KR100503691B1 - 고체촬상장치 - Google Patents

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KR100503691B1
KR100503691B1 KR1019950013375A KR19950013375A KR100503691B1 KR 100503691 B1 KR100503691 B1 KR 100503691B1 KR 1019950013375 A KR1019950013375 A KR 1019950013375A KR 19950013375 A KR19950013375 A KR 19950013375A KR 100503691 B1 KR100503691 B1 KR 100503691B1
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마끼야스히또
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소니 가부시끼 가이샤
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Abstract

고속 전송 등의 기능을 구동계에 유지시키지 않아도, 간단한 구성으로 전원 상승시에 단시간내에 정상 동작으로 이행 가능한 고체 촬상 장치를 제공한다. 센서열(2)의 전하 전송 레지스터(4)의 반대쪽에 전하 배출 게이트(11) 및 전하 배출 드레인(12)을 형성하고, 전원 상승시에 시정수 회로(14)에서 일정 시간만큼 제어 전압(V1)을 출력함과 함께, 이 제어 전압(V1)을 전하 배출 게이트(11)에 대해 인가하여, 전원 투입 전에 각 수광부(1)에 축적된 불필요한 초기 전하를 전하 배출 드레인(12)으로 보내어 재빨리 제거하는 구성으로 한다.

Description

고체 촬상 장치
산업상의 이용분야
본 발명은 선형 센서(라인 센서)나 영역 센서라 칭하는 고체 촬상 장치에 관한 것으로, 특히 상품 등의 매체에 첨부된 바코드를 판독하는 바코드 판독 장치의 이미지 센서로서 사용하기에 가장 적합한 고체 촬상 장치에 관한 것이다.
종래의 기술
고체 촬상 장치, 예를들면 CCD 선형 센서의 종래예를 제 10 도에 도시한다. 이 CCD 선형 센서는 입사광을 그 광량에 따른 전하량의 신호 전하로 변환해서 축적하는 수광부(101)가 일렬로 복수개 배열되어 이루어진 센서열(102)과, 이 센서열(102)의 각 수광부(101)로부터 독출(read out)하고 게이트(103)를 통해 독출된 신호 전하를 한 방향으로 전송하는 CCD로 이루어진 전하 전송 레지스터(104)를 갖춘 구성으로 되어 있다.
독출 게이트(103)는 독출 펄스 ø ROG가 인가됨으로써 센서열(102)의 각 수광부(101)에 축적된 신호 전하를 전하 전송 레지스터(104)에 일제히 독출한다. 전하 전송 레지스터(104)는 2 상의 전송 클럭(øH1, øH2)에 의해 2 상 구동됨으로써 신호 전하를 전송한다.
전하 전송 레지스터(104)의 최종단(final stage)에는 전송되어 온 신호 전하를 검출하여 전압으로 변환하는 예를 들면 부동 확산(floating diffusion) 구성의 전하 전압 변환부(105)가 형성되어 있다. 이 전하 전압 변환부(105)의 출력 전압은 버퍼(106)를 통해 출력 단자(107)로부터 CCD 출력으로서 도출된다.
상기 구성의 CCD 선형 센서는 예를 들면 상품 등의 매체에 부착된 바코드를 판독하는 바코드 판독 장치의 이미지 센서로서 사용된다.
그런데, 전원 투입전의 선형 센서는 열적인 평형 상태에 있고, 이 평형 상태에서는 수광부(11)가 전하로 넘쳐 있기 때문에 전원 투입(전원상승) 직후에는 불필요한 초기 전하의 존재에 의해 화소 신호를 정상적으로 독출할 수가 없다. 즉, 불필요한 전하가 제거된 후가 아니면 화소 신호를 정상적으로 독출할 수 없고, 따라서 장치의 동작 개시(start up)가 늦어진다.
이 불필요한 초기 전하는 센서부의 개구 사이즈(센서 면적)가 커질수록 많기 때문에 통상의 전송 동작에서는 수 라인 또는 수십 라인분(分)의 전하의 독출/전송을 반복하지 않으면 수광부(101)의 불필요한 전하를 제거할 수가 없다. 특히, 바코드를 판독하는 장치에 적용되는 선형 센서의 경우는 1 화소의 개구 사이즈가 14μ m x 200 μm 로 큼으로써, 전원 상승시의 수광부(101)의 초기 전하도 대량이기 때문에 이 초기 전하를 제거하고서 정상적으로 동작할 때까지의 장치의 동작 개시가 매우 늦어진다. 또한, 통상의 선형 센서에 있어서 1 화소의 개구 사이즈는 예를 들면 7 μm x 7 μm 나 14 μm x 14 μm 정도로 바코드를 판독하는 장치에 사용되는 선형 센서에 비해 적다.
그러나, 바코드를 판독하는 장치의 경우에는 대기시는 전원이 오프 상태에 있고 사용 직전에 사용자가 전원 스위치를 온(on)한 때에는 곧바로 판독을 개시해야 하기 때문에 전원 온 시에 재빨리 바코드를 판독할 필요가 있다.
이 때문에 종래의 CCD 선형 센서에서는 제 11 도에 도시한 바와 같이 전원 투입시부터의 일정기간에서는 전송 클럭(øH1, eH2)의 주파수를 통상 전송시의 주파수보다도 높게 하여 신호 전하를 고속 전송함으로써 초기 전하를 재빨리 제거하도록 하고 있었다.
발명이 해결하고자 하는 과제
그러나, 상술한 바와 같이 전원 투입시에 고속 전송모드로서 초기 전하를 제거하는 구성의 종래의 선형 센서에서는 고속 전송 모드용의 높은 주파수와 통상 전송모드용의 낮은 주파수의 2 종류의 전송 클럭(øH1, øH2)이 필요하기 때문에 이들 클럭을 발생하는 타이밍 발생기가 필요로 하고 구성이 복잡하여 고가로 되는 문제가 있었다.
또한, 고속 전송 모드에서의 전송 클럭(øH1, øH2)의 주파수를 높이는 데에도 한도가 있기 때문에 전원 투입 후 정상 동작으로 이행할 때까지의 시간을 단축하는 데에도 한계가 있었다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 행해진 것이고, 그 목적하는 바는 고속 전송 등의 기능을 구동계가 갖지 않고서도, 간단한 구성으로 전원 상승시에 단시간에 정상 동작으로 이행이 가능한 고체 촬상 장치를 제공하는 데에 있다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명에 의한 고체 촬상 장치는, 입사광을 그 광량에 따른 전하량의 신호 전하로 변환하여 축적하는 수광부가 복수개 배열되어 이루어진 센서부와, 상기 센서부의 각 수광부로부터 독출된 신호 전하를 전송하는 전하 전송 레지스터와, 상기 수광부에 인접하게 배치되어, 상기 센서부의 각 수광부에 축적된 초기 전하를 배출하기 위한 전하 배출부와, 상기 고체 촬상 장치에 대한 전원 투입시, 제어 전압을 상기 전하 배출부에 인가하여 상기 각 수광부에 축적된 초기 전하를 상기 전하 배출부로 보내어 제거하도록 제어하는 제어 수단을 구비한 구성으로 되어 있다.
작 용
상기 구성의 고체 촬상 장치에 있어서, 전원 투입 전 센서부의 각 수광부는 불필요한 초기 전하로 넘치고 있다. 이 초기 전하는 전원 상승시에 제어 수단에 의한 제어에 의해 전하 배출부로 보내어 강제적으로 제거된다.
이때 각 수광부의 초기 전하가 한번에 전하 배출부로 보내져 제거되어 전원 상승시 신호 전하를 정상적으로 판독하는 상태로 단시간에 이행된다.
실시예
다음에 본 발명의 실시예를 도면에 의거해서 상세히 설명한다.
제 1 도는 본 발명의 제 1 실시예를 도시한 구성도이다. 제 1 도에 있어서 입사광을 그 광량에 의한 전하량의 신호 전하로 변환해서 축적하는 포토다이오드 등으로 이루어진 수광부(화소)(1)가 일렬로 복수개(예를 들면 2000 화소분) 배열되어 센서열(2)을 구성하고 있다.
이 센서열(2)의 각 수광부(1)에 축적된 신호 전하는 독출 게이트(3)를 통해 전하 전송 레지스터(4)에 일제히 독출된다. 독출 게이트(3)에는 클럭 단자(5)를 통해 독출 펄스(øROG)가 인가된다.
한편, 전하 전송 레지스터(4)에는 클럭 단자(6, 7)를 통해 2상의 전송 클럭 øH1, øH2 이 인가된다. 전하 전송 레지스터(4)는 CCD로 이루어지고 2 상의 전송 클럭 øH1, øH2 에 의해 2 상 구동됨으로써 각 수광부(1)로부터 독출된 신호 전하를 한 방향(도면의 오른쪽 방향)으로 전송한다.
전하 전송 레지스터(4)의 최종단에는 전송되는 신호 전하를 검출하여 전압으로 변환하는 예를 들면 부동 확산 구성의 전하 전압 변환부(8)가 설치되어 있다. 이 전하 전압 변환부(8)의 출력 전압은 버퍼(9)를 통해 출력 단자(10)에서 CCD 출력으로서 도출된다. 이상에 의해, 예를 들면 2000 화소의 CCD 선형 센서가 구성되어 있다.
또한, 본 실시예에 있어서는 센서열(2)의 전하 전송 레지스터(4)와 반대쪽에, 전하 배출 게이트(11)를 끼고 전하 배출 드레인(12)이 전하 배출부로서 형성되어 있다. 전하 배출 게이트(11)는 통상은 전위가 낮은 상태에 있으며 센서열(2)의 각 수광부(1)에 대해서 전위 장벽으로서 기능을 한다.
이 전하 배출 게이트(11)에는 직류 전원(장치 전원)(13)의 상승시에 제어 수단으로서의 시정수 회로(14)에서 일정시간 만큼 제어 전압(V1)이 인가된다.
시정수 회로(14)는 센서열(2)이나 전하 전송 레지스터(4) 등과 동일한 기판(15) 위에 형성(온-칩)되어 있고, 직류 전원(13)으로부터 전원 단자(16)를 통해 인가되는 전원 전압(Vdd)에 응답해서 일정 시간만큼 제어 전압(V1)을 출력한다.
다음에, 상기 구성의 제 1 실시예에 관한 CCD 선형 센서의 동작에 대해서 제 2 도의 타이밍도를 참조하면서 설명한다.
이 CCD 선형 센서에서는 전원 투입전, 센서 열(2)의 각 수광부(1)에는 불필요한 전하가 초기 전하로서 축적되어 있다. 이 상태에 있어서 전원이 투입(전원온)되면 시정수 회로(14)로부터는 전원 단자(16)를 통해 부가되는 전원 전압(Vdd)에 응답해서 일정 시간 τ(예를 들면 1msec 정도)만큼 제어 전압(V1)이 출력된다.
이 제어 전압(V1)은 전하 배출 게이트(11)에 인가된다. 그러면 그때까지 센서열(2)의 각 수광부(1)에 대해 전위 장벽으로서 기능을 하고 있던 전하 배출 게이트(11)의 전위가 제어 전압(V1)의 인가에 의해 높아진다.
이에 의해 센서열(2)의 각 수광부(1)에 축적되어 있던 초기 전하가 전하 배출 게이트(11)를 통해 전하 배출 드레인(12)으로 보내져 제거되게 된다.
전원 투입시부터 일정시간(τ)이 경과하면, 제어 전압(V1)이 소멸한다. 그러면 전하 배출 게이트(11)의 전위가 낮아져, 상기 게이트(11)는 센서열(2)의 각 수광부(1)에 대해 다시 전위 장벽으로서 기능을 한다.
그후는, 판독할 화상 정보(바코드를 판독하는 장치의 이미지 센서로서 사용한 경우에는 바코드 정보)에 대응한 신호 전하가 센서열(2)의 각 수광부(1)에 축적된다.
센서열(2)의 각 수광부(1)에 축적된 신호 전하는, 독출 펄스(øROG)가 독출 게이트(3)에 인가됨으로써 전하 전송 레지스터(4)에 일제히 독출되고, 전하 전송 레지스터(4)가 전송 클럭(øH1, øH2)에 의해 2상 구동됨으로써 차례로 전송된다.
그래서, 전하 전압 변환부(8)에서 전압으로 변환되고 버퍼(9)를 통해 출력단자(10)에서 CCD출력으로서 도출된다.
상술한 바와 같이, 센서열(2)의 전하 전송 레지스터(4)의 반대쪽에 전하 배출 게이트(11) 및 전하 배출 드레인(12)을 형성하고 전원 상승시에 시정수 회로(14)에서 전하배출 게이트(11)에 대해 일정시간(τ)만큼 제어 전압(V1)을 인가하도록 하였으므로 전원 투입 전에 각 수광부(1)에 축적된 불필요한 초기 전하를 전하 배출 드레인(12)으로 보내어 재빨리 제거해 낼 수가 있다.
이에 따라, 간단한 구성으로 전원 상승시에 단시간으로 정상 동작으로 이행하게 된다.
여기서, 전원 상승에 있어서 초기 전하를 제거해낼 때에는 반드시 초기 전하의 모든 것을 제거해낼 필요는 없고 초기 전하를 다소라도 제거할 수가 있다면 그에 상당하는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 초기 전하를 제거하는 동작시에 독출 게이트(3)에 독출 펄스(øROG)를 인가함과 함께, 전하 전송 레지스터(4)에 전송 클럭(øH1, øH2)을 인가해서 통상의 독출/전송 동작을 병행해서 실행하도록 하면, 전하 배출 게이트(11)쪽에서 만이 아니고 독출 게이트(3)쪽에서도 초기 전하를 제거할 수 있다.
제 3 도는 본 발명의 제 2 실시예를 도시한 구성도이고, 도면 중 제 1 도와 동등한 부분에는 동일 부호를 붙여서 도시하고 있다.
이 제 2 실시예에서는 시정수 회로(14)를 기판(15)의 외부에 형성하여 직류전압(Vdd)의 상승에 응답해서 시정수 회로(14)에서 출력되는 제어 전압(V1)을 제어 단자(17)와, 파형 정형 등의 처리를 하는 버퍼(18)를 통해 전하 배출 게이트(11)에 인가하는 구성으로 되어 있으며, 그 이외는 제 1 실시예의 구성과 전부 동일하다.
따라서, 상기 구성의 제 2 실시예의 동작은 제 1 실시예의 경우와 동일하고, 동일한 작용 효과를 갖는다. 또한, 제 4 도는 제 2 실시예에 관한 타이밍도이다.
또한, 이 제 2 실시예에 있어서는 제어 단자(17)와 버퍼(18)를 통해 제어 전압(V1)을 전하 배출 게이트(11)에 인가한다 하였으나 파형 정형 등의 처리가 불필요하면 버퍼(18)를 통과시키지 않고 직접 전하 배출 게이트(11)에 인가하도록 하여도 좋다.
제 5 도는 본 발명의 제 3 실시예를 도시한 구성도이고, 도면 중 제 3 도와 동등한 부분에는 동일한 부호를 붙여서 표시하였다.
이 제 3 실시예에서는 제 2 실시예에서 시정수회로(14)로서, 제어 단자(17)와 접지간에 접속된 콘덴서(C)와, 제어 단자(17)에 일단이 접속되고, 또한 다른 단에 전원 전압(Vdd)이 부가되는 저항(R)으로 이루어진 CR 시정수 회로(19)가 사용된 구성으로 되어 있다.
또한, 이 CR 시정수 회로(19)의 출력 전압(V0)을 제어 단자(17)와 인버터(20)를 통해 전하 배출 게이트(11)에 인가하도록 하고 있다.
여기에서 CR 시정수 회로(19)의 전원 전압 상승 특성은,
[식 1]
V(t) = Vdd · (1 - exp(-t /CR))
로 나타내어진다. 이것을 파형 정형하기 위해 인버터가 설치되어 있는 것이다.
다음에, 상기 구성의 제 3 실시예에 관한 CCD 선형 센서의 동작에 대해서 제 6 도의 타이밍도를 참조하면서 설명을 한다.
먼저 전원이 투입(전원 온)되면, 이것에 응답해서 CR 시정수회로(19)의 출력 전압(V0)이 식 1로 나타내어지는 전원 전압 상승 특성으로서 서서히 상승한다. 또한, 이 출력 전압(V0)을 입력으로 하는 인버터(20)의 출력 전압인 제어 전압(V1)은 거의 전원 투입시에 상승한다.
이 제어 전압(V1)이 전하 배출 게이트(11)에 인가되면 그때까지 센서열(2)의 각 수광부(1)에 대해서 전위 장벽으로서 기능을 하고 있던 전하 배출 게이트(11)의 전위가 제어 전압(V1)의 인가에 의해 높아진다.
이에 의해, 센서열(2)의 각 수광부(1)에 축적되어 있던 초기 전하가 전하 배출 게이트(11)를 통해 전하 배출 드레인(12)으로 보내져 제거된다.
CR 시정수 회로(19)의 출력 전압(V0)이 상승하고, 전원 투입시점에서 일정 시간(τ)의 경과 후에 인버터(20)의 임계 레벨에 달하면 인버터(20)의 출력이 반전하고 제어 전압(V1)이 소멸한다. 그러면, 전하 배출 게이트(11)의 전위가 낮아지고, 상기 게이트(11)는 센서열(2)의 각 수광부(1)에 대해서 다시 전위 장벽으로서 기능을 한다. 그후는 바코드 정보에 대응한 신호 전하가 센서열(2)의 각 수광부(1)에 축적된다.
센서열(2)의 각 수광부(1)로부터의 신호 전하의 통상의 독출/전송은 제 1 실시예의 경우와 동일하게 행해진다.
또한, 이 제 3 실시예에서는 CR 시정수 회로(19)를 기판(15)의 외부에 설치하는 구성으로 하였으나 제 1 실시예의 경우와 같이 온 칩으로 할 수도 있다.
또한, 역으로 인버터(20)를 온 칩으로 하는 구성으로 하였으나 기판(15)의 외부에 설치하도록 하여도 좋다. 단, 기판(15) 밖에 설치하면 인버터(20)를 위한 전원이 필요하게 되므로 온 칩으로 하는 편이 바람직하다.
제 7 도는 인버터(20)의 회로 구성의 일 예를 도시한 회로도이다. 도면에 도시한 바와 같이, 인버터(20)는 전원(Vdd)과 접지 사이에 직렬로 접속된 P 채널형 MOS 트랜지스터(M1) 및 N 채널형 MOS 트랜지스터(M2)로 이루어진 CMOS 구성으로 되어 있다.
그래서, 두 MOS 트랜지스터(M1, M2)의 각 게이트의 공통 접속점에 입력 전압(Vin)이 인가되고, 각 드레인의 공통 접속점에서 출력 전압(Vout)이 도출되도록 배선되어 있다.
이와 같은 종류의 인버터를 일반적으로 논리 회로에 적용하는 경우에는, 임계 레벨을 전원 전압 Vdd의 거의 1/2(Vdd/2)로 설정한 제 8 도의 파선과 같은 입출력 특성을 표시하는, 말하자면 센터형 인버터 구성으로 하는 것이 일반적이다.
이에 대해, 본 예에서는 임계 레벨을 전원 전압 Vdd의 1/2보다 높게 설정한 제 8 도의 실선과 같은 입출력 특성을 도시한, 말하자면 높은 임계형 인버터가 구성되어 있다.
이와 같이 인버터(20)를 높은 임계형 인버터 구성으로 함으로써, 제 9 도의 파형도로부터 명백한 바와 같이, CR 시정수 회로(19)의 콘텐서(C) 및 저항(R)의 값을 크게 하지 않아도 센터형 인버터 구성의 경우보다도 일정 시간(τ)을 크게 설정할 수 있다.
바꾸어 말하면, 동일한 일정 시간(τ)을 설정하는 경우를 생각하면, CR 시정수 회로(19)의 콘덴서(C) 및 저항(R)의 값을 센터형 인버터의 경우보다도 적게 할 수 있으므로 염가의 부품을 사용할 수 있으므로 원가 면에서 유리해진다. 일 예로서, 용량치가 큰 경우에는 고가인 전해 콘덴서나 탄탈 콘덴서를 사용해야 하나, 용량치가 적은 경우에는 염가인 세라믹 콘덴서로 대응할 수 있게 된다.
인버터(20)를 높은 임계형 구성의 것으로 하기 위해서는, P 채널 형 MOS 트랜지스터(M1)의 상호 콘덕턴스를 gm1, N 채널형 MOS 트랜지스터(M2)의 상호 콘덕턴스를 gm2 라 할 때, gm1 > gm2 로 되도록, 구체적으로는 gm2/gm1를 1/2-1/10 정도로 설정하면 좋다.
또한, gm2/gm1 비를 바꾸려면, 일 예로서 P 채널형 MOS 트랜지스터(M1)및 N 채널형 MOS 트랜지스터(M2)의 각 이득을 나타내는 파라미터인 W (채널 폭)/L(채널 길이)을 바꾸어도 좋다.
또한, 본 예에서는, 인버터(20)로서 CMOS 구성의 것을 이용하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, N 채널형 MOS를 이용한 E/D 구성이나 E/E 구성 등 다른 구성의 인버터이어도 된다. 또한 노이즈에 강한 슈미트 트리거 인버터이어도 좋다.
이들 인버터를 사용하는 경우에도, 높은 임계형 인버터 구성으로 하는 것으로 상기와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상기 각 실시예에 있어서는 불필요한 초기 전하를 제거하기 위해 전하 배출 게이트(11) 및 전하 배출 드레인(12)을 새로 설치한 구성으로 하였으나, 전자 셔터 기능을 갖는 선형 센서에 적용하면 셔터 게이트 및 셔터 드레인을 전하 배출 게이트(11) 및 전하 배출 드레인(12)으로서 겸용 할 수 있으므로 시정수 회로를 추가하는 것만의 간단한 구성으로 소기의 목적을 달성할 수 있게 된다.
또한, 상기 각 실시예에서는, 센서열(2)의 각 수광부(1)의 초기 전하를 전하 배출 게이트(11)를 통해 전하 배출 드레인(12)으로 보내어 제거하는, 말하자면 가로형 구성으로 하였으나, 기판(15)에 제어 전압(V1)을 인가함으로써 초기 전하를 기판(15)으로 제거하는, 말하자면 세로형 구성이라도 좋다.
또한, 본 발명은 CCD 선형 센서로의 적용에 한정되는 것이 아니며, CCD 에 한정되지 않은 영역센서를 포함하는 모든 고체 촬상 장치에 적용이 가능하다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 센서부의 각 수광부에 축적된 전하를 배출하기 위한 전하 배출부를 설치하고, 장치 전원의 상승시에 불필요한 초기 전하를 이 전하 배출부로 보내어 강제적으로 제거하도록 구성하였으므로, 고속 전송 등의 기능을 구동계에 유지시키지 않고서도 간단한 구성으로 전원 상승시에 단시간으로 정상동작으로 이행할 수 있게 된다.
제 1 도는 본 발명의 제 1 실시예를 도시한 구성도.
제 2 도는 제 1 실시예에 관한 타이밍도.
제 3 도는 본 발명의 제 2 실시예를 도시한 구성도.
제 4 도는 제 2 실시예에 관한 타이밍도.
제 5 도는 본 발명의 제 3 실시예를 도시한 구성도.
제 6 도는 제 3 실시예에 관한 타이밍도.
제 7 도는 인버터의 회로구성의 일 예를 도시한 회로도.
제 8 도는 인버터의 입출력 특성을 도시한 특성도.
제 9 도는 전원 상승시에서의 인버터의 출력 파형을 도시한 파형도.
제 10 도는 종래예를 도시한 구성도.
제 11 도는 종래예에 관한 타이밍도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 수광부(화소) 2 : 센서열
3 : 독출 게이트 4 : 전하 전송 레지스터
8 : 전하 전압 변환부 11 : 전하 배출 게이트
12 : 전하 배출 드레인 14 : 시정수 회로
19 : CR 시정수 회로 20 : 인버터

Claims (4)

  1. 고체 촬상 장치에 있어서:
    입사광을 그 광량에 따른 전하량의 신호 전하로 변환하여 축적하는 수광부가 복수개 배열되어 이루어진 센서부와;
    상기 센서부의 각 수광부로부터 독출된 신호 전하를 전송하는 전하 전송 레지스터와;
    상기 센서부에 직접 접하도록 배치되어, 상기 센서부의 각 수광부에 축적된 초기 전하를 배출하기 위한 전하 배출부와;
    상기 고체 촬상 장치에 대한 전원 투입시, 제어 전압을 상기 전하 배출부에 인가하여 상기 각 수광부에 축적된 초기 전하를 상기 전하 배출부로 보내어 제거하도록 제어하는 제어 수단을 구비하며,
    상기 전하 배출부는 전하 배출 게이트와 전하 배출 드레인을 구비하고, 상기 전하 배출 게이트는 상기 센서부에 직접 접해있는 것을 특징으로 하는, 고체 촬상 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전하 배출 드레인은 상기 센서부의 상기 전하 전송 레지스터와는 반대쪽에 형성되며,
    상기 전하 배출 게이트는 상기 제어 수단에 의한 제어에 의해 상기 각 수광부에 축적된 전하를 상기 전하 배출 드레인으로 배출하여 제거하는 것을 특징으로 하는, 고체 촬상 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어 수단은, 전원 상승 시점으로부터 일정 시간만큼 게이트 펄스를 출력하여 상기 전하 배출 게이트에 인가하는 시정수 회로로 이루어진 것을 특징으로 하는, 고체 촬상 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어 수단은:
    전원 상승에 응답하여 그 출력이 소정의 시정수로 상승하는 CR 시정수 회로와;
    일정 시간을 설정하기 위한 임계 레벨에서 상기 CR 시정수 회로의 출력을 반전시키고 그 반전 출력을 상기 전하 배출 게이트에 인가하는 인버터로 이루어지고,
    상기 임계 레벨은 전원 전압의 1/2 보다도 높게 설정되는 것을 특징으로 하는, 고체 촬상 장치.
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