KR100782484B1 - 열처리 설비 - Google Patents

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KR100782484B1
KR100782484B1 KR1020060065611A KR20060065611A KR100782484B1 KR 100782484 B1 KR100782484 B1 KR 100782484B1 KR 1020060065611 A KR1020060065611 A KR 1020060065611A KR 20060065611 A KR20060065611 A KR 20060065611A KR 100782484 B1 KR100782484 B1 KR 100782484B1
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양재현
안요한
이건형
조귀영
정홍희
김미애
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삼성전자주식회사
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Abstract

열처리 설비가 제공된다. 상기 열처리 설비는 프로세스 튜브와, 상기 프로세스 튜브에 연결되어 상기 프로세스 튜브 내부의 가스들을 배기하는 배기 덕트 및, 상기 프로세스 튜브와 상기 배기 덕트의 사이에 개재되되 상기 프로세스 튜브와 상기 배기 덕트에 각각 연통되고 하나 또는 다수개의 개구(opening)를 갖는 중공의 압력조절부재를 포함한다.

Description

열처리 설비{Heat treatment equipment}
도 1은 본 발명에 따른 열처리 설비의 일실시예를 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 열처리 설비의 배기시 가스들의 유동 경로를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 열처리 설비의 다른 실시예를 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3의 A 부분을 확대 도시한 절단면도이다.
도 5는 도 3의 체크 밸브가 소정거리 이동된 상태를 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 열처리 설비의 또다른 실시예를 도시한 단면도이다.
본 발명은 반도체 제조 공정에 사용되는 설비에 관한 것으로, 특히, 열처리 공정을 통하여 웨이퍼와 같은 기판을 가공하는 열처리 설비에 관한 것이다.
최근 들어 급속한 기술 개발이 진행되고 있는 반도체 제품은 단위 면적당 저장되는 데이터의 양 및 단위 시간당 데이터를 처리하는 처리 속도가 점차 빨라지도록 개발되고 있다.
이러한 반도체 제품은 순수 실리콘 등으로 웨이퍼를 제조하는 웨이퍼 제조 공정, 제조된 웨이퍼 상에 반도체 칩들을 제조하는 팹(FAB) 공정, 제조된 반도체 칩들을 테스트 및 리페어하는 이디에스(EDS) 공정 및, 테스트 및 리페어된 반도체 칩들을 패키징하는 패키지 공정을 거쳐 제조된다.
이와 같은 공정들 중 팹 공정은 웨이퍼 상에 실리콘 산화막을 형성하는 산화 공정, 웨이퍼 상에 감광제인 포토레지스트(photo-resist)를 도포하는 포토레지스트 도포 공정, 도포된 포토레지스트 상에 일정 회로패턴이 전사되도록 소정 파장의 광을 노광하는 노광 공정, 도포된 포토레지스트를 베이크하는 포토레지스트 베이크 공정, 웨이퍼 상에 노광된 패턴을 현상하는 현상 공정, 웨이퍼 상에 형성된 박막 중 일부 또는 전체를 식각하는 식각 공정, 웨이퍼 상에 소정 박막을 증착하는 증착 공정, 웨이퍼 상의 특정 막에 불순물을 주입하는 이온주입 공정, 이온주입된 불순물을 활성화시키는 어닐(anneal) 공정, 실리콘 내에 불순물을 확산시키는 확산 공정 등 다수의 단위 공정을 포함한다.
그리고, 이디에스 공정은 웨이퍼 내 반도체 칩들을 테스트하여 양ㆍ불량을 선별하여 데이터를 발생시키는 프리-레이저(pre-laser) 공정, 발생된 데이터를 기준으로 레이저 빔을 이용하여 수선 가능한 반도체 칩들을 리페어하는 레이저 리페어(laser-repair) 공정, 웨이퍼 내 리페어한 반도체 칩들을 테스트하는 포스트-레이저 공정(post-laser), 웨이퍼의 뒷면을 연마하는 백-그라인딩(back grinding) 공정, 웨이퍼 내 반도체 칩들 상에 폴리이미드막(polyimide layer)과 같은 보호막을 도포하는 보호막 도포 공정 및, 도포된 폴리이미드막과 같은 보호막을 베이크하는 보호막 베이크 공정 등 다수의 단위공정을 포함한다.
이때, 이들 단위공정들 중 산화 공정, 포토레지스트 베이크 공정, 증착 공정, 어닐 공정, 확산 공정, 보호막 베이크 공정 등은 열처리 공정을 통하여 진행된다. 이러한, 열처리 공정을 수행하는 열처리 설비로는 매엽식과 배치식이 있으며, 배치식에는 수평로 설비와 종형로 설비가 있다. 통상, 반도체 제조 공정에서는 높은 생산성 및 공정의 신뢰성 등 여러가지 장점을 갖는 배치식의 종형로 설비가 많이 이용되고 있다.
한편, 열처리 공정을 통하여 진행되는 단위공정들 중 보호막 베이크 공정은 반도체 칩에 형성된 각 패드들을 리드 프레임 등에 와이어 본딩한 다음 이를 에폭시 성형 화합물(epoxy molding compound) 등으로 둘러싸는 공정 즉, 패키지 공정 전에 진행되는 공정이다.
이러한 보호막 베이크 공정은 다수의 웨이퍼를 밀폐된 튜브 내부로 로딩한 다음 그 튜브를 약 250℃∼350℃ 정도의 고온에서 약 2시간 내지 3시간 정도로 가열함으로써 수행되고 있고, 이 공정이 진행되는 동안 튜브 내부로는 튜브 내부의 공정 분위기 형성을 위하여 공정가스인 N2 가스 등이 계속 공급되고 있다. 그리고, 이와 같은 보호막 베이크 공정시 튜브 내부에는 웨이퍼로부터 분출되는 실리콘 소스를 포함한 여러가지 좋지 않은 가스들이 발생될 수 있으므로, 베이크 공정이 진행되는 튜브는 크린룸 내부에 설치된 배기 덕트에 직접 연결되어 이러한 좋지 않은 가스들이 배기 덕트를 통해 계속 외부로 배출되도록 설치되어 있다.
하지만, 종래 보호막 베이크 공정의 경우, 베이크 공정이 진행되는 튜브가 배기 덕트에 직접 연결되어 있기 때문에, 공정이 진행되는 동안 튜브 내부의 가스 는 이 배기 덕트를 통해 빠르게 배출되어지게 된다. 그 결과, 공정이 진행되는 동안 튜브 내부의 압력은 열처리 설비가 설치된 크린룸 내부의 압력보다 낮은 압력(이하, '음압'이라 칭함)으로 계속 유지되어지게 된다.
따라서, 이상과 같은 보호막 베이크 공정은 공정이 진행되는 동안 계속 튜브 내부의 압력이 음압으로 유지되어지기 때문에, 크린룸 내부에 존재하는 O2나 H2O 등의 옥시던트는 튜브 내부의 밀폐에도 불구하고 크린룸 내부의 압력과 튜브 내부의 압력차로 인하여 튜브 내부로 유입되어지게 된다. 그 결과, 튜브 내부로 유입된 옥시던트는 웨이퍼 베이크시 웨이퍼로부터 분출되는 실리콘 소스와 상호 반응하여 웨이퍼 상의 반도체 칩들에 형성된 각 패드들 상에 실리콘 산화막(SiO2)과 같은 이상 막질의 성장을 초래한다. 결과적으로, 각 패드들 상에 형성된 실리콘 산화막과 같은 이상 막질은 각 패드들과 리드 프레임 등을 연결하는 와이어 본딩을 저해하는 요소로 작용하여 패키징된 반도체 제품들의 작동 불능이나 성능 저하를 유발하게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 웨이퍼 상의 반도체 칩들에 형성된 각 패드들 상에 이상 막질이 성장하는 것을 미연에 방지할 수 있는 열처리 설비를 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 크린룸 내부에 존재하는 옥시던트가 공정이 진행되는 튜브 내부로 유입되는 것을 미연에 방지할 수 있는 열처리 설비를 제공하는데 있다.
본 발명의 제 1관점에 따르면, 프로세스 튜브와, 상기 프로세스 튜브에 연결되어 상기 프로세스 튜브 내부의 가스들을 배기하는 배기 덕트 및, 상기 프로세스 튜브와 상기 배기 덕트의 사이에 개재되되, 상기 프로세스 튜브와 상기 배기 덕트에 각각 연통되고 하나 또는 다수개의 개구(opening)를 갖는 중공의 압력조절부재를 포함하는 열처리 설비가 제공된다.
다른 실시예에 있어서, 상기 개구에는 상기 압력조절부재 내부의 가스가 상기 개구를 통해 외부로 배출되는 것을 차단하는 체크 밸브가 설치될 수 있다.
또다른 실시예에 있어서, 상기 프로세스 튜브의 일면에는 상기 프로세스 튜브 내부의 가스들이 배기되는 가스배기홀이 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 압력조절부재는 상기 가스배기홀에 연통되도록 상기 프로세스 튜브의 일면에 접하게 설치될 수 있다.
또다른 실시예에 있어서, 상기 가스배기홀은 상기 프로세스 튜브의 상면에 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 압력조절부재는 상기 프로세스 튜브의 상면에 접하게 설치될 수 있다.
또다른 실시예에 있어서, 상기 가스배기홀은 상기 프로세스 튜브의 측면에 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 압력조절부재는 상기 프로세스 튜브의 측면에 접하게 설치될 수 있다.
또다른 실시예에 있어서, 상기 프로세스 튜브는 상기 압력조절부재의 하부에 연통될 수 있고, 상기 배기 덕트는 상기 압력조절부재의 상부에 연통될 수 있다. 이 경우, 상기 압력조절부재는 원통 형상으로 형성될 수 있고, 상기 개구는 상기 압력조절부재의 측면에 형성될 수 있다.
또다른 실시예에 있어서, 상기 열처리 설비는 상기 프로세스 튜브의 외측에 배치되어 상기 프로세스 튜브를 가열하는 히터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 제 2관점에 따르면, 프로세스 튜브와, 상기 프로세스 튜브 내부의 가스들을 배기하는 배기 덕트와, 상기 프로세스 튜브와 상기 배기 덕트의 사이에 개재되며 하나 또는 다수개의 개구를 갖는 중공의 압력조절부재와, 상기 프로세스 튜브와 상기 압력조절부재를 상호 연통시키는 제1가스배기라인 및, 상기 압력조절부재와 상기 배기 덕트를 상호 연통시키는 제2가스배기라인을 포함하는 열처리 설비가 제공된다.
다른 실시예에 있어서, 상기 개구에는 상기 압력조절부재 내부의 가스가 상기 개구를 통해 외부로 배출되는 것을 차단하는 체크 밸브가 설치될 수 있다.
또다른 실시예에 있어서, 상기 제1가스배기라인의 일측단은 상기 프로세스 튜브의 상면에 연결될 수 있고, 상기 제1가스배기라인의 타측단은 상기 압력조절부재의 하면에 연결될 수 있다.
또다른 실시예에 있어서, 상기 제2가스배기라인의 일측단은 상기 압력조절부재의 상면에 연결될 수 있고, 상기 제2가스배기라인의 타측단은 상기 배기 덕트의 하면에 연결될 수 있다.
또다른 실시예에 있어서, 상기 압력조절부재는 원통 형상으로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 개구는 상기 압력조절부재의 측면에 형성될 수 있다.
또다른 실시예에 있어서, 상기 열처리 설비는 상기 프로세스 튜브의 외측에 배치되어 상기 프로세스 튜브를 가열하는 히터를 더 포함할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명에 따른 열처리 설비의 일실시예를 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 열처리 설비의 배기시 가스들의 유동 경로를 도시한 단면도이다.
도 1과 도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 열처리 설비(100)는 수직형 프로세스 튜브(110)를 구비한 종형로 설비로 크린룸(180) 내부에 설치된다.
구체적으로, 본 발명의 일실시예에 따른 열처리 설비(100)는 웨이퍼(90)에 열처리 공정을 수행하기 위한 공간을 제공하며 일측에 그 내부로의 웨이퍼 입출을 위한 웨이퍼 입출구가 마련된 프로세스 튜브(110), 상기 프로세스 튜브(110)의 웨이퍼 입출구를 밀폐하는 튜브 캡(150), 공정 진행에 따라 상기 튜브 캡(150)을 이동시키는 이동유닛(160), 상기 프로세스 튜브(110)를 가열하는 히터(120), 상기 프로세스 튜브(110) 내부의 가스들을 외부로 배기하는 배기 덕트(185), 상기 프로세 스 튜브(110)와 상기 배기 덕트(185)의 사이에 개재되며 공정 진행시 상기 프로세스 튜브(110) 내부의 압력(P1)이 상기 프로세스 튜브(110) 외부의 압력인 크린룸(180) 내부의 압력(P2)보다 더 높게 유지되도록 하는 압력조절부재(140) 및, 상기 열처리 설비(100)의 구동을 전반적으로 제어하는 제어유닛(미도시)을 포함한다.
상기 프로세스 튜브(110)는 그 내부로 다수의 웨이퍼(90)가 유입될 수 있는 중공의 원통 형상으로 형성되며, 열처리 공정에 적합한 석영 재질로 이루어진다. 그리고, 웨이퍼(90)의 입출을 위한 상기 웨이퍼 입출구는 상기 프로세스 튜브(110)의 하부에 마련된다. 따라서, 다수의 웨이퍼(90)는 상기 다수의 웨이퍼(90)를 수직 방향으로 정렬 가능하게 하는 웨이퍼 보트(170)에 순차적으로 적재된 다음, 상기 웨이퍼 입출구를 통해 상기 프로세스 튜브(110)의 내부로 유입된다. 그리고, 상기 프로세스 튜브(110)의 상측에는 상기 프로세스 튜브(110) 내부의 가스들이 배기되도록 가스배기홀(118)이 형성된다. 상기 가스배기홀(118)은 별도의 라인인 제1가스배기라인(183)을 통해 상기 압력조절부재(140)에 연통될 수도 있고, 상기 압력조절부재(140)에 직접 연통될 수도 있다.
또한, 상기 프로세스 튜브(110)의 하부에는 상기 프로세스 튜브(110)에 접촉되어 상기 프로세스 튜브(110)를 밀착 지지하는 플랜지(112)가 설치될 수 있다. 이 경우, 상기 플랜지(112)의 하부에도 웨이퍼(90)의 입출을 위한 웨이퍼 입출구가 형성될 수 있으며, 상기 웨이퍼 보트(170)는 상기 플랜지(112)에 형성된 웨이퍼 입출구를 통해 상기 프로세스 튜브(110) 내부로 유입된다. 또, 상기 플랜지(112)의 일측에는 열처리 공정이 진행되는 동안 상기 프로세스 튜브(110) 내부로 소정 분위기 가스를 공급하는 가스공급라인(114)이 설치된다. 이때, 소정 분위기 가스는 N2 가스일 수 있다. 한편, 상기 가스공급라인(114)은 상기 플랜지(112)의 일측 이외에도 상기 프로세스 튜브(110)의 일측에 직접 설치되어 상기 프로세스 튜브(110) 내부로 소정 분위기 가스를 공급할 수 있다.
상기 튜브 캡(150)은 상기 이동유닛(160)에 의해 이동되어 상기 프로세스 튜브(110)의 웨이퍼 입출구를 선택적으로 밀폐하는 역할을 한다. 따라서, 상기 프로세스 튜브(110)는 상기 튜브 캡(150)으로 인하여 외부로부터 밀폐된다. 이때, 상기 프로세스 튜브(110)에 접촉되는 상기 튜브 캡(150)의 상부에는 밀폐링(155)이 구비될 수 있다. 이 경우, 상기 프로세스 튜브(110)와 상기 튜브 캡(150) 사이의 리크(leak)는 최소화될 수 있다. 한편, 상기 프로세스 튜브(110)의 하부에 상기 프로세스 튜브(110)를 밀착 지지하는 플랜지(112)가 설치될 경우, 상기 튜브 캡(150)은 상기 플랜지(112)에 형성된 웨이퍼 입출구를 밀폐함으로써, 상기 프로세스 튜브(110)를 밀폐하게 된다.
상기 이동유닛(160)은 열처리 공정의 진행에 따라 상기 튜브 캡(150)이 상기 프로세스 튜브(110)를 밀폐하도록 상기 튜브 캡(150)을 이동시키는 역할을 한다. 따라서, 상기 이동유닛(160)은 상기 제어유닛의 제어에 따라 상기 튜브 캡(150)을 소정거리 이동시킬 수 있는 구성이면 다양한 구성이 적용가능하다. 예를 들면, 상기 이동유닛(160)은 볼스크류 방식이나 실린더 방식 또는 리니어 모터 방식 등이 적용될 수 있다.
일실시예로, 상기 이동유닛(160)은 상기 튜브 캡(150)을 지지하는 캡 베이 스(161)와, 상기 프로세스 튜브(110)의 하부에 상하 방향으로 설치되되 그 외주면에 수나사가 형성된 구동축(168)과, 상기 구동축(168)이 회전되도록 상기 구동축(168)의 하부와 상부에 각각 설치되는 베어링들(165,166)과, 상기 구동축(168)의 회전 방향에 따라 상하 방향으로 이동되도록 상기 구동축(168)에 설치되며 그 일측이 상기 캡 베이스(161)에 연결된 베이스 연결체(163)와, 상기 베이스 연결체(163)가 상하 방향으로 이동되도록 소정 속도로 정역회전되는 모터(167) 및, 상기 모터(167)의 회전에 의해 상기 구동축(168)이 회전되도록 상기 모터(167)의 회전력을 상기 구동축(168)으로 전달하는 동력전달체(164)를 포함한다.
따라서, 상기 튜브 캡(150)의 이동이 필요하게 되면, 상기 제어유닛은 상기 모터(167)에 소정 시그날을 전송하여 상기 모터(167)를 회전시키게 된다. 이에, 상기 구동축(168)은 상기 동력전달체(164)의 동력 전달로 인하여 소정 속도로 회전되어지고, 상기 베이스 연결체(163)는 상기 구동축(168)의 회전에 따라 소정거리 상하 이동된다. 그 결과, 상기 캡 베이스(161)는 상기 베이스 연결체(163)의 이동에 따라 소정거리 상하 이동되고, 상기 캡 베이스(161)의 상부에 위치된 상기 튜브 캡(150)도 상기 캡 베이스(161)의 상하 이동에 따라 소정거리 상하 이동된다. 결과적으로, 상기 프로세스 튜브(110)는 상기 튜브 캡(150)의 이동에 의해 개폐된다.
한편, 상기 이동유닛(160)은 상기 튜브 캡(150)과 상기 캡 베이스(161)의 사이에 설치되는 탄성부재(162)를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 튜브 캡(150)을 지지하는 상기 캡 베이스(161)의 지지력은 상기 탄성부재(162)에 의해 완충될 수 있다. 따라서, 상기 튜브 캡(150)이 상기 프로세스 튜브(110)를 밀폐할 시 상기 튜 브 캡(150)은 상기 탄성부재(162)의 탄성력에 의하여 상기 프로세스 튜브(110)에 부드럽게 접촉될 수 있게 되고, 상기 프로세스 튜브(110)를 강하게 밀폐시킬 수 있게 된다.
상기 히터(120)는 상기 프로세스 튜브(110)의 외측에 배치되어 상기 프로세스 튜브(110)를 가열한다. 이때, 상기 히터(120)는 상기 프로세스 튜브(110)의 내부에서 진행되는 각 열처리 공정에 따라 상기 프로세스 튜브(110)를 각각 다른 온도로 가열할 수 있다. 일 예로, 상기 프로세스 튜브(110) 내부에서 진행되는 열처리 공정이 확산 공정일 경우, 상기 히터(120)는 상기 프로세스 튜브(110)의 내부 온도가 약 800∼1200℃가 되도록 가열할 수 있고, 상기 프로세스 튜브(110) 내부에서 진행되는 열처리 공정이 증착 공정일 경우, 상기 히터(120)는 상기 프로세스 튜브(110)의 내부 온도가 약 500∼1000℃가 되도록 가열할 수 있다. 다른 예로, 상기 프로세스 튜브(110) 내부에서 진행되는 공정이 웨이퍼 내 반도체 칩들 상에 도포된 폴리이미드막과 같은 보호막을 베이크하는 공정 즉, 보호막 베이크 공정일 경우, 상기 히터(120)는 상기 프로세스 튜브(110)의 내부 온도가 약 250∼350℃가 되도록 가열할 수 있다.
그리고, 상기 히터(120)는 상기 프로세스 튜브(110)를 가열할 수 있는 방식이면, 여러가지 다양한 방식이 모두 적용가능하다. 예를 들면, 상기 히터(120)는 코일 가열방식이나 램프 가열방식 또는 펠티어 소자 등을 이용한 방식이 적용가능하다. 바람직하게, 상기 히터(120)는 코일 가열방식일 수 있다. 한편, 상기 히터(120)의 외측에는 상기 히터(120)를 둘러싸는 프로세스 챔버(130)가 더 설치될 수 있다. 이 경우, 상기 프로세스 튜브(110)를 가열하는 상기 히터(120)의 열은 상기 히터(120)를 둘러싸는 상기 프로세스 챔버(130)로 인하여 외부로 유출되지 않기 때문에, 상기 히터(120)의 가열 효율은 극대화된다.
상기 배기 덕트(185)는 상기 프로세스 챔버(130)의 상부에 설치되며, 상기 압력조절부재(140)를 매개로 상기 프로세스 튜브(110)에 연결된다. 따라서, 상기 프로세스 챔버(130) 내부의 가스들은 상기 압력조절부재(140)와 상기 배기 덕트(185)를 통하여 외부로 배출된다. 구체적으로, 상기 배기 덕트(185)의 일측은 상기 압력조절부재(140)에 연결되며, 상기 배기 덕트(185)의 타측은 가스펌핑장치(미도시)에 연결된다. 따라서, 상기 프로세스 튜브(110) 내 가스들은 상기 가스펌핑장치의 작동에 의해 상기 압력조절부재(140)와 상기 배기 덕트(185)를 통하여 외부로 배출된다. 여기서, 상기 배기 덕트(185)의 일측은 상기 압력조절부재(140)에 직접 연결될 수도 있고, 별도의 라인인 제2가스배기라인(187)을 통하여 상기 압력조절부재(140)에 연결될 수도 있다.
상기 압력조절부재(140)는 열처리 공정의 진행시 상기 프로세스 튜브(110) 내부의 압력이 상기 열처리 설비(100)가 설치된 크린룸(180) 내부의 압력보다 더 높게 유지되도록 하는 역할을 하며, 상기 프로세스 튜브(110)와 상기 배기 덕트(185)의 사이에 개재된다. 일실시예로, 상기 압력조절부재(140)의 하부는 전술한 제1가스배기라인(183)을 매개로 상기 프로세스 튜브(110)의 상부에 연결될 수 있고, 상기 압력조절부재(140)의 상부는 전술한 제2가스배기라인(187)을 매개로 상기 배기 덕트(185)의 하부에 연결될 수 있다. 하지만, 다른 실시예로, 상기 압력조절 부재(140)의 하부와 상부는 각각 상기 프로세스 튜브(110)와 상기 배기 덕트(185)에 직접 연결될 수도 있다. 이 경우, 상기 압력조절부재(140)의 하부는 전술한 바와 같이, 상기 프로세스 튜브(110) 내부의 가스들이 배기되도록 마련된 상기 가스배기홀(118)에 연통되도록 설치됨이 바람직하다. 이때, 상기 압력조절부재(140)는 상기 프로세스 튜브(110)에 직접 연결된 후드일 수 있다.
구체적으로, 상기 압력조절부재(140)는 중공의 원통 형상으로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 프로세스 튜브(110)에 연결된 제1가스배기라인(183)은 원통 형상인 상기 압력조절부재(140)의 하면에 연결될 수 있고, 상기 배기 덕트(185)에 연결된 제2가스배기라인(187)은 원통 형상인 상기 압력조절부재(140)의 상면에 연결될 수 있다.
그리고, 상기 압력조절부재(140)에는 상기 크린룸(180)과 연통되는 하나 또는 다수개의 개구(opening,143)가 형성된다. 따라서, 상기 배기 덕트(185)와 상기 배기 덕트(185)에 연결된 상기 압력조절부재(140)를 이용하여 상기 프로세스 튜브(110) 내부의 가스를 배기할 시 상기 개구(143)로는 상기 프로세스 튜브(110) 외부의 가스 즉, 상기 크린룸(180) 내부의 가스가 유입될 수 있다. 다시 말하면, 상기 배기 덕트(185)와 상기 배기 덕트(185)에 연결된 상기 압력조절부재(140)를 이용하여 상기 프로세스 튜브(110) 내부의 가스를 배기할 시 상기 개구(143)로 인하여 상기 프로세스 튜브(110) 내부의 가스 뿐만 아니라 상기 프로세스 튜브(110) 외부의 가스도 같이 상기 압력조절부재(140)의 내부로 유입되어 상기 배기 덕트(185)로 배출될 수 있다. 여기서, 상기 개구(143)는 상기 압력조절부재(140)의 측면에 형성될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 열처리 설비는 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이 다른 실시예로도 구현될 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 열처리 설비의 다른 실시예를 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3의 A 부분을 확대 도시한 절단면도이며, 도 5는 도 3의 체크 밸브가 소정거리 이동된 상태를 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 다른 실시예인 열처리 설비(200)는 일실시예에서 설명한 열처리 설비(100)의 구성 외에 체크 밸브(250)를 더 포함한다. 상기 체크 밸브(250)는 상기 압력조절부재(140)에 형성된 상기 개구(143)에 설치되며, 상기 압력조절부재(140) 내부의 가스가 상기 개구(143)를 통해 상기 크린룸(180) 측으로 배출되는 것을 차단하는 역할을 한다. 상기 체크 밸브(250)는 상기 배기 덕트(185)를 통해 상기 압력조절부재(140) 내부의 가스가 원활하게 잘 배기될 때에만 개방되고 그렇지 않을 경우에는 밀폐되는 밸브 즉, 노말 오픈 밸브(Normal open valve)일 수 있다.
구체적으로, 상기 체크 밸브(250)는 상기 개구(143)에 설치되며 내부에 가스유입경로(252)가 형성된 밸브 하우징(251)과, 상기 밸브 하우징(251)의 내부에 설치되며 소정거리 왕복 이동되면서 상기 가스유입경로(252)를 개폐하는 이동부재(253) 및, 상기 밸브 하우징(251)과 상기 이동부재(253)의 사이에 설치되며 상기 가스유입경로(252)가 상기 압력조절부재(140) 내부의 가스가 원활하게 잘 배기될 때에만 오픈되도록 하는 탄성부재(254)를 포함한다.
이때, 상기 밸브 하우징(251)은 튜브 형상으로 형성될 수 있다. 그리고, 상기 밸브 하우징(251)의 내부에는 한쌍의 제1걸림돌기(256)와 제2걸림돌기(257)가 상기 밸브 하우징(251)의 길이방향으로 소정간격 이격된 채로 설치될 수 있다. 이 경우, 상기 가스유입경로(252)는 상기 제1걸림돌기(256)와 상기 제2걸림돌기(257)의 사이로 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 제1걸림돌기(256)는 상기 밸브 하우징(251)의 내부 중 상기 크린룸(180)에 인접한 측에 설치될 수 있고, 상기 제2걸림돌기(257)는 상기 밸브 하우징(251)의 내부 중 상기 압력조절부재(140)의 내부에 인접한 측에 설치될 수있다.
또한, 상기 이동부재(253)는 상기 밸브 하우징(251)의 내부 중 상기 제1걸림돌기(256)와 상기 제2걸림돌기(257)의 사이에 설치될 수 있다. 따라서, 상기 이동부재(253)는 상기 제1걸림돌기(256)와 상기 제2걸림돌기(257)의 사이를 왕복이동하며, 상기 제1걸림돌기(256)와 상기 제2걸림돌기(257)의 사이에 형성된 상기 가스유입경로(252)를 개폐하게 된다.
또, 상기 탄성부재(254)는 상기 제1걸림돌기(256)와 상기 이동부재(253)의 사이에 설치되어, 소정 탄성력으로 상기 이동부재(253)를 상기 제2걸림돌기(257) 측으로 밀어주는 역할을 한다. 따라서, 어떠한 외력이 작용되지 않을 시 상기 이동부재(253)는 상기 탄성부재(254)의 탄성력에 의해 도 4에 도시된 바와 같이 상기 제2걸림돌기(257) 측으로 밀리게 되며, 상기 가스유입경로(252)는 개방된다. 그 결과, 상기 압력조절부재(140) 외부의 가스는 상기 개구(143)에 설치된 상기 체크 밸 브(250)의 가스유입경로(252)를 통해 상기 압력조절부재(140)의 내부로 유입될 수 있게 된다. 그러나, 만일, 상기 압력조절부재(140) 내부의 가스와 상기 배기 덕트(185) 내부의 가스를 외부로 배기시키는 상기 가스펌핑장치 등이 고장나서 상기 압력조절부재(140) 내부의 가스와 상기 배기 덕트(185) 내부의 가스가 외부로 배기되지 않고 상기 압력조절부재(140)의 내부로 역류할 경우, 상기 이동부재(253)에는 도 5에 도시된 바와 같이 가스의 역류로 인한 외력이 작용하게 된다. 따라서, 상기 이동부재(253)는 상기 외력으로 인하여 상기 제1걸림돌기(256) 측으로 밀리게 되고, 상기 체크 밸브(250)의 가스유입경로(252)는 밀폐된다. 그 결과, 상기 압력조절부재(140) 내부의 가스는 상기 체크 밸브(250)의 작동에 의하여 상기 개구(143)를 통해 외부로 배출되지 않게 된다.
그리고, 상기 체크 밸브(250)는 상기 제1걸림돌기(256)와 상기 이동부재(253)의 사이에 개재되는 밀폐링(255)을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 외력에 의한 상기 가스유입경로(252)의 밀폐는 상기 밀폐링(255)으로 인하여 더욱 효과적이게 된다.
한편, 본 발명에 따른 열처리 설비는 도 6에 도시된 바와 같이 또다른 실시예로도 구현될 수 있다.
도 6은 본 발명에 따른 열처리 설비의 또다른 실시예를 도시한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 또다른 실시예인 열처리 설비(300)는 웨이퍼(90)에 열처리 공정을 수행하기 위한 공간을 제공하며 하부에 그 내부로의 웨이 퍼 입출을 위한 웨이퍼 입출구가 마련된 프로세스 튜브(110), 상기 프로세스 튜브(110) 내 분위기 형성을 위하여 상기 프로세스 튜브(110) 내부로 N2 가스와 같은 분위기 가스를 일정 유량만큼 공급하는 가스공급라인(114), 상기 프로세스 튜브(110)의 웨이퍼 입출구를 밀폐하는 튜브 캡(150), 공정 진행에 따라 상기 튜브 캡(150)을 이동시키는 이동유닛(160), 상기 프로세스 튜브(110)를 가열하는 히터(120), 상기 프로세스 튜브(110) 내부의 가스들을 외부로 배기하는 가스배기라인(316), 상기 가스배기라인(316) 상에 설치되어 상기 프로세스 튜브(110) 내 가스들을 외부로 펌핑하는 펌프(380) 및, 상기 가스배기라인(316) 상에 설치되며 공정 진행시 상기 프로세스 튜브(110) 내부의 압력이 상기 프로세스 튜브(110) 외부의 압력인 크린룸(180) 내부의 압력보다 더 높게 유지되도록 하는 압력조절부재(340)를 포함한다.
이때, 상기 가스배기라인(316)은 상기 프로세스 튜브(110)의 측면에 형성될 수 있다. 따라서, 상기 프로세스 튜브(110) 내 가스들은 상기 프로세스 튜브(110)의 측면에 설치된 상기 가스배기라인(316)을 통하여 외부로 배기될 수 있다. 그리고, 상기 압력조절부재(340)는 상기 가스배기라인(316) 상에 설치되되 상기 프로세스 튜브(110)의 측면에 접하게 설치될 수 있다.
보다 구체적으로 설명하면, 상기 압력조절부재(340)는 중공의 원통 형상으로 형성되고, 상기 압력조절부재(340)의 측면에는 상기 크린룸(180)과 연통되는 하나 또는 다수개의 개구(opening,343)가 형성된다. 따라서, 상기 가스배기라인(316)과 상기 가스배기라인(316)에 연결된 상기 압력조절부재(340)를 이용하여 상기 프로세스 튜브(110) 내부의 가스를 배기할 시 상기 개구(343)로 인하여 상기 가스공급라인(114)에 의해 공급되는 상기 프로세스 튜브(110) 내부의 가스 뿐만 아니라 상기 프로세스 튜브(110) 외부의 가스도 같이 상기 압력조절부재(340)의 내부로 유입되어 상기 가스배기라인(316)으로 배출된다. 그 결과, 상기 가스배기라인(316)으로 배출되는 가스의 유량은 상기 가스공급라인(114)에 의해 상기 프로세스 튜브(110) 내부로 공급되는 가스의 유량과 같거나 그보다 더 적기 때문에 상기 프로세스 튜브(110) 내부의 압력은 상기 프로세스 튜브(110) 외부의 압력인 크린룸(180) 내부의 압력보다 더 높게 유지된다.
이하, 도 1과 도 2를 참조하여, 본 발명에 따른 열처리 설비(100)를 이용하여 열처리 공정을 진행하는 방법 및 그에 따른 효과를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 열처리될 웨이퍼(90)가 유저 또는 웨이퍼 이송수단(미도시)에 의해 튜브 캡(150) 상에 배치된 웨이퍼 보트(170)에 모두 적재되면, 이동유닛(160)은 상기 튜브 캡(150)을 상승시켜 상기 웨이퍼 보트(170)가 프로세스 튜브(110) 내부로 유입되도록 한다.
이후, 상기 웨이퍼 보트(170)가 상기 프로세스 튜브(110) 내부로 유입되면, 상기 이동유닛(160)은 상기 튜브 캡(150)을 소정거리 만큼 더 상승시키게 된다. 그 결과, 상기 튜브 캡(150)은 상기 프로세스 튜브(110)를 밀폐하게 된다.
다음, 상기 튜브 캡(150)이 상기 프로세스 튜브(110)를 밀폐하면, 상기 프로 세스 튜브(110) 내부는 열처리 공정을 진행하기 위한 분위기가 형성되며, 상기 프로세스 튜브(110)의 외부에 배치된 히터(120)는 상기 프로세스 튜브(110)를 가열하여 열처리 공정을 진행하게 된다. 즉, 상기 프로세스 튜브(110)에 연결된 가스공급라인(114)으로는 상기 프로세스 튜브(110) 내 분위기 형성을 위하여 N2 가스와 같은 소정 분위기 가스가 계속 공급되고, 상기 프로세스 튜브(110)의 가스배기홀(118)에 연결된 배기 덕트(185)로는 상기 프로세스 튜브(110) 내부의 가스가 계속 외부로 배기되어 상기 프로세스 튜브(110) 내부는 열처리 공정을 진행하기 위한 소정 분위기가 형성된다. 따라서, 상기 히터(120)는 상기 프로세스 튜브(110)를 가열하여 열처리 공정을 진행하게 된다.
한편, 이상과 같은 열처리 공정의 진행시 상기 프로세스 튜브(110)에 형성된 가스배기홀(118)은 상기 배기 덕트(185)에 직접 연결되는 것이 아니라 그 측면에 하나 또는 다수개의 개구(143)가 형성되고 중공으로 형성된 압력조절부재(140)를 매개로 연결되기 때문에, 상기 압력조절부재(140)와 그에 형성된 상기 개구(143)는 상기 가스의 배기시 상기 프로세스 튜브(110) 내부의 압력을 자동으로 조절하는 역할을 하여, 상기 프로세스 튜브(110) 내부의 압력(P1)은 항상 상기 프로세스 튜브(110) 외부의 압력인 크린룸(180) 내부의 압력(P2)보다 더 높은 양압으로 유지된다. 따라서, 본 발명에 따른 열처리 설비(100)를 이용하면, 열처리 공정을 진행하는 동안 프로세스 튜브(110) 내부 압력(P1)을 계속 양압으로 유지할 수 있기 때문에, 크린룸(180) 내부에 존재하는 O2나 H2O 등의 옥시던트는 크린룸(180) 내부의 압력과 프로세스 튜브(110) 내부의 압력차로 인하여 프로세스 튜브(110) 내부로 전 혀 유입되지 못하게 된다. 그 결과, 종래 옥시던트의 유입으로 인하여 발생되었던 제반 문제는 모두 미연에 방지되는 효과가 있다.
보다 구체적으로 설명하면, 종래와 같이, 상기 배기 덕트(185)와 상기 프로세스 튜브(110)의 가스배기홀(118) 사이에 상기 압력조절부재(140)가 개재되지 않고 상기 배기 덕트(185)와 상기 프로세스 튜브(110)의 가스배기홀(118)이 직접 연결될 경우, 상기와 같은 가스의 배기시 가스의 공급 유량보다 가스의 배출 유량이 많게 되면, 상기 프로세스 튜브(110)의 내부 압력(P1)은 그 공급 유량보다 그 배출 유량이 더 많게 되므로 자동으로 상기 프로세스 튜브(110)의 외부 압력인 크린룸(180) 내부의 압력(P2)보다 낮아지게 된다. 그 결과, 상기 프로세스 튜브(110) 외부에 존재하던 옥시던트는 상기 프로세스 튜브(110) 내부로 유입되어지게 되어 상기 웨이퍼 상의 소정 위치에 이상 막질을 형성하게 되고, 이는 와이어 본딩 불량 등 제반 문제를 발생시키게 된다.
하지만, 본원발명의 경우, 상기 배기 덕트(185)와 상기 프로세스 튜브(110)의 가스배기홀(118) 사이에 중공 형상이며 그 일측에 하나 또는 다수개의 개구(143)가 형성된 압력조절부재(140)가 개재되기 때문에, 상기와 같은 가스의 배기시 가스의 공급 유량보다 가스의 배출 유량이 많게 되면, 그들 차이만큼의 유량은 상기 프로세스 튜브(110) 내부에서 유출되는 것이 아니라 상기 압력조절부재(140)의 개구(143)를 통하여 자동으로 상기 크린룸(180) 내부의 가스가 유입되어 상기 배기 덕트(185)를 통해 외부로 배출되어진다. 그 결과, 상기 배기 덕트(185)로 배출되는 가스의 유량은 상기 프로세스 튜브(110) 내부로 공급되는 가스의 유량과 같 거나 그보다 더 적기 때문에, 상기 프로세스 튜브(110) 내부의 압력(P1)은 상기 프로세스 튜브(110) 외부의 압력인 크린룸(180) 내부의 압력(P2)보다 항상 더 높게 유지된다. 따라서, 본 발명에 따른 열처리 설비(100)를 이용하면, 열처리 공정을 진행하는 동안 프로세스 튜브(110) 내부 압력(P1)을 계속 양압으로 유지할 수 있기 때문에, 크린룸(180) 내부에 존재하는 O2나 H2O 등의 옥시던트는 크린룸(180) 내부의 압력(P2)과 프로세스 튜브(110) 내부의 압력차로 인하여 프로세스 튜브(110) 내부로 전혀 유입되지 못하게 되고, 종래 옥시던트의 유입으로 인하여 발생되었던 제반 문제는 모두 미연에 방지된다.
이상, 본 발명은 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구의 범위와 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 열처리 설비의 경우, 상기 배기 덕트와 상기 프로세스 튜브의 가스배기홀 사이에 중공 형상이며 그 일측에 하나 또는 다수개의 개구가 형성된 압력조절부재가 개재되기 때문에, 열처리 공정을 진행하기 위하여 가스를 배기할 시 가스의 공급 유량보다 가스의 배출 유량이 많게 되면, 그들 차이만큼의 유량은 상기 프로세스 튜브의 내부에서 유출되는 것이 아니라 상기 압력조절부재의 개구를 통하여 자동으로 상기 크린룸 내부의 가스가 유입되어 상기 배기 덕트를 통해 외부로 배출되어진다. 그 결과, 상기 배기 덕트로 배출되는 가스 의 유량은 상기 프로세스 튜브 내부로 공급되는 가스의 유량과 같거나 그보다 더 적기 때문에, 상기 프로세스 튜브 내부의 압력은 상기 프로세스 튜브 외부의 압력인 크린룸 내부의 압력보다 항상 더 높게 유지된다.
따라서, 본 발명에 따른 열처리 설비를 이용하면, 열처리 공정을 진행하는 동안 프로세스 튜브 내부를 계속 양압으로 유지할 수 있기 때문에, 크린룸 내부에 존재하는 O2나 H2O 등의 옥시던트는 크린룸 내부의 압력과 프로세스 튜브 내부의 압력차로 인하여 프로세스 튜브 내부로 전혀 유입되지 못하게 되고, 종래 옥시던트의 유입으로 인하여 발생되었던 이상 막질의 성장 등의 제반 문제는 모두 미연에 방지된다.

Claims (14)

  1. 프로세스 튜브;
    상기 프로세스 튜브에 연결되어 상기 프로세스 튜브 내부의 가스들을 배기하는 배기 덕트; 및,
    상기 프로세스 튜브와 상기 배기 덕트의 사이에 개재되되, 상기 프로세스 튜브와 상기 배기 덕트에 각각 연통되고, 하나 또는 다수개의 개구(opening)를 갖는 중공의 압력조절부재를 포함하는 열처리 설비.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 개구에는 상기 압력조절부재 내부의 가스가 상기 개구를 통해 외부로 배출되는 것을 차단하는 체크 밸브가 설치된 것을 특징으로 하는 열처리 설비.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 프로세스 튜브의 일면에는 상기 프로세스 튜브 내부의 가스들이 배기되는 가스배기홀이 형성되고,
    상기 압력조절부재는 상기 가스배기홀에 연통되도록 상기 프로세스 튜브의 일면에 접하게 설치된 것을 특징으로 하는 열처리 설비.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 가스배기홀은 상기 프로세스 튜브의 상면에 형성되고,
    상기 압력조절부재는 상기 프로세스 튜브의 상면에 접하게 설치된 것을 특징으로 하는 열처리 설비.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 가스배기홀은 상기 프로세스 튜브의 측면에 형성되고,
    상기 압력조절부재는 상기 프로세스 튜브의 측면에 접하게 설치된 것을 특징으로 하는 열처리 설비.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 프로세스 튜브는 상기 압력조절부재의 하부에 연통되고, 상기 배기 덕트는 상기 압력조절부재의 상부에 연통되며, 상기 개구는 상기 압력조절부재의 측면에 형성된 것을 특징으로 하는 열처리 설비.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 압력조절부재는 원통 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 열처리 설비.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 프로세스 튜브의 외측에 배치되어 상기 프로세스 튜브를 가열하는 히터 를 더 포함한 것을 특징으로 하는 열처리 설비.
  9. 프로세스 튜브;
    상기 프로세스 튜브 내부의 가스들을 배기하는 배기 덕트;
    상기 프로세스 튜브와 상기 배기 덕트의 사이에 개재되며, 하나 또는 다수개의 개구를 갖는 중공의 압력조절부재;
    상기 프로세스 튜브와 상기 압력조절부재를 상호 연통시키는 제1가스배기라인; 및,
    상기 압력조절부재와 상기 배기 덕트를 상호 연통시키는 제2가스배기라인을 포함하는 열처리 설비.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 개구에는 상기 압력조절부재 내부의 가스가 상기 개구를 통해 외부로 배출되는 것을 차단하는 체크 밸브가 설치된 것을 특징으로 하는 열처리 설비.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 제1가스배기라인의 일측단은 상기 프로세스 튜브의 상면에 연결되고, 상기 제1가스배기라인의 타측단은 상기 압력조절부재의 하면에 연결된 것을 특징으로 하는 열처리 설비.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 제2가스배기라인의 일측단은 상기 압력조절부재의 상면에 연결되고, 상기 제2가스배기라인의 타측단은 상기 배기 덕트의 하면에 연결된 것을 특징으로 하는 열처리 설비.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 압력조절부재는 원통 형상으로 형성되고,
    상기 개구는 상기 압력조절부재의 측면에 형성된 것을 특징으로 하는 열처리 설비.
  14. 제 9항에 있어서,
    상기 프로세스 튜브의 외측에 배치되어 상기 프로세스 튜브를 가열하는 히터를 더 포함한 것을 특징으로 하는 열처리 설비.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114300386A (zh) * 2021-12-17 2022-04-08 北京北方华创微电子装备有限公司 一种反应腔室尾气压力控制装置及半导体工艺设备

Families Citing this family (317)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010039570A2 (en) * 2008-09-30 2010-04-08 Hemlock Semiconductor Corporation Method of determining an amount of impurities that a contaminating material contributes to high purity silicon and furnace for treating high purity silicon
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) * 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
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CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN113140487B (zh) * 2021-04-14 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体热处理设备
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5458685A (en) 1992-08-12 1995-10-17 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Vertical heat treatment apparatus
US6159298A (en) 1997-12-27 2000-12-12 Tokyo Electron Limited Thermal processing system
JP2001060555A (ja) 1999-08-20 2001-03-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法
JP2003045867A (ja) 2001-07-30 2003-02-14 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
KR20060084554A (ko) * 2005-01-20 2006-07-25 삼성전자주식회사 반도체 기판 가공 장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5249960A (en) * 1991-06-14 1993-10-05 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Forced cooling apparatus for heat treatment apparatus
US5578132A (en) * 1993-07-07 1996-11-26 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure
JP3504784B2 (ja) * 1995-09-07 2004-03-08 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法
US6000935A (en) * 1997-02-21 1999-12-14 Troxler Electronic Laboratories, Inc Adjustable apparatus for pyrolysis of a composite material and method of calibration therefor
JP3527868B2 (ja) 1999-11-19 2004-05-17 タツモ株式会社 半導体基板の熱処理装置及び熱処理方法
JP2004014543A (ja) * 2002-06-03 2004-01-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR100567439B1 (ko) 2003-10-16 2006-04-04 장동복 챔버내 오염가스 배출 장치
JP4495498B2 (ja) 2004-03-29 2010-07-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5458685A (en) 1992-08-12 1995-10-17 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Vertical heat treatment apparatus
US6159298A (en) 1997-12-27 2000-12-12 Tokyo Electron Limited Thermal processing system
JP2001060555A (ja) 1999-08-20 2001-03-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法
JP2003045867A (ja) 2001-07-30 2003-02-14 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
KR20060084554A (ko) * 2005-01-20 2006-07-25 삼성전자주식회사 반도체 기판 가공 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114300386A (zh) * 2021-12-17 2022-04-08 北京北方华创微电子装备有限公司 一种反应腔室尾气压力控制装置及半导体工艺设备

Also Published As

Publication number Publication date
US20080011735A1 (en) 2008-01-17
US7850449B2 (en) 2010-12-14

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