KR100564434B1 - 리세스 게이트 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (11)
- 활성 영역과 소자분리 영역으로 구분되어 있는 실리콘 기판과,상기 기판 위에 형성되어 있는 복수의 게이트와,상기 게이트 측벽에 형성되어 있는 게이트 스페이서와,상기 게이트의 양측 기판 내에 형성되어 있으며, 비대칭적인 접합 구조를 가지는 정션을 포함하고,상기 게이트 중 활성 영역의 기판 위에 위치하는 게이트의 하부는 하부면과 상부면 및 수직면을 가지는 계단형 프로파일로 이루어지되, 하부면은 활성 영역에만 위치하고 소자분리 영역에는 위치하지 않는 리세스 게이트 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 계단형 프로파일의 하부면과 상부면은 동일한 면적으로 이루어진 리세스 게이트 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 하부면은 상부면보다 더 넓은 면적을 가지도록 형성하는 리세스 게이트 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 계단형 프로파일의 수직면은 10~90°의 경사각을 가지는 리세스 게이트 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 계단형 프로파일의 수직면은 50~2500Å의 높이를 가지는 리세스 게이트 제조 방법.
- 실리콘 기판을 소자분리 영역과 활성 영역으로 구분하는 단계와,상기 실리콘 기판의 활성영역 중 게이트 형성영역의 일부분을 소정깊이 식각하여 복수의 계단형 프로파일을 형성하는 단계와,상기 실리콘 기판에 제 1차 문턱전압 조절 이온을 주입하는 단계와,상기 실리콘 기판 위에 복수의 게이트를 형성하되, 활성 영역 위에 형성하는 게이트는 상기 계단형 프로파일과 일부분 중첩하도록 하는 단계와,상기 복수의 게이트를 가지는 실리콘 기판 위에 스토리지 노드부는 차단하고 비트라인 노드부만 개방하는 이온주입 마스크를 형성하는 단계와,상기 이온주입 마스크를 이용하여 제 2차 문턱전압 조절 이온을 주입하는 단계와,상기 이온주입 마스크를 제거하는 단계 및,상기 이온주입 마스크가 제거된 기판 내에 정션 형성용 불순물 이온을 주입 하여 비대칭적 접합 구조를 가지는 정션을 형성하는 단계를 포함하는 리세스 게이트 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 계단형 프로파일은 하부면과 상부면 및 수직면을 가지게 형성하는 리세스 게이트 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 계단형 프로파일의 하부면과 상부면은 동일한 면적을 가지게 형성하는 리세스 게이트 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 하부면은 상부면보다 더 넓은 면적을 가지게 형성하는 리세스 게이트 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 계단형 프로파일의 수직면은 10~90°의 경사각을 가지도록 하는 리세스 게이트 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 계단형 프로파일의 수직면은 50~2500Å의 높이를 가지도록 하는 리세스 게이트 제조 방법.
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