KR100544704B1 - Dram을 혼재한 반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (9)
- DRAM 영역과 고속 CMOS 로직 영역이 혼재하는 반도체 장치에 있어서,상기 DRAM의 CMOS 센스 앰프를 구성하는 N형 센스 앰프 트랜지스터의 게이트 전극쌍 및 P형 센스 앰프 트랜지스터의 게이트 전극쌍이, 각각 비트선과 동일 방향으로 하나의 활성 영역 내에 병행하게 배치되고, 인접하는 N형 센스 앰프 트랜지스터쌍 및 인접하는 P형 센스 앰프 트랜지스터쌍이 소자 분리 영역에 의해서 절연 분리되고,상기 각 게이트 전극이 상기 활성 영역내에서 직선 형상으로 배치되어 있고, 또한 인접하는 센스 앰프 트랜지스터쌍 끼리가 규칙적인 라인·앤드·스페이스 형상으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 인접하는 N형 센스 앰프 트랜지스터쌍 간 및 상기 인접하는 P형 센스 앰프 트랜지스터쌍 간의 상기 소자 분리 영역 상에, 상기 각 센스 앰프 트랜지스터의 게이트 전극 쌍과 병행하게 플로팅 전극이 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 게이트 전극쌍 및 상기 플로팅 전극이 거의 동일 간격으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- DRAM 영역과 고속 CMOS 로직 영역이 혼재하는 반도체 장치에 있어서,상기 DRAM의 CMOS 센스 앰프를 구성하는 N형 센스 앰프 트랜지스터의 게이트 전극쌍 및 P형 센스 앰프 트랜지스터의 게이트 전극 쌍이, 각각 비트선과 동일 방향으로 하나의 활성 영역 내에 병행하게 배치되고, 인접하는 N형 센스 앰프 트랜지스터쌍 및 인접하는 P형 센스 앰프 트랜지스터쌍에서 활성 영역이 각각 접속되고, 상기 활성 영역 상에서는 인접하는 상기 N형 센스 앰프 트랜지스터쌍 간 및 인접하는 상기 P형 센스 앰프 트랜지스터쌍 간에, 각각, 각 트랜지스터쌍 간을 전기적으로 분리하는 필드 실드 전극이 상기 각 센스 앰프 트랜지스터의 게이트 전극쌍과 병행하게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 게이트 전극쌍 및 상기 필드 실드 전극이 거의 동일 간격으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 N형 활성 영역 상의 필드 실드 전극에 접지 전위 또는 DRAM 셀의 기판전위에 이용하는 음전극이 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- DRAM 영역과 고속 CMOS 로직 영역이 혼재하는 반도체 장치에 있어서,상기 DRAM의 CMOS 센스 앰프를 구성하는 N형 센스 앰프 트랜지스터의 게이트 전극쌍 및 P형 센스 앰프 트랜지스터의 게이트 전극쌍이, 각각 비트선과 동일 방향으로 하나의 활성 영역 내에 병행하게 배치되고, 인접하는 N형 센스 앰프 트랜지스터쌍에 있어서 활성 영역이 접속되고, 상기 활성 영역 상에서는 인접하는 상기 N형 센스 앰프 트랜지스터쌍 간에 필드 실드 전극이 상기 N형 센스 앰프 트랜지스터의 게이트 전극쌍과 병행하게 배치되고, 인접하는 P형 센스 앰프 트랜지스터쌍이 소자 분리 영역에 의해 절연 분리되고, 플로팅 전극이 상기 P형 센스 앰프 트랜지스터쌍 간의 상기 소자 분리 영역 상에 상기 P형 센스 앰프 트랜지스터의 게이트 전극쌍과 병행하게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 N형 센스 앰프 트랜지스터의 게이트 전극쌍과 상기 필드 실드 전극, 및 상기 P형 센스 앰프 트랜지스터의 게이트 전극쌍과 상기 플로팅 전극이 각각 거의 동일 간격으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 N형 활성 영역 상의 필드 실드 전극에 접지 전위 또는 DRAM 셀의 기판전위에 이용되는 음전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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