KR100482736B1

KR100482736B1 - 지연고정루프의 지연 모델 및 그의 튜닝 방법

Info

Publication number: KR100482736B1
Application number: KR10-2002-0055263A
Authority: KR
Inventors: 전영진
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2002-09-12
Filing date: 2002-09-12
Publication date: 2005-04-14
Also published as: KR20040023839A; US20040054977A1; JP2004104747A; US6944833B2

Abstract

본 발명은 반도체 회로 기술에 관한 것으로, 특히 지연고정루프(delay locked loop, DLL)에 관한 것이며, 더 자세히는 DLL의 지연 모델 및 그의 튜닝 방법에 관한 것이다. 본 발명은 새로운 마스크의 제작이나 새로운 공정을 진행할 필요 없이 지연 모델의 지연량을 조절할 수 있으며, 반도체 칩의 로트별 공정 변화에 대응하여 용이하게 지연 모델의 지연량을 조절할 수 있는 지연고정루프의 지연 모델 및 그의 튜닝 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명에서는 서로 다른 로드값을 가지는 다수의 로드 블럭을 구비하여 반도체 칩의 측정시에 이용되는 테스트 모드 신호의 조합을 이용하여 DLL의 지연 모델의 지연량을 튜닝하고, 세팅된 테스트 모드 신호의 조합이 노멀 모드에서도 반영될 수 있도록 퓨즈 회로 블럭을 채용하였다. 이에 따르면, 새로운 마스크를 제작하거나 새로운 공정을 진행할 필요가 없으므로 생산 비용 및 생산 시간을 절감할 수 있으며, 또한, 칩의 로트별 공정 변화에도 용이하게 대응할 수 있다.

Description

지연고정루프의 지연 모델 및 그의 튜닝 방법{Delay model in delay locked loop and tunning method thereof}

본 발명은 반도체 회로 기술에 관한 것으로, 특히 지연고정루프(delay locked loop, DLL)에 관한 것이며, 더 자세히는 DLL의 지연 모델 및 그의 튜닝 방법에 관한 것이다.

통상적으로, 시스템이나 회로에서 클럭은 동작 타이밍을 맞추기 위한 레퍼런스로 사용되고 있으며, 에러(error) 없이 보다 빠른 동작을 보장하기 위해서 사용되기도 한다. 외부로부터 입력되는 클럭이 내부에서 사용될 때 내부 회로에 의한 시간 지연(클럭 스큐(clock skew))이 발생하게 되는데, 이러한 시간 지연을 보상하여 내부 클럭이 외부 클럭과 동일한 위상을 갖도록 하기 위해 DLL이 사용되고 있다.

한편, DLL은 기존에 사용되어 온 위상고정루프(PLL)에 비해 잡음(noise)의 영향을 덜 받는 장점이 있어 DDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous DRAM)을 비롯한 동기식 반도체 메모리에서 널리 사용되고 있으며, 그 중에서도 레지스터 제어 DLL이 가장 일반화되어 사용되고 있다.

동기식 반도체 메모리 소자에서 레지스터 제어 DLL은 기본적으로 외부 클럭을 받아서 실제 클럭 경로 및 데이터 경로의 지연 성분을 보상하여 미리 네거티브 지연을 반영함으로서 데이터의 출력이 외부 클럭과 동기되도록 해주는 기능을 수행한다.

도 1은 종래기술에 따른 SDRAM의 레지스터 제어 DLL의 블록 다이어그램이다.

도 1을 참조하면, 레지스터 제어 DLL은 클럭 입력 버퍼(10)로부터 출력된 내부 클럭(clk)을 사용한다. 클럭 입력 버퍼(10)는 외부 클럭(CLK)을 입력 받아 VDD 레벨로 버퍼링하여, 외부 클럭(CLK)과 동일한 주기를 가지는 내부 클럭(clk)을 생성한다.

종래기술에 따른 SDRAM의 레지스터 제어 DLL은, 내부 클럭(clk)을 1/n(n은 양의 정수이며, 여기에서는 n=4)로 분주하여 지연 모니터링 클럭(dvd4) 및 기준 클럭(dvd4z)을 출력하는 클럭 분주기(11)와, 내부 클럭(clk)을 입력으로 하는 제1 지연 라인(13)과, 지연 모니터링 클럭(dvd4)을 입력으로 하는 제2 지연 라인(14)과, 제2 지연 라인(14)의 출력을 입력 받아 실제 클럭 경로 및 데이터 경로의 지연 성분을 반영하기 위한 지연 모델(17)과, 지연 모델(17)의 출력(dvd4_dly)과 기준 클럭(dvd4z)의 위상을 비교하기 위한 위상 비교기(12)와, 위상 비교기(12)의 출력에 응답하여 제1 및 제2 지연라인(13, 14)에서의 지연량을 제어하기 위한 지연 제어기(15)와, 지연고정시 제1 지연 라인(13)의 출력을 구동하여 DLL 클럭(clk_dll)을 생성하기 위한 DLL 드라이버(16)를 구비한다. 여기서, 지연 제어기(15)는 쉬프트 레지스터와, 그의 쉬프트 방향을 제어하기 위한 쉬프트 제어기를 포함하며, 지연고정이 이루어질 때까지 반복적으로 지연량을 조절한다. 한편, 지연 모델(17)은 실제 클럭 경로 및 데이터 경로를 복사한 부분이며, DLL의 네가티브 지연량을 결정한다.

도 2는 상기 도 1의 레지스터 제어 DLL의 타이밍 다이어그램으로, 이하 이를 참조하여 종래기술에 따른 레지스터 제어 DLL의 동작을 살펴본다.

우선, 클럭 분주기(11)는 내부 클럭(clk)을 1/4 분주하여 외부 클럭(clk)의 4번째 클럭마다 한번씩 동기되는 기준 클럭(dvd4z) 및 지연 모니터링 클럭(dvd4)을 생성한다. 이때, 기준 클럭(dvd4z)과 지연 모니터링 클럭(dvd4)은 서로 반대의 위상을 가진다.

초기 동작시, 지연 모니터링 클럭(dvd4)은 제2 지연 라인(14)의 단위 지연소자 하나만을 통과하여 출력되고, 이 클럭은 다시 지연 모델(17)를 거치면서 지연되어 dvd4_dly로 출력된다.

한편, 위상 비교기(12)는 기준 클럭(dvd4z)의 라이징 에지와 피드백된 dvd4_dly 클럭의 라이징 에지를 비교하여 제어신호를 생성하고, 그에 응답하여 지연 제어기(15)는 제1 및 제2 지연 라인(13, 14)의 지연량을 결정한다.

이후, 지연량이 제어된 피드백 클럭(dvd4_dly)과 기준 클럭(dvd4z)을 반복해서 비교해 나가면서 두 클럭이 최소의 지터(jitter)를 가지는 순간에 지연고정(locking)이 이루어지게 되고, 비로소 DLL 드라이버(16)를 구동함으로써 외부 클럭(CLK)과 동일한 위상을 갖는 DLL 클럭(clk_dll)을 얻게 된다.

전술한 바와 같이 종래의 레지스터 제어 DLL은 서로 위상이 반대인 2개의 분주 클럭을 생성하는데, 이 중에서 지연 모니터링 클럭(dvd4)은 제2 지연 라인(14)을 거치면서 'D' 만큼의 지연이 발생하고, 지연 모델(17)을 거치면서 'R' 만큼의 지연이 발생하므로, 지연 모니터링 클럭(dvd4)은 총 'D + R'만큼 지연된다.

여기서, 위상고정이 일어나면 즉, 기준 클럭(dvd4z)과 피드백 클럭(dvd4_dly)의 라이징 에지가 일치하는 경우, 하기의 수학식 1이 성립된다.

D + R = 2T

D = 2T - R

여기서, 'T'는 외부 클럭의 주기를 나타낸 것이다. 따라서, DLL 클럭(clk_dll)은 제1 지연 라인(13)에서의 지연량(D) 만큼만 지연되어서 출력되므로, 외부 클럭(CLK)의 주기에 비해 지연 모델(17)의 지연량(R) 만큼 앞서는 네가티브 지연을 가진다.

지연 모델(17)의 지연량(R)은 외부 클럭(CLK)에 대한 DLL 클럭(clk_dll)의 네가티브 지연 정도를 나타내며, DLL 클럭(clk_dll)이 외부 클럭(CLK)에 대해 얼마나 빨리 동작하는지를 결정한다. 지연 모델(17)의 지연량(R)은 시뮬레이션에 의해 결정되는데, 실제 반도체 칩을 제작하면 외부 클럭(CLK)과 칩의 동작이 정확히 동기되지 않는 경우가 발생할 수 밖에 없다.

도 3은 종래기술에 따른 지연 모델(17)의 회로 구성을 나타낸 도면이다.

도 3을 참조하면, 종래기술에 따른 지연 모델(17)은 직렬 연결된 다수의 인버터(INV1, INV2, INV3, ...)로 이루어진 인버터 체인과, 인버터(INV1, INV2) 사이의 노드에 접속된 다수의 캐패시터 로드부(20)로 구성된다. 각 캐패시터 로드부(20)는 각 인버터 사이의 노드에 연결된 제1 스위치(21)와, 그 게이트가 제1 스위치(21)에 연결되며, 그 소오스와 드레인이 서로 연결되어 캐패시터를 이루는 NMOS 트랜지스터(23)와, 제1 스위치(21)와 NMOS 트랜지스터(23)의 소오스/드레인 사이에 연결된 제2 스위치(22)로 구성된다.

여기서, 제1 및 제2 스위치(21, 22)는 단락/개방 스위치 메탈을 이용하여 구성하며, 제1 및 제2 스위치(21, 22)의 단락(short) 또는 개방(open)을 통해 인버터(INV1, INV2) 사이의 노드에 접속된 캐패시터의 수를 추가 또는 삭제함으로써 지연 모델(17)의 지연량(R)을 조절한다.

이러한 종래기술을 이용하는 경우, 반도체 칩의 제조 공정이 완료된 후 테스트를 통해서 외부 클럭(CLK)와 데이터 출력 타이밍의 불일치를 측정한 다음, 그 불일치를 보상하기 위하여 어느 스위치를 단락/개방시킬지를 결정하고 그에 따라 새로운 마스크를 제작하고, 새로운 마스크를 사용한 제조 공정을 통해 새로운 반도체 칩을 제조한 다음, 그것이 제대로 동작하는지 또다시 테스트를 통해서 그 결과를 보아야 한다는 문제점이 있다. 한편, 실제 반도체 칩은 로트(lot)별로 공정 변화(variation)가 심할 수 있는데, 종래의 지연 모델(17)의 지연량 조정 방식으로는 이러한 공정 변화에 대해 대응할 수 없는 문제점이 있다.

한편, 지연 모델은 레지스터 제어 DLL 뿐만 아니라 디지털 DLL과 같은 다른 종류의 DLL에도 사용되고 있으므로, 상기와 같은 문제점은 비단 레지스터 제어 DLL에 국한되지 않는다.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 새로운 마스크의 제작이나 새로운 공정을 진행할 필요 없이 지연 모델의 지연량을 조절할 수 있는 지연고정루프의 지연 모델 및 그의 튜닝 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

또한, 본 발명은 반도체 칩의 로트별 공정 변화에 대응하여 용이하게 지연 모델의 지연량을 조절할 수 있는 지연고정루프의 지연 모델 및 그의 튜닝 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 지연고정루프의 지연 모델에 있어서, 고정된 지연량을 제공하기 위한 고정 지연 수단; 상기 고정 지연 수단의 지연량 튜닝을 위한 테스트 모드에서 세팅된 테스트 모드 신호의 조합을 노멀 모드에 반영하기 위한 퓨즈 회로 블럭; 상기 퓨즈 회로 블럭의 출력을 디코딩하여 로드 제어 신호를 생성하기 위한 디코딩 수단; 및 서로 다른 로드값을 가지며, 상기 로드 제어 신호에 응답하여 선택적으로 인에이블 되어 상기 고정 지연 수단의 지연량에 가변적인 지연량을 추가하기 위한 다수의 로드 블럭을 구비하는 지연고정루프의 지연 모델이 제공된다.

또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 고정된 지연량을 제공하기 위한 고정 지연 수단; 상기 고정 지연 수단의 지연량 튜닝을 위한 테스트 모드에서 세팅된 테스트 모드 신호의 조합을 노멀 모드에 반영하기 위한 퓨즈 회로 블럭; 상기 퓨즈 회로 블럭의 출력을 디코딩하여 로드 제어 신호를 생성하기 위한 디코딩 수단; 및 서로 다른 로드값을 가지며, 상기 로드 제어 신호에 응답하여 선택적으로 인에이블 되어 상기 고정 지연 수단의 지연량에 가변적인 지연량을 추가하기 위한 다수의 로드 블럭을 구비하는 지연고정루프의 지연 모델의 튜닝 방법에 있어서, 상기 테스트 모드 신호의 조합을 변경시키면서 상기 지연고정루프를 테스트하여 특정 로드 블럭을 선택하는 단계와, 테스트 모드에서 선택된 상기 로드 블럭에 대응하는 상기 테스트 모드 신호의 조합에 따라 상기 퓨즈 회로 블럭의 퓨즈를 커팅하는 단계를 포함하는 지연고정루프의 지연 모델의 튜닝 방법이 제공된다.

본 발명에서는 서로 다른 로드값을 가지는 다수의 로드 블럭을 구비하여 반도체 칩의 측정시에 이용되는 테스트 모드 신호의 조합을 이용하여 DLL의 지연 모델의 지연량을 튜닝하고, 세팅된 테스트 모드 신호의 조합이 노멀 모드에서도 반영될 수 있도록 퓨즈 회로 블럭을 채용하였다. 이에 따르면, 새로운 마스크를 제작하거나 새로운 공정을 진행할 필요가 없으므로 생산 비용 및 생산 시간을 절감할 수 있으며, 또한, 칩의 로트별 공정 변화에도 용이하게 대응할 수 있다.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 DLL의 지연 모델의 회로 구성을 나타낸 것이다.

도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 DLL의 지연 모델은 직렬 연결된 다수의 인버터를 포함하는 인버터 체인(40)과, 인버터 체인(40)의 일 노드(Delay)에 접속된 캐패시터 체인(42)을 구비한다.

캐패시터 체인(42)은 인버터 체인의 일 노드(Delay)에 병렬로 접속된 8개의 캐패시터 블럭(44)을 구비한다. 캐패시터 블럭(44)은 스위칭 NMOS 트랜지스터(M1)와, 캐패시터 접속된 NMOS 트랜지스터(M2)를 구비한다. 각 캐패시터 블럭의 스위칭 NMOS 트랜지스터는 로드 제어 신호(LOAD<0:7>)의 각 비트 신호를 게이트 입력으로 하며, 각 캐패시터 블럭의 캐패시터 접속된 NMOS 트랜지스터는 그 소오스/드레인 및 채널이 접지전원(VSS)에 연결되어 있다. 그리고, 각 캐패시터 블럭의 캐패시터 접속된 NMOS 트랜지스터는 각각 서로 다른 채널 폭/길이를 가지도록 구성되어 서로 다른 로드 값을 가진다. 예컨대, 로드 제어 신호(LOAD<0:7>)의 첫번째 비트(LOAD<0>)에 제어 받는 캐패시터 블럭(44)의 캐패시터 접속된 NMOS 트랜지스터(M2)의 채널 폭/길이는 10㎛/7㎛이며, 로드 제어 신호(LOAD<0:7>)의 두번째 비트(LOAD<1>)에 제어 받는 캐패시터 블럭의 캐패시터 접속된 NMOS 트랜지스터의 채널 폭/길이는 2㎛/2㎛이다.

도 5는 상기 도 4의 로드 제어 신호(LOAD<0:7>)를 생성하기 위한 회로를 예시한 도면이다.

도 5를 참조하면, 로드 제어 신호 생성 회로는 테스트 모드 신호(TACA<0:2>)를 입력으로 하는 퓨즈 회로 블럭(50)과, 퓨즈 회로 블럭(50)의 출력을 입력으로 하는 3×8 디코더(52)를 구비한다.

여기서, 퓨즈 회로 블럭(50)은 테스트 모드 신호(TACA<0:2>)의 각 비트 신호 입력단에 연결된 퓨즈를 포함하며, 외부에서 테스트 모드 신호(TACA<0:2>)가 인가되지 않을 때 퓨즈 회로 블럭(50)의 출력단이 플로팅되지 않도록 퓨즈 단락시 논리 레벨 로우의 신호를 출력하고 퓨즈 커팅시 논리 레벨 하이의 신호를 출력하는 전원 회로를 구비한다.

이하, 상기 도 4 및 도 5를 참조하여 본 실시예에 따른 지연 모델의 튜닝 과정을 살펴본다.

먼저, 원하는 규격에 따라 제작된 반도체 칩의 테스트시 이용되는 특정 테스트 모드 신호를 지연 모델 튜닝용으로 할당하여 로드 제어 신호 생성 회로에 인가한다. 이때, 퓨즈를 커팅하지 않은 상태에서 테스트 모드 신호(TACA<0:2>)의 조합을 변화시켜 로드 제어 신호(LOAD<0:7>)를 바꾸어 가면서 외부 클럭(CLK)과 칩 동작(예컨대, 데이터 출력 타이밍)이 일치하는지를 체크한다. 캐패시터 체인(42)은 테스트 모드 신호(TACA<0:2>)의 조합의 변화에 따라 8 가지의 로드 값을 출력하기 때문에 인버터 체인(40)의 지연량을 다양한 값으로 튜닝할 수 있다.

예컨대, 테스트 모드 신호(TACA<0:2>)가 '0, 0, 1'의 조합을 가지는 경우, 3×8 디코더(52)의 출력은 '00001000'이고, 이에 따라 캐패시터 체인(42)은 다섯번째 캐패시터 블럭의 스위칭 NMOS 트랜지스터를 턴온시켜 채널 폭/길이가 10㎛/10㎛인 캐패시터 접속된 NMOS 트랜지스터의 캐패시턴스에 해당하는 로드값을 Delay 노드에 전달하게 된다. 이때, 지연 모델 전체의 지연량은 인버터 체인(40)의 고유한 지연량과 캐패시터 체인의 선택된 로드값에 의한 지연량을 합한 값을 가지게 된다.

상기와 같이 외부 클럭(CLK)과 칩 동작이 일치하는 테스트 모드 신호(TACA<0:2>)의 조합을 찾았다면, 그러한 테스트 모드 코딩이 칩의 노멀 동작시에도 유지될 수 있도록 퓨즈 커팅을 수행한다.

예컨대, 테스트 모드 코딩이 테스트 모드 신호(TACA<0:2>)가 '0, 0, 1'의 조합을 가지는 경우라면, 위에서부터 첫번째 퓨즈와 두번째 퓨즈는 커팅하지 않은 상태로 두고, 세번째 퓨즈를 커팅하면 노멀 모드에서 퓨즈 회로 블럭(50)는 항상 '0, 0, 1'을 출력하게 되고, 이에 따라 노멀 모드에서도 테스트 모드 코딩이 유지된다.

따라서, 본 발명을 실시하면 종래와 같이 테스트 결과에 따라 새로운 마스크를 제작하거나 새로운 공정을 수행할 필요가 없게 되며, 칩의 로트별 공정 변화에도 용이하게 대응할 수 있게 된다.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

예컨대, 전술한 실시예에서는 지연 모델의 고정된 지연량을 제공하기 위해 인버터 체인을 사용하는 경우를 일례로 들어 설명하였으나, 고정된 지연값을 제공하기 위해 다른 지연 수단을 사용하는 경우에도 본 발명은 적용된다.

또한, 전술한 실시예에서는 캐패시터 블럭을 선택하기 위한 스위칭 소자로서 NMOS 트랜지스터를 사용하는 경우를 일례로 들어 설명하였으나, 전기적으로 제어 가능한 스위칭 소자(예컨대, PMOS 트랜지스터)라면 NMOS 트랜지스터를 대체하여 사용할 수 있다.

또한, 전술한 실시예에서는 지연 모델의 지연량을 튜닝하기 위한 가변 로드값을 제공하기 위하여 캐패시터 체인을 사용하는 경우를 일례로 들어 설명하였으나, 캐패시터 외의 다른 로드 소자를 사용하는 경우에도 본 발명은 적용된다.

또한, 전술한 실시예에서는 3개의 테스트 모드 신호를 사용하여 8개의 가변 로드값을 선택하는 경우를 일례로 들어 설명하였으나, 테스트 모드 신호의 수와 가변 로드값의 가지수를 증감하는 경우에도 본 발명은 적용된다.

전술한 본 발명의 DLL의 지연 모델은 지연 모델의 지연량 튜닝을 위한 새로운 마스크의 제작이나 새로운 공정의 진행을 생략할 수 있도록 함으로써 칩 생산 단가 및 생산 시간을 절감할 수 있는 효과가 있다.

도 1은 종래기술에 따른 SDRAM의 레지스터 제어 DLL의 블록 다이어그램.

도 2는 상기 도 1의 레지스터 제어 DLL의 타이밍 다이어그램.

도 3은 종래기술에 따른 DLL의 지연 모델의 회로 구성도.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 DLL의 지연 모델의 회로 구성도.

도 5는 상기 도 4의 로드 제어 신호(LOAD<0:7>)를 생성하기 위한 회로를 예시한 도면.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

40 : 인버터 체인

42 : 캐패시터 체인

LOAD<0:7> : 로드 제어 신호

Claims

지연고정루프의 지연 모델에 있어서,

고정된 지연량을 제공하기 위한 고정 지연 수단;

상기 고정 지연 수단의 지연량 튜닝을 위한 테스트 모드에서 세팅된 테스트 모드 신호의 조합을 노멀 모드에 반영하기 위한 퓨즈 회로 블럭;

상기 퓨즈 회로 블럭의 출력을 디코딩하여 로드 제어 신호를 생성하기 위한 디코딩 수단; 및

서로 다른 로드값을 가지며, 상기 로드 제어 신호에 응답하여 선택적으로 인에이블 되어 상기 고정 지연 수단의 지연량에 가변적인 지연량을 추가하기 위한 다수의 로드 블럭

을 구비하는 지연고정루프의 지연 모델.
제1항에 있어서,

상기 다수의 로드 블럭은 각각,

예정된 로드값을 가지는 로드 소자와,

상기 로드 제어 신호의 1 비트 신호에 응답하여 상기 로드 소자와 상기 고정 지연 수단 사이를 스위칭하기 위한 스위칭 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 지연고정루프의 지연 모델.
제2항에 있어서,

상기 로드 소자는 캐패시터 접속된 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 지연고정루프의 지연 모델.
제2항에 있어서,

상기 스위칭 소자는 상기 로드 제어 신호의 1 비트 신호를 게이트 입력으로 하는 MOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 지연고정루프의 지연 모델.
제2항에 있어서,

상기 고정 지연 수단은 직렬 연결된 다수의 인버터를 구비하는 것을 특징으로 하는 지연고정루프의 지연 모델.
제1항에 있어서,

상기 퓨즈 회로 블럭은,

상기 테스트 모드 신호의 각 비트 신호 입력단에 연결된 다수의 퓨즈와,

상기 테스트 모드 신호가 인가되지 않는 상기 노멀 모드에서 퓨즈 단락/개방 여부에 따른 출력값을 제공하기 위한 전원 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 지연고정루프의 지연 모델.
제6항에 있어서,

상기 전원 회로는 상기 노멀 모드에서 퓨즈 단락시 논리 레벨 로우의 신호를 출력하고 퓨즈 커팅시 논리 레벨 하이의 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 지연고정류프의 지연 모델.
고정된 지연량을 제공하기 위한 고정 지연 수단; 상기 고정 지연 수단의 지연량 튜닝을 위한 테스트 모드에서 세팅된 테스트 모드 신호의 조합을 노멀 모드에 반영하기 위한 퓨즈 회로 블럭; 상기 퓨즈 회로 블럭의 출력을 디코딩하여 로드 제어 신호를 생성하기 위한 디코딩 수단; 및 서로 다른 로드값을 가지며, 상기 로드 제어 신호에 응답하여 선택적으로 인에이블 되어 상기 고정 지연 수단의 지연량에 가변적인 지연량을 추가하기 위한 다수의 로드 블럭을 구비하는 지연고정루프의 지연 모델의 튜닝 방법에 있어서,

상기 테스트 모드 신호의 조합을 변경시키면서 상기 지연고정루프를 테스트하여 특정 로드 블럭을 선택하는 단계와,

테스트 모드에서 선택된 상기 로드 블럭에 대응하는 상기 테스트 모드 신호의 조합에 따라 상기 퓨즈 회로 블럭의 퓨즈를 커팅하는 단계를 포함하는 지연고정루프의 지연 모델의 튜닝 방법.