KR100433322B1 - 육방 결정 질화 붕소막, 층간 절연막, 그 제조 방법 및 플라즈마 ｃｖｄ 장치 - Google Patents

육방 결정 질화 붕소막, 층간 절연막, 그 제조 방법 및 플라즈마 ｃｖｄ 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따르면 3.0 이하의 비유전율을 갖는 육방 결정 질화 붕소막을 제공한다. 또한, 질소 원자와 수소 원자의 결합 및 붕소 원자와 수소 원자의 결합의 합계 함유량을 4몰% 이하로 하는 육방 결정 질화 붕소막, c축 방향의 면 간격이 5∼30% 늘어나 있지만, a축 방향의 면 간격 증가분이 5% 이내로 억제되어 있는 육방 결정 질화 붕소막, c축 방향이 기판에 대해 수평 방향인 것을 특징으로 하는 육방 결정 질화 붕소막을 제공한다. 또한, 이 육방 결정 질화 붕소를 이용한 층간 절연막을 제공한다. 또한, 이온 증착법을 이용하는 육방 결정 질화 붕소막의 제조 방법에 있어서, 수소 원자와의 결합을 포함하지 않는 원료 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 육방 결정 질화 붕소막의 제조 방법을 제공한다.

Description

육방 결정 질화 붕소막, 층간 절연막, 그 제조 방법 및 플라즈마 ＣＶＤ 장치{HEXAGONAL BORON NITRIDE FILM WITH LOW DIELECTRIC CONSTANT, LAYER DIELECTRIC FILM AND METHOD OF PRODUCTION THEREOF, AND PLASMA CVD APPARATUS}
본 발명은 저유전율 층간 절연막 재료로서 이용할 수 있는 질화 붕소막과 그 제조 방법, 및 비정질 실리콘 태양 전지, 박막 트랜지스터, 광 센서 등의 각종 반도체 디바이스의 막 형성에 이용되는 플라즈마 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치에 관한 것이다.
지금까지의 집적 회로에 있어서는, 층간 절연막으로서 실리콘 산화막(비유전율 ε=4∼4.5)이 널리 이용되어 왔다. 그러나, 차세대의 고집적화를 지향하기 위해서는, 디바이스 신호 지연의 지배 요인이 배선 지연으로 되므로, 이를 해소하기 위해서는 층간 절연막의 저유전율화가 필요하다. 실리콘 산화막은 그 비유전율이높기 때문에, 차세대의 집적 회로로는 이용할 수 없어, 보다 저유전율인 층간 절연막 재료가 요구되고 있다. 이러한 상황에서, 유기계 재료에 있어서는, ε<2.5의 지극히 저유전율인 재료도 존재하지만, 이들은 내열성이 떨어진다는 문제가 있다. 따라서, 내열성이 우수하고 실리콘 산화막 정도의 비유전율을 갖는 질화 붕소(BN)가 주목되고, 그 저유전율화가 시도되어 왔다.
BN 박막의 제작에는 종래 일반적으로 플라즈마 CVD법이 이용되고 있었지만, 소스 가스로서, 예컨대 디보란(diborane)(B2H6)과 암모니아(NH3)를 사용하기 때문에, BN막 중에 BH, NH 등의 수소 결합이 발생하여 비유전율 3.0 이하의 저유전율화를 도모할 수 없다는 것, 입방 결정 BN(이하,「c-BN」이라 함), 육방 결정 BN(이하,「h-BN」이라 함)의 박막 제작에 있어서 기판 온도 400℃로 비교적 높은 기판 온도를 필요로 하여, 열에 의한 금속 배선의 열화가 일어나기 때문에 금속 배선 제작 프로세스에 적용할 수 없다는 문제점이 있었다.
또한, 종래부터 반도체 디바이스에 있어서의 저 비유전율(비유전율=2.0∼2.7) 층간 절연막으로서는, 회전 도포법에 의한 유기막(Flare, SiLK : 폴리아릴에테르계 고분자, BCB : 벤조크시클로부텐계 고분자) 및 유기·무기 하이브리드막(HSG-R7 : 메틸실록산계 SOG, HOSP : 수소화 메틸실세스키옥산)이나, CVD법에 의한 유기막(α-CF : 불소화 탄화수소계 고분자, AF4 : 불소화 파레린계 고분자) 및 유기·무기 하이브리드막(Black Diamond : 메틸실란계, 4MS : 테트라메틸실란계) 등이 개발되어 있는 것 외에, 막 구조의 다공질화가검토되고 있다.
그런데, 전술한 바와 같이, 종래의 저 비유전율 층간 절연막은, 저 비유전율화하기 위해 밀도를 작게 하고 있어서, 산소 플라즈마 내성의 저하, 역학적 강도의 열화, 열 확산 효율의 저하, 흡습성·투습성의 증가, 내열성의 저하, 불순물 확산에 대한 배리어 효과 저하 등의 문제를 갖고 있기 때문에, 종래에는 저 비유전율 층간 절연막이 형성된 후의 열 처리나 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 등의 프로세스에 의해 디바이스 특성이 현저하게 저하될 가능성이 있다는 문제가 있었다.
따라서, 본 발명은 비유전율 3.0 이하를 갖는 육방 결정 질화 붕소막을 제공하여, 열에 의한 금속 배선의 열화가 일어나지 않는 낮은 온도에서의 층간 절연막 제조 방법을 제공하는 것을 제 1 목적으로 하고 있다.
또한, 본 발명은 산소 플라즈마 내성, 역학적 강도, 열 확산 효율, 흡습성·투습성, 내열성, 불순물 확산에 대한 배리어 효과를 향상시킬 수 있는 플라즈마 CVD 장치를 제공하는 것을 제 2 목적으로 하고 있다.
도 1은 층간 절연막을 포함하는 집적 회로 소자의 일례를 도시하는 도면,
도 2는 종래의 h-BN막(도 2a), 본 발명의 h-BN막(도 2b)을 도시하는 도면,
도 3은 본 발명에 있어서 사용한 이온 증착법에 따른 성막 장치를 도시하는 도면,
도 4는 실시예 1에서 얻어진 h-BN막을 적외 흡수 분광(FTIR) 측정한 결과를 나타내며, 영역 A는 NH 결합에 근거하는 피크, 영역 B는 BH 결합에 근거하는 피크가 나타나는 영역을 도시하는 도면,
도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 CVD 장치의 구성을 도시하는 도면,
도 6은 본 발명에 의해 제조되는 반도체 디바이스의 구성을 도시하는 도면,
도 7은 본 발명에 따른 제조 프로세스를 도시하는 흐름도,
도 8은 본 발명에 따른 제조 프로세스를 도시하는 흐름도,
도 9는 본 발명에 따른 제조 프로세스를 도시하는 흐름도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 소스
3 : 게이트 산화막 4 : 드레인
5 : 전극 6 : 절연막
7 : 디바이스 절연막 8 : 콘택트 플러그
9 : 제 1 층 층간 절연막 10 : 배선부
11 : 비아 플러그 12 : 제 2 층 층간 절연막
13 : 배선부 14 : 최종 보호막
본 발명에 따른 저유전율 육방 결정 질화 붕소막, 층간 절연막 및 그 제조 방법에 있어서는, 비유전율 3.0 이하를 갖는 육방 결정 질화 붕소막을 제공한다.또한, 질소 원자와 수소 원자의 결합 및 붕소 원자와 수소 원자의 결합의 합계 함유량을 4몰% 이하로 하는 육방 결정 질화 붕소막, c축 방향의 면 간격을 3.3Å에 대해 5∼30% 늘리되 a축 방향 면 간격의 증가분을 2.2Å에 대해 5% 이내로 억제하는 육방 결정 질화 붕소막, c축 방향이 기판에 대해 수평 방향인 것을 특징으로 하는 육방 결정 질화 붕소막을 제공한다. 또한, 이들 육방 결정 질화 붕소를 이용한 층간 절연막을 제공한다. 또한, 진공 중에 있어서의 질소 이온 또는 질소와 희가스의 혼합 이온의 조사 및 붕소 공급원의 증착을 포함하는 이온 증착법을 이용하는 육방 결정 질화 붕소막의 제조 방법에 있어서, 수소 원자와의 결합을 포함하지 않는 원료 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 육방 결정 질화 붕소막의 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 CVD 장치에 있어서는, 반도체 웨이퍼에 성막된 저 비유전율의 배선간 절연막의 표면에 보호막으로서의 저 비유전성막을 성막하는 성막 수단과, 상기 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하는 가열 수단을 구비한 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 성막 수단에 의해 배선간 절연막의 표면에 저 비유전성막이 성막된 후, 반도체 웨이퍼를 가열하여, 배선간 절연막의 표면에 보호막을 성막하도록 하였기 때문에, 종래에 비해 산소 플라즈마 내성, 역학적 강도, 열 확산 효율, 흡습성·투습성, 내열성, 불순물 확산에 대한 배리어 효과를 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 저 비유전성막의 성막과 가열 처리가 연속적으로 실행되기 때문에, 프로세스의 단축화를 도모할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 CVD 장치에 있어서는, 상기 반도체 웨이퍼에저 비유전율의 배선간 절연막을 성막하는 성막 수단과, 상기 배선간 절연막의 표면에, 보호막으로서의 저 비유전성막을 성막하는 성막 수단과, 상기 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하는 가열 수단을 구비한 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 배선간 절연막의 성막과 보호막의 성막이 연속적으로 실행되기 때문에, 프로세스의 단축화를 더욱 도모할 수 있다.
또한, 상기 플라즈마 CVD 장치에 있어서, 상기 배선간 절연막을 다공질화하는 다공질화 수단을 구비한 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 다공질화 수단에 의해 배선간 절연막을 다공질화하고, 배선간 절연막의 표면에 보호막을 성막하도록 하였기 때문에, 프로세스의 단축화를 도모할 수 있고, 또한 다공질화막의 약점인 계면 특성을 향상시킬 수 있음과 동시에 성막, 에칭, 애싱에 의한 막질 열화나 고흡습성을 억제할 수 있다.
본 발명의 상기 및 그 밖의 목적, 특징, 국면 및 이익 등은 첨부 도면을 참조로 하여 설명하는 이하의 상세한 실시예로부터 더욱 명백해질 것이다.
(실시예 1)
본 발명의 h-BN막은, 저유전율 층간 절연막 재료로서 이용할 수 있다.
층간 절연막은 집적 회로 소자에 포함되고, 기판상에 마련한 전극, 플러그, 배선을 절연 분리하는 절연막 및 보호막을 말하는데, 예컨대, 디바이스 절연막 등이 있으며, 집적 회로 소자의 일례를 도 1에 도시한다. 도 1에서 배선부는 2층으로 구성되어 있다.
실리콘 기판 등의 기판(1)은 소스(2), 게이트 산화막(3), 드레인(4), 전극(5), 절연막(6) 등을 갖고, 그 위에 디바이스 절연막(7)(예컨대, 실리콘 산화막으로 구성됨)이 마련되어 있다. 디바이스 절연막(7)에는, 디바이스 절연막(7)의 콘택트 플러그(8)에 접속하는 배선부(10)를 갖는 제 1 층 층간 절연막(9)이 마련된다. 도 1에는 층간 절연막(9) 위에 제 2 층 층간 절연막(12)을 더 나타낸다. 제 2 층 층간 절연막(9) 중의 배선부(10)는 비아 플러그(11)를 거쳐 제 2 층 층간 절연막(12) 중의 배선부(13)에 접속한다. 제 2 층 층간 절연막(12)은 최종 보호막(14)에 의해 보호된다. 최종 보호막(14)은 통상 질화 실리콘 등으로 구성된다.
본 발명의 h-BN 층간 절연막은 바람직하게는 0.1∼1.0 ㎛의 막 두께이고, 보다 바람직하게는 0.35 ㎛(3,500Å)의 막 두께이다. 본 발명의 층간 절연막은 종래의 층간 절연막의 유전율을 낮춘 것이지만, 종래의 층간 절연막과 마찬가지로 이용할 수 있다. 배선 금속에 대해서도, 종래와 마찬가지로 동이나 알루미늄 합금을 이용할 수 있다.
소위 0.18 ㎛ 디자인 룰에 의하면, 배선 재료에 알루미늄 합금을 이용하고 층간 절연 재료에 SiO2(비유전율 4.5)를 이용한 배선 지연은 18㎰이지만(예컨대, 반도체 주변 재료의 최신 동향(1999) p19, 도레이 리서치 센터), 본 발명의 h-BN을 층간 절연막으로서 이용한 경우에는, 더욱 고속화될 것을 예상할 수 있어, 배선 재료에 동을 이용하고 층간 절연 재료에 저 유전율 절연 재료를 이용한 배선 지연인10㎰ 정도에 접근할 것으로 생각된다.
본 발명의 h-BN막은 질소 원자와 수소 원자의 결합(NH) 및 붕소 원자와 수소 원자의 결합(BH)의 양이 저감되어 있는 것을 특징으로 한다. 수소 결합량은 푸리에 변환 적외 흡수 분광법(FTIR)으로 구할 수 있고, h-BN막중에, 바람직하게는 4몰% 이하, 더 바람직하게는 0.1몰% 이하로 한다. BH, NH 등의 수소 결합량의 저감에 의해, 비유전율 3.0 이하의 저유전율화가 가능하다.
또한, 본 발명의 h-BN막은 c축 방향으로 늘린 면 간격을 갖는 것을 특징으로 한다. 면 간격은 X선 회절법(XRD) 혹은 투과형 전자 현미경(TEM)에 의해 측정할 수 있다(예컨대, JCPDS 카드 No. 34-421). h-BN의 면 간격은 통상, c축 방향으로 3.3Å, a축 방향으로 2.2Å, b축 방향으로 2.2Å이다. 이에 반해, 본 발명의 h-BN은 c축 방향에 대해, 바람직하게는 5∼30%, 보다 바람직하게는 10∼20%, 특히 바람직하게는 15% 늘린 것이며, a축 방향에 대해서는, 바람직하게는 5% 이하, 보다 바람직하게는 3% 이하 신장시킨 것이다. c축 방향으로 면 간격을 늘리면 h-BN막은 밀도가 낮아지기 때문에 유전율을 저감시킬 것으로 생각된다.
본 발명의 h-BN막은 c축 방향이 기판에 대해 수평 방향인 것을 특징으로 한다. 도 2에 종래의 h-BN막(도 2a), 본 발명의 h-BN막(도 2b)을 나타낸다. 종래의 h-BN막은 육방 결정이긴 하지만, 배향 방향이 랜덤하여 비정질에 가깝다. 한편, 본 발명의 h-B 막은 육방 결정의 c축 방향이 기판에 대해 수평 방향으로 정렬되어 있다. 또한, c축 방향이 상기 수평 방향이면, 면내 회전은 생겨도 무방하다. h-BN막의 결정 구조는 투과형 전자 현미경(TEM)에 의해 측정할 수 있다(예컨대, T.A.Friedmann 등의 thin solid films, 237(1994)48-56). c축 방향이 기판에 대해 수평 방향인 h-BN이 바람직하게는 30몰% 이상, 보다 바람직하게는 70몰% 이상이면 된다. h-BN막에 있어서, c축 방향을 기판에 대해 수평 방향으로 하면 막 전체의 분극율이 저하하여, 유전율이 저감될 것으로 생각된다.
질소 원자와 수소 원자의 결합(NH) 및 붕소 원자와 수소 원자의 결합(BH) 양의 저감, 면 방향을 c축 방향으로 늘리는 것, c축 방향을 기판에 대해 수평 방향으로 하는 것은 각각 h-BN막의 저 유전율화에 공헌하는 것으로 생각된다. 이들을 조합시킴으로써 더욱 저 유전율화하는 것이 가능하게 된다.
본 발명의 h-BN막은 수소를 이온 주입함으로써 분자 연결성의 혼란을 발생시켜, 비유전율을 더 낮출 수 있다. 분자 연결성의 혼란은 투과형 전자 현미경(TEM)에 의해 측정 가능하다(예컨대, T.A.Friedmann 등의, thin solid films, 237(1994)48-56). 비유전율을 낮추기 위해서는 최대 50 분자 정도의 연결성 혼란으로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 최대 15 분자 정도의 연결성 혼란으로 하는 것이 효과적이다. 분자 연결성의 혼란을 발생시킴으로써, 막 전체의 분극율은 혼란이 없는 경우에 비해 더욱 저하되어, 유전율이 저감될 것으로 생각된다.
또한, 본 발명의 h-BN막은 수소를 이온 주입함으로써 비정질 BN(α-BN)을 혼재시켜, 저유전율화시킬 수 있다. 비정질 BN의 존재량은 투과형 전자 현미경(TEM)에 의해 측정 가능하고(예컨대, T.A.Friedmann 등의 thin solid films, 237(1994)48-56), 바람직하게는 40몰% 이하로 혼재시킨다.
또한, 본 발명의 h-BN막은 수소를 이온 주입함으로써 c-BN을 혼재시켜, 저유전율화시킬 수 있다. c-BN의 존재량은 투과형 전자 현미경(TEM) 등에 의해 측정 가능하고(예컨대, T.A.Friedmann 등의, thin solid films, 237(1994)48-56), 바람직하게는 40몰% 이하로 혼재시킨다.
α-BN과 c-BN은 병존시킬 수 있지만, h-BN막 중에 바람직하게는 합계로 40 몰% 존재시키는 것이 좋다.
α-BN이나 c-BN을 혼재시킴으로써 막 전체의 분극율이 저하하여 유전율이 저감될 것으로 생각된다.
다음에, 본 발명의 h-BN막의 제조 디바이스 및 제조 방법에 대해 설명한다.
본 발명에서 이용하는 이온 증착법은, 진공 중에 있어서의 질소 이온 혹은 질소와 희가스와의 혼합 이온의 조사 및 붕소 공급원의 증착을 포함하는 증착법을 말한다. 여기서 진공이란, 증착을 가능하게 하는 진공이며, 통상 10-3∼10-8Torr 범위가 이용된다.
도 3에, 본 발명에 이용되는 이온 증착법에 따른 BN막 성막 디바이스의 일례를 나타낸다. 진공 챔버(15)는 진공을 유지하는 것이 가능한 챔버로서, 배기구(15A)로부터 도시하지 않은 진공원에 연통된다. 진공 챔버(15)에는 기재 홀더(16)가 배치되고, 기재 홀더(16)는 냉각 급배수관(16A)에 의해 도입되는 냉각수에 의해 냉각되어, 홀더(16)에 장착한 기재(17)를 소정 온도로 유지할 수 있다. 이 기재(17)에 대해, 이온원(19)으로부터 희가스와 질소의 혼합 가스를 이온화한혼합 이온을 조사하고, 동시에 증발원(18)으로부터 붕소(B)를 증착시킨다. 이것에 의해, 기판상에 B/N 조성비가 0.9∼1.1인 h-BN막을 제조할 수 있다.
희가스로서는 아르곤이나 크립톤이 이용되고, 질소 공급원으로서는 질소 원자와 수소 원자의 결합을 갖는 암모니아(NH3) 등을 대신하여, 질소 원자와 수소 원자의 결합을 갖지 않는 질소 등이 이용된다. 희가스와 질소의 혼합비는 혼합 가스 중에 질소가 20 체적% 이상, 바람직하게는 50∼90 체적% 포함되는 것이 좋다. 희가스와 질소의 혼합 가스를 이용하는 것은 질소의 해리 효율을 높이기 위한 것이다.
기재(17)로 붕소 증기를 공급하는 붕소 공급원으로서는, 붕소 원자와 수소 원자의 결합을 갖는 디보란(B2H6) 대신에, 붕소 원자와 수소 원자의 결합을 갖지 않는 붕소 공급원이 바람직하며, 금속 붕소를 바람직한 예로 들 수 있다.
이온원(19)으로서는, 예컨대, 카우프만형 이온원, 마이크로파 방전형 이온원을 들 수 있다. 증발원(18)으로는, 예컨대, 전자 빔 증발원을 들 수 있다.
기재(17)의 온도는 냉각 급배수관(16A)에 의해 도입되는 냉각수에 의해 냉각되어, 바람직하게는 실온 내지 200℃로 유지된다. 본 발명에서는 BH 결합이나 NH 결합을 포함하지 않는 질소 공급원 및 붕소 공급원을 이용하기 때문에, 생성되는 BN막 중에 수소 결합(BH, NH)이 생기지 않고, 또한 기재의 온도를 낮게 할 수 있어, 열에 의한 금속 배선의 열화가 일어나지 않으므로, 금속 배선 제작 프로세스에 적용할 수 있게 된다.
이하, 적용예를 근거로 하여 본 발명을 구체적으로 설명하되, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니다.
(적용예 1)
도 3에 나타내는 이온 증착법에 의한 BN막 제조 디바이스를 이용하였다. 진공 챔버(15)내의 기재 홀더(16)에 기재(17)로서 p형 실리콘 기판을 세트하였다. 이 실리콘 기판(기판 온도 200℃)에 대해 이온원(19)으로서 카우프만형 이온원을 아르곤 : 질소(N) = 64 : 36으로 혼합한 이온(유량 = 5sccm)을 0.5㎸의 가속 전압으로 조사하고, 동시에 증발원(18)으로서의 전자 빔 증발원으로부터 붕소(B)를 0.5Å/s의 속도로 공급함으로써, B/N 조성비가 1인 h-BN막을 성막하였다. 성막 중 진공 챔버(1)내 진공도는 1.0×10-4Torr로 하였다.
얻어진 h-BN막을 적외 흡수 분광(FTIR) 측정한 결과를 도 4에 나타낸다. 도 4로부터 명백한 바와 같이, 도 4의 영역 A에는 NH 결합(3340㎝-1)이 존재하지 않고, 동 영역 B에는 BH 결합(2520㎝-1)이 존재하지 않았다.
얻어진 h-BN막을 용량-전압(CV) 측정(예컨대, M.Z.Karim 등의, surface and coatings technology, 60(1993)502-505)함으로써 비유전율 ε을 산출한 바, ε=2.4였다.
얻어진 h-BN막 단면을 투과형 전자 현미경(TEM) 관찰한 바, c축 방향면 간격이 통상의 간격 3.325Å으로부터 3.73Å으로 넓어져 있었다. 이 때, h-BN의 c축방향은 실리콘 기판에 대해 수평 방향이었다.
(적용예 2)
적용예 1과 마찬가지로 해서 h-BN막을 제조하고, 얻어진 h-BN막에 에너지-15keV, 주입량 1×1016cm-2의 조건에서 수소 이온을 주입하였다. 그 후, CV 측정을 실행하여 비유전율을 산출한 바, ε= 2.2였다. 또한, 해당 h-BN막 단면을 TEM 관찰한 바, c축 방향면 간격이 통상의 간격 3.325Å으로부터 3.73Å으로 넓어져 있고, 결정의 주기성은 60Å 정도 미만이며, α-BN 및 c-BN이 혼재하고 있었다. 이 때, h-BN의 c축 방향은 실리콘 기판에 대해 수평 방향이었다.
적용예 1과 적용예 2에서는, 수소를 포함하지 않기 위해서 수소 결합이 없는 소스 가스를 이용하고, 또한 소스 가스를 이온화하여 가속시켜서 에너지를 부여함으로써, 기판 온도 200℃의 저온에서 h-BN막을 제조할 수 있었다. 또한, h-BN막의 c축 방향 면 간격은 3.3Å으로부터 3.7Å으로 늘어나고, 그 c축 방향은 기판에 대해 수평 방향이었다. 이것에 의해, h-BN막의 비유전율을 2.4로 저유전율화시켰다.
또한, 얻어진 h-BN막으로 수소를 이온 주입함으로써, 결정의 주기성을 혼란시켜 α-BN 및 c-BN을 혼재시키고, h-BN막의 비유전율을 2.2로 더욱 저하시켰다.
이상과 같이, 본 발명의 h-BN막은 실리콘 산화막(ε= 4∼4.5)보다 저유전율인 층간 절연막으로 이용함으로써 보다 고집적화된 디바이스의 제작이 가능해진다.
다음에, 실시예 2∼4로서 본 발명에 따른 플라즈마 CVD 장치에 대해 상세하게 설명한다.
(실시예 2)
도 5는 본 발명에 따른 실시예 2∼4의 구성을 도시하는 도면이다. 이 도면에는 플라즈마 기상 여기를 이용하여 반도체 디바이스에 다층막을 형성하기 위한 플라즈마 CVD 장치가 도시되어 있다. 이 플라즈마 CVD 장치는 박막을 구성하는 원소로 이루어지는 원료 가스를 반도체 웨이퍼상에 공급하여, 기상 또는 반도체 웨이퍼 표면에서의 화학 반응에 의해 소망하는 박막을 형성시키는 장치이다. 가스 분자를 여기시키기 위해서는 플라즈마 방전이 이용된다.
도 5에 있어서, 반응 용기(20)내 측면에는 전술한 원료 가스를 방출하기 위한 노즐(21), 노즐(22)이 마련되어 있다. 노즐(22)로부터는, 봄베(bomb)(도시하지 않음)로부터 공급되는 원료 가스로서 H2, N2, He, Ar 등의 5% 이하로 희석된 B2H6이 총 유량 100∼1000sccm으로 방출된다. 또한, 노즐(21)로부터는, 봄베(도시하지 않음)로부터 공급되는 원료 가스로서 100% N2, 100% NH3또는 N2+NH3이 총 유량 100∼1000sccm으로 방출된다.
RF 전극(23)은 반응 용기(20)의 상부에 마련되어 있고, 고주파 전원(24)에 접속되어 있다. 바이어스 전극(25)은 RF 전극(23)과 대향하도록 반응 용기(20)내에 마련되어 있고, 고주파 전원(26)에 접속되어 있다. 이들 RF 전극(23) 및 바이어스 전극(25)은 전계를 발생시키기 위한 것이다. RF 전극(23)의 RF 파워는 1㎾이상이고, 바이어스 전극(25)의 바이어스 파워는 0.5㎾ 이상이다.
자장 코일(27)은 반응 용기(20) 주위에 감겨져 있고, 회전 수평 자장(10∼300 가우스)을 발생시키기 위한 것이다. 12인치 직경의 반도체 웨이퍼(28)는 상기 전계와 직교하도록 바이어스 전극(25)상에 탑재되어 있다. 이 반도체 웨이퍼(28)의 표면에는 후술하는 프로세스에 의해 저 비유전율 BN막(29)이 형성된다. 여기서, 저유전율 BN막이란, 붕소원(B) : B2H6, BCl3, 질소원(N) N2, NH3으로 구성되는 저유전율의 보호막을 말한다. 또한, 자장 코일(27)은 필수적인 것은 아니다.
도 6은 실시예 2∼4에서 제조되는 반도체 디바이스(100)의 구성을 도시하는 도면이다. 동 도면에 나타낸 반도체 디바이스(100)에 있어서는, 기본 트랜지스터(101, 101,…)가 소자간 분리막(102)으로 절연되어 있다. 기본 트랜지스터(101, 101,…)의 표면에는, BPSG(Boro-Phospho-Silicate-Glass) 등의 배선하(配線下) 절연막(103)이 형성되어 있다.
금속 배선(104)은 배선하 절연막(103)의 표면에 형성되어 있고, 배선하 절연막(103)을 관통하는 콘택트 홀에 형성된 배선간 금속(105)을 거쳐서 기본 트랜지스터(101)에 접속되어 있다. 또한, 배선하 절연막(103)(금속 배선(104))의 표면에는 배선간 절연막(106)이 형성되어 있다. 배선간 절연막(106)은 기생 용량을 저감하기 위해, 저 비유전율 재료로 구성되어 있다. 배선간 절연막(106)의 표면에는 보호막으로서의 저비유전율 BN막(107)이 형성되어 있다.
금속 배선(108)은 저 비유전율 BN막(107)의 표면에 형성되어 있고, 배선간 절연막(106) 및 저 비유전율 BN막(107)을 관통하는 콘택트 홀에 형성된 배선간 금속(109)을 거쳐서, 금속 배선(104)에 접속되어 있다. 또한, 저 비유전율 BN막(107)(금속 배선(108))의 표면에는 배선간 절연막(110)이 형성되어 있다. 배선간 절연막(110)의 표면에는 보호막으로서의 저 비유전율 BN막(111)이 형성되어 있다. 이 배선간 절연막(110)은 기생 용량을 저감하기 위해서, 저 비유전율 재료로 구성되어 있다.
금속 배선(112)은 저 비유전율 BN막(111)의 표면에 형성되어 있고, 배선간 절연막(110) 및 저 비유전율 BN막(111)을 관통하는 콘택트 홀에 형성된 배선간 금속(113)을 거쳐서, 금속 배선(108)에 접속되어 있다. 이와 같이, 반도체 디바이스(100)는 다층막 구조로 되어 있다.
이어서, 도 7에 도시한 흐름도를 참조하면서, 실시예 2의 제조 프로세스에 대해 설명한다. 이하에서는, 주로 도 6에 나타낸 저 비유전율 BN막(107)의 성막 프로세스를 주로 설명한다. 이 경우, 도 5에 나타낸 반도체 웨이퍼(28)에는 도 6에 나타낸 배선간 절연막(106)까지 형성되어 있는 것으로 한다. 단, 배선간 금속(109)은 형성되어 있지 않다.
도 7에 나타낸 단계 SA1에서, 반도체 웨이퍼(28)의 표면(배선간 절연막(106))에는 저 비유전율 막이 성막된다. 구체적으로는, 노즐(22)로부터는 H2, N2, He, Ar 등으로 5% 이하로 희석된 B2H6이 총 유량 100∼1000sccm로 방출된다.또한, 노즐(21)로부터도, 봄베(도시하지 않음)로부터 공급되는 원료 가스로서, 100% N2, 100% NH3또는 N2+ NH3이 총 유량 100∼1000sccm으로 방출된다. 이것에 의해, 반응 용기(20) 내에서는 상기 원료 가스가 혼합되고, 배선간 절연막(106)의 표면에는 저 비유전율막이 성막된다.
단계 SA2에서는 반응 용기(20) 내의 반도체 웨이퍼(28)가 가열 수단(도시하지 않음)에 의해 300∼400℃로 가열되는 열 처리가 실행된다. 이것에 의해, 단계 SA3에서는 배선간 절연막(106)의 표면에 저 비유전율 BN막(107)이 성막된다. 이 저 비유전율 BN막(107)의 비유전율은 2.2로 되어 있다. 또한, 저비유전율 BN막(107)은 기본적으로 육방 결정의 결정 구조를 가지며, 그 조성은 [B]/[N] = 1이다. 또한, 저 비유전율 BN막(107)의 막 두께는 보호막으로서 유효한 20∼100㎚로 되어 있다.
단계 SA4에서는, 저 비유전율 BN막(107) 및 배선간 절연막(106)에 콘택트 홀을 형성하기 위한 에칭이 실행된다. 단계 SA5에서는, 형성된 콘택트 홀에 배선간 금속(109)이 매립된다. 단계 SA6에서는 CMP에 의해 표면이 연마된다. 단계 SA7에서는, 저 비유전율 BN막(107)의 표면에 금속 배선(108)이 형성된다. 이하, 단계 SA1 이후의 프로세스가 반복 실행됨으로써, 도 6에 도시한 다층막 구조의 반도체 디바이스(100)가 제조된다.
또, 실시예 2에 있어서는, 도 6에 나타낸 절연막(103, 106, 110)을 전술한 붕소원(B) 및 질소원(N)으로 구성하고, 이것을 저유전율 BN막으로 하는 구성을 채용해도 무방하다.
이와 같이, 실시예 2에 따르면, 배선간 절연막(106)의 표면에 저 비유전성막이 성막된 후, 반도체 웨이퍼(28)를 가열하여 배선간 절연막(106)의 표면에 저 비유전율 BN막(107)을 성막하도록 하였기 때문에, 종래에 비해 산소 플라즈마 내성, 역학적 강도, 열 확산 효율, 흡습성·투습성, 내열성, 불순물 확산에 대한 배리어 효과를 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예 2에 따르면, 저 비유전성막의 성막과 가열 처리를 반응 용기(20)내에서 연속적으로 실행할 수 있기 때문에 프로세스의 단축화를 도모할 수 있다.
(실시예 3)
그런데, 전술한 실시예 2에서는 반응 용기(20)내에서 저 비유전율 BN막(107)이나 저 비유전율 BN막(111)의 성막을 실행하는 예에 대해 설명하였지만, 반응 용기(20) 내에서 배선간 절연막(106)이나 배선간 절연막(110)의 성막도 실행하도록 하더라도 좋다. 이하에서는 이 경우를 실시예 3으로서 설명한다.
이어서, 도 8에 나타낸 흐름도를 참조하면서, 실시예 3의 제조 프로세스에 대해 설명한다. 이하에는 주로 도 6에 나타낸 배선간 절연막(106) 및 저 비유전율 BN막(107)의 성막 프로세스를 주로 설명한다. 이 경우, 도 5에 나타낸 반도체 웨이퍼(28)에는 도 6에 나타낸 배선하 절연막(103) 및 금속 배선(104)까지가 형성되어 있는 것으로 한다.
도 8에 나타낸 단계 SB1에서는 주지의 CVD법에 의해 반응 용기(20)내의 반도체 웨이퍼(28)의 표면(배선하 절연막(103), 금속 배선(104)), 배선간 절연막(106)이 성막된다. 단계 SB2에서는 전술한 단계 SA1∼단계 SA3(도 7 참조)을 거쳐, 배선간 절연막(106)의 표면에 저 비유전율 BN막(107)이 성막된다.
여기서, 단계 SB3∼단계 SB6까지의 처리는 단계 SA4∼단계 SA7(도 7 참조)과 마찬가지이기 때문에 그 설명을 생략한다. 이하, 단계 SB1 이후의 프로세스가 반복 실행됨으로써, 도 6에 나타낸 다층막 구조의 반도체 디바이스(100)가 제조된다.
이와 같이, 실시예 3에 따르면, 배선간 절연막(106)의 성막과 저 비유전율 BN막(107)의 성막이 반응 용기(20)내에서 연속적으로 실행되기 때문에, 프로세스의 단축화를 더욱 도모할 수 있다.
(실시예 4)
그런데, 전술한 실시예 2에서는, 반응 용기(20)내에서 저 비유전율 BN막(107)이나 저 비유전율 BN막(111)의 성막을 실행하는 예에 대해 설명하였지만, 배선간 절연막(106)이나 배선간 절연막(110)의 다공질화도 실행되도록 하여도 좋다. 이하에서는, 이 경우를 실시예 4로서 설명한다.
이어서, 도 9에 나타낸 흐름도를 참조하면서, 실시예 4의 제조 프로세스에 대해 설명한다. 이하에는, 주로 도 6에 나타낸 배선간 절연막(106)의 다공질화 및 저 비유전율 BN막(107)의 성막 프로세스를 주로 설명한다. 이 경우, 도 5에 나타낸 반도체 웨이퍼(28)에는 도 6에 나타낸 배선간 절연막(106)까지가 형성되어 있는것으로 한다. 단, 배선간 금속(109)은 형성되어 있지 않다.
도 9에 나타낸 단계 SC1에서, 반도체 웨이퍼(28)의 표면(배선간 절연막(106))에는, 단계 SA1(도 7 참조)과 마찬가지로 하여 저 비유전율 막이 성막된다. 단계 SC2에서는 기지의 다공질화법에 의해 배선간 절연막(106)이 다공질화된다. 이것에 의해, 배선간 절연막(106)의 밀도가 작아져서, 저 비유전율화된다.
단계 SC3에서는, 단계 SA2 및 단계 SA3(도 7 참조)과 마찬가지로 하여 배선간 절연막(106)의 표면에 저 비유전율 BN막(107)이 성막된다. 여기서, 단계 SC4∼단계 SC7까지의 처리는 단계 SA4∼단계 SA7(도 7 참조)과 마찬가지기 때문에 그 설명을 생략한다. 이하, 단계 SC1 이후의 프로세스가 반복 실행됨으로써, 도 6에 나타낸 다층막 구조의 반도체 디바이스(100)가 제조된다.
이와 같이, 실시예 4에 따르면, 배선간 절연막(106)을 다공질화하여 배선간 절연막(106)의 표면에 저 비유전율 BN막(107)을 성막하도록 하였기 때문에, 프로세스의 단축화를 도모할 수 있고, 또한 다공질화막의 약점인 계면 특성을 향상시킬 수 있음과 동시에 성막, 에칭, 애싱에 의한 막질 열화나 고 흡습성을 억제할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명에 따르면, 성막 수단에 의해 배선간 절연막의 표면에 저 비유전성막이 성막된 후, 반도체 웨이퍼를 가열하여 배선간 절연막의 표면에 보호막을 성막하도록 하였기 때문에, 종래에 비해 산소 플라즈마 내성, 역학적 강도,열 확산 효율, 흡습성·투습성, 내열성, 불순물 확산에 대한 배리어 효과를 향상시킬 수 있는 효과가 얻어진다.
또한, 본 발명에 따르면, 저 비유전성막의 성막과 가열 처리가 연속적으로 실행되기 때문에, 프로세스의 단축화를 도모할 수 있는 효과가 얻어진다.
또한, 본 발명에 따르면, 배선간 절연막의 성막과 보호막의 성막이 연속적으로 실행되기 때문에, 프로세스의 단축화를 더욱 도모할 수 있는 효과가 얻어진다.
또한, 본 발명에 따르면, 다공질화 수단에 의해 배선간 절연막을 다공질화하고, 배선간 절연막의 표면에 보호막을 성막하도록 하였기 때문에, 프로세스의 단축화를 도모할 수 있고, 또한 다공질화막의 약점인 계면 특성을 향상시킬 수 있으며, 성막, 에칭, 애싱에 의한 막질 열화나 고 흡습성을 억제할 수 있다는 효과가 얻어진다.
이상 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 상기 실시예에 따라 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경 가능한 것은 물론이다.

Claims (12)

  1. 붕소원을 포함하는 원료 가스와 질소원을 포함하는 원료 가스를 혼합해 성막되어 비유전율 3.0 이하를 갖는 것을 특징으로 하는 육방 결정 질화 붕소막.
  2. 제 1 항에 있어서,
    질소 원자와 수소 원자의 결합 및 붕소 원자와 수소 원자의 결합의 합계 함유량을 4몰% 이하로 하는 것을 특징으로 하는 육방 결정 질화 붕소막.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 육방 결정 질화 붕소에 대해, c축 방향의 면 간격을 3.3Å에 대해 5∼30% 늘리되, a축 방향의 면 간격 신장을 2.2Å에 대해 5% 이내로 억제하는 것을 특징으로 하는 육방 결정 질화 붕소막.
  4. 제 3 항에 있어서,
    c축 방향이 기판에 대해 수평 방향인 것을 특징으로 하는 육방 결정 질화 붕소막.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 육방 결정 질화 붕소가 40몰% 이하의 비정질 질화 붕소, 또는 40몰% 이하의 입방 결정 질화 붕소, 또는 합계 40몰% 이하의 비정질 질화 붕소와 입방 결정 질화 붕소를 함유하는 육방 결정 질화 붕소막.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 육방 결정 질화 붕소막을 이용한 층간 절연막.
  7. 진공중에 있어서의 질소 이온 또는 질소와 희가스의 혼합 이온의 조사, 및 붕소 공급원의 증착을 포함하는 이온 증착법을 이용하는 육방 결정 질화 붕소막의 제조 방법에 있어서,
    수소 원자와의 결합을 포함하지 않는 질소 및 붕소 공급원을 이용하는 것을 특징으로 하는 육방 결정 질화 붕소막의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 성막 기판 온도를 200℃ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 육방 결정 질화 붕소막의 제조 방법.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    수소를 이온 주입하는 단계를 더 포함하는 육방 결정 질화 붕소막의 제조 방법.
  10. 반도체 웨이퍼에 성막된 저 비유전율의 배선간 절연막의 표면에, 보호막으로서 붕소원을 포함하는 원료 가스와 질소원을 포함하는 원료 가스를 혼합해 성막되어 비유전율 3.0 이하를 갖는 육방 결정 질화 붕소막을 성막하는 저유전성막 성막 수단과,
    상기 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하는 가열 수단
    을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 장치.
  11. 반도체 웨이퍼에 저 비유전율의 배선간 절연막을 성막하는 절연막 성막 수단과,
    상기 배선간 절연막의 표면에 보호막으로서 붕소원을 포함하는 원료 가스와 질소원을 포함하는 원료 가스를 혼합해 성막되어 비유전율 3.0 이하를 갖는 육방 결정 질화 붕소막을 성막하는 저유전성막 성막 수단과,
    상기 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하는 가열 수단
    을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 배선간 절연막을 다공질화하는 다공질화 수단을 구비한 것을 특징으로하는 플라즈마 CVD 장치.
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