KR100812063B1 - 고전자 전도성 고분자 및 이를 이용한 고용량/고출력 전기에너지 저장 소자 - Google Patents

고전자 전도성 고분자 및 이를 이용한 고용량/고출력 전기에너지 저장 소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전도성 고분자에 상기 고분자의 반복단위(repeating unit) 내부로 이동성 전하 캐리어를 도입하는 도펀트(dopant)를 도핑하되, 도펀트를 도핑하면서 고분자가 갖는 전도대(conduction band) 이상의 전압을 인가하여 전자 전도도를 개질하는 것이 특징인 고전자 전도성 고분자의 제조방법, 상기 제조방법에 의해 제조된 고전자 전도성 고분자, 상기 고전자 전도성 고분자를 포함하는 전극 및 상기 전극을 구비하는 전기 화학 소자를 제공한다.
본 발명에서는 전도성 고분자의 전자 전도도를 향상시키는 신규 도핑법을 도입함으로써, 도전제와 대등한 전도도를 갖는 고분자를 제공할 수 있다.
전자전도도, 전기 화학 소자, 리튬이차전지, 캐패시터

Description

고전자 전도성 고분자 및 이를 이용한 고용량/고출력 전기 에너지 저장 소자{HIGHLY ELECTRON CONDUCTIVE POLYMER AND ELECTROCHEMICAL ENERGY STORGAGE DEVICE WITH HIGH CAPACITY AND HIGH POWER USING THE SAME}
도 1은 본 발명에 따른 고전자 전도성 고분자를 바인더로 포함하는 전기 에너지 저장 소자용 전극의 모식도이다.
도 2는 본 발명에 따른 고전자 전도성 고분자를 바인더로 포함하는 전기에너지 저장소자용 전극의 주사 전자 현미경(scanning electron microscope: SEM) 사진이다.
도 3은 실시예 1, 비교예 1 내지 비교예 3의 전극을 각각 구비하는 전기 에너지 저장 소자의 10mA/cm2 충방전 전류밀도 하에서의 용량 변화를 나타내는 그래프이다.
본 발명은 종래 도전제와 대등한 고전자 전도성을 부여할 수 있는 전도성 고분자의 전도도 개질 방법, 상기 방법에 의해 전자 전도도가 개선된 전도성 고분자, 및 상기 전도성 고분자 바인더를 구비하여 성능 향상이 도모된 전기 화학 에너지 저장 소자에 관한 것이다.
2차 전기에너지 저장소자는 전력을 축적 및 저장하여 외부 전기 회로로 보낼 수 있도록 하는 장치이다. 이들의 예로는 통상적인 배터리, 캐패시터, 전기화학적 캐패시터 (수퍼캐패시터, 울트라캐패시터, 전기이중층 캐패시터) 등이 있다. 상기 배터리의 일례인 리튬 이차 전지는 리튬 이온의 흡장 및 탈리(intercalation-deintercalation) 메커니즘에 의해서 충방전이 이루어지며, 전기화학적 캐패시터는 전기 이중층 매커니즘이나 패러데이식 메커니즘에 의해서 충방전이 이루어지게 된다. 이러한 에너지 저장 소자들의 전극은 일반적으로 전극활물질, 결착제, 도전제로 구성된다. 이중 결착제와 도전제는 각각 고분자 물질과 전도성이 우수한 카본 계열의 물질로 구성되는 것이 일반적이다. 통상적인 리튬 이차 전지의 경우, 결착제 및 도전제의 전극 내 질량 분율은 각각 전체 전극 대비 약 5% 수준이고 전기화학적 캐패시터의 경우 10% 이상 정도이다.
한편 2차 전기에너지 저장소자의 전극활물질은 시스템에 따라 정도의 차이는 있으나, 활성탄소와 같은 전극활물질을 양질의 필름 상태로 집전체에 코팅하기 위해서 고분자 결착제가 필요하다. 이와 동시에 내부저항 감소를 위해 도전제가 도입된다. 그러나 이러한 고분자 결착제 및 도전제의 사용은 상기 에너지 저장 매체의 용량 기여에 도움이 되지 못한다. 따라서 양질의 결착제 및 도전제 역할을 동시에 할 수 있는 새로운 물질을 도입함으로써, 전극 내 전극활물질 함량 비율을 올려 2차 전기에너지 저장 매체의 용량을 증가시키는 방법이 요구되고 있는 실정이다.
본 발명자들은 종래 전도성 고분자에 전자 전도성을 향상시키는 신규 도핑 방법을 도입하면, 종래 바인더로서의 기능을 그대로 수행함과 동시에, 기존 도전제와 대등 내지는 우수한 고전자 전도성을 발휘하는 고분자를 형성할 수 있다는 것을 착안하였다. 본 발명은 이에 기초한 것이다.
본 발명은 전도성 고분자에 상기 고분자의 반복단위(repeating unit) 내부로 이동성 전하 캐리어를 도입하는 도펀트(dopant)를 도핑하되, 도펀트를 도핑하면서 고분자가 갖는 전도대(conduction band) 이상의 전압을 인가하여 전자 전도도를 개질하는 것이 특징인 고전자 전도성 고분자의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 방법에 의해 제조된 고전자 전도성 고분자 및 상기 전도성 고분자를 포함하는 전극 및 상기 전극을 구비하는 전기 화학 소자를 제공한다
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
전도성 고분자(conductive polymer)는 일반적으로 유기 단량체로부터 형성되고 탄소 Pz 오비탈이 중첩 및 교대하는 탄소-탄소 결합에 의해 형성되는 p-공액계를 갖는 고분자를 의미한다. 본 발명에서는 전하 이동 착제를 형성하도록 하는 연장된 p-공액화된 그룹을 갖는 중합체를 지칭하기로 한다.
이러한 전도성 고분자는 비전도성 고분자와는 달리, 반복 단위(repeating unit)에 존재하는 이동성 전하가 비교적 자유롭게 이동할 수 있으며, 이러한 이동 성 전하량을 통해 10-5 내지 101 S/cm 정도의 전도도(conductivity)를 나타낼 수 있다. 그러나 상기 전도성 고분자는 종래 도전제 보다 낮은 전도도를 나타냄에 따라, 전도성 고분자를 이용하여 전극 구성시, 전극활물질을 전기적으로 연결하는 도전제가 필수적으로 요구된다. 따라서, 전극 내 전극활물질 사용량에 한계가 존재하고, 결과적으로 전기 화학 소자의 용량 및 출력 향상에도 한계가 존재하게 된다.
이에, 본 발명에서는 전극 성분으로 사용되는 전도성 고분자의 전자 전도성을 보다 향상시킬 수 있는 신규 도핑 방법을 도입하고자 한다.
종래에는 전도성 고분자에 도펀트(dopant)를 도핑시켜 전도성을 증대시키기도 하였다. 그러나 상기 전도성 고분자가 전기화학적으로 중성인 관계로, 도펀트의 양전하나 음전하를 띠는 성분이 고분자의 반복단위(repeating unit) 내부로 도핑되는 것이 용이하지 않았다. 따라서 상기 고분자를 도전제와 대등한 전도성을 갖도록 개질하는 것에는 한계가 있었다.
이에 비해, 본 발명에서는 전도성 고분자 내부로 도펀트(dopant)를 도핑시, 중성인 전도성 고분자가 (+)나 (-)의 전기화학적 극성을 갖도록 조절하여 고분자 내 도핑되는 이동성 전하량을 보다 증대시키는 것을 특징으로 한다.
즉, 도펀트의 일종인 염(salt)은 용매에 의해 해리되어 양전하 또는 음전하로 이온화되며, 이러한 전하들은 전도성 고분자의 반복단위(repeating unit) 내부로 들어가 이동성 전하량을 증대시키게 된다. 이때 전도성 고분자에 특정 전압을 인가하게 되면, 중성인 전도성 고분자가 부분적으로 (+)나 (-)를 띠게 되므로, 정 전기적 인력에 의해 도펀트의 (+) 전하와 (-) 전하가 각각 (-)나 (+)를 띠는 전도성 고분자 내부로 다량 포집될 수 있는 것이다. 따라서 고분자 내부로 도핑되는 이동성 전하량 증대로 인해 전도성 고분자의 전자 전도성을 유의적으로 상승시킬 수 있다.
실제로 본 발명의 신규 도핑방법이 적용된 고전자 전도성 고분자는 도핑 이전 보다 전자 전도도가 100배 이상 개질되었을 뿐만 아니라, 종래 도전제와 대등한 전도도를 나타낸다는 것을 확인할 수 있다(표 1 참조).
본 발명에서는 사용하는 신규 전기화학적 도핑 방법은 전도성 고분자(conductive polymer)에 도펀트(dopant)를 투입하여 도핑하면서, 특정 전압을 인가하는 것이다. 이때 고분자에 도펀트를 도핑한 이후 특정 전압을 인가할 수도 있다.
우선, 도펀트(dopant) 투입법은 전도성 고분자의 반복 단위(repeating unit) 내부로 이동성 전하 캐리어(carrier)를 도입하는 것이다. 이와 같이 투입된 도펀트는 고분자의 반복 단위에서 발생하는 전하 이동을 활성화시킬 수 있어, 고분자의 물성을 그대로 유지한 상태에서 전도성 향상 효과를 나타낼 수 있다.
상기 도펀트(dopant)는 전도성 고분자의 반복단위 내부로 이동성 전하 캐리어(carrier), 예컨대 전하 및/또는 정공을 도입함으로써, 중성 고분자의 반복 단위에서 발생하는 전하 이동을 활성화할 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않는다.
예컨대, 염(salt)은 용액 내에서 해리된 후 전도성 고분자의 반복단위 내부로 들어가 전도성 고분자 간의 부분 전하 이동을 일으킴으로써 전자 전도율을 증가 시킬 수 있다. 또한 고분자 체인(chain), 즉 반복 단위에서 전하 이동 발생시, 이동하는 전하를 대신하여 전하를 띤 상태로 고분자 체인에 존재할 수 있으므로, 고분자의 물성을 그대로 유지할 수 있도록 보조할 수 있다.
사용 가능한 도펀트의 비제한적인 예로는 수계 또는 비수계 용매에 이온화 가능한 염(salt) 형태의 화합물, 산이나 염과의 반응에 의해 양전하나 음전하를 생성할 수 있는 화합물 등이 있다. 특히 산, 산화제(p형 도핑제), 환원제(n형 도핑제) 등이 바람직하다. 이들의 구체적인 예를 들면, Na, K, Li, Ca로 치환되거나 또는 비치환된 술폰산(예, 2-아크릴로-아미도-1-프로판 술폰산, 도데실벤젠술폰산, 캄포술폰산), PF6 -,BF6 -, Cl-, SO4 -, ClO4 -, F-를 포함하는 전이금속염(금, 철, 구리, 백금의 염), I2, AsF6, LiBF4, 중합체를 도핑시키기에 충분한 산화 커플을 갖는 기타 산화 환원제, 탄소수 1 내지 6의 알킬 또는 아릴 할라이드, 산 무수물 등이 있다. 이외에 전술한 작용기작을 통해 전하 이동을 활성화하는 것 역시 본 발명의 범주에 속한다.
상기 도입된 도펀트의 함량은 특별한 제한이 없으나, 전도성 고분자 100 몰 당 30 내지 50 몰 범위인 것이 적절하다. 몰비가 지나치게 작은 경우 본 발명에서 도모하고자 하는 고전자 전도 특성을 부여하기가 어려울 수 있다.
본 발명의 신규 도핑법 중 전압 인가법은 전도성 고분자에 상기 고분자가 갖는 고유한 전도대(conduction band) 이상의 전압을 인가하는 것이다. 이와 같이 인가된 전압은 전도성 고분자의 전기화학적 물성을 변화시켜, 중성인 전도성 고분자 를 부분적으로 (+)나 (-)를 띠도록 한다.
예컨대, Ag-AgCl을 기준 전극으로 하여 전도성 고분자에 0~2V 정도의 전압을 인가하면, 전도성 고분자는 부분적으로 (+)를 전하를 띠게 된다. 반대로 상기 고분자에 -1 ~ -3V 범위의 전압을 걸면, 전도성 고분자가 (-) 극성을 띠게 된다. 따라서 용액 내 존재하는 다량의 (+)나 (-) 이동성 전하 성분이 정전기적 인력에 의해 전하를 띠는 고분자로 이동하여 고분자의 반복단위(repeating unit) 내부로 효과적으로 위치할 수 있다.
또한 도핑된 이후 전도성 고분자의 반복단위(repeating unit)에 존재하는 전하들의 이동 자체를 보다 활성화시킴으로써 고전자 전도성 상승 효과를 발휘할 수 있다.
전술한 전도성 고분자에 인가되는 전압(voltage)은 전도성 고분자의 반복 단위(repeating unit)에 존재하는 전하 이동을 활성화시켜 주는 범위이기만 하면 특별히 제한되지 않는다. 바람직하게는, 전도성 고분자가 갖는 전도대(conduction band) 이상의 전압 범위이다.
이때 전도성 고분자의 전도대(conduction band)는 종류에 따라 각각 상이하므로, 전도성 고분자에 인가되는 전압 범위, 전압인가 시간, 전압 인가 방법 등은 특별히 제한되지 않는다.
본 발명의 신규 도핑방법에 대한 일 실시예를 들면, 전도성 고분자 필름을 도펀트가 해리된 용액에 함침시킨 후 전압을 인가하거나, 또는 전도성 고분자가 용매에 용해된 전도성 고분자 용액에 이온화 가능한 도펀트(dopant)를 분산시킨 후 상기 용액에 일정 전압을 인가하여 응결 및 건조하면 된다.
상기 용매로는 사용하고자 하는 전도성 고분자와 용해도 지수가 유사한 것이 바람직하다. 사용 가능한 용매의 비제한적인 예로는 아세톤 (acetone), 테트라하이드로퓨란 (tetrahydrofuran), 메틸렌클로라이드 (methylene chloride), 클로로포름 (chloroform), 디메틸포름아미드 (dimethylformamide), N-메틸-2-피롤리돈 (N-methyl-2-pyrrolidone, NMP), 시클로헥산 (cyclohexane), 물 또는 이들의 혼합물 등이 있다.
본 발명의 신규 전기화학적 도핑 방법이 적용될 수 있는 전도성 고분자는 고분자(polymer)로서 전도성을 갖기만 하면 성분, 형태, 분자량 범위 등에 특별한 제한이 없다.
이러한 전도성 고분자의 비제한적인 예로는 폴리아닐린 (polyaniline), 폴리피롤 (polypyrrole), 폴리사이오펜 (polythiophene), PEDOT(poly(ethylenedioxy)thiophene), 폴리파라페닐렌(poly(p-phenylene)), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리시에닐렌 비닐렌(poly(thienylene vinylene), 폴리페닐렌 또는 이들의 혼합물 등이 있다.
본 발명에 따른 고전자 전도성 고분자는 전도성 무기물 입자를 추가로 포함하여 전도성을 상승시킬 수 있다. 이때 전도성 무기물 입자는 당 업계에 통상적인 전도성 입자를 사용할 수 있으며, 가능한 전도도가 높은 것이 바람직하다. 일례로, 1S/cm ~ 105 S/cm 범위의 전도도를 가질 수 있다. 전도성 무기물 입자의 비제한적인 예로는 금속, 금속 산화물, 금속 합금, 탄소재 또는 이들의 혼합물 등이 있다.
상기 전도성 무기물 입자는 전도성 고분자 내 균일하게 분산되기 위해서 나노 크기의 직경(diameter)을 갖는 것이 바람직하다.
전술한 바와 같이, 고전자 전도성으로 개질된 전도성 고분자는 고분자의 반복 단위(repeating unit)에 존재하는 이동성 전하량이 유의적으로 증가하게 된다. 이때 고전자 전도성 고분자 내 존재하는 전자 개수는 고분자의 반복 단위(repeating unit)에 존재하는 이동성 전자 1개 당 0.1 내지 1 범위로 도핑될 수 있으며, 바람직하게는 0.1 내지 0.3 범위이다.
또한 상기 전도성 고분자의 전도도는 종래 비도핑된 전도성 고분자에 비해 향상되기만 하면 특별한 제한이 없으나, 일례로 10-5 내지 105 S/cm 범위일 수 있다.
이와 같이 제조된 고전자 전도성 고분자는 다양한 분야에 적용 가능하며, 특히 고전자 전도성과 결착제 기능을 동시에 필요로 하는 분야에 적용되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 집전체 상에 전극활물질층이 결착된 전극에 있어서, 상기 전극활물질층은 (a) 전극활물질; 및 (b) 전도성이 개질된 고전자 전도성 고분자를 포함하는 전극을 제공한다.
본 발명에 따라 개질된 전도성 고분자는, 10g/cm 이상의 접착력과 10-5 내지 105 S/cm 범위의 전도도를 모두 보유할 수 있으므로, 바인더와 도전제의 역할을 동시에 수행할 수 있다. 이때 접착력은 10 내지 100g/cm 범위일 수 있으며, 바람직하 게는 30 내지 50g/cm 범위이다. 또한 전자 전도도는 종래 전도성 고분자의 전도성을 기준으로 하여 100% 이상 향상될 수 있으며, 일례로 10배 내지 100배일 수 있다. 바람직하게는 10 배 내지 50배 범위이다.
실제로, 본 발명의 고전자 전도성 고분자는 기존 전도성 고분자에 비해 10배 이상의 전자 전도성이 향상되므로, 전극 도입시 카본계열의 도전제를 사용하지 않고도 전극활물질을 전기적으로 연결하고 이온이나 전하를 이동시키는 도전제 역할을 충실히 수행할 수 있다. 따라서 내부저항을 현저히 감소시킬 수 있다. 또한, 전극 내 전극활물질 입자들 사이와 전극활물질과 집전체 사이를 물리적, 전기적으로 연결시켜 종래 바인더 역할을 충실히 수행할 수 있다. 추가적으로, 상기 전도성 고분자는 전하의 흡착을 통해 에너지를 저장하는 전극활물질로서의 역할까지 수행할 수 있어 자체적으로 용량 기여를 할 수 있다. 따라서 전극활물질 사용량 증가를 통한 전기 화학 소자의 고용량 및 고출력 특성을 구현할 수 있다
특히, 종래 전도성 고분자는 전극활물질로 사용시 충방전 사이클 특성에 문제가 있었으나, 본 발명의 고전자 전도성 고분자는 충방전 사이클 특성이 다소 문제가 되더라도 결착제 및 도전제로서의 주요 기능이 살아 있으므로 전체 셀 충방전 사이클 특성에는 크게 영향을 미치지 않는다는 장점이 있다.
나아가, 종래 전극 제조시 전극활물질, 고분자 결착제, 도전제가 필수적으로 요구되는 반면, 본 발명에서는 전극활물질 및 고전자 전도성을 갖는 전도성 고분자만을 사용하여 제조 가능하므로, 기존 전극 시스템 대비 전극 설계가 간단해져 제조 공정의 단순성 확보 및 경제성 향상 효과를 나타낼 수 있다.
상기 전도성 고분자의 함량은 전극활물질층을 구성하는 총 물질 100 중량부 당 0.01 내지 90 중량부 범위일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 전극은 전술한 전도성 고분자 성분 이외에, 당 업계에 알려진 통상적인 결착제 및 도전제를 추가로 포함할 수 있다.
상기 결착제의 비제한적인 예로는 테프론, PVdF(polyvinylidene fluoride), 스티렌-부타디엔 고무(SBR: styrene-butadiene rubber), 셀룰로오즈계 고분자 또는 이들의 혼합물 등이 있으며, 도전제 역시 당 업계에 알려진 통상적인 성분 중에서 선택하여 사용할 수 있다. 이들의 함량 역시 특별한 제한은 없다.
본 발명의 고전자 전도성 고분자가 적용된 전극은 당 업계에 알려진 통상적인 방법에 따라 제조 가능하며, 일례로 전극활물질과 상기 전도성 고분자를 포함하는 전극 슬러리를 전류집전체에 결착된 형태로 제조할 수 있다.
상기 전극활물질 중 양극활물질의 비제한적인 예로는 종래 전기 화학 소자의 양극에 사용될 수 있는 통상적인 양극활물질이 사용 가능하다. 이의 비제한적인 예로는, 금속, 금속 합금, 금속 산화물, 석유코크(petroleum coke), 활성화 탄소(activated carbon), 그래파이트(graphite) 또는 기타 탄소류 등이 있다. 바람직하게는 활성 탄소이다. 음극활물질 역시 종래 전기 화학 소자의 음극에 사용될 수 있는 통상적인 음극활물질이 사용 가능하며, 전술한 양극활물질과 동일할 수 있다.
양극 전류집전체의 비제한적인 예로는 알루미늄, 니켈 또는 이들의 조합에 의하여 제조되는 호일 등이 있으며, 음극 전류집전체의 비제한적인 예로는 구리, 금, 니켈 또는 구리 합금 또는 이들의 조합에 의하여 제조되는 호일 등이 있다.
또한, 본 발명은 양극, 음극, 분리막 및 전해질을 포함하는 전기 화학 소자에 있어서, 상기 양극, 음극 또는 양 전극은 전술한 고전자 전도성 고분자가 도입된 전극인 것이 특징인 전기 화학 소자를 제공한다.
전기 화학 소자는 전기 화학 반응을 하는 모든 소자를 포함하며, 구체적인 예를 들면, 모든 종류의 1차, 2차 전지, 연료 전지, 태양 전지 또는 캐퍼시터(capacitor) 등이 있다. 특히, 상기 2차 전지 중 리튬 이차 전지와 전하가 양(兩) 전극 표면에 흡탈착하여 에너지를 저장하는 흡탈착 방식의 전기 화학 소자가 바람직하다. 상기 리튬 이차 전지의 일례를 들면, 리튬 금속 이차 전지, 리튬 이온 이차 전지, 리튬 폴리머 이차 전지 또는 리튬 이온 폴리머 이차 전지 등이 있으며, 흡탈착 방식의 전기 화학 소자의 일례를 들면, 전기 이중층 캐패시터, 슈퍼캐패시터, 슈도캐패시터 등이 있다.
전기 화학 소자는 당 기술 분야에 알려진 통상적인 방법에 따라 제조될 수 있으며, 이의 일 실시예를 들면 한 쌍의 전극, 예컨대 양극과 음극 사이에 분리막을 개재(介在)시켜 조립한 후 전해액을 주입함으로써 제조될 수 있다.
본 발명에서 사용될 수 있는 전해액은 이온 전도성을 갖기만 하다면 특별한 제한이 없으며, 일례로 전해질 염이 전해액 용매에 용해 또는 해리된 것일 수 있다.
상기 전해질 염은 A+B-와 같은 구조의 염으로서, A+는 Li+, Na+, K+와 같은 알칼리 금속 양이온 또는 이들의 조합으로 이루어진 이온을 포함하고, B-는 PF6 -, BF4 -, Cl-, Br-, I-, ClO4 -, AsF6 -, CH3CO2 -, CF3SO3 -, N(CF3SO2)2 -, C(CF2SO2)3 -와 같은 음이온 또는 이들의 조합으로 이루어진 이온을 포함하는 염일 수 있다. 그 외, (CH3)4N염, (C2H5)4N 염 등을 사용할 수도 있다.
상기 전해액 용매는 수계 또는 비수계 용매가 적용 가능하다. 이들의 비제한적인 예로는 프로필렌 카보네이트(PC), 에틸렌 카보네이트(EC), 디에틸카보네이트(DEC), 디메틸카보네이트(DMC), 디프로필카보네이트(DPC), 디메틸설폭사이드, 아세토니트릴, 디메톡시에탄, 디에톡시에탄, 테트라하이드로퓨란, N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 에틸메틸카보네이트(EMC), 감마 부티로락톤 (γ-부티로락톤) 또는 이들의 혼합물일 수 있다.
분리막으로는 양 전극의 접촉이 방지될 수 있도록 당 업계에 알려진 통상적인 미세 기공 분리막, 예컨대 폴리올레핀 계열 및/또는 셀룰로오스계 분리막을 사용할 수 있다.
본 발명은 하기의 실시예 및 실험예에 의거하여 더욱 상세히 설명된다. 단, 실시예 및 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며 이들만으로 한정하는 것은 아니다.
실시예 1
1-1. 염투입 / 전압인가에 의한 전도성 특성이 향상된 전도성 고분자 제조
전도성 고분자 PEDOT (poly(ethylenedioxy)thiophene) (Mw: 30,000, 접착력: 10 g/cm 이상, 전도도: ~ 1 ×10-5 S/cm) 필름을 백금판에 코팅시킨 후 2 중량% HCl 용액에 담근 상태로 Ag/AgCl 대비 1V를 1시간 동안 가하여 도핑된 PEDOT을 제조하였다. Counter 전극으로는 백금을 사용하였다.
1-2. 전극 제조
활물질로 활성탄소 (MSP20, 칸사이코크) 90 중량%, 상기 실시예 1-1에서 개질된 전도성 고분자 PEDOT 10 중량%를 용제인 증류수에 첨가하여 2성분계 혼합물 슬러리를 제조하였다. 상기 혼합물 슬러리를 양극 집전체인 두께가 20㎛ 정도의 알루미늄(Al) 박막에 도포 및 건조하여 전극을 제조하였으며, 양극 및 음극은 동일한 전극을 사용하였다.
제조된 전극의 모식도는 도 1과 같으며, 전극의 표면은 도 2와 같다.
1-3. 전지 제조
상기 양극, 음극 필름을 스태킹(stacking) 방식으로 조립하였으며, 조립된 전지에 1M의 테트라에틸암모늄테트라플루오로보레이트 (TEABF4)가 용해된 프로필렌카보네이트 (PC)을 주입하여 전기화학소자를 제조하였다.
비교예 1
활물질로 활성탄소 75 중량%, 도전제로 수퍼-p (carbon black) 10 중량%, 결합제로 PTFE 15 중량%를 용제인 증류수에 첨가하여 3성분계 혼합물 슬러리를 제조한 후 집전체에 도포 및 건조하여 전극을 제조한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 전극 및 전기화학소자를 제조하였다.
비교예 2
도핑되기 이전의 전도성 고분자 PEDOT를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 전극 및 전기 화학 소자를 제조하였다.
비교예 3
전압인가 없이 염 투입만으로 도핑 특성이 향상된 PEDOT을 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 수행하여 전극 및 전기 화학 소자를 제조하였다.
실험예 1. 전자 전도도 비교 평가
실시예 1에서 개질된 고전자 전도성 고분자(PEDOT)을 사용하였으며, 이의 대조군으로 리튬 이차 전지 및 전기 이중층 캐패시터의 도전제로 사용되는 super-p 및 일반적으로 전자 전도도가 높다고 평가되는 카본나노튜브(CNT)를 각각 사용하였다. 이들을 각각 펠렛화한 후 four-probe법을 사용하여 전자 전도도를 측정하였다.
실험 결과, 본 발명의 고전자 전도성 고분자(PEDOT)는 종래 도전제인 Super-p에 비해 탁월한 전도성을 가짐을 알 수 있었으며, 특히 카본 나노 튜브와 대등한 수준의 전자 전도도를 보임을 알 수 있었다(표 1 참조). 이는 전도성 고분자 자체가 셀 내에서 도전제 기능을 충분히 수행 할 수 있음을 입증하는 것이다.
조건 카본나노튜브 Super-p 실시예1에서 개질된 전도성 고분자
Conductivity(S/cm) 5 ×10-2 1 ×10-2 5 ×10-2
실험예 2. 접착력 평가
실시예 1, 비교예 1의 전극 및 비교예 2의 전극을 사용하였다. 각 전극의 전극층에 테이프를 붙이고 떼는 것에 의해 접착력(박리 강도) 비교 테스트를 진행하였으며, 이후 전극의 묻어남 정도를 하기 표 2에 기재하였다.
실험 결과, PTFE 결착제를 사용한 비교예 1에서는 전극의 묻어남 정도가 다소 발견된 반면, 전도성 고분자를 사용한 실시예 1, 비교예 2 및 비교예3의 전극은 전극의 묻어남 현상이 전혀 발견되지 않음을 확인할 수 있었다(표 2 참조). 이는 전도성 고분자가 우수한 결착 기능을 가짐을 나타내는 것이다.
조건 실시예 1 비교예 1 비교예 2,3
묻어남 현상 없음 약간 있음 없음
실험예 3. 전기 화학 소자의 성능평가
실시예 1, 및 비교예 1 내지 3에서 제조된 흡탈착 방식의 전기화학소자를 이용하여 방전 용량을 비교하였으며, 그 결과를 도 3에 도시하였다.
방전 비축전용량을 전체 전극 질량당 계산한 결과, 실시예 1의 흡탈착 방식의 전기화학소자(전기 이중층 캐패시터)는 비교예 1에 비해 전극활물질의 양이 약 15% 이상 증가하였으므로 상대적으로 큰 방전용량을 보였다(도 3 참조).
이에 비해, 개질되지 않은 전도성 고분자(일반 PEDOT)를 사용한 비교예 2 및 비교예 3의 전기화학소자는 전극활물질의 양이 증가하였음에도 불구하고 소자의 성능이 실시예 1에 미치지 못함을 알 수 있었다.
특히, 실시예 1의 흡탈착 방식 전기화학소자는 비교예 3에 비해 우수한 방전 용량 특성을 보여주었다. 이는 전도성 고분자에 도펀트를 도핑시, 전압 인가를 동시에 수행하여야만 전도성 고분자의 전자 전도성이 보다 개질될 수 있으며, 이를 통해 소자의 우수한 성능 향상이 도모된다는 것을 입증하는 것이다.
본 발명에서는 전도성 고분자의 전도도를 개선하는 전기화학적 도핑법을 수행함으로써, 전극활물질 사용량 증가를 통한 전기 화학 소자의 고용량 및 고출력 특성을 구현할 수 있다.

Claims (16)

  1. 전도성 고분자에 상기 고분자의 반복단위(repeating unit) 내부로 이동성 전하 캐리어를 도입하는 도펀트(dopant)를 도핑하되, 도펀트를 도핑하면서 고분자가 갖는 전도대(conduction band) 이상의 전압을 인가하여 전자 전도도를 개질하는 것이 특징인 고전자 전도성 고분자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 개질 전 전도성 고분자의 전자 전도도 보다 100% 이상 향상되는 것이 특징인 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 도펀트(dopant)는 이온화 가능한 염(salt) 화합물인 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 도펀트는 산, 산화제 및 환원제로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 도펀트는 Na, K, Li, Ca로 치환되거나 또는 비치환된 술폰산, PF6 -, BF6 -, Cl-, SO4 2 -, ClO4 -, F-을 포함하는 전이금속 염, I2, AsF6, LiBF4, 탄소수 1 내지 6의 알킬 할라이드, 탄소수 1 내지 6의 아릴 할라이드 및 산 무수물 로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 도펀트의 함량은 전도성 고분자 100 몰 당 30 내지 50몰 범위인 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 폴리아닐린 (polyaniline), 폴리피롤 (polypyrrole), 폴리사이오펜 (polythiophene), PEDOT (poly(ethylenedioxy)thiophene), 폴리파라페닐렌 (poly(p-phenylene)), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리시에닐렌 비닐렌 (poly(thienylene vinylene) 및 폴리페닐렌으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 제조방법.
  8. 제1항 내지 제7항의 방법에 의해 제조된 전도성 고분자.
  9. 제8항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 고분자의 반복 단위(repeating unit)에 존재하는 이동성 전자 1개 당 이동성 전하 캐리어를 0.1 내지 1 범위로 도핑되는 것이 특징인 전도성 고분자.
  10. 제8항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 접착력이 10 g/cm 이상이며, 전도도가 10-5 내지 105 S/cm 범위인 전도성 고분자.
  11. 집전체 상에 전극활물질층이 결착된 전극에 있어서, 상기 전극활물질층은 (a) 전극활물질; 및 (b) 제8항의 전도성 고분자를 포함하는 전극.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 도전제, 바인더 및 전극활물질 중 어느 하나 이상의 역할을 수행할 수 있는 것이 특징인 전극.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 전극은 흡탈착 방식의 전기 에너지 저장 소자용 전극인 것이 특징인 전극.
  14. 제11항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 전극활물질층을 구성하는 총 물질 100 중량부 당 0.01 내지 90 중량부 범위인 전극.
  15. 양극, 음극, 분리막 및 전해질을 포함하는 전기 화학 소자에 있어서, 상기 양극, 음극 및 양 전극은 제 11항의 전극인 것이 특징인 전기 화학 소자.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 전기 화학 소자는 리튬 이차전지, 전기화학적 캐패시터(capacitor)로 구성된 군으로부터 선택된 것인 전기 화학 소자.
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