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Die
Erfindung bezieht sich auf eine Leistungshalbleitervorrichtung,
und insbesondere auf das Unterdrücken
eines Strom- oder
Spannungsstoßes, der
in der Leistungshalbleitervorrichtung auftritt.
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Leistungshalbleitervorrichtungen,
die Leistungshalbleiter enthalten, sind weit benutzt. Ein Leistungsmodul
ist ein Paket oder Gehäuse,
das darin eine Mehrzahl von Leistungshalbleiterelementen wie Metalloxidhalbleiterfeldeffekttransistoren
(MOSFET) oder bipolare Transistoren mit isoliertem Gate (IGBT) mit
Peripherschaltungen dafür
enthalten. Ihre Vorteile sind ihre kompakte Größe aufgrund der Integration und
die leichte Verdrahtung. Somit werden Leistungsmodule für viele
Zwecke benutzt.
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Für eine Leistungshalbleitervorrichtung
ist es notwendig, einen schlechten Einfluß aufgrund von Strom- oder
Spannungsstoß zu
vermeiden. Zum Beispiel enthält
ein Treiber für
Leistungshalbleiterelemente in einer Inverterschaltung, die in der
JP 7-297695/1995 A offenbart ist, eine Schutzschaltung zum Verhindern
von Überhitzung.
Solch eine Schutzschaltung kann eine Fehlfunktion aufgrund einer scharfen
Stromänderung
in einer Sperrverzögerung einer
Freilaufdiode aufweisen, die für
das Leistungshalbleiterelement vorgesehen ist. Dann verbindet eine
Steuerung zum Verhindern solch einer Fehlfunktion, die einen gemeinsamen
Ausgangsanschluß zum
Senden eines Alarmes oder einer Warnung aufweist, wenn ein Stoßstrom oder
ein Kurzschlußstrom auftritt,
eine Schottky-Diode zwischen einem gemeinsamen Ausgangsanschluß einer
Steuerung für
einen unteren Arm und einen Leistungsquellenanschluß, so daß ein Strom,
der in einer Rückwärtsrichtung fließt, in einer
Leiterplatte der Steuerung verhindert werden kann. Alternativ wird
ein Kondensator zwischen dem gemeinsamen Ausgangsanschluß der Steuerungsschaltung
und den Masseanschluß geschaltet
zum Verhindern von Fluktuationen der Referenzspannung in der Leiterplatte
der Steuerung.
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Wenn
eine Leistungshalbleitervorrichtung benutzt wird, kann eine Peripherschaltung
wie ein Gatetreiber oder ein Fotokoppler oder ein externer Signalgenerator
wie ein Mikroprozessor zum Liefern eines Steuersignales an einen
Gatetreiber aufgrund eines Stromstoßes oder eines Spannungsstoßes zerstört werden,
die in der Leistungshalbleitervorrichtung erzeugt sind. Der oben
erwähnte
Inverter kann jedoch nicht zum Beispiel die Stoßspannung oder den Stoßstrom blockieren
oder den schlechten Einfluß auf
eine Vorrichtung verhindern, die mit der Leistungshalbleitervorrichtung
verbunden ist. Dann kann eine Stoßspannung in der Inverterschaltung
angelegt sein, oder ein Stoßstrom
in der Inverterschaltung kann zu einer Periphervorrichtung fließen, und
in solch einem Fall kann die Peripher vorrichtung zerstört werden
oder ein elektrischer Verlust vergrößert werden.
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Es
ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Leistungshalbleitervorrichtung
vorzusehen, die ein Versagen einer Peripherieschaltung oder einer
externen Schaltung aufgrund eines Strom- oder Spannungsstoßes unterdrücken kann, der in der Leistungshalbleitervorrichtung
erzeugt ist.
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Gemäß einem
Aspekt der Erfindung ist eine erfindungsgemäße Leistungshalbleitervorrichtung
in Anspruch 1 definiert. Die Halbleitervorrichtung weist ein erstes
leistungsschaltendes Halbleiterelement an einer Hochspannungsseite
und ein zweites leistungsschaltendes Halbleiterelement an einer
Niederspannungsseite auf, die in Reihe geschaltet sind. Freilaufdioden
sind antiparallel zu dem ersten und dem zweiten leistungsschaltenden
Halbleiterelement geschaltet. Zwei Enden der schaltenden Halbleiterelemente, die
in Reihe geschaltet sind, sind mit einer externen Gleichstromquelle
verbindbar, und ein Verbindungspunkt zwischen dem ersten und dem
zweiten leistungsschaltenden Halbleiterelement kann eine Ausgangsspannung
liefern. Die Vorrichtung weist weiter eine erste Treiberschaltung,
die mit einem Gate des ersten leistungsschaltenden Halbleiterelements
verbunden ist, und eine zweite Treiberschaltung, die mit einem Gate
des zweiten leistungsschaltenden Halbleiterelements verbunden ist,
auf. Weiter ist eine zweite Diode mit einer Leitung verbunden, die
mit einem Anschluß von
mindestens einem der ersten und der zweiten Treiberschaltung in
Vorwärtsrichtung derart
zu verbinden ist, daß ein
Strom nicht in der Leitung von dem Anschluß durch die zweite Diode fließt.
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Gemäß einer
Ausgestaltung weist die Vorrichtung eine gesteuerte Leistungsquelle
für die
erste und die zweite Treiberschaltung auf. Die zweite Diode ist
zwischen die Leistungsquelle und einen Anschluß geschaltet, der ein Leistungsquellenanschluß von mindestens
der ersten und der zweiten Treiberschaltung ist.
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Gemäß einer
anderen Ausgestaltung ist der Anschluß ein Eingangsanschluß zum Empfangen
eines Steuersignales für
die mindestens eine erste und zweite Treiberschaltung. Die zweite
Diode ist zwischen den Eingangsanschluß und eine Vorrichtung zum
Liefern des Steuersignales geschaltet.
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In
einer weiteren Ausgestaltung weist die Vorrichtung einen Fotokoppler
zum Liefern eines Steuersignales für die mindestens eine der ersten und
der zweiten Treiberschaltung auf. Der Anschluß ist ein Eingangsanschluß zum Empfangen
des Steuersignales von dem Fotokoppler, und die zweite Diode ist
zwischen den Anschluß und
den Fotokoppler geschaltet.
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Ein
Vorteil der Erfindung ist es, daß ein Versagen einer Peripherieschaltung
oder einer externen Schaltung, die für eine Leistungshalbleitervorrichtung benutzt
wird, verhindert werden kann, da eine Stoßspannung oder ein Stoßstrom,
die in der Leistungshalbleitervorrichtung erzeugt werden, unterdrückt werden
und nicht zu der externen Schaltung übertragen werden.
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Weitere
Merkmale und Zweckmäßigkeiten der
Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen
in Verbindung mit den Figuren. von den Figuren zeigen:
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1 eine
Treiberschaltung gemäß einer ersten
Ausführungsform
der Erfindung;
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2 eine
Treiberschaltung gemäß einer zweiten
Ausführungsform
der Erfindung;
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3 eine
Treiberschaltung gemäß einer dritten
Ausführungsform
der Erfindung;
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4 eine
Treiberschaltung gemäß einer vierten
Ausführungsform
der Erfindung; und
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5 eine
Treiberschaltung, die durch Kombinieren der ersten und der zweiten
Ausführungsform erhalten
ist.
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Bezug
genommen wird nun auf die Zeichnungen, in denen gleiche Bezugszeichen
gleiche oder entsprechende Teile durch verschiedene Ansichten bezeichnen. 1 zeigt
eine Dreiphasenmotortreiberschaltung gemäß einer ersten Ausführungsform
der Erfindung, worin ein Leistungsmodul 10, das leistungsschaltende
Halbleiterelemente (hier im folgenden als Leistungschip bezeichnet) 22, 24 enthält, mit
einer Gleichstromquelle verbunden ist, die eine Gleichspannung an
die Leistungschips 22, 24 liefert. Die Gleichstromquelle
enthält
eine Diodenbrückengleichrichterschaltung 12 und
einen Glättungskondensator 14.
Ein Mikroprozessor 20, ein digitaler Signalprozessor (DSP)
oder ähnliches
als ein externer Signalgenerator liefert Steuersignale für die Leistungschips 22, 24,
und das Leistungsmodul 10 erzeugt einen Dreiphasenwechselstrom
gemäß den Steuersignalen
zum Treiben eines Motors 18 als ein Beispiel einer induktiven
Last.
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In
dem Leistungsmodul 10 sind drei Paare von Leistungschips 22 und 24,
die in Reihe geschaltet sind, zwischen der Seite des oberen und
des unteren Pegels des Glättungskondensators 14 geschaltet.
Die Leistungschips 22, 24 sind zum Beispiel Leistungs-MOSFETs
oder IGBTs. Eine Freilaufdiode 26 ist antiparallel zu jedem
der Chips 22, 24 geschaltet. Ein höherer Arm,
der mit der Hochspannungsseite der Gleichstromversorgungsspannung
zu verbinden ist, ist durch drei Leistungschips 22 und
die Freilaufdioden 26 dafür aufgebaut, während ein
unterer Arm, der mit der Niederspannungsseite der Gleichstromversorgungsspannung
zu verbinden ist, durch drei Leistungschips 24 und die
Freilaufdioden 26 dafür aufgebaut
ist. Verbindungspunkte zwischen den Leistungschips 22, 24 dienen
als Ausgangsanschlüsse
U, V oder W für
den Dreiphasenmotor 18. Eine Gatetreiberschaltung ist für das Gate
eines jeden der Leistungschips 22, 24 vorgesehen,
und der Mikroprozessor 20 liefert ein Steuersignal an jede
Gatetreiberschaltung. Die Gatetreiberschaltung kann auch als eine
Treiberschaltung bezeichnet werden, und sie ist in dieser Ausführungsform
eine integrierte Gatetreiberschaltung (IC) 28, 30.
Ein Gatetreiber-IC 28 ist auch als HVIC bezeichnet, während ein
Gatetreiber-IC 30 auch als LVIC bezeichnet wird. (Die Gatetreiber-ICs 28, 30 sind
auch mit den Gates der Leistungschips 22, 24 in
dem zentralen und rechten Paar ähnlich
zu dem in 1 gezeigten linken Paar verbunden,
aber sie sind nicht explizit zur Kürze der Darstellung in 1 gezeigt.)
Der Mikroprozessor 20 liefert die Steuersignale an die
Gatetreiber-ICs 28, 30, die wiederum Gatesignale
auf der Grundlage der Steuersignale an die Gates der Leistungschips 22, 24 liefert,
und die Leistungschips 22, 24 führen Schalttätigkeiten
gemäß der Gatesignale
aus. Eine bekannte Gatetreiberschaltung kann als der Gatetreiber-IC 28, 30 benutzt
werden. Weiter ist ein Widerstand 16 zwischen dem unteren
Arm und der Seite des unteren Pegels der Gleichstromquelle vorgesehen
zum Erfassen eines Stromes, und der Spannungsabfall über dem
Widerstand 16 wird bestimmt zum Erfassen des Stoßstromes,
der in dem unteren Arm fließt.
(Im allgemeinen enthalten die Gatetreiber-ICs 28, 30 eine Funktion
zum Schützen
gegen den Überstrom
auf der Grundlage des Spannungsabfalles an dem Widerstand 16,
aber die Erläuterung
dafür wird
hier weggelassen.) Der Mikroprozessor 20, die Gatetreiber-ICs 28, 30 und
der Widerstand auf der Seite der Brücke 12 sind gemeinsam
mit der Masse verbunden. Weiter ist eine gesteuerte Leistungsquelle 34 außerhalb
des Leistungsmoduls 10 zum Liefern von zum Beispiel 15
V einer Versorgungsspannung an die Gatetreiber-ICs 28, 30 und
zum Beispiel 5 V einer Versorgungsspannung an den Mikroprozessor 20 vorgesehen.
Das in 1 gezeigte Leistungsmodul beschäftigt sich
mit einem Dreiphasenwechselstrom, aber für den Fachmann ist es ersichtlich,
daß ein Leistungsmodul
für einen
Zweiphasenwechselstrom ähnlich
aufgebaut sein kann, indem nur ein Paar der Leistungschips 22, 24 benutzt
wird.
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Jeder
Gatetreiber-IC (LVIC) 30 in dem unteren Arm ist über eine
Diode 32 der hohen Durchbruchsspannung mit der gesteuerten
Leistungsquelle 34 für
den Gatetreiber-IC 30 verbunden. Das heißt, die
Diode 32 ist zwischen einen Leistungsquellenanschluß eines
jeden Gatetreiber-ICs 30 und der gesteuerten Leistungsquelle 34 in
der Vorwärtsrichtung so
geschaltet, daß ein
Strom nicht durch die Diode 32 zu der gesteuerten Leistungsquelle 34 fließt. Der Grund
zum Benutzen der Dioden 32 ist wie folgt. Wenn die Leistungschips 24 in
dem unteren Arm ausgeschaltet werden, tritt eine schnelle Stromänderung durch
die Freilaufdioden 26 zur Rückwärtsgewinnung auf. Wenn zum
Beispiel einer der Leistungschips 24 durch den Strom zum Öffnen des
Emitters zerstört wird
oder wenn der Widerstand 16 zum Erfassen des Stromes offen
ist, treten eine Stoßspannung
und ein Stoßstrom
in der Schaltung des Leistungsmoduls auf. Dann wird eine hohe Spannung
an den Gatetreiber-IC 30 angelegt, der den Leistungschip 24 treibt, und
eine hohe Spannung wird auch an die gesteuerte Leistungsquelle 34 für den Gatetreiber-IC 30 oder den
Mikroprozessor 20 angelegt. Dieses kann die gesteuerte
Leistungsquelle 34 für
die Gatetreiber-ICs 30 oder den Mikroprozessor 20 zerstören. Damit
dieses Versagen verhindert wird, sind die Dioden 32 der hohen
Durchbruchsspannung zwischen die Gatetreiber-ICs 30 und
ihre Leistungsquelle 34 eingefügt. Wegen des Einfügens der
Dioden 32 hoher Durchbruchsspannung sind die Stoßspannung
und der Stoßstrom,
die in der Schaltung des Leistungsmoduls 10 auftreten,
blockiert, so daß der
schlechte Einfluß der
Stoßspannung
und des Stoßstromes
auf die periphere Vorrichtung verringert werden kann.
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Wie
oben erläutert
wurde, da die Dioden 32 zum Verhindern benutzt werden,
daß eine
hohe Spannung von der Gleichstromquelle an die gesteuerte Leistungsquelle 34 für die Gatetreiber-ICs 30 oder
für den
Mikroprozessor 20 angelegt wird, sollte die hohe Durchbruchsspannung
der Dioden 32 größer als
die Spannung gesetzt werden, die an die Gleichstromquelle angelegt
wird, die mit der Eingangsseite des Leistungsmoduls 10 verbunden
ist. Zum Beispiel wird sie auf die gleiche wie die Durchbruchsspannung
des Glättungskondensators 14 gesetzt,
etwa 60 V. Dieses Konzept der hohen Durchbruchsspannung ist für die später erläuterten
Ausführungsformen
gemeinsam.
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Der
Aufbau des unteren Armes, der den Leistungschip 24 und
die Gatetreiber-ICs 30 enthält, wird oben zum Unterdrücken des
Stoßes
erläutert, aber
die Leistungschips 22 in dem höheren Arm können ebenfalls eine periphere
Schaltung der Treiberschaltung wie die gesteuerte Leistungsquelle 34 oder den
Mikroprozessor 20 beschädigen.
Das heißt,
es kann passieren, daß eine
hohe Spannung aufgrund eines Spannungsstoßes oder eines Stromstoßes, die in
dem Leistungsmodul 10 erzeugt werden, an den Gatetreiber-IC
(HVIC) 28 angelegt wird. Da andererseits die Gatetreiber-ICs 28 in
dem höheren
Arm eine interne höhere
Widerstandsspannungsschaltung aufweisen, sind sie widerstandsfähiger als
ihre Gegenstücke
in dem unteren Arm, wenn eine hohe Spannung angelegt wird. Um jedoch
den Einfluß auf
eine periphere Schaltung im wesentlichen vollständig zu verhindern, die mit
dem Leistungsmodul 10 verbunden ist, ist es wünschenswert,
den Leistungsquellenanschluß eines
jeden Gatetreiber-ICs 28 in dem höheren Arm mit der gesteuerten
Leistungsquelle 34 über
eine Diode 32 einer hohen Durchbruchsspannung ähnlich zu
den Gatetreiber-ICs 30 in dem unteren Arm zu verbinden.
Somit fließt
ein Strom nicht zu der gesteuerten Leistungsquelle 34.
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Weiter
ist es in diesem Fall nicht notwendig, die Diode 32 hoher
Durchbruchsspannung für
jeden individuellen Leistungsquellenanschluß der Gatetreiber-ICs 28 und 30 zu
benutzen. Zum Beispiel sind die Leistungsquellenanschlüsse der
Gatetreiber-ICs 28 und 30 miteinander
verbunden, und sie sind mit einer gemeinsamen Diode 32 verbunden,
die weiter mit der gesteuerten Leistungsquelle 34 zu verbinden
ist (siehe 5). Weiter kann die Diode 32 an
entweder der Innenseite oder der Außenseite des Leistungsmoduls 10 vorgesehen
sein.
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2 zeigt
eine andere Dreiphasenmotortreiberschaltung gemäß einer zweiten Ausführungsform
der Erfindung. Diese Treiberschaltung unterscheidet sich von der
in 1 gezeigten darin, daß eine Diode 36 einer
hohen Durchbruchsspannung in einer Leitung zum Eingeben eines Steuersignales von
dem Mikroprozessor 20 zu einem Eingangsanschluß eines
jeden Gatetreiber-ICs 30 eingefügt ist, anstelle der in 1 gezeigten
Diode 32, die zwischen jedem Gatetreiber-IC 30 und
der gesteuerten Leistungsquelle 34 vorgesehen ist. Die
Diode 36 ist in Vorwärtsrichtung
so geschaltet, daß ein
Strom nicht durch die Diode 36 zu dem Mikroprozessor 20 fließt. Somit
sind die Stoßspannung
und der Stoßstrom
in der Schaltung des Leistungsmoduls 10 blockiert, und das
Versagen des Mikroprozessors 20 oder der gesteuerten Leistungsquelle 34 der
Gatetreiber-ICs 30 kann verhindert werden.
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Weiter
ist es wünschenswert,
Dioden 36 hoher Durchbruchsspannung nicht nur für die Leitungen zum
Eingeben von Steuersignalen von dem Mikroprozessor 20 an
die Gatetreiber-ICs (LVIC) 30 in dem unteren Arm einzufügen, sondern
auch für
Leitungen zum Eingeben von Steuersignalen von dem Mikroprozessor 20 zu
den Gatetreiber-ICs (HVIC) 28 in dem höheren Arm (siehe 5).
Dann kann der Einfluß der
Stoßspannung
und des Stoßstromes
in dem Leistungsmodul 10 auf eine periphere Schaltung wie die
ge steuerte Leistungsquelle 34 oder der Mikroprozessor 20 praktisch
vollständig
verhindert werden. Weiter können
die Dioden 36 entweder auf der Innenseite oder der Außenseite
des Leistungsmoduls 10 vorgesehen sein.
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Bei
der ersten und zweiten Ausführungsform der
Erfindung ist eine Leitung zum Eingeben des Steuersignales für jeden
Gatetreiber-IC 28, 30 über einen Widerstand mit der
Masse verbunden (oder heruntergezogen/pull-downed) innerhalb der
IC selbst. Die Erfindung ist jedoch nicht auf Pull-down-Eingangssignalleitungen
begrenzt.
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3 zeigt
eine andere Dreiphasenmotortreiberschaltung gemäß einer dritten Ausführungsform
der Erfindung. Diese Treiberschaltung unterscheidet sich von der
in 1 gezeigten darin, daß Fotokoppler 38 zum
Isolieren des Mikroprozessors 20 elektrisch von den Leistungschips 22, 24 benutzt werden.
Eine Ausgangsleitung von dem Mikroprozessor 20 ist mit
einem lichtemittierenden Element (Diode) 40 in dem Fotokoppler 38 verbunden,
während
ein lichtempfangendes Element (Diode) 44 darin in der Rückwärtsrichtung
zwischen die gesteuerte Leistungsquelle 34 und einer Basis
eines Transistors 42 geschaltet ist. Der Kollektor des
Transistors 42 ist mit dem Gatetreiber-IC 30 und
einem Hochziehwiderstand/Pull-up-Widerstand 45 verbunden,
der zwischen den Kollektor des Transistors 42 und die gesteuerte
Leistungsquelle 34 geschaltet ist. Der Emitter des Transistors 42 ist
mit der Masse für
das Leistungsmodul 10 verbunden. Im Gegensatz zu der in 1 gezeigten
Treiberschaltung sind die Dioden 32 hoher Durchbruchsspannung
zwischen der gesteuerten Leistungsquelle 34 davon und dem
Gatetreiber-IC 30 nicht benutzt.
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In
der Gatetreiberschaltung wird zum Beispiel, wenn einer der Leistungschips 24 in
dem unteren Arm zerstört
ist zum Öffnen
des Emitters oder wenn der Widerstand 16 zum Erfassen des Stromes geöffnet ist,
eine hohe Spannung an den Gatetreiber-IC 30 und an den
Fotokoppler 38 angelegt, und dieses kann den Fotokoppler 38 zerstören. Zum
Verhindern dieses Versagens ist eine Diode 46 hoher Durchbruchsspannung
zwischen einen Eingangsanschluß des
Gatetreiber-ICs 30 und den Fotokoppler 38 so eingefügt, daß sie einem
Strom nicht ermöglicht,
von jedem Gatetreiber-IC 30 über die Eingangssignalleitung
zu einem Ausgangsanschluß des
Fotokopplers 38 zu fließen. Somit fließt kein
Strom zu dem Fotokoppler 38, und das Versagen des Fotokopplers 38 kann
verhindert werden.
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Weiter
ist es wünschenswert,
eine Diode 46 hoher Durchbruchsspannung zwischen einem
Gatetreiber-IC 28 und einem Ausgangsanschluß eines Fotokopplers 38 für den höheren Arm
ebenfalls wie zwischen jedem Gatetreiber-IC 30 und dem
Ausgangsanschluß des
Fotokopplers 38 für
den niedrigeren Arm einzufügen.
Dann kann der Einfluß der Stoßspannung
und des Stoßstromes
in dem Leistungsmodul 10 wie eine Beschädigung des Fotokopplers 38 an
einer peripheren Schaltung wie der Fotokoppler 38 im wesentlichen
vollständig
verhindert werden.
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4 zeigt
eine weitere Dreiphasenmotortreiberschaltung gemäß einer vierten Ausführungsform
der Erfindung. In der Treiberschaltung sind die Dioden 46 hoher
Durchbruchsspannung zwischen dem Eingangsanschluß des Gatetreiber-ICs 30 und dem
Fotokoppler 38 eingefügt, ähnlich zu
der in 3 gezeigten Schaltung, zum Verhindern des Versagens
des Fotokopplers 38. Weiter sind ein Kondensator 48 und
ein Widerstand 50 parallel zwischen einer Leitung von einer
der Dioden 46 zu dem relevanten Gatetreiber-IC 30 und
der Masse geschaltet. Der Kondensator 48 ist als ein Eingangsfilter
tätig.
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Wenn
der Kondensator 48 an der Seite zum Empfangen eines Signales
eines jeden Gatetreiber-ICs 30 eingefügt ist, wenn der lichtempfangende Transistor
in dem Fotokoppler 38 auf dem L- Niveau ist, wird eine Antwort aufgrund
der Entladung der Kapazität über den
Pull-down-Widerstand mit einem relativ hohen Widerstandswert, der
in dem Gatetreiber-IC 30 vorgesehen ist, verzögert, bis
das Eingangssignal des Gatetreiber-ICs 30 den L-Pegel annimmt.
Der Widerstand 50 ist parallel zu dem Kondensator 48 zum
Verkürzen
der Verzögerungszeit vorgesehen.
Die Zeitkonstante aufgrund des Kondensators 48 und des
Widerstandes 50 können
gemäß einer
gewünschten
Antwortzeit bestimmt werden.
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Es
ist auch vorteilhaft, eine Kombination der ersten Ausführungsform
für den
Leistungsquellenanschluß mit
der zweiten oder dritten Ausführungsform für die Eingangsanschlüsse zu kombinieren.
In der Kombination kann der Einfluß der Stoßspannung und des Stoßstromes
in dem Leistungsmodul 10 auf eine periphere Schaltung im
wesentlichen vollständig
verhindert werden.
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Zum
Beispiel zeigt 5 eine Dreiphasenmotortreiberschaltung
als eine Kombination der ersten und der zweiten Ausführungsform.
Bei der Treiberschaltung ist eine gemeinsame Diode 32 hoher Durchbruchsspannung
zwischen einer gesteuerten Leistungsquelle 34 und den Gatetreiber-ICs 28, 30 vorgesehen.
Die Diode 32 ist nicht nur mit jedem Gatetreiber-IC 30 in
dem unteren Arm verbunden, wie in 1 und 2 gezeigt
ist, sondern auch mit jedem Gatetreiber-IC 28 in dem höheren Arm.
Weiter sind Dioden 36 hoher Durchbruchsspannung zwischen
dem Mikroprozessor 20 und den Gatetreiber-ICs 30 in
dem unteren Arm vorgesehen. Weiter sind ebenfalls Dioden 36 hoher
Durchbruchsspannung zwischen dem Mikroprozessor 20 und
den Gatetreiber-ICs 28 in
dem höheren
Arm vorgesehen. Die Einzelheiten der Funktionen davon sind bereits
in jeder Ausführungsform
erläutert
worden.
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Bei
den oben erwähnten
Ausführungsformen sind
die Leistungsmodule hauptsächlich
erläutert. Eine
Leistungshalbleitervorrichtung kann auch durch Integrieren der Schaltungselemente
hergestellt werden, die in einem der Leistungsmodule mit der Gleichstromquelle 12, 14 enthalten
sind. Wenn solch eine integrierte Leistungshalbleitervorrichtung
benutzt wird, wird die Verdrahtung davon einfacher, und ein Gerät, das die
integrierte Leistungshalbleitervorrichtung benutzt, kann leichter
zusammengesetzt werden.