흡수기 및 가교기를 가지고 있는 규소 함유 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성용 조성물.
제3항에 있어서,

상기 가교기는 히드로실릴기 또는 에폭시기 또는 옥세타닐기를 가지는 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성용 조성물.
제4항에 있어서,

상기 가교기는 옥세타닐기를 가지는 유기기인 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성용 조성물.
제3항에 있어서,

상기 규소 함유 화합물은 실록산 화합물 또는 실리콘 카바이드 화합물인 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성용 조성물.
제3항 기재의 반사 방지막 형성용 조성물을 도포하고 베이크하여 얻어진 반 사 방지막.