KR100735849B1 - 전력용 반도체장치 - Google Patents

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미쓰비시덴키 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 서지를 억제한 전력용 반도체장치를 제공한다. 전력용 반도체장치에 있어서, 직렬로 접속되는 1쌍의 고압측 및 저압측의 전력용 스위칭 반도체소자와, 각 전력용 스위칭 반도체소자에 역접속된 플라이휠 다이오드와, 전력용 스위칭 반도체소자마다 배치되어, 입력 신호에 기초해서 상기 전력용 스위칭 반도체소자의 게이트에 구동 신호를 공급하는 게이트 구동회로를 구비하고, 또한 서지의 영향을 억제하기 위해서, 예를 들면 저압측의 게이트 구동회로와 그 게이트 구동회로에 전원전압을 공급하는 제어 전원회로와의 사이에 다이오드를 삽입한다. 또는, 게이트 구동회로와, 입력 신호를 공급하기 위한 입력 단자와의 사이에 다이오드를 삽입한다.
전력용 반도체, 스위칭, 다이오드, 구동회로, 서지.

Description

전력용 반도체장치{POWER SEMICONDUCTOR DEVICE}
도 1은 실시예1의 구동회로도,
도 2는 실시예2의 구동회로도,
도 3은 실시예3의 구동회로도,
도 4는 실시예4의 구동회로도,
도 5는 실시예1과 2를 조합해서 이루어지는 구동회로도이다.
[부호의 설명]
22, 24 - 고압측 및 저압측 전력용 반도체 스위칭소자,
26 - FW 다이오드,
28, 30 - 구동회로(게이트 구동IC),
32, 36 - 고내압 다이오드,
38 - 포토커플러,
46 - 고내압 다이오드,
48 - 콘덴서,
50 - 저항.
본 발명은, 전력용 반도체장치, 특히 전력용 반도체장치로부터 발생하는 서지(surge)의 억제에 관한 것이다.
전력용 반도체소자를 사용한 전력용 반도체장치는 널리 보급되고 있다. 파워 모듈은, 복수의 전력용 반도체소자(MOSFET, IGBT 등)를 그 주변회로와 함께 하나의 패키지로 조립한 것이다. 이러한 파워 모듈은 고집적화에 의한 소형화 및 배선의 용이함 등의 장점이 있어, 많은 용도로 사용되고 있다.
전력용 반도체장치에 있어서는, 서지에 의한 악영향을 방지할 필요가 있다. 예를 들면, 일본국 공개특허공보 특개평7-297695호 공보에 기재된 인버터 회로에 있어서, 전력용 반도체소자를 구동하는 구동회로는 과열을 방지하는 과열 보호 회로를 포함한다. 하지만, 상기 과열 보호 회로는 플라이휠 다이오드의 역회복 시에 발생하는 가파르고 험준한 전류변화에 의해 오동작을 일으킬 수 있다. 이러한 오동작을 방지하기 위하여, 과전류나 합선전류가 발생했을 경우에 알람 신호를 출력하는 공통 출력 단자를 구비한 제어용 회로는, 쇼트키 다이오드를 하측 암용의 제어용 회로의 공통 출력 단자와 전원단자 Vcc와의 사이에 접속함으로써, 제어용 IC기판 내에 역방향의 전류가 흘러드는 것을 막고, 과열 보호 회로의 오동작을 방지한다. 또는, 콘덴서를 제어용 회로의 공통 출력 단자와 그라운드 단자 GND와의 사이에 접속하여, 제어용 IC기판 내의 기준 전압의 변동을 방지한다.
[특허문헌1]일본국 공개특허공보 특개평7-297695호 공보
전력용 반도체장치를 사용할 때, 그 내부에서 발생하는 서지에 의해, 전력용 반도체소자를 제어하는 주변회로(게이트 구동회로, 포토커플러 등)나, 게이트 구동회로에 신호를 공급하는 외부의 신호발생회로(마이컴 등)가 파괴되는 일이 있다. 그러나, 일본국 공개특허공보 특개평7-297695호 공보에 기재된 인버터 회로는, 서지 전압과 서지 전류를 막고, 접속되는 주변기기에의 영향을 전무로 할만한 것이 아니다. 이 인버터 회로에서는, 주변기기에 서지 전압이 인가되거나 서지 전류가 흐르거나 함으로써 주변기기의 파손을 발생할 우려가 있으며, 또한 전기적 손실이 증가할 수 있다.
본 발명의 목적은, 내부에서 발생하는 서지에 의한 주변회로의 파괴를 억제한 전력용 반도체장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 제1의 전력용 반도체장치는, 고압측 전력용 스위칭 반도체소자와 저압측 전력용 스위칭 반도체소자와의 직렬 회로로 구성되어, 해당 직렬 회로의 양단에 직류전압원이 접속 가능하면서, 상기 고압측 전력용 스위칭 반도체소자와 저압측 전력용 스위칭 반도체소자와의 접속점으로부터 출력 전압이 공급가능한 전력용 스위칭 반도체소자, 상기 고압측 전력용 스위칭 반도체소자와 저압측 전력 용 스위칭 반도체소자 각각에 역병렬된 플라이휠 다이오드, 상기 고압측 전력용 스위칭 반도체소자의 게이트에 접속된 고압측 구동회로, 상기 저압측 전력용 스위칭 반도체소자의 게이트에 접속된 저압측 구동회로, 상기 저압측 구동회로에 전원전압을 공급하는 제어 전원회로 및, 상기 저압측 구동회로와 상기 제어 전원회로와의 사이에 순방향으로 접속된 다이오드를 구비한다.
본 발명에 따른 제2의 전력용 반도체장치는, 고압측 전력용 스위칭 반도체소자와 저압측 전력용 스위칭 반도체소자와의 직렬 회로로 구성되어, 해당 직렬 회로의 양단에 직류전압원이 접속 가능하면서, 상기 고압측 전력용 스위칭 반도체소자와 저압측 전력용 스위칭 반도체소자와의 접속점으로부터 출력 전압이 공급가능한 전력용 스위칭 반도체소자, 상기 고압측 전력용 스위칭 반도체소자와 저압측 전력용 스위칭 반도체소자 각각에 역병렬된 플라이휠 다이오드, 상기 고압측 전력용 스위칭 반도체소자의 게이트에 접속된 고압측구동회로, 상기 저압측 전력용 스위칭 반도체소자의 게이트에 접속된 저압측 구동회로, 상기 저압측 구동회로에 전원전압을 공급하는 제어 전원회로 및, 상기 저압측 구동회로의 입력 신호에 대하여 순방향으로 접속된 다이오드를 구비한다.
본 발명에 따른 제3의 전력용 반도체장치는, 고압측 전력용 스위칭 반도체소자와 저압측 전력용 스위칭 반도체소자와의 직렬 회로로 구성되어, 해당 직렬 회로의 양단에 직류전압원이 접속 가능하면서, 상기 고압측 전력용 스위칭 반도체소자와 저압측 전력용 스위칭 반도체소자와의 접속점으로부터 출력 전압이 공급가능한 전력용 스위칭 반도체소자, 상기 고압측 전력용 스위칭 반도체소자와 저압측 전력 용 스위칭 반도체소자 각각에 역병렬된 플라이휠 다이오드, 상기 고압측 전력용 스위칭 반도체소자의 게이트에 접속된 고압측 구동회로, 상기 저압측 전력용 스위칭 반도체소자의 게이트에 접속된 저압측 구동회로, 상기 저압측 구동회로에 입력 신호를 공급하는 포토커플러 및, 상기 저압측 구동회로와 상기 포토커플러의 출력 단자와의 사이에 순방향으로 접속된 다이오드를 구비한다. 바람직하게는, 또한 콘덴서 및 저항이, 상기 다이오드와 상기 저압측 구동회로의 입력 단자와의 사이의 접속점으로부터 병렬로 접지된다.
상기 제1로부터 제3의 어느 하나의 전력용 반도체장치에 있어서, 상기 다이오드의 내압은, 상기 고압측 전력용 스위칭 반도체소자와 상기 저압측 전력용 스위칭 반도체소자와의 직렬 회로에 입력되는 직류전압보다 크게 설정되어 있다.
상기 제1로부터 제3의 어느 하나의 전력용 반도체장치는, 바람직하게는, 또한 상기 직류전압원인의 저레벨측과 상기 저압측 전력용 스위칭 반도체소자와의 사이에 접속되는 전류검출 저항을 구비한다.
상기 제1로부터 제3의 어느 하나의 전력용 반도체장치는, 예를 들면, 또한 상기 고압측 전력용 스위칭 반도체소자와 상기 저압측 전력용 스위칭 반도체소자와의 직렬 회로에 접속되는 상기 직류전원을 구비한다.
전력용 반도체장치가 내부에서 발생하는 서지 전압과 서지 전류를 억제해서 주변기기에 전달하지 않으므로, 전력용 반도체장치의 주변회로나, 거기에 접속되는 외부회로의 파괴를 방지할 수 있다.
[발명을 실시하기 위한 최선의 형태]
이하, 본 발명의 실시예를 첨부 도면을 참조해서 설명한다. 또, 도면에 있어서, 같은 참조 부호는 동일 또는 동등한 것을 나타낸다.
실시예1
도 1은 제1실시예의 3상 모터 구동회로를 나타낸다. 파워 스위칭 반도체소자(22, 24:이하, 파워 칩이라 한다)를 포함하는 파워 모듈(10)은, 직류전원에 병렬로 접속되며, 상기 직류전원은 파워 칩(22, 24)에 직류전압을 공급한다. 직류전원은, 예를 들면 다이오드 브리지 정류회로(12)와 평활 콘덴서(14)로 이루어진다. 마이컴(20:DSP 등의 경우를 포함한다)은 파워 칩을 위한 제어신호를 발생해서 파워 모듈(10)에 공급한다. 파워 모듈(10)은 제어신호에 따라 3상 교류를 발생하여, L성부하의 모터(18)를 구동한다.
파워 모듈(10) 내에서는, 3쌍의 각각 직렬로 접속된 파워 칩(22, 24)으로 이루어지는 직렬 회로가, 평활 콘덴서(14)의 고레벨측과 저레벨측에 접속된다. 파워 칩(22, 24)은, 예를 들면 파워MOSFET나 IGBT다. 각 파워 칩(22, 24)에는, 플라이휠 다이오드(26)가 역병렬로 접속된다. 직류전원으로부터의 직류의 고레벨측에 접속되는 3개의 파워 칩(22)과 플라이휠 다이오드(26)는 상측 암을 구성하고, 그 저레벨측에 접속되는 3개의 파워 칩(24)과 플라이휠 다이오드(26)는 하측 암을 구성한다. 상측 암과 하측 암의 파워 칩(22, 24) 사이의 접속점은, 3상 모터(18)로의 출력 단자 U, Ⅴ 또는 W가 된다. 파워 칩(22, 24)의 게이트마다 설치되는 게이트 구동회로(간단히, 구동회로라고도 한다. 이 예에서는 게이트 구동IC(28, 30)이다) 에는, 마이컴(20)으로부터의 제어신호가 공급되고, 게이트 구동IC(28, 30)는 제어신호를 기초로 대응하는 파워 칩(22, 24)의 게이트에 게이트 신호를 공급한다. 파워 칩(22, 24)은, 게이트 신호에 따라 스위칭 동작을 한다. 게이트 구동IC(28)는 HVIC, 게이트 구동IC(30)는 LVIC 등으로도 불리고, 파워 스위칭소자를 위한 공지의 게이트 구동회로를 사용할 수 있다. (중앙 및 우측의 각 쌍의 파워 칩의 게이트에 접속되는 게이트 구동IC(28, 30)에 대해서는, 마찬가지로 접속되므로, 도면에 나타내는 것을 생략하고 있다.) 또, 직류전원으로부터의 직류의 저레벨측과 하측 암과의 사이에 전류검출 저항(16)이 배치되고, 하측 암을 흐르는 과전류를 전압강하에 의해 검출한다. (또, 게이트 구동IC(28, 30)는 보다 일반적으로는, 전류검출 저항(16)에서의 강하 전압을 기초로 한 과전류보호 기능도 포함하는 제어회로이지만, 과전류보호 기능의 설명을 생략한다.) 마이컴(20), 각 게이트 구동IC(28, 30) 및 전류검출 저항(16)의 브리지(12)측은 공통으로 접지되어 있다. 또한, 파워 모듈(10)의 외부의 제어 전원회로(34)로부터, 게이트 구동IC(28, 30)에는, 예를 들면 15V의 전원전압이 공급되고, 마이컴(20)에는, 예를 들면 5V의 전원전압이 공급된다. 또, 도 1의 예에서는, 3상 교류를 정류해서 파워 모듈(10)에 공급하고 있지만, 2상 교류를 정류해서 공급해도 된다.
여기에서, 하측 암용의 게이트 구동IC(30)의 전원 단자는, 고내압 다이오드(32)를 거쳐서 게이트 구동IC(30)의 제어 전원(34)에 접속된다. 게이트 구동IC(30)와 제어 전원(34)과의 사이에 순방향으로 접속된 고내압 다이오드(32)를 설치하는 이유는 이하와 같다. 하측 암의 파워 칩(24)의 턴오프 시에 플라이휠 다이 오드(26)의 역회복 시에 발생하는 가파르고 험준한 전류변화에 의해 하측 암의 파워 칩(24)이 에미터 오픈 파괴했을 경우, 전류검출 저항(16)이 오픈이 되었을 경우 등에 있어서, 파워 모듈 내의 배선에 서지 전압과 서지 전류가 발생한다. 이 서지 전압과 서지 전류 때문에, 파워 칩(24)을 구동하는 게이트 구동IC(30)에 고전압이 인가되고, 또한 게이트 구동IC(30)의 제어 전원회로(34)나 마이컴(20)측에도 고전압이 인가되어서, 제어 전원회로(34)나 마이컴(20)이 파괴되는 일이 있다. 거기에서, 이것을 방지하기 위해서, 게이트 구동IC(30)와 그 제어 전원 라인의 사이에, 제어 전원회로(34)를 향해서 전류가 흐르지 않도록 고내압 다이오드(32)를 삽입하여, 제어 전원회로(34)나 마이컴(20)의 파괴를 방지한다. 고내압의 다이오드(32)를 삽입하므로, 파워 모듈 배선 내에 발생하는 서지 전압과 서지 전류를 막아, 접속되는 주변기기에의 영향을 감소할 수 있다.
이와 같이, 다이오드(32)는, 직류전원으로부터 입력되는 고전압이 구동IC(30)의 제어 전원회로(34)나 마이컴(20)측에 인가되는 것을 방지하기 위해서 사용하므로, 다이오드(32)의 내압은 파워 모듈의 입력측에 접속되는 직류전원이 인가하는 전압보다 크게 설정된다. 따라서, 예를 들면 평활 콘덴서(14)의 내압과 같은 정도, 예를 들면 600V로 설정된다. 또, 이 내압의 고려 방식은, 이하에 설명되는 그 밖의 실시예에서도 동일하다.
이상의 기재에 있어서는, 하측 암의 구성(파워 칩(24), 게이트 구동IC(30))에 관련되어서 설명을 행했지만, 상측 암의 파워 칩(22)에 관해서도 마찬가지로 주변회로의 파괴를 일으키는 것이 있다. 즉, 파워 모듈 내의 배선에 서지 전압과 서 지 전류가 발생함으로써 파워 칩(22)을 구동하는 게이트 구동IC(28)에도 고전압이 인가될 경우가 있다. 그러나, 상측 암용의 게이트 구동IC(28)는, 그 구성상, 고내압회로부를 내부에 구비하고 있기 때문에, 하측 암용의 게이트 구동IC(30)에 비교하여, 제어 전원 회로(34)나 마이컴(20)측 등의 주변기기에 고전압이 인가되기 어렵게 되어 있다고 할 수 있다. 단, 파워 모듈(10)에 접속되는 주변기기에의 영향을 거의 전무한 것으로 하기 위해서는, 게이트 구동IC(30)와 마찬가지로, 게이트 구동IC(28)의 전원단자도, 고내압 다이오드(32)를 거쳐서 제어 전원회로(34)에 접속되도록 하여, 제어 전원회로(34)를 향해서는 전류가 흐르지 않도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 그 경우, 게이트 구동IC(28과 30)의 전원단자 각각에 고내압 다이오드(32)를 접속할 필요는 없다. 게이트 구동IC(28과 30)의 전원단자로부터의 배선을 서로 접속함으로써 전원단자를 공유화하고, 이 공유화된 전원단자와 제어 전원회로(34)의 사이에 고내압 다이오드(32)를 구비해도 된다(도 5 참조). 또한, 고내압 다이오드(32)는, 파워 모듈의 내부와 외부 중 어디에 설치해도 된다.
실시예2
도 2는 제2실시예의 3상 모터 구동회로를 나타낸다. 이 3상 모터 구동회로에 있어서, 도 1에 나타내는 회로와 다른 것은, 게이트 구동IC(30)와 그 제어 전원회로(34)와의 사이에 고내압의 다이오드(32)를 삽입하는 대신에, 마이컴(20)으로부터 구동IC(30)로의 제어신호 입력 라인에, 고내압의 다이오드(36)를 삽입하는 것이다. 구동IC(30)의 입력 신호에 대하여 순방향으로 접속된 다이오드(36)를 설치함 으로써, 마이컴(20)쪽에 전류가 흐르지 않게 되므로, 파워 모듈 배선 내에 발생하는 서지 전압과 서지 전류가 마이컴(20)측에 들어가는 것을 막고, 마이컴(20)이나, 게이트 구동IC(30)의 제어 전원회로의 파괴를 방지한다.
또한, 마이컴(20)으로부터 게이트 구동IC(30)로의 제어신호 입력 라인측뿐만아니라, 게이트 구동IC(28)로의 제어신호 입력 라인측에도, 마찬가지로 고내압의 다이오드(36)를 삽입하는 것이 바람직하다(도 5 참조). 이것에 의해 파워 모듈(10) 내에 발생하는 서지 전압과 서지 전류에 의한 주변기기에의 영향(제어 전원회로나 마이컴의 파괴)을 거의 전무한 것으로 할 수 있다. 또, 고내압 다이오드(36)는, 파워 모듈(10)의 내부와 외부 중 어디에 설치해도 된다.
또, 본 발명의 각 실시예에 있어서의 게이트 구동IC(28, 30)의 제어신호 입력 라인은, 그 IC내부에서 저항을 거쳐서 접지(pull-down)되어 있는 것으로 하지만, 본 발명은 반드시 이것에 한정되는 것이 아니다.
실시예3
도 3은 제3실시예의 3상 모터 구동회로를 나타낸다. 도 1에 나타내는 회로와 다른 것은, 포토커플러(38)를 이용하여, 마이컴(20)측과 파워 칩(22, 24)을 직류적으로 절연하는 것이다. 마이컴(20)의 신호는, 포토커플러(38)의 발광소자(40:다이오드)측에 접속되고, 포토커플러(38)의 수광소자(44:다이오드)는, 제어 전원회로(34)와 트랜지스터(42)의 베이스와의 사이에 역접속되고, 트랜지스터(42)의 콜렉터는 게이트 구동IC(30)와 풀업저항(45:pull-up resistor)에 접속된다. 트랜지스터(42)의 에미터는 파워 모듈(10)과 공통으로 접지된다. 도 1에 나타내는 회로와 다르고, 게이트 구동IC(30)와 그 제어 전원회로(34)와의 사이에 고내압의 다이오드(32)를 삽입하지 않고 있다.
이 3상 모터 구동회로에 있어서, 하측 암의 파워 칩(24)이 에미터 오픈 파괴했을 경우 또는, 전류검출 저항(16)이 오픈이 되었을 경우, 파워 칩(24)을 구동하는 게이트 구동IC(30)에 고전압이 인가되고, 포토커플러(38)에도 마찬가지로 고전압이 인가되어서, 포토커플러(38)가 파괴되는 것이다. 이것을 억제하기 위해서, 포토커플러(38)의 입력 신호 라인쪽에 전류가 흐르지 않도록 고내압의 다이오드(46)를 삽입한다. 게이트 구동IC(30)와 포토커플러(38)의 출력 단자와의 사이에 순방향으로 접속된 다이오드(46)를 설치함으로써, 포토커플러(38)쪽에 전류가 흐르지 않게 되어, 포토커플러(38)의 파괴를 방지할 수 있다.
또한, 게이트 구동IC(30)와 포토커플러(38)의 출력 단자와의 사이에서만 아니라, 게이트 구동IC(28)와 포토커플러(38)의 출력 단자의 사이에도, 마찬가지로 고내압의 다이오드(46)를 삽입하는 것이 바람직하다. 이것에 의해 파워 모듈(10) 내에 발생하는 서지 전압과 서지 전류에 의한 주변기기에의 영향(포토커플러의 파괴 등)을 거의 전무한 것으로 할 수 있다.
실시예4
도 4에 나타내는 3상 모터 구동회로에 있어서는, 도 3에 나타내는 회로 와 마찬가지로 포토커플러(38)의 입력 신호 라인에 고내압의 다이오드(46)를 삽입해서 포토커플러(38)의 파괴를 방지하는 동시에, 또한 콘덴서(48)와 저항(50)을, 다이오드(46)와 게이트 구동IC(30)의 사이와 그라운드와의 사이에 병렬로 접속한다. 콘덴서(48)는 입력 필터를 구성한다.
게이트 구동IC(30)의 신호입력측에 콘덴서(48)를 삽입함으로써 포토커플러(38)의 수광측 트랜지스터가 L레벨이 되었을 경우, 다이오드(46)가 있기 때문에, 콘덴서(48)의 방전이, 게이트 구동IC(30) 내의 비교적 높은 값을 가지는 풀다운 저항을 거쳐서 행해지는 것으로 되고, 게이트 구동IC(30)의 입력 신호가 L레벨이 될 때까지는 응답의 지연이 생긴다. 거기에서, 콘덴서(48)와 병렬로 저항(50)을 삽입함으로써 지연시간을 짧게 한다. 콘덴서(48)와 저항(50)에 의한 응답의 시정수는 원하는 응답시간에 대응해서 결정하면 된다.
실시예5
그 밖의 실시예로서, 실시예1과, 실시예2 내지 4 중 어느 하나를 조합하는 것은 유효하고, 이것들 조합된 회로를 사용함으로써, 파워 모듈(10) 내에 발생하는 서지 전압과 서지 전류에 의한 주변회로에의 영향을 전무한 것으로 할 수 있다.
예를 들면, 도 5에 실시예1과 2를 조합해서 이루어지는 3상 모터 구동회로를 나타낸다. 이 회로에서는, 전원제어회로(34)와의 사이의 고내압 다이오드(32)나 입력 신호에 대하여 접속되는 고내압 다이오드(36)를 사용하고 있다. 또, 이 도면에서는, 고내압 다이오드(32, 36)를, 도 1과 도 2에서 나타낸 구동회로처럼 하측 암용의 게이트 구동IC(30)에만 적응시켜서 설치하도록 한 것이 아니라, 상측 암용의 게이트 구동IC(28)에도 적응시켜서 설치한 것이 되며, 상세한 것은 각 실시예에서 설명하고 있는 바와 같다. 여기에서, 하나의 고내압 다이오드(32)를, 저전압측 구동회로(30)와 고전압측 구동회로(28)의 양쪽에 공통으로 접속하고 있다. 또한, 도면에는 나타내지 않았지만, 예를 들면 실시예1과 3을 조합하여, 도 3에 나타낸 포토커플러를 사용하는 3상 모터 구동회로에 있어서, 고내압 다이오드(32)에 더해서 고내압 다이오드(46)를 조합해도 된다.
또, 상기의 각 실시예에서는 주로 파워 모듈에 관하여 설명했지만, 파워 모듈에 포함되는 회로소자와 직류전원(12, 14)을 일체화한 반도체전류장치를 제공해도 된다. 이에 따라 배선이 용이해서, 응용 장치의 조립이 용이해지는 등의 특징이 있다.
이상과 같이 본 발명에 의하면, 전력용 반도체장치가 내부에서 발생하는 서지 전압과 서지 전류를 억제해서 주변기기에 전달하지 않으므로, 전력용 반도체장치의 주변회로나, 거기에 접속되는 외부회로의 파괴를 방지할 수 있다.

Claims (12)

  1. 고압측 전력용 스위칭 반도체소자와 저압측 전력용 스위칭 반도체소자와의 직렬 회로로 구성되어, 해당 직렬 회로의 양단에 직류전압원이 접속 가능하면서, 상기 고압측 전력용 스위칭 반도체소자와 저압측 전력용 스위칭 반도체소자와의 접속점으로부터 출력전압이 공급가능한 전력용 스위칭 반도체소자;
    상기 고압측 전력용 스위칭 반도체소자와 저압측 전력용 스위칭 반도체소자 각각에 역병렬된 플라이휠 다이오드;
    상기 고압측 전력용 스위칭 반도체소자의 게이트에 접속된 고압측 구동회로;
    상기 저압측 전력용 스위칭 반도체소자의 게이트에 접속된 저압측 구동회로;
    상기 저압측 구동회로 및 상기 고압측 구동회로 중 적어도 하나의 구동회로를 위한 제어신호를 제공하는 포토커플러;
    상기 제어신호를 입력받는 단자로서 상기 저압측 구동회로 및 상기 고압측 구동회로 중 적어도 하나의 구동회로의 입력 단자와 상기 포토커플러의 사이에 접속되는 제2다이오드; 및
    상기 제2다이오드와 상기 입력 단자와의 사이의 접속점으로부터 병렬로 접속하는 콘덴서 및 저항을 구비하며,
    상기 제2다이오드는 전류가 상기 입력 단자로부터 상기 제2다이오드를 지나서 흐르지 않도록 순방향으로 접속되는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 저압측 구동회로에 전원전압을 공급하는 제어 전원회로; 및
    상기 저압측 구동회로 및 상기 고압측 구동회로 중 적어도 하나의 구동회로의 전원단자와 상기 제어 전원회로와의 사이에 접속되는 제3다이오드를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2다이오드의 내압은, 상기 고압측 전력용 스위칭 반도체소자와 상기 저압측 전력용 스위칭 반도체소자와의 직렬 회로에 입력되는 직류전압보다 크게 설정되는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 저압측 구동회로 및 상기 고압측 구동회로 중 적어도 하나의 구동회로가 상기 저압측 구동회로인 것을 특징으로 하는 전력용 반도체장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 저압측 구동회로 및 상기 고압측 구동회로 중 적어도 하나의 구동회로가 상기 저압측 구동회로 및 상기 고압측 구동회로인 것을 특징으로 하는 전력용 반도체장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 직류전압원의 저레벨측과 상기 저압측 전력용 스위칭 반도체소자와의 사이에 접속되는 전류검출 저항을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 고압측 전력용 스위칭 반도체소자와 저압측 전력용 스위칭 반도체소자는, 파워MOSFET 또는 IGBT인 것을 특징으로 하는 전력용 반도체장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 전력용 반도체장치는, 3상의 전력반도체장치이며, 3조의 상기 전력용 스위칭 반도체소자, 상기 고압측 구동회로 및 상기 저압측 구동회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 고압측 전력용 스위칭 반도체소자와 상기 저압측 전력용 스위칭 반도체소자와의 직렬 회로에 접속되는 상기 직류전원을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체장치.
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