JP2008072324A - イメージセンサ、モジュール、および、電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】信号出力のダイナミックレンジを広げ、情報を正確に出力することが可能なイメージセンサ、そのイメージセンサを備えるモジュール、および、そのモジュールを備える電子機器を提供する。
【解決手段】複数の画素201〜20nの各々の増幅回路25から信号線Lに信号S2,S3が直接出力される。信号線Lが長くなり信号線Lの寄生容量が増加しても、信号線Lを伝達する信号が減衰するのを防ぐことができるので、信号出力のダイナミックレンジを広げることが可能になり、情報を正確に出力することが可能になる。
【選択図】図3
【解決手段】複数の画素201〜20nの各々の増幅回路25から信号線Lに信号S2,S3が直接出力される。信号線Lが長くなり信号線Lの寄生容量が増加しても、信号線Lを伝達する信号が減衰するのを防ぐことができるので、信号出力のダイナミックレンジを広げることが可能になり、情報を正確に出力することが可能になる。
【選択図】図3
Description
本発明は、イメージセンサ、モジュール、およびそのモジュールを備える電子機器に関する。より特定的には、本発明は原稿読み取りや画像入力等に用いられるリニアイメージセンサ、複数のリニアイメージセンサを備えるモジュール、および、そのモジュールを備える電子機器に関する。
一般的なCMOSイメージセンサは、光信号を電気信号に変換するための複数の光電変換素子(たとえばフォトダイオード等)と、複数の光電変換素子に対応してそれぞれ設けられる複数の増幅回路とを備える。増幅回路はたとえばMOSトランジスタを含むソースフォロワ回路により構成される。
このような構成を有するイメージセンサでは光がイメージセンサに入射しているかどうかに拘らず、ソースフォロワ回路からある一定の電圧レベルのオフセット信号が出力されることがある。またオフセット信号の大きさが複数のソースフォロワ回路間でばらつくことがある。オフセット信号の大きさがばらつく理由は、製造プロセス等の要因によりMOSトランジスタの特性がばらつくことによる。
このような現象が生じると各画素から出力される画像信号の基準レベルが画素間で異なる。この場合にはイメージセンサから出力される画像信号に基づいて画像を再現しても、イメージセンサが読み込んだ元の画像を精度よく再現できないことが起こる。
たとえば特開平5−48844号公報(特許文献1)は、ソースフォロワ回路の特性ばらつきを低減可能なイメージセンサを開示する。このイメージセンサでは、まず光電変換素子をリセットした直後にソースフォロワ回路から出力される電圧をコンデンサに保持する。次に光電変換素子が光を受けると光電変換素子の出力電圧(すなわちソースフォロワ回路の入力電圧)が変化する。これによりソースフォロワ回路の出力電圧が変化すると、コンデンサの他方端からはソースフォロワ回路の出力電圧の変化分に相当する電圧のみが出力される。よってコンデンサの他方端からはオフセット成分を除去した画像信号を取り出すことができる。
特開平5−48844号公報
特開平5−48844号公報(特許文献1)に開示されるイメージセンサでは、フォトダイオードからの信号電圧をコンデンサに充電して、コンデンサの電荷を用いて外部に信号を伝える方式を用いている。このためコンデンサの他方端と出力回路とを接続する配線が長くなる。この場合には、その配線の長さに起因する寄生容量も大きくなる。コンデンサの容量をC1とし、配線の寄生容量をC2とすると、コンデンサの他方端から出力される画像信号の電圧はC1/(C1+C2)倍に低下する。つまり信号が減衰するという問題が生じる。
特開平5−48844号公報(特許文献1)はこの問題を解決するための出力回路を開示する。しかし、各コンデンサの他方端と出力回路とを接続する配線を共有しているため配線が長くなり、信号が減衰するという問題は解決できていない。
本発明の目的は、信号出力のダイナミックレンジを広くし、情報を正確に出力することが可能なイメージセンサ、そのイメージセンサを備えるモジュール、および、そのモジュールを備える電子機器を提供することである。
本発明は要約すれば、イメージセンサであって、選択的に活性化される複数の画素を備える。複数の画素の各々は、受光強度に応じた第1の信号を出力する光電変換素子と、基準電圧を出力するリセット回路と、第1の信号を増幅して第2の信号を出力し、かつ、第1の信号に代えて基準電圧を受けた場合に第3の信号を出力する増幅回路とを含む。イメージセンサは、信号線と、補正回路とをさらに備える。信号線は、増幅回路から第2および第3の信号を受け、第2および第3の信号を伝達させる。補正回路は、信号線から受ける第2および第3の信号の一方の電圧値を保持し、信号線から第2および第3の信号の他方の信号を受けて、他方の信号の電圧値と保持した電圧値とを用いて、増幅回路から出力され得るオフセット電圧を第2の信号から除去する。
本発明の他の局面に従うと、イメージセンサであって、選択的に活性化される複数の画素を備える。複数の画素の各々は、受光強度に応じた第1の信号を出力する光電変換素子と、基準電圧を出力するリセット回路と、第1の信号を増幅して第2の信号を出力し、かつ、第1の信号に代えて基準電圧を受けた場合に第3の信号を出力する増幅回路とを含む。イメージセンサは、補正回路をさらに備える。補正回路は、第2および第3の信号の一方の電圧値を保持し、第2および第3の信号の他方の電圧値と保持した電圧値とを用いて、増幅回路から出力され得るオフセット電圧を第2の信号から除去する。
好ましくは、複数の画素の各々は、増幅回路の出力端子と、第1のノードとの間に設けられる第1のスイッチをさらに含む。補正回路は、一方端の電圧が固定され、他方端に第2の信号が入力されて、第2の信号の電圧値を保持するコンデンサと、第1のノードとコンデンサの他方端との間に設けられ、第2の信号が入力される期間にオンし、第3の信号が入力される期間にオフする第2のスイッチと、第1のノードの電圧値と、コンデンサの他方端の電圧値との差分を演算する差分回路とを含む。
より好ましくは、補正回路は、コンデンサに保持される電圧を差分回路に出力するための第1の出力バッファと、第1のノードの電圧を差分回路に出力するための第2の出力バッファとをさらに含む。
好ましくは、複数の画素の各々は、増幅回路の出力端子と、第1のノードとの間に設けられる第1のスイッチをさらに含む。補正回路は、第1のノードに一方端が結合されるコンデンサと、電圧出力端子から所定の電圧を出力する定電圧源と、電圧出力端子と、コンデンサの他方端との間に設けられる第2のスイッチとを含む。
より好ましくは、補正回路は、コンデンサの他方端の電圧を出力するための出力バッファをさらに含む。
より好ましくは、リセット回路は、第3のスイッチを含む。第3のスイッチは、基準電圧が与えられる基準電圧端子と、光電変換素子が第1の信号を出力する信号出力端子との間に設けられる。イメージセンサは、入力されるクロック信号に基づいて複数の画素を順次選択して、選択した画素に含まれる第1から第3のスイッチを制御するスイッチ制御回路をさらに備える。スイッチ制御回路は、クロック信号の1周期の間、第1のスイッチをオンさせて、クロック信号の1周期内に第2のスイッチをオンおよびオフさせるとともに、第2のスイッチがオフする期間に第3のスイッチをオンさせる。
さらに好ましくは、スイッチ制御回路は、第2のスイッチがオフした後に第3のスイッチをオンさせる。
さらに好ましくは、スイッチ制御回路は、クロック信号に同期して変化する第1の制御信号を第2のスイッチに与えて第2のスイッチを動作させるとともに、クロック信号を遅延させた第2の制御信号を第3のスイッチに与えて第3のスイッチを動作させる。
本発明のさらに他の局面に従うと、モジュールであって、上述のいずれかのイメージセンサを少なくとも1つ備える。
本発明のさらに他の局面に従うと、電子機器であって、上記のモジュールを備える。
好ましくは、モジュールは、複数のイメージセンサを含む。電子機器は、電源制御回路をさらに備える。電源制御回路は、複数のイメージセンサを順次選択して、選択されたイメージセンサに含まれる増幅回路に対して電源を供給し、かつ、他のイメージセンサに含まれる増幅回路への電源供給を停止する。
好ましくは、モジュールは、複数のイメージセンサを含む。電子機器は、電源制御回路をさらに備える。電源制御回路は、複数のイメージセンサを順次選択して、選択されたイメージセンサに含まれる増幅回路に対して電源を供給し、かつ、他のイメージセンサに含まれる増幅回路への電源供給を停止する。
より好ましくは、複数の画素の各々は、電源制御回路の指示に応じて、増幅回路に電源を供給するか否かを切換える切換部をさらに含む。
本発明によれば、イメージセンサの信号出力のダイナミックレンジを広くし、イメージセンサから情報を正確に出力することが可能になる。
以下において、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
[実施の形態1]
図1は、本実施の形態に係るイメージセンサを搭載した電子機器の一例を示す図である。
図1は、本実施の形態に係るイメージセンサを搭載した電子機器の一例を示す図である。
図1を参照して、スキャナ100は、本実施の形態に係るイメージセンサを搭載した電子機器の一例である。スキャナ100は、イメージセンサヘッド1と、フレキシブルケーブル2と、フレキシブルケーブル2を介してイメージセンサヘッド1に接続される制御部3と、文字や画像などが記された原稿を置く原稿読み取り台4とを備える。
イメージセンサヘッド1は本発明のモジュールに対応する。イメージセンサヘッド1は可動であり、原稿読み取り台4に置かれた原稿から文字や画像を読み取って制御部3に画像信号を送る。
制御部3は、画像信号に基づいてイメージセンサヘッド1が読み取った画像を再現する。また、制御部3はイメージセンサヘッド1の動作を制御する。
なお本実施の形態に係るイメージセンサを搭載した電子機器はスキャナに限定されない。たとえばファクシミリ、コピー機、プリンタ複合機(プリンタにファクシミリやスキャナ等の機能を統合した製品)等にも本実施の形態に係るイメージセンサを用いることができる。
図2は、図1のイメージセンサヘッド1の構成例を示す図である。図2を参照して、イメージセンサヘッド1は1次元に配置されたm個(mは2以上の整数)のイメージセンサ101〜10mを含む。イメージセンサ101〜10mは回路基板11に実装される。回路基板11と制御部3とはフレキシブルケーブル2を介して接続される。これによりイメージセンサ101〜10mから出力される画像信号が制御部3に送られるとともに制御部3から出力される制御信号がイメージセンサ101〜10mに送られる。
次に、イメージセンサ101〜10mの構成について説明する。ただしイメージセンサ101〜10mは互いに同様の構成を有するため、以下では代表的にイメージセンサ101の構成について説明する。
図3は、イメージセンサ101の構成を示す図である。
図3を参照して、イメージセンサ101は、1次元に配置されるn個(nは2以上の整数)の画素201〜20nと、信号線Lと、補正回路22と、スイッチ制御回路23とを含む。
図3を参照して、イメージセンサ101は、1次元に配置されるn個(nは2以上の整数)の画素201〜20nと、信号線Lと、補正回路22と、スイッチ制御回路23とを含む。
画素201〜20nは互いに同一の構成を有するため、以下では画素201の構成を代表的に説明する。画素201は、光電変換素子であるフォトダイオードPDと、増幅回路25と、スイッチSW1,SW2とを含む。
フォトダイオードPDのカソード端子およびアノード端子は増幅回路25の入力端子および接地ノードにそれぞれ接続される。フォトダイオードPDは光を受けてカソード端子から信号S1を出力する。
増幅回路25はソースフォロワ回路である。具体的に説明すると増幅回路25はNチャネルMOSトランジスタ26と、定電流回路27とを含む。NチャネルMOSトランジスタ26のゲートは増幅回路25の入力端子に対応する。NチャネルMOSトランジスタ26のドレインは電源ノードに接続される。定電流回路27はNチャネルMOSトランジスタ26のソースから接地ノードに向かって定電流を流す。定電流回路27はたとえばカレントミラー回路により構成される。
NチャネルMOSトランジスタ26のソースは増幅回路25の出力端子に相当する。スイッチSW1は、NチャネルMOSトランジスタ26のソースとノードN0との間に接続され、信号SO1に応じてオンしたりオフしたりする。
なお、ソースフォロワ回路はNチャネルMOSトランジスタに代えてPチャネルMOSトランジスタを含むように構成されてもよい。この場合、たとえばソースフォロワ回路は以下のように構成される。PチャネルMOSトランジスタのソースはスイッチSW1の一方端に接続され、PチャネルMOSトランジスタのドレインは接地ノードに接続され、PチャネルMOSトランジスタのゲートはフォトダイオードPDのカソード端子に接続される。定電流回路27は電源ノードとPチャネルMOSトランジスタのソースとの間に接続される。
スイッチSW2は、電圧BIAS(基準電圧)が与えられる端子RST(基準電圧端子)とフォトダイオードPDのカソード端子(信号出力端子)との間に接続される。スイッチSW2は信号SR1に応じてオンしたりオフしたりする。
スイッチSW2がオンするとフォトダイオードPDには逆方向のバイアス電圧である電圧BIASが印加されるため、フォトダイオードPDの接合容量が充電される。一方、スイッチSW2がオフしたときにフォトダイオードPDが光を受けると、フォトダイオードPDの接合容量は光電流に応じて徐々に放電される。これによりフォトダイオードPDのカソード電圧は、電圧BIASよりも入射光量に応じた電圧だけ低くなる。信号S1はこのときのフォトダイオードPDのカソード電圧の変化分を示す。
信号S1は増幅回路25の入力端子に与えられ、増幅回路25により増幅される。スイッチSW1がオンすると、増幅回路25からノードN0に信号S2が出力される。一方、スイッチSW2がオンしたときには信号S1はリセットされた状態になる。言い換えると信号S1に代えて電圧BIAS(基準電圧)が増幅回路25に入力される。このときスイッチSW1がオンしているとノードN0に信号S3が出力される。
画素202〜20nの各々における動作も画素201における動作と同様である。画素202〜20nはスイッチSW1を制御するための信号SO2〜SOnをそれぞれ受けるとともにスイッチSW2を制御するための信号SR2〜SRnをそれぞれ受ける。
信号線Lは画素202〜20nに共通に設けられる。信号線LはノードN0とノードN2との間に接続されて信号S2,S3を伝送する。
補正回路22は、コンデンサ30と、バッファ(緩衝増幅器)31,32と、スイッチSWAと、差分回路33とを含む。
コンデンサ30は画素202〜20nに共通に設けられる。コンデンサ30の一方端は接地され、その電圧が固定される。コンデンサ30の他方端はノードN1に接続される。
バッファ31の入力端子はノードN2に接続される。バッファ32の入力端子はノードN1に接続される。バッファ31,32はいわゆるボルテージフォロワ回路である。よって、これらのバッファでは入力電圧と出力電圧とが等しい。
スイッチSWAはノードN1とノードN2との間に接続され、信号SAに応じてオンしたりオフしたりする。増幅回路25から信号S2が出力される期間にスイッチSWAがオンすると、コンデンサ30の他方端(ノードN1に接続される端子)には信号S2が入力される。
これによりノードN1の電圧は信号S2の電圧に等しくなる。その後、信号S3が増幅回路25から出力される期間にスイッチSWAはオフする。この期間、ノードN1の電圧は信号S2の電圧値に保たれる。
差分回路33はバッファ31の出力電圧とバッファ32の出力電圧との差分(すなわちノードN1における電圧V1とノードN2における電圧V2との差分)に応じた電圧V3を端子OUTから出力する。
フォトダイオードPDに光が入射しているか否かに拘らず、増幅回路25に含まれるNチャネルMOSトランジスタ26からはオフセット電圧が出力されることがある。このオフセット電圧をαとする。信号S2および信号S3はオフセット成分(オフセット電圧α)を含む。また、各画素に含まれるMOSトランジスタの特性がばらついた場合にはオフセット電圧αの値が各画素で異なる。
一方、差分回路33から出力される電圧V3(=V2−V1)にはオフセット電圧αは含まれない。このため、本実施の形態ではNチャネルMOSトランジスタのオフセット電圧を考慮しなくてもよい。よって本実施の形態によれば受光量に応じた画像信号を各画素から取り出すことが可能になる。言い換えると本実施の形態によればイメージセンサの読み取り精度を向上させることができる。
スイッチ制御回路23は各画素に含まれるスイッチSW1,SW2と、補正回路22に含まれるスイッチSWAとを制御する。スイッチ制御回路23はクロック信号CLKを受けて信号SO1〜SOn,SR1〜SRn,SAを出力する。なおクロック信号CLKはイメージセンサ101の外部からスイッチ制御回路23に直接入力されてもよいし、外部から入力されるクロック信号に基づいてイメージセンサ101の内部で生成してもよい。
図4は、図3に示す画素201〜20nおよび信号線Lの配置を説明する図である。
図4を参照して、所定の方向に画素201〜20nが配置される。信号線Lの伸びる方向は画素の配置方向に等しい。したがって画素の数が多くなるほど信号線Lも長くなる。画素201〜20nの各々においては信号線Lを挟んでフォトダイオードPDと増幅回路25とが配置される。増幅回路25と信号線LとはスイッチSW1により接続される。なお補正回路22は信号線Lに直接接続されず、別の信号線によって信号線Lに接続される。
図4を参照して、所定の方向に画素201〜20nが配置される。信号線Lの伸びる方向は画素の配置方向に等しい。したがって画素の数が多くなるほど信号線Lも長くなる。画素201〜20nの各々においては信号線Lを挟んでフォトダイオードPDと増幅回路25とが配置される。増幅回路25と信号線LとはスイッチSW1により接続される。なお補正回路22は信号線Lに直接接続されず、別の信号線によって信号線Lに接続される。
続いて本実施の形態のイメージセンサの構成上の特徴を説明する。
図5は、本実施の形態の比較例における画素の構成を説明する図である。
図5は、本実施の形態の比較例における画素の構成を説明する図である。
図5および図3を参照して、画素201AはスイッチSW1の一方端とNチャネルMOSトランジスタ26との間に接続されるコンデンサ28をさらに備える点で画素201と異なる。なお画素201Aの他の部分の構成については画素201の対応する部分の構成と同様である。
また、コンデンサ28は増幅回路25に近づけて設けられる。コンデンサ28と出力回路とを接続する信号線の長さが長くなると、信号線の寄生容量の影響によって信号線を伝達する信号が減衰することが起こる。
画素201Aにおいては増幅回路25から出力される信号電圧によりコンデンサ28に電荷が蓄積される。そしてコンデンサ28に蓄積された電荷を用いて信号線Lにおける信号の伝達が行なわれる。図4に示すように画素に沿って信号線Lが配置されていると、画素の数が多くなるほど信号線Lが長くなる。信号線Lが長くなるほど信号線Lの寄生容量が大きくなる。コンデンサ28の容量をC1とし、信号線Lの寄生容量をC2とすると、コンデンサ28の他方端から出力される信号の電圧はC1/(C1+C2)倍に低下する。つまり寄生容量が大きくなる(信号線Lが長くなる)ほど、コンデンサ28の他方端からの電圧は小さくなる。
この問題を防ぐため、コンデンサ28の容量を大きくすることが考えられる。しかしながらこの場合にはコンデンサ28の面積が大きくなる。よって画素の数が多くなるほどイメージセンサが形成される半導体チップの面積を大きくする必要が生じる。
一方、図3に示すように本実施の形態では増幅回路25(ソースフォロワ回路)そのものが信号線Lに信号を出力する。この場合、信号線Lの寄生容量を電源ノードで充電することが可能になる。よって、信号電圧が大きく減衰するのを防ぐことができる。
また、スイッチSWAを設けることにより、スイッチSWAをオフした状態でコンデンサ30からバッファ32に電圧V1を出力すれば、信号線Lの寄生容量による電圧V1の低下を極力少なくすることができる。よって、信号出力のダイナミックレンジを広くし、正確に情報を出力できるイメージセンサを実現することができる。
また、本実施の形態では複数の画素201〜20nはいずれもコンデンサを含まないため、イメージセンサ101すなわち半導体チップの面積を縮小することが可能になる。ただし補正回路22は、画素201〜20nのそれぞれから出力される信号S2の電圧を保持するためのn個のコンデンサを含んでいてもよい。
図6は、図3に示すイメージセンサ101の動作を説明する信号波形図である。なお、以下の説明では画素201〜20nの各々の受光量は同一であるとする。
図6および図3を参照して、まず時刻t1以前では各画素201〜20nは光を受ける。これにより各画素に含まれるフォトダイオードPDの接合容量に蓄積された電荷が放電される。
時刻t1においてクロック信号CLKが立ち上がる。応じて信号SO1および信号SAが立ち上がる。画素201のスイッチSW1がオフ状態からオン状態に切換わるとともにスイッチSWAがオフ状態からオン状態に切換わる。
画素201の増幅回路25に信号S1が入力されると、増幅回路25からは信号S2が出力される。コンデンサ30は信号S2を受けてその電圧を保持する。なお、スイッチSW1,SWAがともにオンすると電圧V1と電圧V2とは等しくなる。ただし図6では電圧V1,V2を区別するため電圧V2と電圧V1とが異なるように示している。
次に、時刻t2においてクロック信号CLKが立ち下がると信号SAが立ち下がる。これによりスイッチSWAがオン状態からオフ状態に切換わる。よって電圧V1はスイッチSWAがオフする前の大きさに保たれる。
スイッチSWAがオフした後、時刻t3において信号SR1が立ち上がる。これによりスイッチSW2がオンして信号S1はリセットされる。このとき増幅回路25から信号S3が出力される。よって電圧V2は信号S3の電圧に等しくなる。
ここでスイッチSWAがオンしたままスイッチSW2がオンすると、電圧V1と電圧V2とが等しくなるのでコンデンサ30が信号S2の電圧を保持できなくなる。よってスイッチ制御回路23はスイッチSWAをオフさせた後にスイッチSW2をオンさせる。これによりコンデンサ30に信号S2の電圧を保持することができる。
スイッチ制御回路23はクロック信号CLKに同期して信号SAを変化させるとともに、クロック信号CLKを遅延させて信号SR1を出力する。これによりスイッチSWAがオフした後にスイッチSW2をオンさせることができる。クロック信号CLKを遅延させるため、たとえばスイッチ制御回路23の内部に遅延回路(たとえば複数段のインバータによる遅延回路)が設けられる。なお、スイッチ制御回路23とスイッチSW2とを接続する配線の長さが長くなるほど、その配線を伝達する信号SR1〜SRnが遅延する。よってスイッチ制御回路23とスイッチSW2とを接続する配線を所定の長さに競っていることによりスイッチ制御回路23からスイッチSW2への信号SR1の伝送を遅延させてもよい。
時刻t3から時刻t4までの期間には差分回路33に入力される電圧V1と電圧V2とが異なるため電圧V3が変化する。
時刻t4においてクロック信号CLKが立ち上がると、信号SO1が立ち下がるとともに信号SO2および信号SAが立ち上がる。さらに時刻t5においてクロック信号CLKが立ち下がると信号SR1が立ち下がるとともに信号SAが立ち下がる。時刻t4以後における信号SO2,SR2,SAの変化は時刻t1〜時刻t4における信号SO1,SR1,SAの変化とそれぞれ同様である。また時刻t4以後における電圧V1,V2,V3の変化は時刻t4以後における電圧V1,V2,V3の変化は時刻t1〜時刻t4における電圧V1,V2,V3の変化とそれぞれ同様である。
時刻t1〜時刻t2の期間における電圧V1と時刻t1〜時刻t2の期間における電圧V1とは異なる。電圧V2についても同様である。これは画素201,202に含まれるNチャネルMOSトランジスタの特性が異なることによりオフセット電圧αの大きさが画素201と画素202とで異なるためである。
しかしながら上述したように電圧V3にはオフセット電圧αが含まれない。さらに画素201と画素202とでは受光量が同じである。よって電圧V3の変化量ΔVは画素201と画素202とで同じになる。
ここで、クロック信号CLKの周期をTcとする。信号SAはクロック信号CLKに同期して変化する。よってスイッチSWAは1/2×Tcの期間ごとにオン状態とオフ状態とを切換える。
つまりスイッチ制御回路23は、複数の画素を順次選択して、選択した画素に含まれるスイッチSW1をクロック信号CLKの1周期の間オンさせる。そして、スイッチ制御回路23はクロック信号CLKの1周期内にスイッチSW2をオンさせるとともにオフさせる。さらにスイッチ制御回路23はスイッチSW2がオフする期間にスイッチSWAをオンさせる。このようにクロック信号CLKの1周期の間に各画素から信号が出力されるのでイメージセンサから高速に情報(画像信号)を読み出すことが可能になる。
以上のように実施の形態1によれば、各画素の増幅回路が、各画素に共通に設けられる信号線に信号電圧を直接出力するので、信号線が長くてもその信号線を伝達する信号が減衰するのを防ぐことができる。これにより実施の形態1によれば信号出力のダイナミックレンジを広げ、情報を正確に出力することができる。
また実施の形態1によれば、複数の画素に共通してコンデンサを設けることにより、チップ面積を縮小することができる。
[実施の形態2]
実施の形態2のイメージセンサは、実施の形態1のイメージセンサよりも補正回路の構成を簡単にすることができる。
実施の形態2のイメージセンサは、実施の形態1のイメージセンサよりも補正回路の構成を簡単にすることができる。
図7は、実施の形態2のイメージセンサの構成を示す図である。
図7および図3を参照して、イメージセンサ101Aは補正回路22に代えて補正回路22Aを備える点でイメージセンサ101と異なる。
図7および図3を参照して、イメージセンサ101Aは補正回路22に代えて補正回路22Aを備える点でイメージセンサ101と異なる。
補正回路22Aは、コンデンサ30と、スイッチSWAと、定電圧源34と、バッファ35とを含む。コンデンサ30の一方端はノードN0に接続され、コンデンサの他方端はノードN3に接続される。スイッチSWAの一方端はノードN3に接続され、スイッチSWAの他方端は定電圧源34の電圧出力端子に接続される。バッファ35の入力端子はノードN3に接続され、バッファ35の出力端子は端子OUTに接続される。
補正回路22Aと補正回路22とを比較すれば分かるように、補正回路22Aには差分回路が含まれていない。また、補正回路22Aに含まれるバッファの数は補正回路22に含まれるバッファの数よりも少ない。よって実施の形態2によれば実施の形態1よりも回路規模を小さくできる。
次に実施の形態2のイメージセンサの動作について説明する。なお、コンデンサ30の一方端(ノードN0に接続される端子)の電圧をV1とし、コンデンサ30の他方端(ノードN3に接続される端子)の電圧をV2とし、端子OUTの電圧をV3とする。ここでバッファ35はボルテージフォロワ回路であるので電圧V2と電圧V3とは等しい。
図8は、図7のイメージセンサ101Aの動作を説明する信号波形図である。
図8および図6を参照して、クロック信号CLKに対する信号SO1,SR1,SO2,SR2,SAの変化は、実施の形態2と実施の形態1とで同様である。よって以下では実施の形態2における電圧V1〜V3の変化について説明する。
図8および図6を参照して、クロック信号CLKに対する信号SO1,SR1,SO2,SR2,SAの変化は、実施の形態2と実施の形態1とで同様である。よって以下では実施の形態2における電圧V1〜V3の変化について説明する。
図8および図7を参照して、時刻t1において信号SAが立ち上がるとスイッチSWAがオンする。これにより電圧V2(V3)は定電圧源34の出力電圧、すなわち電圧Vrefに等しくなる。
一方、電圧V1は時刻t1以前では信号S3の電圧である電圧VAに等しい。時刻t1において増幅回路25から信号S2が出力されると電圧V1は低下する。この結果、コンデンサ30の両端子間の電圧は(V1−Vref)に等しくなる。
次に、時刻t2において信号SAが立ち下がるとスイッチSWAがオフする。続いて時刻t3において信号SR1が立ち上がると信号S1がリセットされる。これにより画素201の増幅回路25からは信号S3が出力される。よって電圧V1は電圧VAに達する。一方、コンデンサ30の両端子間の電圧は(V1−Vref)のまま保たれるので、電圧V2は{VA−(V1−Vref)}となる。
電圧VA,V1にはNチャネルMOSトランジスタ26のオフセット電圧αが含まれる。しかしながら電圧V2は電圧VAと電圧V1との差分を含む。よって電圧V2にはオフセット電圧αが含まれなくなる。
以上のように、実施の形態2によれば実施の形態1よりもさらに回路構成を簡単にすることができる。
なお、実施の形態1,2のイメージセンサでは、各画素に共通してコンデンサが設けられる。仮に複数の画素にそれぞれ対応して複数のコンデンサが設けられていれば、各コンデンサに画素からの出力電圧を保持しておくことができる。しかし各画素に共通してコンデンサが設けられているので、そのコンデンサに次々と各画素からの出力電圧を保持させなければならないので、電荷を蓄積するための時間を考慮する必要がある。そうすると計測のための時間が短くなることが起こり得る。
上述したように、本実施の形態のイメージセンサはクロック信号の1周期の間に信号S2と信号S3との差分を出力する。このため、信号S2および信号S3の立ち上がりを速くしなければならない。このためには図3(および図7)に示す増幅回路25に含まれる定電流回路27に流れる電流を大きくする必要がある。
しかしながら単に定電流回路に流れる電流を大きくすると図2に示すイメージセンサヘッド1(モジュール)の消費電力が増加する。この問題を防ぐため、図2に示す制御部3はイメージセンサ101〜10mのうち、動作対象のイメージセンサに含まれる増幅回路のみ電源を供給し、他のイメージセンサに含まれる増幅回路への電源供給を停止する。これによりイメージセンサヘッドの消費電力が増加するのを防ぐことができる。
図9は、図2に示す制御部3がイメージセンサに対して行なう電源供給の制御を模式的に説明する図である。なお以下の説明ではイメージセンサヘッド1に5個のイメージセンサが含まれるものとする。
図9において、5つの信号は1番目から5番目のイメージセンサに対して図2に示す制御部3がそれぞれ電源を供給している状態を示す。代表的に1番目のイメージセンサに対応する信号について説明すると、その信号のHレベルの期間には1番目のイメージセンサの増幅回路に電源が供給される。一方、その信号のLレベルの期間には1番目のイメージセンサの増幅回路への電源供給が停止される。
なお、このように増幅回路への電源供給を制御する方法は様々である。たとえば図3(および図7)に示すイメージセンサにおいて、画素201〜20nの各々はNチャネルMOSトランジスタのドレインと電源ノードとの間に設けられるスイッチを含むよう構成され、制御部3が図9に示す信号を各イメージセンサに送信することでこのスイッチがオンおよびオフする。
画像上の(n−1)行目の情報を読み取るため、図2の制御部3は1番目から5番目のイメージセンサを順次選択する。制御部3は選択したイメージセンサの増幅回路に電源を供給するとともに他のイメージセンサの増幅回路に対する電源供給を停止する。次に画像上のn行目の情報を読み取るため、制御部は再び1番目から5番目のイメージセンサを順次選択して上述の動作を繰返す。
制御部3は現在選択されたイメージセンサへの電源供給を終了させる前に次に選択されるイメージセンサへの電源供給を開始する。たとえば4番目のイメージセンサと5番目のイメージセンサとで電源供給のタイミングを比較すると、制御部3は4番目のイメージセンサへの電源供給を終了する前に5番目のイメージセンサへの電源供給を開始する。
増幅回路25を動作可能状態にするにはある程度の時間が必要であるが、このように制御部3が電源供給のタイミングを制御することによって4番目のイメージセンサと5番目のイメージセンサとを連続的に動作させることができる。つまり本実施の形態によれば、消費電力の増加を防ぎながら複数のイメージセンサを高速に動作させることができる。
なお、図3および図7に示すスイッチSW1,SWA,SW2はそれぞれ本発明の第1、第2および第3のスイッチに対応する。
また、以上の説明では補正回路は予め信号S2の電圧値を保持しておき、その保持した電圧値と信号S3の電圧値とを用いて信号S2からオフセット電圧αを除去するものとした。ただし信号S1が増幅回路25に入力される前にも増幅回路25の入力電圧は電圧BIASに設定されている。このときにスイッチSW1をオンすれば、信号S3に相当する信号が増幅回路25から出力される。よって、補正回路はまず信号S3に相当する信号の電圧値を保持し、その電圧値と信号S2の電圧値とを用いて信号S2からオフセット電圧αを除去してもよい。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 イメージセンサヘッド、2 フレキシブルケーブル、3 制御部、4 原稿読み取り台、11 回路基板、22,22A 補正回路、23 スイッチ制御回路、25 増幅回路、26 NチャネルMOSトランジスタ、27 定電流回路、28,30 コンデンサ、31,32,35 バッファ、33 差分回路、34 定電圧源、100 スキャナ、101〜10m,101A イメージセンサ、201〜20n,201A 画素、L 信号線、N0〜N3 ノード、OUT,RST 端子、PD フォトダイオード、SW1,SW2,SWA スイッチ。
Claims (13)
- 選択的に活性化される複数の画素を備え、
前記複数の画素の各々は、
受光強度に応じた第1の信号を出力する光電変換素子と、
基準電圧を出力するリセット回路と、
前記第1の信号の電圧を増幅して第2の信号を出力し、かつ、前記第1の信号に代えて前記基準電圧を受けた場合に第3の信号を出力する増幅回路とを含み、
前記増幅回路から前記第2および第3の信号を受け、前記第2および第3の信号を伝達させる信号線と、
前記信号線から受ける前記第2および第3の信号の一方の電圧値を保持し、前記信号線から前記第2および第3の信号の他方の信号を受けて、前記他方の信号の電圧値と保持した電圧値とを用いて、前記増幅回路から出力され得るオフセット電圧を前記第2の信号から除去する補正回路とをさらに備える、イメージセンサ。 - 選択的に活性化される複数の画素を備え、
前記複数の画素の各々は、
受光強度に応じた第1の信号を出力する光電変換素子と、
基準電圧を出力するリセット回路と、
前記第1の信号を増幅して第2の信号を出力し、かつ、前記第1の信号に代えて前記基準電圧を受けた場合に第3の信号を出力する増幅回路とを含み、
前記第2および第3の信号の一方の電圧値を保持し、前記第2および第3の信号の他方の電圧値と保持した電圧値とを用いて、前記増幅回路から出力され得るオフセット電圧を前記第2の信号から除去する補正回路をさらに備える、イメージセンサ。 - 前記複数の画素の各々は、
前記増幅回路の出力端子と、第1のノードとの間に設けられる第1のスイッチをさらに含み、
前記補正回路は、
一方端の電圧が固定され、他方端に前記第2の信号が入力されて、前記第2の信号の電圧値を保持するコンデンサと、
前記第1のノードと前記コンデンサの前記他方端との間に設けられ、前記第2の信号が入力される期間にオンし、前記第3の信号が入力される期間にオフする第2のスイッチと、
前記第1のノードの電圧値と、前記コンデンサの前記他方端の電圧値との差分を演算する差分回路とを含む、請求項1または2に記載のイメージセンサ。 - 前記補正回路は、
前記コンデンサに保持される電圧を前記差分回路に出力するための第1の出力バッファと、
前記第1のノードの電圧を前記差分回路に出力するための第2の出力バッファとをさらに含む、請求項3に記載のイメージセンサ。 - 前記複数の画素の各々は、
前記増幅回路の出力端子と、第1のノードとの間に設けられる第1のスイッチをさらに含み、
前記補正回路は、
前記第1のノードに一方端が結合されるコンデンサと、
電圧出力端子から所定の電圧を出力する定電圧源と、
前記電圧出力端子と、前記コンデンサの他方端との間に設けられる第2のスイッチとを含む、請求項1または2に記載のイメージセンサ。 - 前記補正回路は、
前記コンデンサの前記他方端の電圧を出力するための出力バッファをさらに含む、請求項5に記載のイメージセンサ。 - 前記リセット回路は、
前記基準電圧が与えられる基準電圧端子と、前記光電変換素子が前記第1の信号を出力する信号出力端子との間に設けられる第3のスイッチを含み、
前記イメージセンサは、
入力されるクロック信号に基づいて前記複数の画素を順次選択して、選択した画素に含まれる前記第1から第3のスイッチを制御するスイッチ制御回路をさらに備え、
前記スイッチ制御回路は、前記クロック信号の1周期の間、前記第1のスイッチをオンさせて、前記クロック信号の1周期内に前記第2のスイッチをオンおよびオフさせるとともに、前記第2のスイッチがオフする期間に前記第3のスイッチをオンさせる、請求項3から6のいずれか1項に記載のイメージセンサ。 - 前記スイッチ制御回路は、前記第2のスイッチがオフした後に前記第3のスイッチをオンさせる、請求項7に記載のイメージセンサ。
- 前記スイッチ制御回路は、前記クロック信号に同期して変化する第1の制御信号を前記第2のスイッチに与えて前記第2のスイッチを動作させるとともに、前記クロック信号を遅延させた第2の制御信号を前記第3のスイッチに与えて前記第3のスイッチを動作させる、請求項8に記載のイメージセンサ。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載のイメージセンサを少なくとも1つ備える、モジュール。
- 請求項10に記載のモジュールを備える、電子機器。
- 前記モジュールは、複数のイメージセンサを含み、
前記電子機器は、
前記複数のイメージセンサを順次選択して、選択されたイメージセンサに含まれる前記増幅回路に対して電源を供給し、かつ、他のイメージセンサに含まれる前記増幅回路への電源供給を停止する電源制御回路をさらに備える、請求項11に記載の電子機器。 - 前記複数の画素の各々は、
前記電源制御回路の指示に応じて、前記増幅回路に電源を供給するか否かを切換える切換部をさらに含む、請求項12に記載の電子機器。
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
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JP2012004163A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5626967B2 (ja) * | 2010-06-03 | 2014-11-19 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | フォーカス制御回路 |
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Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4104684A (en) * | 1975-05-19 | 1978-08-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Rotary head type magnetic video recording and reproducing system |
US5122644A (en) * | 1988-11-17 | 1992-06-16 | Alps Electric Co., Ltd. | Optical code reading device with autofocussing |
NL8900095A (nl) * | 1989-01-17 | 1990-08-16 | Philips Nv | Transistorschakeling. |
JPH0548844A (ja) | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イメージセンサ |
US6694063B2 (en) * | 2000-12-21 | 2004-02-17 | Texas Instruments Incorporated | Offset correction of the output of a charge coupled device |
US7333142B2 (en) * | 2002-06-10 | 2008-02-19 | Olympus Corporation | Power supply apparatus and actuator control apparatus |
JP4242691B2 (ja) * | 2003-04-15 | 2009-03-25 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009116589A1 (ja) | 2008-03-19 | 2009-09-24 | 矢崎総業株式会社 | 電力供給装置 |
JP2012004163A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置 |
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