KR100606242B1 - 불휘발성 메모리와 호스트간에 버퍼링 동작을 수행하는멀티 포트 휘발성 메모리 장치, 이를 이용한 멀티-칩패키지 반도체 장치 및 이를 이용한 데이터 처리장치 - Google Patents
불휘발성 메모리와 호스트간에 버퍼링 동작을 수행하는멀티 포트 휘발성 메모리 장치, 이를 이용한 멀티-칩패키지 반도체 장치 및 이를 이용한 데이터 처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100606242B1 KR100606242B1 KR1020050006176A KR20050006176A KR100606242B1 KR 100606242 B1 KR100606242 B1 KR 100606242B1 KR 1020050006176 A KR1020050006176 A KR 1020050006176A KR 20050006176 A KR20050006176 A KR 20050006176A KR 100606242 B1 KR100606242 B1 KR 100606242B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- data
- memory
- port
- volatile
- memory core
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1075—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for multiport memories each having random access ports and serial ports, e.g. video RAM
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E06—DOORS, WINDOWS, SHUTTERS, OR ROLLER BLINDS IN GENERAL; LADDERS
- E06B—FIXED OR MOVABLE CLOSURES FOR OPENINGS IN BUILDINGS, VEHICLES, FENCES OR LIKE ENCLOSURES IN GENERAL, e.g. DOORS, WINDOWS, BLINDS, GATES
- E06B3/00—Window sashes, door leaves, or like elements for closing wall or like openings; Layout of fixed or moving closures, e.g. windows in wall or like openings; Features of rigidly-mounted outer frames relating to the mounting of wing frames
- E06B3/04—Wing frames not characterised by the manner of movement
- E06B3/06—Single frames
- E06B3/08—Constructions depending on the use of specified materials
- E06B3/20—Constructions depending on the use of specified materials of plastics
- E06B3/22—Hollow frames
- E06B3/221—Hollow frames with the frame member having local reinforcements in some parts of its cross-section or with a filled cavity
- E06B3/222—Hollow frames with the frame member having local reinforcements in some parts of its cross-section or with a filled cavity with internal prefabricated reinforcing section members inserted after manufacturing of the hollow frame
- E06B3/223—Hollow frames with the frame member having local reinforcements in some parts of its cross-section or with a filled cavity with internal prefabricated reinforcing section members inserted after manufacturing of the hollow frame the hollow frame members comprising several U-shaped parts assembled around a reinforcing core member
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/10—Decoders
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/16—Multiple access memory array, e.g. addressing one storage element via at least two independent addressing line groups
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E06—DOORS, WINDOWS, SHUTTERS, OR ROLLER BLINDS IN GENERAL; LADDERS
- E06B—FIXED OR MOVABLE CLOSURES FOR OPENINGS IN BUILDINGS, VEHICLES, FENCES OR LIKE ENCLOSURES IN GENERAL, e.g. DOORS, WINDOWS, BLINDS, GATES
- E06B3/00—Window sashes, door leaves, or like elements for closing wall or like openings; Layout of fixed or moving closures, e.g. windows in wall or like openings; Features of rigidly-mounted outer frames relating to the mounting of wing frames
- E06B3/04—Wing frames not characterised by the manner of movement
- E06B3/06—Single frames
- E06B3/08—Constructions depending on the use of specified materials
- E06B3/20—Constructions depending on the use of specified materials of plastics
- E06B3/22—Hollow frames
- E06B3/221—Hollow frames with the frame member having local reinforcements in some parts of its cross-section or with a filled cavity
- E06B3/222—Hollow frames with the frame member having local reinforcements in some parts of its cross-section or with a filled cavity with internal prefabricated reinforcing section members inserted after manufacturing of the hollow frame
- E06B2003/225—Means for stabilising the insert
- E06B2003/226—Means for stabilising the insert by adhesives or filling up the remainder of the cavity, e.g. together with foam
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/22—Control and timing of internal memory operations
- G11C2207/2245—Memory devices with an internal cache buffer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Civil Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Dram (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Memory System (AREA)
Abstract
Description
Claims (23)
- 멀티 포트 휘발성 메모리 장치에 있어서,외부 호스트 시스템 및 상기 멀티 포트 휘발성 메모리 장치간 데이터를 송수신하는 제1 포트;수신된 데이터를 저장하고 요청된 저장된 데이터를 읽어들이는 휘발성 메인 메모리 코아;수신된 데이터를 저장하고 요청된 저장된 데이터를 읽어들이는 휘발성 서브 메모리 코아;상기 제1 포트와 결합되어, 마스터 모드에서 상기 휘발성 메인 메모리 코아와 상기 제1 포트간에 데이터를 주고받고, 슬레이브 모드에서 상기 휘발성 서브 메모리 코아와 상기 제1 포트간에 데이터를 주고받는 메인 인터페이스 회로;외부의 비휘발성 메모리 장치와 데이터를 송수신하는 제2 포트; 및상기 제2 포트와 결합되어, 상기 슬레이브 모드에서 상기 휘발성 서브 메모리 코아와 상기 제2 포트간에 데이터를 주고받는 서브 인터페이스 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 멀티 포트 휘발성 메모리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 메인 인터페이스부는상기 외부 호스트 시스템으로부터 제공된 명령을 디코딩하여 내부 명령제어신호를 발생하는 명령디코더;상기 외부 호스트 시스템으로부터 제공된 어드레스신호를 입력하여 내부 어드레스 신호를 발생하는 어드레스 버퍼;상기 마스터 모드에서 상기 외부 호스트 시스템과 상기 휘발성 메인 메모리 코아 사이에 데이터를 주고받고, 상기 슬레이브 모드에서 상기 외부 호스트 시스템과 상기 휘발성서브 메모리 코아들간에 데이터를 주고받는 데이터 입출력버퍼;상기 외부 호스트 시스템으로부터 제공된 마스터/슬래이브 모드선택신호에 응답하여 상기 어드레스버퍼 및 상기 데이터 입출력버퍼를 통하여 제공된 제어 데이터에 의해 상기 휘발성 메인 메모리 코아 및 상기 휘발성 서브 메모리 코아를 제어하여 상기 마스터 및 상기 슬래이브 동작모드를 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 멀티 포트 휘발성 메모리장치.
- 제2항에 있어서, 상기 서브 인터페이스부는상기 제어부로부터 제공된 제어 데이터에 응답하여 상기 제2 포트에 연결된 외부 플래시 메모리와 상기 휘발성 서브 메모리 코아 사이의 데이터 전송을 제어하는 낸드 플래시 메모리 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 포트 휘발성 메모리장치.
- 제2항에 있어서, 상기 메인 인터페이스부는상기 명령디코더로부터 제공된 전원 제어신호에 응답하여 상기 휘발성 서브 메모리 코아 및 상기 서브 인터페이스부의 전원을 관리하는 전원 관리부를 더 구비 한 것을 특징으로 하는 멀티 포트 휘발성 메모리장치.
- 제2항에 있어서, 상기 서브 메모리 코아의 사이즈는 적어도 상기 플래시 메모리의 작업단위인 페이지 사이즈 또는 블록 사이즈인 것을 특징으로 하는 멀티 포트 휘발성 메모리장치.
- 멀티 포트 휘발성 메모리 장치에 있어서,호스트 시스템과 어드레스, 커맨드 및 데이터를 직접 연결하기 위한 제1 포트;비휘발성 메모리 장치와 어드레스, 커맨드 및 데이터를 직접 연결하기 위한 제2 포트; 및상기 제1 및 제2 포트에 결합되고, 상기 제1포트를 통하여 상기 호스트 시스템과 읽기 및 쓰기 동작을 수행하고, 상기 제2포트를 통하여 상기 비휘발성 메모리 장치와 읽기 및 쓰기 동작을 수행하는 휘발성 메모리 코아를 포함하는 멀티 포트 휘발성 메모리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 휘발성 메모리 코어는상기 제1 포트에 결합되어 상기 호스트 시스템으로부터 마스터 모드 신호에응답하여 상기 제1 포트를 통하여 액세스 동작을 수행하는 휘발성 메인 메모리 코아; 및상기 호스트 시스템으로부터 슬레이브 모드 신호에 응답하여 상기 제1 포트 및 상기 제2 포트를 통하여 액세스 동작을 수행하는 휘발성 서브 메모리 코아를 포함하는 멀티 포트 휘발성 메모리 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 휘발성 메인 메모리 코아는 상기 마스터 모드시 상기 제1 포트를 통하여 읽기 및 쓰기 동작을 수행하고, 상기 슬레이브 모드시 상기 휘발성 서브 메모리 코아와 카피 동작을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 멀티 포트 휘발성 메모리 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 휘발성 서브 메모리 코아는 상기 슬레이브 모드시 상기 제1 포트를 통하여 읽기 및 쓰기 동작을 수행하고, 상기 슬레이브 모드시 상기 외부 호스트와 상기 비휘발성 메모리간에 비휘발성 읽기 및 쓰기 동작을 수행하여 상기 외부 호스트로부터 데이터를 수신하고 상기 외부 호스트로 데이터를 전송하는 것을 특징으로 하는 멀티 포트 휘발성 메모리 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 휘발성 서브 메모리 코어는 플래시 쓰기 동작 모드시 상기 제1 포트로부터 상기 외부 호스트로부터의 데이터를 수신하고 상기 제2 포트를 통하여 상기 데이터를 상기 비휘발성 메모리 장치로 제공하는 것을 특징으로 하는 멀티 포트 휘발성 메모리 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 휘발성 서브 메모리 코아는 플래시 읽기 동작 모드시 상기 제2 포트를 통하여 상기 비휘발성 메모리로부터 데이터를 수신하고, 상기 제1 포트를 통하여 상기 외부 호스트로 상기 데이터를 제공하는 것을 특징으로 하는 멀티 포트 휘발성 메모리 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 휘발성 서브 메모리 코어는 페이지 읽기 동작 모드시 상기 제2 포트를 통하여 상기 비휘발성 메모리로부터 데이터를 수신하고, 1 페이지 크기의 단위로 상기 휘발성 메인 메모리 코아로 상기 데이터를 제공하는 것을 특징으로하는 멀티 포트 휘발성 메모리 장치.
- 제12항에 있어서, 인터럽트 신호가 비활성화 상태인 경우 상기 휘발성 서브 메모리 코아로부터 수신된 상기 휘발성 메인 메모리 내의 데이터는 상기 외부 호스트에 의해 상기 제1 포트를 통하여 액세스 가능한 것을 특징으로 하는멀티 포트 휘발성 메모리 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 휘발성 서브 메모리 코어는 대기 신호가 비활성화 상태인 경우 상기 비휘발성 메모리와 읽기/쓰기 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 멀티 포트 휘발성 메모리 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 휘발성 메인 메모리 코어는 페이지 쓰기 동작 모드시 상기 제1 포트를 통하여 상기 외부 호스트로부터 데이터를 수신하고, 상기 비휘발성 메모리 장치로의 쓰기 동작을 위해 1 페이지 크기의 단위로 상기 휘발성 서브 메모리 코아로 상기 데이터를 제공하는 것을 특징으로 하는 멀티 포트 휘발성 메모리 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 메인 메모리 코아는 상기 데이터가 상기 휘발성 서브 메모리 코아로 제공된 후에 인터럽트 신호가 비활성화 상태인 경우 상기 제1 포트를 통하여 상기 외부 호스트에 의해서 액세스 가능한 것을 특징으로 하는 멀티 포트 휘발성 메모리 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 휘발성 서브 메모리 코아는 대기 신호가 비활성화 상태인 경우 상기 비휘발성 메모리와 읽기/쓰기 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 멀티 포트 휘발성 메모리 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리, 상기 휘발성 메인 메모리 코아 및 상기 휘발성 서브 메모리 코아는 단일 패키지 내에 포함되는 것을 특징으로 하는 멀티 포트 휘발성 메모리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 장치는 NAND 플래시 메모리이고, 상기 멀티 포트 휘발성 메모리 장치는 SDRAM을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 포트 휘발성 메모리 장치.
- 메인 메모리 코아;버퍼 메모리 코아;호스트와 연결된 제1 데이터 입출력 포트와 상기 메인 메모리 코아 사이에 연결되어 데이터의 입출력을 구동하는 제1 데이터 입출력부;플래쉬 메모리와 연결된 제2 데이터 입출력 포트와 상기 버퍼 메모리 코아 사이에 연결되어 데이터의 입출력을 구동하는 제2 데이터 입출력부;상기 메인 메모리 코아의 어드레스 신호를 저장하기 위한 제1 어드레스 레지스터;상기 제1 및 제2 데이터 입출력부 사이에 연결되어 상기 플래쉬 메모리의 어드레스 신호를 저장하기 위한 제2 어드레스 레지스터; 및제어부를 구비하고,상기 제어부는상기 메인 메모리 코아의 데이터 리드 또는 라이트 동작 모드에서는상기 호스트로부터 제공된 어드레스 신호에 의해 상기 메인 메모리 코아를 어드레싱하고, 상기 제1 데이터 입출력부를 통하여 데이터를 리드 또는 라이트하고,상기 플래쉬 메모리의 데이터 리드 동작 모드에서는,상기 호스트로부터 제공된 소스 어드레스 신호를 상기 제1 데이터 입출력부를 통하여 상기 제2 어드레스 레지스터에 저장하고, 목적지 어드레스 신호를 상기 제1 어드레스 레지스터에 저장하고, 상기 제2 어드레스 레지스터에 저장된 소스 어드레스 신호를 상기 플래쉬 메모리의 시작 어드레스로 상기 제2 데이터 입출력부를 통하여 상기 플래쉬 메모리에 제공하고, 상기 플래쉬 메모리로부터 독출된 데이터 를 상기 버퍼 메모리 코아에 저장하고, 상기 제1 어드레스 레지스터에 저장된 목적지 어드레스를 메인 메모리 코아의 시작 어드레스로 하여 상기 버퍼 메모리 코아에 저장된 데이터를 상기 메인 메모리 코아에 카피시키고, 상기 메인 메모리 코아에 카피된 데이터를 상기 제1 데이터 입출력부를 통하여 호스트로 독출시키며,상기 플래쉬 메모리의 데이터 라이트 동작 모드에서는,상기 호스트로부터 제공된 목적지 어드레스 신호를 상기 제1 데이터 입출력부를 통하여 상기 제2 어드레스 레지스터에 저장하고, 소스 어드레스 신호를 상기 제1 어드레스 레지스터에 저장하고, 상기 제1 어드레스 레지스터에 저장된 소스 어드레스 신호를 상기 메인 메모리 코아의 시작 어드레스로 하여 상기 메인 메모리 코아의 데이터를 상기 버퍼 메모리 코아에 카피시키고, 상기 버퍼 메모리 코아에 카피된 데이터를 상기 제2 데이터 입출력부를 통하여 플래쉬 메모리에 출력시키는 것을 특징으로 하는 저속 메모리 링크형 고속 메모리 장치.
- 제1 속도로 동작하는 고속 메모리를 억세스하는 호스트;상기 제1 속도보다 낮은 속도인 제2 속도로 동작하는 저속 메모리; 및상기 저속 메모리와 저속으로 직접 인터페이스하고 상기 호스트와 고속으로 직접 인터페이스하여, 상기 저속 메모리를 상기 호스트에 고속으로 링크시키기 위한 메모리 링크 고속 메모리를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 장치.
- 호스트;불휘발성 메모리; 및상기 불휘발성 메모리와 제1포트를 통하여 직접 인터페이스하고 상기 호스트와 제2 포트를 통하여 직접 인터페이스하여, 상기 불휘발성 메모리를 상기 호스트에 링크시키기 위한 휘발성 메모리를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 처리 장치.
- 호스트와 연결하기 위한 연결포트;불휘발성 메모리; 및상기 불휘발성 메모리와 직접 연결되고 상기 호스트와 상기 연결포트를 통하여 직접 인터페이스하여, 상기 불휘발성 메모리를 상기 호스트에 링크시키기 위한 메모리 링크 휘발성 메모리를 하나의 패키지에 실장시킨 것을 특징으로 하는 멀티 칩 반도체 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040006340 | 2004-01-30 | ||
KR20040006340 | 2004-01-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050078206A KR20050078206A (ko) | 2005-08-04 |
KR100606242B1 true KR100606242B1 (ko) | 2006-07-31 |
Family
ID=34806060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050006176A KR100606242B1 (ko) | 2004-01-30 | 2005-01-24 | 불휘발성 메모리와 호스트간에 버퍼링 동작을 수행하는멀티 포트 휘발성 메모리 장치, 이를 이용한 멀티-칩패키지 반도체 장치 및 이를 이용한 데이터 처리장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7411859B2 (ko) |
JP (1) | JP5203552B2 (ko) |
KR (1) | KR100606242B1 (ko) |
CN (1) | CN100481266C (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11016918B2 (en) | 2007-06-01 | 2021-05-25 | Netlist, Inc. | Flash-DRAM hybrid memory module |
KR20220091125A (ko) | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 청주대학교 산학협력단 | 낸드플래시 메모리와 psram을 이용한 비동기용 불휘발성 메모리 모듈 |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8250295B2 (en) | 2004-01-05 | 2012-08-21 | Smart Modular Technologies, Inc. | Multi-rank memory module that emulates a memory module having a different number of ranks |
EP1764803A1 (en) * | 2005-09-09 | 2007-03-21 | STMicroelectronics S.r.l. | Memory architecture with serial peripheral interface |
KR100717113B1 (ko) * | 2005-09-12 | 2007-05-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 모듈 및 반도체 메모리 시스템 |
KR100737913B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2007-07-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 읽기 방법 |
TWI353124B (en) * | 2006-03-30 | 2011-11-21 | Silicon Image Inc | Inter-port communication in a multi-port memory de |
KR100764749B1 (ko) * | 2006-10-03 | 2007-10-08 | 삼성전자주식회사 | 멀티-칩 패키지 플래시 메모리 장치 및 그것의 카피 백방법 |
KR100800484B1 (ko) * | 2006-11-03 | 2008-02-04 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리를 위한 버퍼와 디스크를 위한 버퍼를구비하는 데이터 저장 시스템 및 상기 데이터 저장시스템의 데이터 억세스 방법 |
US8230154B2 (en) * | 2007-01-19 | 2012-07-24 | Spansion Llc | Fully associative banking for memory |
US8301833B1 (en) | 2007-06-01 | 2012-10-30 | Netlist, Inc. | Non-volatile memory module |
US8904098B2 (en) | 2007-06-01 | 2014-12-02 | Netlist, Inc. | Redundant backup using non-volatile memory |
JP2009116702A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
KR100929313B1 (ko) * | 2007-12-31 | 2009-11-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 |
US8244937B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-08-14 | Micron Technology, Inc. | Solid state storage device controller with parallel operation mode |
US8549209B2 (en) * | 2008-11-04 | 2013-10-01 | Mosaid Technologies Incorporated | Bridging device having a configurable virtual page size |
KR101556016B1 (ko) | 2009-03-20 | 2015-10-01 | 삼성전자주식회사 | 전원 절약 모드를 갖는 반도체 메모리 장치 |
US8050092B2 (en) * | 2009-05-29 | 2011-11-01 | Seagate Technology Llc | NAND flash memory with integrated bit line capacitance |
US8149622B2 (en) * | 2009-06-30 | 2012-04-03 | Aplus Flash Technology, Inc. | Memory system having NAND-based NOR and NAND flashes and SRAM integrated in one chip for hybrid data, code and cache storage |
US8667191B2 (en) * | 2010-01-15 | 2014-03-04 | Kingston Technology Corporation | Managing and indentifying multiple memory storage devices |
US8631177B1 (en) * | 2010-06-24 | 2014-01-14 | Smsc Holdings S.A.R.L. | Multi-port device with controller for storage media device port |
US8630418B2 (en) | 2011-01-05 | 2014-01-14 | International Business Machines Corporation | Secure management of keys in a key repository |
KR20120086952A (ko) * | 2011-01-27 | 2012-08-06 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리칩 및 이를 이용한 멀티칩 패키지 |
US8745369B2 (en) | 2011-06-24 | 2014-06-03 | SanDisk Technologies, Inc. | Method and memory system for managing power based on semaphores and timers |
US8694719B2 (en) | 2011-06-24 | 2014-04-08 | Sandisk Technologies Inc. | Controller, storage device, and method for power throttling memory operations |
US10838646B2 (en) | 2011-07-28 | 2020-11-17 | Netlist, Inc. | Method and apparatus for presearching stored data |
US10380022B2 (en) | 2011-07-28 | 2019-08-13 | Netlist, Inc. | Hybrid memory module and system and method of operating the same |
US10198350B2 (en) | 2011-07-28 | 2019-02-05 | Netlist, Inc. | Memory module having volatile and non-volatile memory subsystems and method of operation |
EP2867779A4 (en) * | 2012-06-28 | 2015-12-30 | Hewlett Packard Development Co | MEMORY MODULE WITH A DUALPORT BUFFER |
KR102020466B1 (ko) | 2012-10-04 | 2019-09-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 버퍼 메모리 장치를 포함하는 데이터 저장 장치 |
US20140189192A1 (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Shlomo Raikin | Apparatus and method for a multiple page size translation lookaside buffer (tlb) |
US10372551B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-08-06 | Netlist, Inc. | Hybrid memory system with configurable error thresholds and failure analysis capability |
US9064562B2 (en) | 2013-04-03 | 2015-06-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memory module having multiple memory banks selectively connectable to a local memory controller and an external memory controller |
US9436600B2 (en) | 2013-06-11 | 2016-09-06 | Svic No. 28 New Technology Business Investment L.L.P. | Non-volatile memory storage for multi-channel memory system |
US9412294B2 (en) * | 2013-08-22 | 2016-08-09 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Data transmission device, data transmission method and display device |
CN103413516B (zh) * | 2013-08-22 | 2016-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 数据传输装置、数据传输方法及显示装置 |
US10248328B2 (en) | 2013-11-07 | 2019-04-02 | Netlist, Inc. | Direct data move between DRAM and storage on a memory module |
JP6378775B2 (ja) * | 2014-10-22 | 2018-08-22 | 太陽誘電株式会社 | 再構成可能デバイス |
CN106155926B (zh) * | 2015-04-09 | 2019-11-26 | 澜起科技股份有限公司 | 存储器及存储器的数据交互方法 |
KR101665667B1 (ko) * | 2015-04-16 | 2016-10-11 | 황태래 | 낸드 플래시 메모리 제어장치 |
US9401184B1 (en) | 2015-06-16 | 2016-07-26 | Sandisk Technologies Llc | Memory system and method for power management |
US9418712B1 (en) | 2015-06-16 | 2016-08-16 | Sandisk Technologies Llc | Memory system and method for power management using a token bucket |
KR102548599B1 (ko) | 2016-06-17 | 2023-06-29 | 삼성전자주식회사 | 버퍼메모리를 포함하는 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 모듈 |
US9760311B1 (en) | 2016-06-23 | 2017-09-12 | Sandisk Technologies Llc | Storage system and method for adaptive thermal throttling |
US10496584B2 (en) * | 2017-05-11 | 2019-12-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system for supporting internal DQ termination of data buffer |
US10845866B2 (en) * | 2017-06-22 | 2020-11-24 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile memory system or sub-system |
DE102018125297A1 (de) | 2017-11-17 | 2019-05-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Speichereinrichtung, die Peer-to-Peer-Kommunikation mit externer Einrichtung ohne Eingriff eines Host durchführt |
US10719248B2 (en) | 2018-04-20 | 2020-07-21 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for counter update operations |
KR20200075565A (ko) * | 2018-12-18 | 2020-06-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 스마트 카 시스템 |
US11301403B2 (en) * | 2019-03-01 | 2022-04-12 | Micron Technology, Inc. | Command bus in memory |
CN111177027B (zh) * | 2019-11-15 | 2023-07-18 | 深圳宏芯宇电子股份有限公司 | 动态随机存取存储器、内存管理方法、系统及存储介质 |
CN110941395B (zh) * | 2019-11-15 | 2023-06-16 | 深圳宏芯宇电子股份有限公司 | 动态随机存取存储器、内存管理方法、系统及存储介质 |
KR20220077400A (ko) | 2020-12-02 | 2022-06-09 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치, 메모리 시스템 및 이의 동작 방법 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5600801A (en) * | 1993-07-15 | 1997-02-04 | Dell Usa, L.P. | Multiple function interface device for option card |
US5604710A (en) * | 1994-05-20 | 1997-02-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Arrangement of power supply and data input/output pads in semiconductor memory device |
JP3789955B2 (ja) | 1994-05-20 | 2006-06-28 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
US5696929A (en) * | 1995-10-03 | 1997-12-09 | Intel Corporation | Flash EEPROM main memory in a computer system |
JP3188840B2 (ja) * | 1996-06-14 | 2001-07-16 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション | コンピュータ・システムに用いられる周辺装置及びその制御方法 |
JP3092558B2 (ja) * | 1997-09-16 | 2000-09-25 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路装置 |
KR100512159B1 (ko) | 1997-11-25 | 2006-05-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 패드 레이 아웃 |
JP4587500B2 (ja) * | 1998-11-11 | 2010-11-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路、メモリモジュール、記憶媒体、及び半導体集積回路の救済方法 |
JP4141581B2 (ja) * | 1999-04-05 | 2008-08-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | フラッシュメモリを搭載する記憶装置 |
JP3668064B2 (ja) * | 1999-08-27 | 2005-07-06 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP3871184B2 (ja) * | 2000-06-12 | 2007-01-24 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置 |
US6691205B2 (en) * | 2001-03-05 | 2004-02-10 | M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. | Method for using RAM buffers with simultaneous accesses in flash based storage systems |
JP4049297B2 (ja) * | 2001-06-11 | 2008-02-20 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
TWI240864B (en) * | 2001-06-13 | 2005-10-01 | Hitachi Ltd | Memory device |
JP4082913B2 (ja) * | 2002-02-07 | 2008-04-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | メモリシステム |
JP2003303129A (ja) * | 2002-04-02 | 2003-10-24 | Brilliance Semiconductor Inc | 知能型多機能複合式メモリ |
US7290080B2 (en) * | 2002-06-27 | 2007-10-30 | Nazomi Communications Inc. | Application processors and memory architecture for wireless applications |
WO2004049168A1 (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-10 | Renesas Technology Corp. | メモリモジュール、メモリシステム、及び情報機器 |
GB2403574B (en) * | 2003-07-03 | 2005-05-11 | Micron Technology Inc | Compact decode and multiplexing circuitry for a multi-port memory having a common memory interface |
US7315951B2 (en) * | 2003-10-27 | 2008-01-01 | Nortel Networks Corporation | High speed non-volatile electronic memory configuration |
KR100666169B1 (ko) * | 2004-12-17 | 2007-01-09 | 삼성전자주식회사 | 플래쉬 메모리 데이터 저장장치 |
-
2005
- 2005-01-24 KR KR1020050006176A patent/KR100606242B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-28 US US11/046,407 patent/US7411859B2/en active Active
- 2005-01-28 JP JP2005021762A patent/JP5203552B2/ja active Active
- 2005-01-31 CN CNB2005100741851A patent/CN100481266C/zh active Active
-
2008
- 2008-06-30 US US12/164,527 patent/US7782683B2/en active Active
- 2008-07-31 US US12/183,923 patent/US7907469B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11016918B2 (en) | 2007-06-01 | 2021-05-25 | Netlist, Inc. | Flash-DRAM hybrid memory module |
US11232054B2 (en) | 2007-06-01 | 2022-01-25 | Netlist, Inc. | Flash-dram hybrid memory module |
KR20220091125A (ko) | 2020-12-23 | 2022-06-30 | 청주대학교 산학협력단 | 낸드플래시 메모리와 psram을 이용한 비동기용 불휘발성 메모리 모듈 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7907469B2 (en) | 2011-03-15 |
CN1716453A (zh) | 2006-01-04 |
CN100481266C (zh) | 2009-04-22 |
JP2005216312A (ja) | 2005-08-11 |
US20080285372A1 (en) | 2008-11-20 |
US7411859B2 (en) | 2008-08-12 |
KR20050078206A (ko) | 2005-08-04 |
US20080266988A1 (en) | 2008-10-30 |
US20050169061A1 (en) | 2005-08-04 |
US7782683B2 (en) | 2010-08-24 |
JP5203552B2 (ja) | 2013-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100606242B1 (ko) | 불휘발성 메모리와 호스트간에 버퍼링 동작을 수행하는멀티 포트 휘발성 메모리 장치, 이를 이용한 멀티-칩패키지 반도체 장치 및 이를 이용한 데이터 처리장치 | |
US7573753B2 (en) | Semiconductor device | |
KR100725100B1 (ko) | 포트간 데이터 전송기능을 갖는 멀티패쓰 억세스블 반도체메모리 장치 | |
US9977731B2 (en) | Bridging device having a configurable virtual page size | |
US20090089487A1 (en) | Multiport semiconductor memory device having protocol-defined area and method of accessing the same | |
US20060294295A1 (en) | DRAM chip device well-communicated with flash memory chip and multi-chip package comprising such a device | |
US20100115172A1 (en) | Bridge device having a virtual page buffer | |
KR20100133649A (ko) | 메모리 링크 아키텍쳐에서 파워 오프 시 데이터 로스를 방지하는 기능을 갖는 멀티 프로세서 시스템 | |
KR100688537B1 (ko) | 다수개의 프로세서들에 억세스 가능한 메모리 장치를 갖는시스템 | |
US6523755B2 (en) | Semiconductor memory device | |
KR20040054936A (ko) | 복합형 메모리 장치 | |
JP2001052479A (ja) | メモリ装置 | |
KR20020029760A (ko) | 집적 회로 시스템 | |
JP2009026439A (ja) | 半導体メモリ装置及びそれによる共有レジスタ運用方法 | |
KR20090092371A (ko) | 래치타입 메모리 셀들로 이루어진 공유 메모리 영역을 갖는멀티포트 반도체 메모리 장치 및 그를 채용한 멀티프로세서 시스템과 멀티포트 반도체 메모리 장치의구동방법 | |
US20090249030A1 (en) | Multiprocessor System Having Direct Transfer Function for Program Status Information in Multilink Architecture | |
JPH09161469A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JPH0916470A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR20050070083A (ko) | 데이터 전송 방법 및 시스템 | |
KR20090032416A (ko) | 다이렉트 억세스 부팅동작을 갖는 멀티 프로세서 시스템 및그에 따른 다이렉트 억세스 부팅방법 | |
US20090216961A1 (en) | Multi-port semiconductor memory device for reducing data transfer event and access method therefor | |
KR100851849B1 (ko) | 휴대용 단말기 및 그것의 데이터 기입 및 독출 방법 | |
JPH03240854A (ja) | マイクロコンピュータ | |
JPH08335190A (ja) | メモリカード制御装置 | |
JPH0512182A (ja) | ダイレクトメモリアクセス制御装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130701 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140630 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150630 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160630 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170630 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180629 Year of fee payment: 13 |