JP4237595B2 - スタティックランダムアクセスメモリ - Google Patents
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Description
前記第1相補型電界効果トランジスタと前記第1のドレイン領域を共有する電界効果トランジスタからなる第1のトランスファーゲートと、前記半導体基板とショットキー接合をなす第2のドレイン領域、及び前記半導体基板上に形成された第3ゲート電極を備える第2の電子伝導型電界効果トランジスタと、前記第2の電子伝導型電界効果トランジスタと前記第2のドレイン領域を共有し、前記半導体基板上に形成された第4ゲート電極を備える第2の正孔伝導型電界効果トランジスタと、前記第3及び第4ゲート電極との間の、前記第2のドレイン領域上に形成された誘電体層の上面に、前記第2のドレイン領域との間に寄生容量が形成されるように形成され、前記第3及び第4ゲート電極を接続する第2の導体とを備える第2相補型電界効果トランジスタと、前記第2相補型電界効果トランジスタと前記第2のドレイン領域を共有する電界効果トランジスタからなる第2のトランスファーゲートとを具備し、前記第1の導体の上に、前記第1の導体と前記第2のドレイン領域とが電気的に接続する第3の導体を具備し、前記第2の導体の上に、前記第2の導体と前記第1のドレイン領域とが電気的に接続する第4の導体を具備することを特徴とするスタティックランダムアクセスメモリを提供する。
図1に、本発明の実施の形態に関わるSRAMメモリセルの上面図を示す。
領域である。
ート電極長を十分に長く形成する必要があるが、本実施の形態によれば、このような必要がなく、半導体集積回路の微細化も実現可能である。
の仕事関数が、真性半導体のエネルギーバンドギャップの中央よりも低く、ショットキー接合が半導体基板に形成された電子伝導型の半導体領域に包含されている必要がある。このような作用効果の得られるドレイン材料としては、PtSiの他に、Pt2Si、IrSi、IrSi2等がある。
本発明の第二に関わるショットキードレインSRAMについて、図7の上面図を用いて説明する。
3・・・第2のCMOS
5、7・・・電子伝導型電界効果トランジスタ
13、33・・・ドレイン領域
14、34・・・電子伝導型電界効果トランジスタのゲート電極
15、35・・・正孔伝導型電界効果トランジスタのソース領域
16、36、53、73・・・電子伝導型のソース領域
17、37・・・正孔伝導型のゲート電極
Claims (4)
- 半導体基板とショットキー接合をなす第1のドレイン領域、及び前記半導体基板上に形成された第1ゲート電極を備える第1の電子伝導型電界効果トランジスタと、前記第1の電子伝導型電界効果トランジスタと第1のドレイン領域を共有し、前記半導体基板上に形成された第2ゲート電極を備える第1の正孔伝導型電界効果トランジスタと、前記第1及び第2ゲート電極との間の、前記第1のドレイン領域上に形成された誘電体層の上面に、前記第1のドレイン領域との間に寄生容量が形成されるように形成され、前記第1及び第2ゲート電極を接続する第1の導体とを備える第1相補型電界効果トランジスタと、
前記第1相補型電界効果トランジスタと前記第1のドレイン領域を共有する電界効果トランジスタからなる第1のトランスファーゲートと、
前記半導体基板とショットキー接合をなす第2のドレイン領域、及び前記半導体基板上に形成された第3ゲート電極を備える第2の電子伝導型電界効果トランジスタと、前記第2の電子伝導型電界効果トランジスタと前記第2のドレイン領域を共有し、前記半導体基板上に形成された第4ゲート電極を備える第2の正孔伝導型電界効果トランジスタと、前記第3及び第4ゲート電極との間の、前記第2のドレイン領域上に形成された誘電体層の上面に、前記第2のドレイン領域との間に寄生容量が形成されるように形成され、前記第3及び第4ゲート電極を接続する第2の導体とを備える第2相補型電界効果トランジスタと、
前記第2相補型電界効果トランジスタと前記第2のドレイン領域を共有する電界効果トランジスタからなる第2のトランスファーゲートとを具備し、
前記第1の導体の上に、前記第1の導体と前記第2のドレイン領域とが電気的に接続する第3の導体を具備し、前記第2の導体の上に、前記第2の導体と前記第1のドレイン領域とが電気的に接続する第4の導体を具備することを特徴とするスタティックランダムアクセスメモリ。 - 前記第1及び第2のドレイン領域は、それぞれ一体の金属性材料膜よりなることを特徴とする請求項1に記載のスタティックランダムアクセスメモリ。
- 前記半導体基板に正孔伝導型の半導体領域を備え、
前記正孔伝導型の半導体領域中に前記第1の電子伝導型電界効果トランジスタ及び前記第2の電子伝導型電界効果トランジスタが形成され、
前記第1及び第2のドレイン領域の金属性材料の仕事関数は、真性半導体のエネルギーバンドギャップの中央よりも高く、前記第1及び第2のドレイン領域は前記正孔伝導型の半導体領域に包含されていることを特徴とする請求項1または2に記載のスタティックランダムアクセスメモリ。 - 前記半導体基板に電子伝導型の半導体領域を備え、
前記電子伝導型の半導体領域中に前記第1の正孔伝導型電界効果トランジスタ及び前記第2の正孔伝導型電界効果トランジスタが形成され、
前記第1及び第2のドレイン領域の金属性材料の仕事関数が、真性半導体のエネルギーバンドギャップの中央よりも低く、前記第1及び第2のドレイン領域は前記電子伝導型の半導体領域に包含されていることを特徴とする請求項1または2に記載のスタティックランダムアクセスメモリ。
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