KR100619227B1 - 단일칩 시모스(cmos) 송신기/수신기 및브이시오(vco) 믹서 구조 - Google Patents

단일칩 시모스(cmos) 송신기/수신기 및브이시오(vco) 믹서 구조 Download PDF

Info

Publication number
KR100619227B1
KR100619227B1 KR1020017001063A KR20017001063A KR100619227B1 KR 100619227 B1 KR100619227 B1 KR 100619227B1 KR 1020017001063 A KR1020017001063 A KR 1020017001063A KR 20017001063 A KR20017001063 A KR 20017001063A KR 100619227 B1 KR100619227 B1 KR 100619227B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
frequency
mixer
clock
carrier frequency
Prior art date
Application number
KR1020017001063A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010082016A (ko
Inventor
이경호
정동균
Original Assignee
지씨티 세미컨덕터 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US09/121,863 external-priority patent/US6194947B1/en
Priority claimed from US09/121,601 external-priority patent/US6335952B1/en
Application filed by 지씨티 세미컨덕터 인코포레이티드 filed Critical 지씨티 세미컨덕터 인코포레이티드
Publication of KR20010082016A publication Critical patent/KR20010082016A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100619227B1 publication Critical patent/KR100619227B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D7/00Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K9/00Demodulating pulses which have been modulated with a continuously-variable signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/16Networks for phase shifting
    • H03H11/22Networks for phase shifting providing two or more phase shifted output signals, e.g. n-phase output
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION, OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/099Details of the phase-locked loop concerning mainly the controlled oscillator of the loop
    • H03L7/0995Details of the phase-locked loop concerning mainly the controlled oscillator of the loop the oscillator comprising a ring oscillator
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION, OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/16Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/18Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop using a frequency divider or counter in the loop
    • H03L7/197Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop using a frequency divider or counter in the loop a time difference being used for locking the loop, the counter counting between numbers which are variable in time or the frequency divider dividing by a factor variable in time, e.g. for obtaining fractional frequency division
    • H03L7/1974Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop using a frequency divider or counter in the loop a time difference being used for locking the loop, the counter counting between numbers which are variable in time or the frequency divider dividing by a factor variable in time, e.g. for obtaining fractional frequency division for fractional frequency division
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • H04B1/403Circuits using the same oscillator for generating both the transmitter frequency and the receiver local oscillator frequency
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/04Frequency selective two-port networks
    • H03H2011/0494Complex filters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION, OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/085Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
    • H03L7/089Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal the phase or frequency detector generating up-down pulses
    • H03L7/0891Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal the phase or frequency detector generating up-down pulses the up-down pulses controlling source and sink current generators, e.g. a charge pump

Abstract

단일칩 RF 통신 시스템 및 방법과 VCO-믹서구조가 제공된다. 본 발명에 따른 RF 통신시스템은 송신기, 수신기, RF 송신신호를 수신하기 위한 안테나, 다상 클럭 신호에 대응하여 반송 주파수와 다른 주파수를 가지는 다상 클럭 신호와 캐리어 주파수를 가지는 기준신호를 발생시키기 위한 PLL, 반송 주파수만큼 감소된 주파수를 가지는 RF 신호를 출력하도록 수신 RF 신호를 반송 주파수와 다른 주파수를 가지는 다상 클럭 신호로 혼합하기 위한 복조-믹싱 유닛과, 밋싱 유닛으로부터의 RF 신호를 디지털 신호로 변환하기 위한 A/D 컨버팅 유닛을 포함한다.
본 발명에 따른 VCO는 복수의 지연 셀을 포함하고, 믹서는 차동 증폭 회로와 결합 회로를 포함한다. 다상 믹서의 차동 증폭 회로는 각각 2개의 차동 증폭기에 결합된 2개의 부하저항을 포함한다. 결합 회로는 바이어스 트랜지스터, 바이어스 트랜지스터에 각각 결합된 제 1 및 제 2 결합 유닛과 제 1 및 제 2 결합유닛에 결합된 전류원을 포함한다.
제 1 및 제 2 결합 회로는 각각 제 1 및 제 2 복수개의 트랜지스터 유닛을 포함한다. 바람직하기로는 복수의 트랜지스터 유닛의 각각은 직렬로 연결된 트랜지스터를 포함하고, 직렬로 연결된 트랜지스터는 복수의 트랜지스터 유닛의 직렬로 연결된 트랜지스터와 병렬로 결합되어 있다.
단일칩 시모스 송수신기

Description

단일칩 시모스(CMOS) 송신기/수신기 및 브이시오(VCO) 믹서 구조{SINGLE CHIP CMOS TRANSMITTER/RECEIVER AND VCO-MIXER STRUCTURE}
본 발명은 통신 시스템에 관한 것으로서, 특히 CMOS 무선주파수(RF) 통신 시스템에 관한 것이다.
본 발명은 또한 전압 제어 발진기(VCO)와 믹서에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 다상(Multi-Phase) VCO와 믹서에 관한 것이다.
현재, 무선주파수(RF) 통신 시스템은 PCS 통신과 IMT 시스템을 포함한 여러 가지 응용을 가지고 있다.
그와 같이 시스템의 CMOS 칩 집적화가 가격, 사이즈 및 전력소모를 경감시키기 위하여 추구되어 왔다.
일반적으로 RF 통신 시스템은 RF 전단 블록(Front-end block)과 베이스-밴드(Base-band) 디지털 신호 처리(DSP) 블록으로 구성되어 있다.
현재, 베이스-밴드 DSP 블록은 낮은 가격과 낮은 전력의 CMOS 기술로 구현될 수 있다.
그러나 RF 전단 블록은 스피드의 한계와 잡음 특성 때문에 CMOS 기술에 의해 구현될 수 없으며, CMOS 기술은 널리 보급되어 있는 RF 통신 시스템의 스피드 및 잡음 사양보다 떨어지고 있다.
PCS 핸드폰 시스템은 2.0㎓ 이상의 주파수에서 동작하나 현재의 CMOS 기술은 스피드 및 잡음의 점에서 보아 신뢰할 수 있게 동작하는 것은 기껏해야 대략 1.0㎓까지밖에 되지 않는다.
그래서, RF 전단 블록은 CMOS 기술보다는 스피드 및 잡음 특성이 더욱 좋지만 가격이 더 비싸고 소비전력이 더 큰 바이폴러나 또는 바이폴러 CMOS 기술을 사용하여 구현되고 있다.
현재, 소위 "직접 변환" 및 "더블 변환"이라는 2가지 다른 타입의 RF 구조가 CMOS RF 통신 시스템에 사용되고 있다.
양자의 구조는 CMOS 구현이라는 관점에서 이로운점과 불리한 점을 가지고 있다.
도 1은 안테나(105), RF 필터(110), 저잡음 증폭기(LNA)(120), 제 1 믹서(140), 제 2 믹서(145), 위상 고정 루프(PLL)(130), 제 1 로우 패스 필터(LPF)(150), 제 2 로우 패스 필터(LPF)(155), 제 1 아날로그/디지털(A/D) 변환기(160), 제 2 A/D 변환기(165), 제 3 믹서(160) 및 전력 증폭기(170)를 포함하는 종래의 직접 변환 CMOS RF 통신 시스템을 도시한 것이다.
안테나((105)는 RF 신호를 수신하고 그 후 선택된 RF 신호가 RF 필터(110)에서 필터링 된다.
필터링된 RF신호는 LNA(120)에서 소정 이득으로 증폭된 후 LNA(120)를 통과한 RF 신호는 제 1 및 제 2 믹서(140, 145)에서 직교승산함으로써 베이스-밴드 신호로 직접 복조된다.
PLL(130)이 바람직하게로는 전압제어발진기(VCO)를 사용하여 I 신호와 Q 신호인 2개 타입의 클럭 신호를 발생시킨다.
I 클럭 신호와 Q 클럭 신호는 위상차를 제외하고는 동일하다. 바람직하게는 I 클럭 신호는 Q 클럭 신호에 대하여 90도의 위상차를 갖는다. 즉, Q신호는 I신호에 대하여 1/4 위상 시프트 되어 있다.
I와 Q의 두 신호셋이, 바람직하기로는 잡음과 간섭에 관계없이 수신정보를 식별하거나 유지하는 RF 시스템의 능력을 증가시키기 위해 사용된다. 위상이 다른 2개 타입의 신호를 전송하는 것은 정보 손실이나 정보 변경의 가능성을 경감시킨다.
도 1에서 복조주파수 f0은 변조 주파수 f0와 같다.
복조된 베이스-밴드 신호는 제 1 및 제 2 LPF(150, 155)를 통과시에 원래 주파수로부터 주파수 f0만큼 감소된 주파수를 가지게 되고, 결국 제 1 및 제 2 A/D 컨버터(160, 165)에서 A/D 변환에 대하여 필요하게 되는 각각의 신호가 된다.
그리고 나서, 디지털 신호는 베이스-밴드 이산-시간 신호처리(DSP) 블록(도시 않됨)으로 전달된다. 채널 선택은 위상 고정 루프(PLL)(130)에서 주파수 f0를 인(In)으로 변경함으로써 수행된다.
CMOS 기술의 신뢰성에서 대략 1㎓의 한계에 대한 가능한 원인의 하나는 PLL(130)에서 VCO와 믹서의 구조이다. 도 2는 종래의 VCO와 믹서의 회로를 나타낸 것으로, VCO(10)는 4개의 차동 지연 셀(12 ,14 ,16 ,18)을 포함하는 링 오실레이터와 유사한 구조를 가진다.
4개의 지연 셀(12, 14, 16, 18)은 직렬로 접속되어 각각 주파수 f0을 가지는 클럭 신호(LO+)와 반전된 클럭 신호(LO-)를 발생시킨다.
주파수 제어 신호를 발생시키는 VCO(10)의 제어회로는 위상 주파수 검출기(4), 차지 펌프(6) 및 지연 셀(12, 14, 16, 18) 각각으로 주파수 제어 신호를 출력하는 루프 필터(8)를 포함한다.
위상 주파수 검출기(4)는 기준 클럭 신호 fref와 VCO 클럭 신호 fvco를 기준 클럭 분주 회로(2)와 VCO 클럭 분주 회로(3)로부터 각각 수신한다. 클럭 신호 LO+와 LO-의 주파수 f0는 M/K(Fref)=f0 식으로 표시된다.
그래서 주파수 f0는 기준 클럭 신호 fref와 분주 회로들(2, 3)에 근거하고 있다.
믹서(20) 예를 들어, 길버트-멀티플라이어(Gilbert-Multiplier)는 무선 주파수(RF) 신호 RF+와 RF-와 같은 입력 신호를 클럭 신호 LO+와 LO-와 곱한다.
믹서(20)는 소스전압(VDD)에 결합된 2개의 부하저항(R1, R2), 8개의 MMOS 트랜지스터(21~28) 및 전류원(IS1)을 포함한다.
NMOS 트랜지스터(21, 22)의 게이트는 클럭 신호 LO+를 수신하기 위해 결합되어 있고, NMOS 트랜지스터(23, 24)의 게이트는 반전 클럭 신호 LO-를 수신하기 위해 결합되어 있다.
NMOS 트랜지스터(25, 26)의 게이트는 공통 바이어스 전압 VBias를 수신한다.
NMOS 트랜지스터(27, 28)의 게이트는 RF신호 RF+, RF-를 각각 수신한다. 따라서 클럭 신호 LO+, LO-는 트랜지스터(25,27) 또는 트랜지스터(26,28)가 서로 같이 "온" 상태로 천이될 때만 RF신호 RF+, RF-와 곱하여진다. 믹서(20)의 출력 신호 OUT+, OUT-는 클럭 신호 LO+, LO-의 주파수 f0만큼 그의 원래 신호보다 낮은 주파수를 가진다.
넓은 주파수 범위와 낮은 위상 잡음을 여러 가지 응용에 대하여 바람직하지만, VCO-믹서 구조(10, 20)는 신뢰할 수 있는 위상 잡음과 주파수 범위로는 대략 1㎓의 주파수까지만 지지될 수 있다.
VCO-믹서 구조(10, 20)의 성능은 위상 잡음과 주파수 범위의 관점에서 취약하여, VCO로부터 클럭 신호 LO+, LO-의 주파수가 증가됨에 따라 허용될 수 없다.
그러므로 VCO(10)와 믹서(20)는 클럭 신호 LO+, LO-의 주파수 f0가 대략 1㎓를 초과할 때에 용이하게 구현될 수 없다.
상술한 바와 같이 종래의 직접 변환 RF 시스템(100)은 그의 단순성 때문에 CMOS 집적에 대한 이점을 가진다. 종래의 직접 변환 RF 시스템에서 단지 싱글 PLL이 필요하게 되어 고품질의 필터가 필요 없게 된다. 그러나 종래의 직접 변환 구조는 단일 칩의 집적을 어렵게 하거나 또는 불가능하게 하는 단점을 가지고 있다.
도 3a에 도시된 바와 같이, VCO와 같은 국부 발진기(LO)로부터의 클럭 신호 cosωLOt는 믹서 입력이나 안테나로 누설될 수 있으며, 국부 발진기(LO)는 RF 반송파와 동일 주파수에서 작동하기 때문에 방사가 일어날 수 있다.
의도하지 않게 전송된 클럭 신호 Δ(t)cosωLOt가 근처의 대상물에서 반사되어서 믹서에 의하여 "재-수신(re-received)"될 수 있다. 로우 패스 필터는 클럭 신호의 누설 때문에 신호 M(t)+Δ(t)를 출력한다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 국부 발진기와의 자기 믹싱(Self-mixing)은 믹서의 출력단에서의 시간 천이이나 또는 DC-오프셋의 "흔들림(Wandering)"의 문제를 발생시키게 된다.
도 3b는 시간 천이 및 DC-오프셋을 나타내고 있다.
"A"는 믹서 앞의 신호를 나타내며, "B"는 믹서 뒤의 신호를 나타낸다. 시간 천이 DC-오프셋은 고유의 회로 오프셋과 함께, 수신부의 동작 범위를 상당히 감소시킨다. 게다가, 직접 변환 RF 시스템은 고주파수와 채널 선택을 위한 낮은 위상 잡음을 요구하며, 이것은 적어도 상술한 이유로 집적화된 CMOS 전압제어발진기(VCO)의 달성을 어렵게 한다.
도 4는 2중 채널 동조와 주파수 변환의 모두를 고려한 2중 변환 구조에 따른 종래의 RF 통신 시스템(300)의 블록도를 나타낸 것이다.
RF 통신 시스템(300)은 안테나(305), RF 필터(310), LNA(320), 제 1 믹서(340), 제 2 믹서(345) 그리고 제 1 LPF(350), 제 2 LPF(355), 제 2 스테지 믹서(370 내지 373), 제 1 애더(374) 그리고 제 2 애더(375)를 포함한다. RF 통신 시스템(300)은 제 3 LPE(380), 제 4 LPF(385), 제 1 A/D 변환기(390), 제 2 A/D 변환기(395), 제 1 및 제 2 PLL(330,355), 제 3 믹서(380) 및 전력 증폭기(370)를 더 포함한다.
믹서들 (340, 345, 370 내지 373)는 모두 복조를 위한 것인 반면 제 3 믹서(360)는 변조를 위한 것이다.
제 1 및 제 2 믹서(340, 345)는 선택된 RF 주파수를 위한 것이고, 제 2 스테이지 믹서(370 내지 373)는 중간 주파수(IF)를 위해 선택된다. 제 1 PLL(330)은 고주파수 또는 RF 주파수에서 클럭 신호를 발생시키고 제 2 PLL(355)는 저주파수나 또는 중간 주파수(IF)를 가지는 클럭 신호를 발생시킨다.
전송 데이터가 PLL(330)로부터의 RF 주파수를 가진 클럭 신호와 곱해져서 원래의 전송 데이터 주파수로부터 RF 주파수만큼 감소된 주파수를 가지게 된다.
제 3 믹서(360)의 출력 신호는 전력 증폭기(370)에서 일정 이득으로 증폭된 후 전송을 위해 안테나(305)를 통해 방사된다.
수신 데이터에 대하여, 안테나(305)는 RF 신호를 수신하고 RF 필터(310)는 RF 신호를 필터링한다. 필터링된 RF 신호는 LNA(320)에 의해 증폭된 후 일반적으로 VCO와 같은 단일 주파수 국부 발진기와의 직교 믹서(340, 345)에 의해 IF 신호로 변환된다.
PLL(330)은 RF 신호의 I 신호와 Q 신호에 대한 클럭 신호를 발생시킨다. 제 1 믹서(340)는 RF 주파수를 가지는 I 신호에 대한 클럭 신호와 RF 신호를 곱하며, 제 2 믹서(345)는 RF 주파수를 가지는 Q 신호와 RF 신호를 곱한다. LPF들(350, 355)은 IF 신호로 변환시에 변환되지 않는 모든 주파수 성분을 제거하기 위해 IF 스테이지(예, 제 1 스테이지)에서 사용되며, 모든 채널이 제 2 스테이지 믹서(370 내지 373)로 통과하도록 허용하여 준다.
그 후, IF 스테이지에서의 모든 채널은 채널 선택용의 동조 가능한 PLL(335)에 의해 베이스-밴드 주파수 신호로 주파수 변환된다.
복조된 베이스-밴드 신호(C)는 로우 패스 필터(LPF)(380 및 385)를 통과한 후 A/D 컨버터(390, 395)에 의해 디지털 데이터로 변환된다.
그 후 디지털 데이터는 베이스-밴드 이산-시간 신호처리(DSP) 블록(도시 않됨)으로 전송된다.
상술한 바와 같이 종래의 2중 변환 RF 시스템(300)은 여러 가지 이점을 가진다. 종래의 2중 변환 RF 시스템(300)은 고주파 즉, RF, 제 1 PLL(330)이 아닌 저주파 즉, IF, 제 2 PLL(355)을 사용하여 채널 동조를 수행한다. 따라서, 고주파 RF PLL(330)은 더욱 효율적으로 최적화될 수 있는 고정 주파수 PLL이 될 수 있다.
또한 채널 동조가 낮은 주파수에서 동작하는 IF PLL(335)로 수행되기 때문에, 채널 선택시 위상 잡음의 영향이 감소될 수 있다.
그러나, 종래의 2중 변환 RF 시스템(300)은 여러 가지 불리한 점을 가진다. 종래의 2중 변환 RF 시스템(300)은 2개의 PLL를 사용하며 이것은 단일칩으로의 집적화를 어렵게 한다. 또한 제 1 PLL의 주파수는 너무나 높아 CMOS 기술(구체적으로는 CMOS VCO 기술)로는 구현될 수 없다.
VCO와 믹서의 구조는 CMOS 기술의 신뢰성의 관점에서 대략 1㎓가 한계이다. 또한, 제 2 PLL이 IF의 소정 반송파의 동일 주파수에서 작동하기 때문에, 자기 믹싱 문제가 여전히 발생시킨다. 도 5a는 RF 통신 시스템(300)에서의 클럭 신호의 누설을 나타내고 있으며, 도 5b는 도 4의 RF 통신 시스템(300)에서 누설 클럭 신호 Δ(t)cosωL02(t)(예, 자기 믹싱)로 인한 시간 천이 및 DC-오프셋의 "흔들림"을 나타내고 있다.
도 5a에서, 제 1 믹서는 주파수 ωL01을 가지는 RF에 대한 클럭 신호 cosωLo1 t와 RF 신호를 곱하여 주파수 ωL01만큼 감소된 주파수를 가지는 M(t)cosωL02t를 가진 RF 신호를 출력한다. 제 2 믹서는 주파수 ωL02를 가진 IF에 대한 클럭 신호 cosωLO2와 제 1 믹서로부터의 RF 신호를 곱한다. 그러나 제 2 믹서의 출력 신호의 주파수는 LPF 전 소정 RF 반송파의 주파수와 동일하다. 따라서 제 2 믹서의 출력 신호는 기판으로 누설되거나 또는 제 2 믹서로 다시 누설될 수 있다. 고유의 회로 오프셋과 함께 시간에 따라 변하는 DC-오프셋은 수신부의 동적 범위를 상당히 감소시킨다.
본 발명의 목적은 적어도 상술한 종래기술의 문제점과 단점을 실질적으로 제거하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 CMOS RF 전단부를 제조하기 위한 것이며, 또한 RF 통신 시스템의 원칩 집적을 허용하여주는 상기 CMOS RF 전단부를 사용하기 위한 방법의 제공에 있다.
본 발명의 다른 또 하나의 목적은 제조 코스트 및 사용 전력이 경감되는 RF 통신 시스템 및 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 하나의 목적은 신뢰할 수 있는 높은 스피드 및 낮은 잡음의 CMOS RF 통신 시스템 및 이 시스템을 사용하기 위한 방법의 제공에 있다.
본 발명의 또 다른 하나의 목적은 RF 통신 시스템의 RF 전단부의 주파수 영역을 증가시키기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 VCO-믹서를 단일 기판상에 제조하기 위한 것이다.
본 발명의 또 하나의 다른 목적은 VCO-믹서 구조의 주파수 영역을 증가시키기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 하나의 목적은 VCO-믹서 구조의 잡음을 경감시키기 위한 것이다.
본 발명의 다른 또 하나의 목적은 VCO-믹서 구조의 성능을 증가시키기 위한 것이다.
상술한 목적 및 이점들을 전체적으로 또는 부분적으로 달성하기 위하여 본 발명의 목적에 따라 구현되고 광범위하게 설명되는 바와 같이, 본 발명의 구조는 반송 주파수를 가진 선택 주파수를 포함하는 신호를 수신하는 수신 유닛, 반송 주파수와는 다른 위상을 가진 복수의 클럭 신호들과 반송 주파수를 가지는 기준 신호를 발생시키는 PLL, 수신 신호를 상기 다른 위상을 가진 복수의 클럭 신호들과 혼합하여 반송 주파수로부터 경감된 주파수를 가지는 선택 신호를 출력하는 복조-믹싱 유닛을 포함한다.
상기 목적들을 전체적으로 또는 부분별로 더욱 달성하기 위한 본 발명의 목적에 따라, 단일칩 RF 통신 시스템은 RF 신호를 송수신하기 위한 송수신기, 반송 주파수보다 더 작은 주파수 2*f0/N(단, N은 상수와 같은 양의 정수, f0은 반송 주파수)을 가지는 2N상 클럭 신호를 발생시키기 위한 PLL, 송수신기로부터의 RF 신호를 PLL로부터 2N상 클럭 신호로 믹싱하여 반송 주파수만큼 경감된 주파수를 가지는 RF 신호를 출력하고 복수개의 두입력 믹서를 구비하는 복조-믹싱 유닛과, 상기 복조-믹싱 유닛으로부터의 RF 신호를 디지털 신호로 변환하기 위한 A/D 변환 유닛을 포함한다.
상기 목적들을 전체 또는 부분별로 더욱 더 달성하기 위하고, 본 발명의 목적에 따라, RF 통신 시스템을 작동하는 방법은 반송 주파수를 가진 선택 신호를 포함하는 신호를 수신하는 단계와, 상기 반송 주파수와 다른 주파수를 가지는 다른 위상을 가진 복수의 클럭 신호들과 상기 반송 주파수를 가지는 기준 신호를 발생하는 단계와, 상기 수신되는 선택 신호를 상기 다른 위상을 가진 복수의 클럭 신호들로 믹싱하여 반송 주파수로부터 경감된 주파수를 가지는 선택 신호를 출력하는 단계를 포함한다.
본 발명의 이점을 달성하고 본 발명의 목적에 따라, 구현되고 상세히 설명된 바와 같이, 본 발명의 구조는 다른 위상을 가지며 기준 주파수보다 더 작은 제 1 주파수를 각각 가지는 복수개의 제 1 클럭 신호를 발생하는 클럭 발생기와, 복수개의 제 1 클럭 신호를 수신하여 기준 주파수와 실질적으로 동일한 제 2 주파수를 가지는 복수개의 제 2 클럭 신호를 발생시키기 위해 상기 클럭 발생기에 접속되고 상기 복수의 제 2 클럭 신호를 입력 신호와 곱하여 출력 신호를 제공하는 믹서를 구비한다.
본 발명의 다른 부가적인 이점, 목적 및 특징은 다음의 설명에서 개별적으로 진술되며, 다음의 심사에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자라면 명백하게 되거나 또는 본 발명의 실시에 따라 가르침을 받게 될 것이다. 본 발명의 목적 및 이점은 첨부된 크레임에 구체적으로 지적된 바와 같이 실현되고 얻어질 것이다.
도 1은 종래의 RF 통신 시스템을 나타낸 회로도,
도 2는 종래의 VCO-믹서 구조의 회로도,
도 3a는 도 1의 회로에서 클럭 신호 누설을 나타낸 도면,
도 3b는 도 3a의 회로에서 자기-믹싱(Self-Mixing)을 나타낸 도면,
도 4는 종래의 또 하나의 다른 RF 통신 시스템을 나타낸 회로도,
도 5a는 도 4의 회로에서 클럭 신호 누설을 나타낸 도면,
도 5b는 도 5a의 회로에서 자기-믹싱(Self-Mixing)을 나타낸 도면,
도 6은 본 발명에 따른 다상, 저주파수(MDLF) RF 통신 시스템의 바람직한 제 1 실시예를 나타낸 도면,
도 7은 예시적인 PLL 회로를 나타낸 블록도,
도 8은 본 발명의 바람직한 또 하나의 다른 실시예에 따른 RF 통신 시스템의 수신부를 나타낸 블록도,
도 9는 6상(Phase)을 가진 도 8의 RF 통신 시스템을 나타낸 블록도,
도 10은 본 발명의 바람직한 다른 또 하나의 실시예에 따른 RF 통신 시스템의 수신부를 나타낸 블록도,
도 11은 6상을 가진 도 10의 RF 통신 시스템을 나타낸 블록도,
도 12는 본 발명의 바람직한 다른 또 하나의 실시예에 따른 RF 통신 시스템의 송신부를 나타낸 블록도,
도 13a는 예시적인 VCO-믹서 구조를 나타낸 블록도,
도 13b는 도 13a의 VCO-믹서 구조를 나타내는 회로도,
도 14는 다른 또 하나의 예시적인 VCO-믹서를 나타낸 회로도이며, 그리고
도 15a~15h는 도 14의 동작 타이밍 파형을 나타낸 도면이다.
CMOS 기술을 사용하여 형성된 단일칩 RF 통신 시스템은 다양한 요구 사항을 갖는다. CMOS 전압 제어 발진기(VCO)는 나쁜 잡음 특성을 가지고 있다. 따라서, CMOS 위상 고정 루프(PLL) 집적이 요구되고 있다. 그러나 PLL의 수가 작아야 하고 PLL의 중심 주파수는 CMOS VCO를 사용하여 발생하는 위상 잡음을 제어하기 위해 송신 RF 주파수와 충분히 다른(예를 들어, 바람직하기로는 충분히 낮은) 것이 바람직하다. 고품질 필터는 관련된 영역 문제 및 전력 사양 때문에 제거되는 것이 바람직하다.
또한, CMOS RF 시스템에서의 구성요소의 수는 성능 저하 없이 작거나 또는 감소되어야 한다.
본 발명의 바람직한 제 1 실시예는 도 6에 도시된 "다상(Multi-Phase), 저주파수(Low Frequency)(MPLF) 변환" RF 통신 시스템(500)으로 바람직하게 단일 CMOS 칩 상에 형성될 수 있다.
바람직한 제 1 실시예는 대략 1㎓ 이상의 주파수에서 잘 동작할 수 있다.
"다상 저주파수 변환(Multi-Phase Low Frequency Conversion)"이란 용어는 고주파수를 가지는 단상 주기 신호가 다상 저주파수 주기 신호를 곱하는 것에 의하여 얻어지는 것이 바람직하기 때문에 사용된다.
바람직한 제 1 실시예의 MPLF 변환 RF 통신 시스템(500)은 전단 MPLF RF 블록(502)과 바람직하게는 베이스-밴드인 디지털 신호 처리(DSP) 블록(504)을 포함한다. 상술한 바와 같이, DSP 블록은 종래 CMOS 기술로 형성될 수 있다. 따라서 디지털 신호 처리기(550)를 포함하는 DSP 블록(504)의 상세한 설명은 생략한다.
MPLF 변환 RF 블록(502)은 안테나(505), RF 필터(510)(예를 들면, 밴드 패스 필터), 저잡음 증폭기(LNA)(520)와 제 1 및 제 2 믹서(530, 560)를 각각 포함한다. MPLF 변환 RF 블록(502)은 또한 제 2 믹서(560)와 안테나(505) 사이에 결합되는 위상 고정 루프(PLL)(540), 로우 패스 필터(LPF)(580), 아날로그/디지털(A/D) 변환기(590) 및 전력 증폭기(570)를 포함한다. PLL(540)은 예를 들어 국부 발진기(LO) 주파수인 변조 및 복조 클럭을 발생시키며 상기 국부 발진기 주파수는 기준 클럭(REF fo)에 의해 결정된다.
도 7은 PLL(540)의 예시적인 실시예의 블록도를 나타낸 것이다. PLL(540)은 각각 기준 및 주 분주기(610, 620), 위상 비교기(630), 루프 필터(640)와 전압제어 발진기(VCO)(650)를 포함한다.
VCO(650)는 LO 주파수 fo를 출력하고, 이 LO 주파수 fo는 위상 비교기(630)에 의해 기준 클럭 신호와 비교된다.
위상 비교기(630)의 출력 신호는 VCO(650)에 대한 제어 신호(예를 들어, 주파수)로서 루프 필터(640)를 통해 통과된다. LO 주파수는 통신 시스템에 따라 변경되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 퍼스널 통신 시스템(PCS)용의 LO 주파수는 약 1.8㎓일수 있고, IMT 2000 시스템용의 LO 주파수는 약 2.0㎓이다.
도 6에 도시된 MPLF 변환 RF 통신 시스템(500)의 바람직한 제 1 실시예에서 송신 데이터는 DSP 블록(504)으로부터 MPLF RF 블록(502)에 의해 수신된다. 송신 데이터는 바람직하게는 LO 주파수에서 제 2 믹서(560)로 변조함으로써 변조된다. 변조된 데이터는 전력 증폭기(570)에 증폭된 후 안테나(505)에 의해 출력된다.
저잡음 증폭기(LNA)(520)는 안테나(505)로부터 입력 신호를 수신한 후 신호 레벨을 증폭하여 RF 신호를 출력한다. RF BPF(510)는 안테나(505)와 LNA(520) 사이에 결합되는 것이 바람직하다. RF 신호는 바람직하기로는 변조 주파수와 동일한 주파수에서 복조하는 제 1 믹서(530)에 의해 복조된다. 복조하는 제 1 믹서(530)의 출력은 LPF(580)를 통과함으로써 수신 데이터로 되고, 이 수신 데이터는 바람직하게 A/D 컨버터(590)에 의해 디지털 신호로 변환된 후 DSP(550)로 출력된다.
송신 RF 주파수보다 충분히 낮은 중심 주파수를 가진 단일 PLL를 사용하기 위하여, MPLF 변환 RF 통신 시스템(560)의 제 1 바람직한 실시예는 다상 저주파 주기 신호를 함께 곱함으로써 얻어지는 단상 고주파 주기 신호(예를 들어, RF 주파수)를 사용한다. 특히, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니지만 고 주파수의 "Sine"과 "Cosine" 신호가 RF 시스템에서 필요하게 된다.
ωRF의 주파수를 가지는 Sine과 Cosine신호는 수학식 1 및 2에 표시된 바와 같이, 2ωRF/N의 주파수를 가지는 N상의 Sine 신호를 곱함으로써 얻어질 수 있다.
Figure 112001001597894-pct00001
Figure 112001001597894-pct00002
곱셈 인자(Factor)는 나머지 N/2 sine 신호들이 제 1 N/2 sine 신호들의 역변환 일 수 있기 때문에, "N"가 아니라 "N/2"이다.
역전된 신호들은 바람직하게는 차동 입력 믹서용의 차동 신호를 만들기 위해 사용된다.
도 8은 본 발명에 따른 RF 블록의 바람직한 제 2 실시예의 수신부(700)를 나타낸 것이며, 이 수신부는 MPLF 변환 RF 통신 시스템의 바람직한 제 1 실시예에서 사용될 수 있다. 수신부(700)는 안테나(715), RF 필터(720), LNA(725) 및 복조 믹서(730)를 포함한다. RF 블록의 수신부(700)는 PLL(740), 로우 패스 필터(780) 및 아날로그/디지털 컨버터(790)를 더 포함한다. PLL(740)는 복조 클럭, 예를 들어 2fo/N과 같은 국부 발진(LO) 주파수를 발생시키며, 이 국부 발진 주파수는 기준 클럭에 의하여 결정된다. 안테나(715), RF 필터(720), LNA(725), LPF(780) 및 아날로그/디지털 컨버터(790)는 바람직한 제 1 실시예와 유사하게 동작하므로 상세한 설명을 생략한다.
RF 블록의 수신부(700)는 하나의 PLL(740)를 사용한다. PLL(740)는 2fo/N의 주파수를 사용하며, 전체적으로 2N상 클럭 신호를 발생시킨다. PLL(740)는 N상의 ±LOcos(k,t)와 N상의 ±LOsin(k,t)신호를 발생시키며, 이들은 바람직하게는 수학식 3과 4에 표시된 바와 같이 결정된다.
Figure 112001001597894-pct00003
Figure 112001001597894-pct00004
도 8에 도시된 바와 같이, RF 블록의 수신부(700)는 상부와 하부 믹서 어레이(732, 734)로 나누어지는 복조 믹서(730)를 가진다. 상부와 하부 믹서 어레이(732, 734) 각각은 복수의 종래 2-입력 믹서(735)를 포함한다. 상부 믹서 어레이(732)는 (2ωRF)/N의 주파수를 가진 N상(N/2 : 비반전, N/2 : 반전)의 Sine 신호와 RF 신호를 곱하는 것과 같다. 비반전 및 반전 Sine 신호 양자는 종래 2-입력 믹서가 차동 입력을 필요로 하기 때문에 단일 믹서로 입력하기 위해 필요하게 된다. 하부 믹서 어레이(734)는 ωRF/N의 주파수를 가진 N상(N/2 : 비-반전, N/2 : 반전)의 sine 신호와 RF 신호를 곱하며, 이것은 ωRF의 주파수인 단상의 sine 신호와 RF 신호를 곱하는 것과 같다.
그래서, RF 블록의 수신부(700)는 도 1에 도시된 직접 변환 구조와 같은 기능을 한다. 그러나 본 발명에 따른 수신부(700)는 단상의, ωRF의 주파수의 sine 신호와 대조적으로 복조시 N상의, 2ωRF/N의 주파수의 sine 신호를 사용한다.
상술한 바와 같이, PLL(740)은 2N상의 클럭 신호를 발생시킨다. N상의 클럭 신호는 N상의 sine 신호와 N상의 cosine 신호들다. N상 신호는 둘 다 모드 N/2의 비반전 신호와 N/2의 반전 신호를 포함한다.
N상의 cosine 신호는 RF 신호와 함께 상부 믹서 어레이(732)로 입력되고, N상의 sine 신호는 RF 신호와 함께 하부 믹서 어레이(734)로 입력된다. 상부 및 하부 믹서 어레이(732, 734)는 각각 복수의 믹서(735)와 M개의 스테이지를 가진다. M개의 스테이지는 제 1 스테이지(예, 735), 제 2 스테이지(예, 735'), ..., 제 M-1 스테이지 및 제 M 스테이지(예, 735")를 포함한다. 각 믹서 어레이의 각 스테이지는 두 개의 입력을 가지는 적어도 하나의 믹서를 포함한다. 제 1 스테이지의 믹서의 개수(K1)는 가장 높은 개수의 스테이지이다.
최종 스테이지인 제 M 스테이지는 전체 스테이지 중에서 가장 낮은 믹서 개수(KM)를 가진다. 스테이지 중에서 믹서 개수의 상대적인 순서는 부등식 K1 > K2 > K3 > K4 > ... > KM-1 > KM으로 표시될 수 있다.
각 믹서(735)는 두 개의 입력을 가진다. 믹서(735)의 각 입력에는 2개의 다른 신호를 입력하기 때문에 각 입력은 반전 신호와 이 반전 신호의 비 반전 신호를 가진다.
상술한 바와 같이, LNA(725)로부터의 RF 신호와 PLL(746)으로부터의 N개의 신호가 제 1 스테이지에서 믹서(735)의 입력 신호로서 사용된다.
제 1 스테이지에서 믹서(735)의 출력 신호는 제 2 스테이지에서 믹서(735')의 입력 신호로서 사용된다.
같은 방법으로 제 M-1 스테이지에서 믹서의 출력 신호는 믹서(735")의 두 입력 신호로서 사용되며, 제 M 스테이지에서의 믹서(735")는 상부 믹서 어레이(732)와 하부 믹서 어레이(734)의 단일 믹서이다.
도 9는 종래의 2-입력 믹서를 사용하는 MPLF 변환 RF 통신 시스템의 수신부(700)에 대한 6-상의 예를 나타낸 것이다. PLL(840)는 12-상의 sine 신호를 발생시키며, 이 신호들은 믹서(830)로 전송된다. 인접 두 신호간의 위상치는 π/6(즉, 2π/12)이다.
위상들(0, 2, 4, 6, 8, 10)은 상부 믹서(832)로 입력으로서 사용되어서 바람직하게는 RF 입력과 같이 곱하여지며, 이것은 sin(ωRFt)과 RF 입력을 곱하는 것과 같다. 따라서 클럭 신호가 RF 신호로 곱하여질 때 클럭 신호의 주파수는 fo이다.
PLL(840)은 전압제어원(VCO)과 같은 클럭 발진기를 포함하여 복조시에 RF 신호와 곱하기 위한 12-상의 클럭 신호를 발생시킨다.
발생된 클럭 신호는 RF 신호와 곱하여질 주파수 fo보다 더 낮은 2fo/p(p=상수)를 가진다. PLL(840)로부터의 클럭 신호는 PLL(840)이 다상의 클럭 신호 상0,...상 12를 발생시키기 때문에 더 낮은 2fo/p 주파수를 가진다. 필터링된 RF 신호는 LNA(725)에서 일정 이득으로 증폭된 후 다상 클럭 신호와 곱해지고 그 결과로서 변조용의 믹서 어레이에서 12개의 sine 신호를 발생시킨다. 클럭 신호와 곱하여지는 RF 신호는 클럭 신호의 최초 주파수 2fo/p가 믹서(예, 믹서 어레이)(830)에서 RF 신호와 곱하기 위한 주파수 fo로 변경된다.
따라서 상부 믹서 어레이(832)와 하부 믹서 어레이(834)는 주파수 2fo/p를 가지는 클럭 신호를 결합하여 주파수 fo를 가지는 클럭 신호를 RF 신호와 곱한다. 따라서 주파수 fo만큼 감소된 주파수를 가지는 RF 신호는 LPF(780)과 A/D 컨버터(790)를 통해 DSP부(도시않됨)로 전송된다. PLL(840)에 의해 발생된 12상 sine 신호는 다음과 같이 표시된다.
Figure 112001001597894-pct00005
Figure 112001001597894-pct00006
Figure 112001001597894-pct00007
Figure 112001001597894-pct00008
Figure 112001001597894-pct00009
Figure 112001001597894-pct00010
Figure 112001001597894-pct00011
Figure 112001001597894-pct00012
Figure 112001001597894-pct00013
Figure 112001001597894-pct00014
Figure 112001001597894-pct00015
Figure 112001001597894-pct00016
도 10은 본 발명의 바람직한 제 3 실시예에 따른 RF 블록의 MPLF 변환 수신부(900)를 나타낸것으로서, MPLF 변환 RF 통신 시스템의 제 1 실시예에서 사용될 수 있다.
수신부(900)는 안테나(915), RF 필터(920), LNA(925) 및 믹서(930)를 포함한다. RF 블록의 수신부(900)는 PLL(940), LPF(980) 및 A/D 컨버터(990)를 더 포함한다. PLL(940)은 바람직하게는 복조 클럭, 예를 들어 그의 주파수가 기준 클럭(도시 안됨)에 의해 결정되는 바람직하기로는 2fRF/N과 같은 국부 발진 주파수(LO)를 발생시킨다.
안테나(915), RF 필터(920), LNA(925), LPF(980) 및 A/D 컨버터(990)은 제 1 실시예와 유사하게 동작하므로 이들에 대한 상세 설명은 생략한다.
RF 블록의 수신부(900)는 바로 하나의 PLL만을 사용한다. PLL(940)은 바람직하기로는 2fRF/N의 주파수를 사용하는 클럭 발생기(942)를 포함한다. 클럭 발생기(942)는 바람직하기로는 N상 ±LOcos(k,t)와 N상 ±LOsin(k,t)신호를 발생시키며, 총 2N상 신호를 발생시킨다. 클럭 발생기(942)는 바람직하게는 다상 VCO이며, 믹싱부(930)도 역시 다상 믹서이다.
도 10에 도시된 바와 같이, RF 블록의 수신부(900)는 다상 믹서(932, 934)를 사용한다. 상부 다상 믹서(932)는 상부 믹서 어레이(732)의 기능을 대신하며, 하부 다상 믹서(934)는 하부 믹서 어레이(734)의 기능을 대신한다.
PLL(940)은 변조 및 복조용의 클럭 신호를 발생시킨다.
PLL(940)의 클럭 발생기(942)는 복조 및 변조용 주파수 2fRF/N(N=상수)을 가지는 클럭 신호를 발생시킨다. 클럭 발생기(942)는 주파수가 CMOS 장치 구현에 따라 제한되기 때문에 주파수 2fRF/N을 가진 클럭 신호를 발생시킨다.
RF 통신 시스템의 CMOS 구현을 위하여, 클럭 발생기(942)의 주파수는 믹싱부(930)의 것과 다르며 더욱 낮다.
도 11은 다상 입력 믹서를 사용하는 MPLF 변환 RF 통신 시스템의 수신부(1000)의 6-상의 예를 나타낸 것이다. PLL(1040)은 다상 믹서(1030)로 전송되는 12-상의 sine 신호를 발생시킨다.
상(0, 2, 4, 6, 8, 10)은 바람직하게는 상부 믹서(1032)로의 입력으로 사용되어 RF 입력과 곱해지며,이것은 cos(ωRFt)와 RF 입력을 곱하는 것과 같다. 상(1, 3, 5, 7, 9, 11)은 바람직하게는 하부 믹서(1034)로 입력되어 RF 신호와 같이 곱해지며, 이것은 sin(ωRFt)와 RF 입력이 곱해지는 것과 같다.
도 12는 본 발명의 바람직한 제 4 실시예에 따른 RF 블록의 MPLF 변환 송신부(1100)를 나타낸 것으로 MPLF 변환 RF 통신 시스템의 바람직한 제 1 실시예에서 사용될 수 있다. 수신부(1100)는 안테나(1105), 믹서(1160), PLL(1140), 복수의 LPF(1180), 복수의 D/A 컨버터(1190) 및 믹서(1160)와 안테나(1105)사이에 결합된 전력증폭기(1170)를 포함한다. PLL(1140)은 클럭 발생기(1142)를 사용하여 클럭 신호를 발생시킨다.
클럭 발생기(1142)는 바람직하게 그의 주파수가 기준 클럭(fRF)에 의해 결정되는 국부 발진기(LO)를 사용하여 변조 및 복조용 클럭 신호를 발생시킨다.
RF 블록의 송신부(1100)의 바람직한 제 4 실시예에서 디지털 데이터가 DSP 블록(도시 안됨)에서 수신되어 D/A 컨버터(1190)에 의해 아날로그 신호로 변환된 후 LPF(1180)에 의해 필터링 된다. 믹서(1160)는 바람직하게는 PLL(1140)으로부터 다상의 낮은 주파수(예, 2fRF/N) 클럭 신호와 LPF(1180)으로부터 베이스 밴드 신호를 수신하여 주파수가 fRP인 변조된 RF 신호를 발생시킨다. 믹서(1160)는 바람직하기로는 다상 업(up)-변환 믹서(1165)를 포함한다.
도 12는 다상 업-변환 믹서(1105)의 예시적인 실시예의 블록도를 나타낸 것이다. 믹서(1164)는 2개의 제어 회로 블록(1162, 1164)을 사용하며, 이들 블록은 클럭 신호 LO,(0,...,N-1), 1LO,(0,...,N-1)를 수신하여 변조된 RF 신호를 발생시킨다. 변조된 RF 데이터는 전력 증폭기(1170)에 의해 증폭된 후 안테나(1150)에 의해 출력된다.
상술한 바와 같이, 복조용 믹서는 RF 신호를 클럭 신호에 곱함으로써 클럭 신호의 주파수로 수신된 RF 신호의 고주파수를 감소시킨다.
바람직한 제 4 실시예에서 믹서(1160)는 바람직하기로는 전송 데이터를 변조하여 결합된 클럭 신호의 주파수만큼 전송 데이터의 낮은 주파수를 증가시킨다.
잡음은 변조 동안 복조시에 영향을 주었던 것만큼 상당히 전송 데이터에 영향을 주지 못한다.
그러나 클럭 신호 LO(0,...,N-1)의 주파수를 경감시키는 것은 기생 용량과 같은 잡음을 감소시키거나 제거한다.
또한, 대략 1㎓의 CMOS 기술의 주파수 한계가 극복될 수 있다. 따라서 바람직한 제 4 실시예는 바람직한 제 1 내지 제 3 실시예와 똑같은 이점을 가진다.
도 13a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 예시적인 VCO-믹서 구조의 블록도이다. VCO-믹서 회로는 "VCO-믹서 구조"란 발명의 명칭으로 Kyeong ho Lee가 출원한 미국특허출원 NO.09/121,863에 개시되어 있으며, 그의 구성요지가 참조로서 본 발명에 통합된다. 상기 구조는 다상 전압제어 발진기 VCO(1250)와 다상 믹서(1200)를 포함한다. 다상 믹서(1200)는 차동 증폭 회로(1200A)와 결합 회로(1200B)를 포함한다.
fREf = fo의 기준 주파수를 가지는 기준 클럭이 사용될 때, 다상 VCO(1250)은 2fo/N의 주파수를 가지는 복수개의 N상의 클럭 신호 LO(i = 0 내지 N-1)를 발생시키며, 여기서 N=ND ×2이고, ND는 다상 VCO(1250)에서 지연 셀의 수와 같다. 즉, VCO(1250)는 fo 내지 2fo/N의 주파수를 경감시켜서, 다상 VCO의 위상 잡음을 감소시키고 주파수 영역을 증가시킨다.
주파수 2fo/N을 가지는 복수의 N상의 중간 클럭 신호 LO(0), LO(0,...(N-1))는 다상, 믹서(1200)의 결합 회로(1200B)로 입력된 후 입력 신호, 예를 들어 RF 신호 RF+, RF-는 차동 증폭 회로(1200A)로 입력된다. 차동 증폭 회로(1200A)는 무선 주파수 신호 RF+, RF-를 차동 증폭한다. 결합 회로(1200B)는 바이어스 전압 VBias에 대응하고, N상의 중간 클럭 신호 LO(0) 내지 LO(N-1)를 결합하여 원래의 주파수 fo를 가지는 출력 클럭 신호 LOT+, LOT-를 발생시킨다. 도 13b는 VCO-믹서 구조(1250, 1200)의 예시적인 회로도를 나타낸 것이다. 다상 VCO(1250)는 직렬로 결합된 ND개의 지연 셀(1250~1250ND)을 포함한다. 이와 같은 구조를 토대로 하여, 다상 VCO는 2fo/N의 주파수를 가지는 복수의 N상의 중간 클럭 신호 LO(0) 내지 LO(N-1)를 발생시킨다. 주파수 제어 신호를 발생시키는 VCO(1250)에 대한 제어 회로는 위상 주파수 검출기(1254), 차지 펌프(1250) 및 지연 셀(12501~1250ND) 각각에 주파수 제어 신호를 출력하는 루프 필터(1258)를 포함한다. 위상 주파수 검출기(1254)는 기준 클럭 분주 회로(1252)와 VCO 클럭 분주 회로(1253)로부터 각각 주파수 클럭 fref와 VCO 클럭 신호 fvco를 수신한다. 클럭 신호 LO(0) 내지 LO(N-1)의 주파수 2fo/N은 M'/k'(fref)=2fo/N에 의해 표시된다. 그래서 주파수 fo는 기준 클럭 신호 fref와 분주 회로(1252, 1253)의 M'/k'를 설정하는 2fo/N이다.
다상 믹서(1200)의 차동 증폭 회로(1200A)는 2개의 차동 증폭기(1200A1, 1200A2)에 각각 결합된 2개의 부하 저항(R1', R2')를 포함한다. 제 1 차동 증폭 회로(1200A1)는 2개의 NMOS 트랜지스터(1210, 1212)를 포함하고, 제 2 차동 증폭 회로(1200A2) 역시 2개의 NMOS 트랜지스터(1214, 1216)를 포함한다.
NMOS 트랜지스터(1210, 1216)의 드레인은 각각 부하 저항(R1', R2')에 결합되고 NMOS 트랜지스터(1210, 1211)의 게이트는 RF 신호(RF+)를 수신하기 위해 결합되어 있다.
또한, NMOS 트랜지스터(1212, 1214)의 드레인은 각각 부하 저항(R2', R1')에 결합되고 그들의 게이트는 RF 신호(RF-)를 수신하기 위해 결합되어 있다. NMOS 트랜지스터(1210, 1212)와 NMOS 트랜지스터(1214, 1216)의 소오스는 서로 결합되고 다상 믹서의 결합 회로(1200B)에 결합되어 있다.
차동 증폭기(1200A1, 1200A2)는 보다 정확한 출력 신호(OUT-,OUT+)가 얻어지도록 RF+,RF-를 차동 증폭한다. 또한 차동 증폭은 RF 신호(RF+,RF-)에 부가될 수 있는 잡음을 제거한다. 바람직한 본 실시예에서, 2개의 차동 증폭기(1200A1, 1200A2)가 포함되어 있다. 그러나 본 발명은 또 하나의 다른 실시예를 단지 하나의 차동 증폭기를 사용하여서 달성될 수도 있다.
결합 회로(1200B)는 바이어스 NMOS 트랜지스터(1232, 1234)와 바이어스 NMOS 트랜지스터(1232, 1234)에 각각 결합되는 제 1 결합 유닛(1200B1) 및 제 2 결합 유닛(1200B2)을, 그리고 제 1 및 제 2 결합 유닛(1200B1, 1200B2)에 결합되는 전류원(IS1)을 포함한다. 제 1 결합 유닛(1200B1)은 복수의 트랜지스터 유닛(12200, 12002,...1220N-2)을 포함하고, 제 2 결합 유닛(1200B2)은 제 2 복수의 트랜지스터 유닛(12201,12003,...1220N-1)을 포함한다.
바람직하게는, 복수의 트랜지스터 유닛 각각은 복수의 직렬 연결된 트랜지스터를 포함하고, 여기서 직렬 접속된 트랜지스터들은 복수개의 트랜지스터 유닛의 직렬 연결된 트랜지스터들과 병렬로 연결된다. 바람직하게는 각 트랜지스터 유닛은 2개의 직렬 연결된 트랜지스터를 포함한다. 따라서, 바람직한 실시예에서, 각 결합 회로 유닛(1200A, 1200B)에는 총 N/2개의 트랜지스터가 있고, NMOS 트랜지스터의 전체 수는 2N이다.
NMOS 트랜지스터(1232, 1234)의 게이트는 바이어스 전압 VBais를 수신하기 위해 결합되어 있고, 제 1 및 제 2 복수의 트랜지스터 유닛 내의 트랜지스터들의 게이트는 2fo/N의 주파수를 가지는 상응하는 N상 중간 클럭 신호 LO(i)와
Figure 112006039629627-pct00017
를 수신하기 위해 결합되어 있으며, 여기서
Figure 112006039629627-pct00018
=LO(N/2+i)이고, i=0.1,...,N/2-1이다. 바람직한 본 발명의 실시예에서, 바이어스 NMOS 트랜지스터(1232, 1234)는 에러 방지를 위해 포함되어 있지만, 그러한 트랜지스터들은 또 하나의 다른 실시예에서는 생략될 수 있다. 또한 결합 회로(1200B)의 2N개 NMOS 트랜지스터의 순차적인 ON-OFF 동작은 NAND 로직 회로와 동등하며, 이 NAND 동작회로는 다른 실시예에서는 다른 동등한 로직 회로나 구조로 변경될 수 있다.
일반적인 도 13b 구조는 단일칩 상에 예를 들어, 단일 반도체 기판 상에 CMOS 기술을 사용하여 다상 VCO(1250)와 다상 믹서(1200)의 집적을 허용하여 준다.
그와 같은 구조와 레이아웃은 기생 커패시턴스에 의해 유발된 잡음을 포함하는 잡음을 경감시켜준다.
상술한 바와 같이 차동 증폭 회로(1200A)에서 RF 신호 RF+와 RF-를 사용하는 차동 증폭은 잡음을 경감시켜 준다.
2fo/N의 주파수를 가진 N상 중간 클럭 신호 LO(i)로의 기준 주파수 fo의 경감은 잡음을 감소시켜준다. 복수의 트랜지스터들이 CMOS 기술을 위한 반도체 기판과 같은, 동일 기판상에 형성될 때, 복수의 P-N 정션이 그 기판에 형성되어 있다. 기생 커패시턴스는 거의 P-N 정션에 존재한다. 트랜지스터의 게이트에 인가되는 신호의 주파수가 매우 높다면 fo의 더욱 높은 주파수는 2fo/N의 경감된 주파수에 비하여 훨씬 많은 잡음을 야기시킨다.
또한 차동 증폭 회로(1200A)와 결합 회로(1200B)의 동작은 fo의 주파수를 가지는 출력 클럭 신호 LOT+, LOT-에 의해 좌우되고 각각 상기 출력 클럭 신호는 2fo/N의 주파수를 가지는 N상 중간 클럭신혼 LO(i)를 결합함으로써 제 1 및 제 2 결합 유닛(1200B1, 1200B2)에 의해 제공되어진다.
바이어스 전압 VBais가 인가될 때, NMOS 트랜지스터(1232,1234)는 출력 클럭 신호 LOT+, LOT_에 근거하여 ON과 OFF 상태로 천이된다. NMOS 트랜지스터(1210, 1212, 1214, 1216)가 게이트 전극에 인가되는 RF 신호(RF+, RF-)에 의하여 ON 상태로 천이된다 하더라도, RF 신호(RF+, RF-)의 증폭과 출력 신호(OUT+, OUT-)를 발생시키기 위한 출력 클럭 신호(LOT+, LOT-)는 바이어스 NMOS 트랜지스터(1232, 1234)가 클럭 신호(LOT+, LOT-)에 의해 턴온(Turn on)될 때, 행하여진다.
도 14는 ND=3이고 N=6일 때, 다상 VCO와 다상 믹서의 또 하나의 다른 바람직한 실시예를 나타낸 것이고, 도 15a 내지 15H는 도 14의 바람직한 실시예의 동작 타이밍도를 나타낸 것이다.
다상 VCO(1250)는 6상의 중간 클럭 신호LO(0)~LO(5)를 발생시키기 위해 3개의 지연 셀(12501 내지 12503)을 포함한다. 지연 셀(12501 내지 12503)(예를 들어 지연 셀 12501)에 대한 5개의 트랜지스터를 포함하는 예시적인 회로가 또한 도시되어 있다. 단지, 예시적인 목적을 위해, 입력 클럭 신호가 fo=1.5㎓의 주파수를 가지는 경우 6-상 중간 클럭 신호 LO(0)~LO(5)는 0.5㎓의주파수를 가질 것이다.
6-상 믹서(1280)는 차동 증폭 회로(1280A)와 결합 회로(1280B)를 포함한다.
차동 증폭 회로(1280A)는 부하 저항(R3과 R4)에 각각 접속되는 NMOS 트랜지스터(1260, 1262)를 가지는 제 1 차동 증폭기(1280A1)와 NMOS 트랜지스터(1264, 1266)를 가지는 제 2 차동 증폭기(1280A2)를 포함한다. 결합 회로(1280B)는 공통으로 전류원(Ts2)에 결합되는 제 1 및 제 2 결합 유닛(1280B1, 1280B2)을 포함한다. 제 1 및 제 2 결합 유닛(1280B1, 1280B2)은 바이어스 전압 VBias에 의해 바이어스되는 바이어스 NMOS 트랜지스터(1282, 1284)를 각각 통하여 제 1 및 제 2 차동 증폭기(1280A1, 1280A2)에 결합되어 있다. 추가적으로, 제 1 및 제 2 결합 유닛(1250B1, 1250B2)은 총 12개의 트랜지스터를 가지는 6개 트랜지스터 유닛(127700 내지 12705)을 포함하고 있다.
도 15a 내지 15F에 도시된 바와 같이, 6-상 VCO(1250)는 감소된 주파수 fo/3를 가지는 6상 중간 클럭 신호 LO(10)~LO(5)를 발생시킨다. 6상 믹서(1250)는 6-상 중간 클럭 신호 LO(10) 내지 LO(5)와 RF 신호 RF+, RF-를 수신한다.
각 중간 클럭 신호 LO(1)~LO(5)와
Figure 112006039629627-pct00019
~
Figure 112006039629627-pct00020
는 여기서
Figure 112006039629627-pct00021
=LO(3),
Figure 112006039629627-pct00022
=LO(4),
Figure 112006039629627-pct00023
=LO(5)임, 제 1 및 제 2 결합 회로(1280B1, 1280B2)의 상응하는 트랜지스터에 인가된다.
제 2 및 제 2 결합 회로(1280B1, 1280B2)는 주파수 fo/3을 가지는 6-상 중간 클럭 신호 LO(0), LO(1),..,LO(4), LO(5)를 결합하여 주파수 fo를 가지는 출력 클럭 신호 LOT+, LOT- 발생시킨다.
LO(0)가 하이이고 LO(1)이 로우(LO(4)=하이)일 때, 두 출력 신호 LOT+, LOT-는 각각 로우와 하이이다. LO(1)이 하이이고 LO(2)가 로우(LO(5)=하이)일 때, 각각 출력 신호 LOT+, LOT-는 하이와 로우이다. LO(2)가 하이이고, LO(3)가 로우(LO(0)=하이))일 때, 각각 출력 신호 LOT+, LOT-는 하이와 로우이다. LO(3)가 하이이고, LO(4)가 로우(LO(1)=하이)일 때, 각각 출력 신호 LOT+, LOT-는 하이와 로우이다. LO(4)가 하이이고, LO(5)가 로우(LO(2)=하이)일 때, 각각 믹서(503)의 출력 신호 LOT+, LOT-는 로우와 하이이다.
LO(5)가 하이이고 LO(0)가 로우(LO(3)=하이)일 때 출력 신호 LOT+, LOT-는 각각 로우와 하이이다.
결합 회로에서 각 쌍의 NMOS 트랜지스터는 순차적으로 턴온되고, 도 15G와 도 15H에 도시된 바와 같이 이것에 의해 출력 신호 LOT+, LOT-를 발생시킨다.
상술한 바와 같이, 바람직한 실시예는 여러 가지 이점을 가지고 있다. MPLF 변환 RF 통신 시스템의 바람직한 실시예는 높은 품질의 필터를 필요로 하지 않으며 바로 하나의 PLL만을 사용한다.
그래서 MPLF 변환구조는 용이하게 하나의 CMOS 칩으로 집적화될 수 있다. 또한 채널 선택 PLL의 주파수는 fRP로부터 2fRP/N으로 감소되고, 이것은 결과적으로 VCO와 같은 클럭 발생 회로의 위상 잡음은 경감시키고 채널 선택의 구현을 용이하게 하여준다. 특히 PLL 주파수(LO)는 반송 주파수와 다르다(예를 들어, 반송 주파수보다 작다). 결과적으로, MTLF RF 통신 시스템의 바람직한 실시예는 적어도 종래의 직접 변환 및 2중 변환 통신 시스템 양자의 결점을 제거하면서도 양자의 장점을 포함하고 있다.
또한, 강하고 낮은 잡음의 VCO와 믹서가 CMOS 기술을 사용하여 단일 기판, 바람직하기로는 한 반도체 기판상에 제조될 수 있다. 입력 신호와 입력 클럭 신호에 의해 야기되는 간섭은 극적으로 경감되며, 이것은 중간 클럭 신호의 주파수가 변조 주파수로부터 떨어져 있기 때문이다. 위상 고정 루프(PLL) 주파수 범위가 낮은 중심 주파수 상황에서 용이하게 증가될 수 있기 때문에 PLL 주파수 범위가 증가될 수 있다. 또한 그와 같은 결과는 RF 통신 시스템에서 RF 전단부의 채널 선택 능력을 증가시킬 수 있다.
상술한 실시예는 단지 예시적인 것으로서 본 발명을 제한하고자 하는 것으로서 설명된 것은 아니다. 본 발명의 가르침은 다른 타입의 장치에도 용이하게 적용될 수 있다. 본 발명의 설명은 예시의 목적이며 청구범위를 제한하고자 의도된 것이 아니다. 많은 수정, 변경 및 변형은 본 발명에서 통상의 지식을 가진자라면 명백하게 될 것이다. 청구범위에서 민스 플러스 정션 청구항은 인용된 기능을 수행함으로써 본 발명에서 설명된 구조 및 그의 균등 구조를 커버하기 위한 것이다.
상기내용에 포함되어 있음.

Claims (18)

  1. 반송 주파수를 가지는 선택 신호를 포함하는 신호를 수신하는 수신 유닛;
    상기 반송 주파수와 다른 주파수를 가지는 서로 다른 위상을 가진 복수의 클럭 신호들 및 상기 반송 주파수를 가지는 기준 신호를 발생시키는 위상 고정 루프;
    상기 수신 유닛에 의해 수신된 선택 신호를 상기 복수의 클럭 신호들과 혼합하여 반송 주파수로부터 감소된 주파수를 가지는 선택 신호를 출력하는 복조-믹싱 유닛을 구비하는 통신 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 주파수는 반송 주파수보다 작고, 상기 반송 주파수는 약 1㎓보다 크며, 상기 위상 고정 루프는 클럭 발생기를 포함하는 통신 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 수신 유닛은 송수신기이고, 전송 데이터를 변조하기 위해 상기 복수의 클럭 신호들을 전송 데이터와 혼합하는 변조용 믹서와, 상기 변조된 전송 데이터를 증폭한 후 전송을 위한 송수신기로 상기 데이터를 전송하는 전력 증폭기를 더 구비하는 통신 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 수신 유닛에 결합되어서 상기 수신 유닛에 의해 수신된 선택신호를 필터링하는 RF필터, 상기 RF 필터에 결합되어서 일정 이득으로 RF 필터에 의해 필터링된 선택신호를 증폭하는 저잡음 증폭기, 상기 복조-믹싱 유닛에 결합되어서 반송 주파수로부터 감소되는 주파수를 가진 선택 신호를 필터링하는 로우 패스 필터, 상기 믹싱 유닛으로부터의 선택 신호를 디지털 신호로 변환하는 A/D 변환 유닛, 그리고 상기 디지털 신호를 수신하는 이산-시간 신호 처리 유닛을 더 포함하는 통신 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 통신 시스템은 RF 수신부이고, 상기 선택신호는 RF 신호이며, 상기 다상 클럭 신호는 2×반송 주파수/N(단 N은 양의 정수)의 주파수를 가지며, RF 통신 시스템은 단일 CMOS칩상에 형성된 통신 시스템.
  6. RF 신호를 수신하고 송신하기 위한 송수신기;
    반송 주파수보다 작은 2fo/N(단, N은 위상수(phase number)로서 양의 정수, fo는 반송 주파수)의 주파수를 가지는 서로 다른 위상을 가진 2N개의 클럭 신호들을 발생시키기 위한 위상 고정 루프;
    송수신기로부터의 RF 신호를 상기 위상 고정 루프로부터의 2N개의 클럭 신호들과 혼합하여, 반송 주파수로부터 감소된 주파수를 가지는 RF 신호를 출력하며, 복수개의 두 입력 믹서를 구비한 복조 믹싱 유닛;
    상기 복조 믹싱 유닛으로부터의 RF 신호를 디지털 신호로 변환하기 위한 A/D 변환 유닛을 구비하는 단일칩 RF 통신 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 복조 믹싱 유닛은, 두 입력 믹서의 1/2를 구비하는 제 1 믹서 어레이와, 두 입력 믹서의 다른 1/2를 구비하는 제 2 믹서 어레이를 구비하고, 제 1 및 제 2 믹서 어레이는 RF 신호와 함께 각각 2N개의 클럭 신호들 중 상응하는 N개의 클럭 신호를 입력하도록 구성한 단일칩 RF 통신 시스템.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 각 믹서 어레이는, 믹서의 멀티-스테이지를 구비하고 각 스테이지는 적어도 하나의 두 입력 믹서를 구비하고, 상기 멀티-스테이지 중의 제 1 스테이지는 RF 신호와 N개의 클럭 신호를 입력하도록 구성한 단일칩 RF 통신 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 멀티-스테이지는 상응하게 감소하는 수의 믹서 K1>K2>K3>...>k i(단, K1는 제 1 스테이지, K2는 제 2 스테이지, K3는 제 3 스테이지, Ki는 제 i스테이지)를 가지는 단일칩 RF 통신 시스템.
  10. 반송 주파수를 가지는 선택 신호를 포함하는 신호를 수신하는 단계;
    상기 반송 주파수와는 다른 주파수를 가지는 서로 다른 위상을 가진 복수의 클럭 신호들과 상기 반송 주파수를 가지는 기준 신호를 발생하는 단계;
    상기 반송 주파수로부터 감소된 주파수를 가지는 선택 신호를 출력하도록 수신된 선택 신호를 상기 복수의 클럭 신호들과 혼합하는 단계를 구비하는 RF 통신 시스템의 동작방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 수신된 선택 신호를 RF 필터링하는 단계;
    일정 이득으로 필터링된 선택 신호를 증폭하는 단계;
    반송 주파수로부터 감소된 주파수를 가지는 선택 신호를 로우 패스 필터링 하는 단계;
    로우 패스 필터링되고 주파수 감소된 선택신호를 디지털 신호로 A/D 변환하는 단계;
    상기 디지털 신호를 이산 시간 신호처리하는 단계를 더 구비하는 RF 통신 시스템의 동작방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 전송 데이터를 변조하기 위해 상기 복수의 클럭 신호들과 전송 데이터를 혼합하여 변조하는 단계; 및
    상기 변조된 전송 데이터를 증폭하여 전송을 위한 송수신기로 전송하는 단계를 더 구비한 RF 통신 시스템의 동작방법.
  13. 다른 위상을 가지며, 각각 기준 주파수보다 더 작은 제 1 주파수를 가지는 복수의 제 1 클럭 신호를 발생하는 클럭 발생기; 및
    상기 클럭 발생기에 접속되어서 복수의 제 1 클럭 신호를 수신하여 기준 주파수와 실질적으로 동일한 제 2 주파수를 가지는 복수의 제 2 클럭 신호를 발생시키고, 상기 복수의 제 2 클럭 신호를 입력 신호와 곱하여 출력 신호를 제공하는 믹서를 구비함을 특징으로 하는 회로.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 클럭 발생기는, 다른 위상을 가지는 복수의 제 1 클럭 신호를 제공하기 위해 직렬로 연결된 복수의 지연 셀을 포함함을 특징으로 하는 회로.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 믹서는 입력 신호를 수신하여 출력 신호를 제공하기 위한 차동 증폭 회로와, 상기 클럭 발생기로부터 복수의 제 1 클럭 신호를 수신하기 위한 결합 회로를 포함하도록 함을 특징으로 하는 회로.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 차동 증폭 회로는, 제 1 전위를 수신하기 위해 결합된 적어도 하나의 부하저항과, 상기 부하저항 중의 하나와 결합 회로에 결합된 적어도 하나의 차동 증폭기를 포함함을 특징으로 하는 회로.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 결합 회로는, 상응하는 제 1 클럭 신호를 수신하여 상응하는 제 2 클럭 신호를 출력하도록 상기 차동 증폭 회로에 결합된 제 1 결합유닛; 상응하는 제 1 클럭 신호를 수신하여 상응하는 제 2 클럭 신호를 출력하도록 상기 차동 증폭 회로에 결합된 제 2 결합유닛; 그리고 상기 제 1 및 제 2 결합유닛에 결합되고, 제 2 전위를 수신하기 위해 결합된 전류원을 구비함을 특징으로 하는 회로.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 결합 유닛과 차동 증폭 회로 사이에 각각 결합된 제 1 및 제 2 바이어스 트랜지스터를 더 구비하고, 상기 제 1 및 제 2 결합 유닛의 각각은 직렬과 병렬중의 하나로 서로 결합된 복수의 트래지스터 유닛을 구비함을 특징으로 하는 회로.
KR1020017001063A 1998-07-24 1999-07-23 단일칩 시모스(cmos) 송신기/수신기 및브이시오(vco) 믹서 구조 KR100619227B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/121,601 1998-07-24
US09/121,863 US6194947B1 (en) 1998-07-24 1998-07-24 VCO-mixer structure
US09/121,863 1998-07-24
US09/121,601 US6335952B1 (en) 1998-07-24 1998-07-24 Single chip CMOS transmitter/receiver

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010082016A KR20010082016A (ko) 2001-08-29
KR100619227B1 true KR100619227B1 (ko) 2006-09-05

Family

ID=26819639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020017001063A KR100619227B1 (ko) 1998-07-24 1999-07-23 단일칩 시모스(cmos) 송신기/수신기 및브이시오(vco) 믹서 구조

Country Status (9)

Country Link
EP (1) EP1101285A4 (ko)
JP (1) JP4545932B2 (ko)
KR (1) KR100619227B1 (ko)
CN (1) CN1148873C (ko)
AU (1) AU764882B2 (ko)
CA (1) CA2338564C (ko)
HK (1) HK1040467B (ko)
TW (1) TW463464B (ko)
WO (1) WO2000005815A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170005244A (ko) 2015-07-01 2017-01-12 청주대학교 산학협력단 넓은 튜닝 범위를 갖는 고선형 전압-전류 컨버터 및 이를 이용한 전압제어발진기

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2281236C (en) 1999-09-01 2010-02-09 Tajinder Manku Direct conversion rf schemes using a virtually generated local oscillator
US6809567B1 (en) * 2001-04-09 2004-10-26 Silicon Image System and method for multiple-phase clock generation
DE10211381A1 (de) * 2002-03-14 2003-06-12 Infineon Technologies Ag Sendeanordnung für Frequenzmodulation
US7256740B2 (en) * 2005-03-30 2007-08-14 Intel Corporation Antenna system using complementary metal oxide semiconductor techniques
CN100424481C (zh) * 2006-04-30 2008-10-08 天津菲特测控仪器有限公司 基于单晶体的高精度雷达差频时基产生方法和电路
JP2008035031A (ja) * 2006-07-27 2008-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 混合装置とこれを用いた高周波受信装置
JP2008092476A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Niigata Seimitsu Kk 受信機
CN101931386B (zh) * 2009-06-19 2014-03-26 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 脉宽调制控制系统
US8811926B2 (en) * 2010-03-23 2014-08-19 University Of Washington Through Its Center For Commercialization Frequency multiplying transceiver
JP5633270B2 (ja) * 2010-09-16 2014-12-03 株式会社リコー 送受信装置
CN102035471B (zh) * 2011-01-05 2014-04-02 威盛电子股份有限公司 电压控制振荡器
JP2012217157A (ja) * 2011-03-30 2012-11-08 Asahi Kasei Electronics Co Ltd ミキサ回路
US8729968B2 (en) * 2011-05-09 2014-05-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Built-in self-test circuit for voltage controlled oscillators
GB201115119D0 (en) 2011-09-01 2011-10-19 Multi Mode Multi Media Solutions Nv Generation of digital clock for system having RF circuitry
US8803568B2 (en) * 2011-11-28 2014-08-12 Qualcomm Incorporated Dividing a frequency by 1.5 to produce a quadrature signal
KR102136798B1 (ko) 2014-01-21 2020-07-22 삼성전자주식회사 채널 선택도가 개선된 초재생 수신기 및 초재생 수신 방법
US9634607B2 (en) * 2014-03-11 2017-04-25 Qualcomm Incorporated Low noise and low power voltage-controlled oscillator (VCO) using transconductance (gm) degeneration
EP2950447A1 (en) * 2014-05-28 2015-12-02 Nxp B.V. Frequency converter
US9647638B2 (en) * 2014-07-15 2017-05-09 Qualcomm Incorporated Architecture to reject near end blockers and transmit leakage
CN105656824B (zh) * 2015-12-31 2019-01-11 华为技术有限公司 偏置电压可调的通信装置和通信方法
DE102016115785A1 (de) 2016-08-25 2018-03-01 Infineon Technologies Ag Integrierte RF-Schaltung mit Möglichkeit zum Testen von Phasenrauschen
US11095427B1 (en) * 2020-09-25 2021-08-17 Intel Corporation Transceiver with inseparable modulator demodulator circuits
CN115549703A (zh) * 2022-10-09 2022-12-30 芯翼信息科技(上海)有限公司 集成cmos功率放大器宽电压发射机和收发机

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5438591A (en) * 1991-07-31 1995-08-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Quadrature amplitude modulation type digital radio communication device and method for preventing abnormal synchronization in demodulation system
JP3359927B2 (ja) * 1991-10-17 2002-12-24 株式会社東芝 直交振幅変調方式ディジタル無線装置の復調装置
JP3241098B2 (ja) * 1992-06-12 2001-12-25 株式会社東芝 多方式対応の受信装置
JPH08223071A (ja) * 1995-02-08 1996-08-30 Sony Corp 送信機及び送受信機
US5794119A (en) * 1995-11-21 1998-08-11 Stanford Telecommunications, Inc. Subscriber frequency control system and method in point-to-multipoint RF communication system
JP3476318B2 (ja) * 1995-11-22 2003-12-10 株式会社東芝 周波数変換器およびこれを用いた無線受信機

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170005244A (ko) 2015-07-01 2017-01-12 청주대학교 산학협력단 넓은 튜닝 범위를 갖는 고선형 전압-전류 컨버터 및 이를 이용한 전압제어발진기

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010082016A (ko) 2001-08-29
EP1101285A4 (en) 2001-10-04
CA2338564A1 (en) 2000-02-03
CN1148873C (zh) 2004-05-05
HK1040467B (zh) 2005-03-04
TW463464B (en) 2001-11-11
WO2000005815A1 (en) 2000-02-03
AU5084099A (en) 2000-02-14
CA2338564C (en) 2009-12-22
JP4545932B2 (ja) 2010-09-15
AU764882B2 (en) 2003-09-04
CN1309835A (zh) 2001-08-22
HK1040467A1 (en) 2002-06-07
JP2002521904A (ja) 2002-07-16
EP1101285A1 (en) 2001-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100619227B1 (ko) 단일칩 시모스(cmos) 송신기/수신기 및브이시오(vco) 믹서 구조
US6510185B2 (en) Single chip CMOS transmitter/receiver
US6512408B2 (en) Mixer structure and method for using same
US7471939B2 (en) Multiplier and radio communication apparatus using the same
US6999747B2 (en) Passive harmonic switch mixer
US6483355B1 (en) Single chip CMOS transmitter/receiver and method of using same
US7110740B2 (en) Mixer circuit, receiver circuit, and frequency comparison circuit
US6243569B1 (en) Direct conversion circuit for radio frequency signals
US6445726B1 (en) Direct conversion radio receiver using combined down-converting and energy spreading mixing signal
JP3666686B2 (ja) 時分割ミクサ回路
US7792215B2 (en) Direct-conversion receiver and sub-harmonic frequency mixer thereof
US7542521B2 (en) Direct-conversion frequency mixer
EP1289125A2 (en) Double balance mixer circuit and orthogonal demodulation circuit using the same
US7085548B1 (en) Harmonic mixer
US20060091944A1 (en) I/Q quadrature demodulator
JP4765029B2 (ja) 映像周波数を強固に排除する低ノイズ周波数コンバータ
US6727764B2 (en) Generation of virtual local oscillator inputs for use in direct conversion radio systems
KR20050094754A (ko) 개선된 광대역 i/q 신호 발생 장치
KR100274447B1 (ko) 다중 위상 전압 제어 방식 및 이를 이용한 주파수 혼합기 구조
US6970687B1 (en) Mixer
JP3560774B2 (ja) 偶高調波ミクサ、直交ミクサ、イメージリジェクションミクサ、受信装置及び位相同期発振器
KR100278209B1 (ko) 씨모스 무선 통신 송수신기 구현을 위한 다위상 저주파수 다운변환 장치 및 방법
US20030190901A1 (en) Direct conversion receiving unit
JPWO2003001691A1 (ja) 受信機および複合部品
JPH04340803A (ja) 受信機

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee