KR100412765B1 - 납땜재, 그 납땜재를 사용한 디바이스 및 그 납땜재를 사용한 디바이스의 제조방법 - Google Patents

납땜재, 그 납땜재를 사용한 디바이스 및 그 납땜재를 사용한 디바이스의 제조방법 Download PDF

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Abstract

범용성 재료를 이용하여 용이하게 고온 납땜에 사용할 수 있는 무연 땜납 및 이것을 이용하여 접합 형성한 디바이스를 제공한다.
땜납재는 주석과 아연과의 중량비가 97:3 ~ 79:21이고, 주석 및 아연의 합계와 은과의 중량비가 88:12 ~ 50:50, 또는 주석과 아연과의 중량비가 70:30 ~ 5:95이고, 은의 비율이 은, 주석 및 아연의 합계량의 15 중량% 이하인 주석-아연-은계 땜납재 혹은 0.01~2 중량%의 게르마늄 및/또는 알루미늄과 잔부주석으로 이루어지는 주석 페이스트 땜납재이고, 이것에 의해 내열동작을 필요로 하는 디바이스의 전기접속을 형성한다. 복수의 납땜 공정중 앞 공정을 상기 땜납재를 이용하여 디바이스 제조를 행한다.

Description

납땜재, 그 납땜재를 사용한 디바이스 및 그 납땜재를 사용한 디바이스의 제조방법{SOLDER MATERIAL, DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF USING THE SAME SOLDER MATERIAL}
본 발명은 전기, 전자 또는 기계 부품을 접합하기 위한 납을 함유하지 않은 납땜재 및 이것을 이용하여 접합된 디바이스 및 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 승온(昇溫) 상태에서의 사용 내성을 필요로 하는 제품의 제조에 있어서 접합재로서 이용되는 고온 납땜에 적합한, 납을 함유하지 않은 주석계의 납땜재 및 이것을 이용하여 접합된 디바이스 및 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
현대 산업에 있어서, 납땜은 전자 기기 등의 각종 장치에서의 접합, 조립에 널리 사용되고 있다. 예를 들면, 실장 기판에 있어서는 반도체, 마이크로프로세서, 메모리, 저항 등의 전자 부품을 기판에 실장하기 위한 접합 등에 이용되고 있다.
일반적으로 이용되는 종래의 납땜은 주석과 납에 의한 공정(共晶) 납땜으로, 그 이론 공정점(共晶点)이 183℃이고, 많은 열경화성 수지가 가스화를 시작하는 온도보다도 낮다. 이 때문에, 주석/납 공정 납땜은 기판 등의 접합에 이용된 경우에 프린트 기판 등을 열에 의해 손상시키지 않는다는 장점을 갖고 있다. 따라서, 주석/납 공정 납땜은, 전자 기기의 제조에 있어서 부품의 접합, 조립에 중요한 재료이다. 한편, 전력 트랜지스터 등의 고전압, 고전류가 부하되어 큰 발열을 수반하는 반도체 장치에서는 접합 내열성을 확보하기 위해, Pb-5Sn 등의 고온 납땜재가 사용된다.
최근, 폐기물에 의해 환경 문제가 발생하는 것이 염려되고 있고, 납땜 접합 분야에 있어서도, 폐기된 전자 기기 등으로부터 납 이온이 토양 속으로 용출되는 것이 염려되고 있다. 이것을 해소하기 위해, 납을 포함하지 않은 납땜을 이용한 접합 기술이 필요해지고 있다.
그러나, 납을 다른 금속으로 대신한 납땜이나 별도의 금속의 조합에 의한 납땜은, 누설성, 납땜온도, 재료강도, 경제성 등의 납땜에 필요한 성질에 관해 연구가 불충분하기 때문에, 아직 범용제품으로서 다량으로 이용될 정도의 보급에 이르지는 않고, 특정 용도로 한정된 사용이 기대될 정도이다.
이런 와중에 본원 발명자들은 폐기물 중의 납에 의한 환경 문제를 해결하고, 납을 함유하지 않은 범용성이 높은 금속에 의한 납땜재에 의한 접합을 가능하게 하기 위해, 접합 조건 등을 적절히 조절한 주석-아연 납땜의 사용을 제안하고 있다 (특개평 8-243782호 공보). 주석-아연 공정 조성물은 융점이 낮으므로, 주석-아연 납땜이 본래 갖고 있는 누설성을 끌어내기만 하면, 종래의 주석-납 납땜과 마찬가지로 저온 납땜으로서 널리 사용하는 것이 가능하다. 이것에 의해, 저융점 납땜 영역에서의 무연화는 실현 가능한 것으로 생각된다.
그러나, 고온 영역에서 납땜되는 고온 납땜의 실용화의 문제가 남아있다.
종래의 고온 납땜인 Pb-Sn 납땜의 대용이 되는 무연의 고온 납땜으로서, 특개평 1-172352호 공보에서는 Zn-Al-Mg계 납땜이 제안되고 있다. 그러나, 이러한 재료는 가공성에 어려움이 있고, 산화하기 쉬운 원소계로 구성되고 있기 때문에 누설성이 나쁘다. 따라서, 실용화에는 적합하지 않다.
또한, Sn-Cu계 납땜의 실용화도 시도되고 있지만, 이 납땜에 있어서는 주석과 동과의 금속간 화합물로 이루어진 η상이 생기기 때문에 동제(銅製)의 부품과의 접합이 취약해져 강도가 열화하는 문제가 있다.
본 발명은 범용성이 높은 원료를 이용하여 염가로 고온 영역에서의 납땜에 용이하게 사용할 수 있는 무연 고온 납땜을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 범용성이 높은 원료를 이용한 무연 고온 납땜을 이용하여접합 형성 및/또는 조립이 행해지는 내열성을 갖는 디바이스, 조립 조건 또는 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 범용성이 높은 원료를 이용한 무연 고온 납땜을 이용하여 접합 형성 및/또는 조립을 행하는 디바이스, 조립체 또는 장치의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
도 1은 본 발명의 납땜재를 이용한 접합 형성의 일 예를 도시한 단면도.
도 2는 도 1의 접합 형성에 의해서 접합이 형성되는 부품을 도시한 평면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 리드 프레임
2 : 납땜재
3 : 도금층
4 : 반도체 소자
그래서, 본 발명자들은 주석-아연 납땜을 기초로하여, 납을 함유하지 않은 범용성이 높은 금속을 이용한 납땜에 대해 연구를 거듭한 결과, 주석을 베이스로하여 아연 및 은을 함유하는 조성물, 또는 게르마늄 혹은 알루미늄을 함유하는 조성물이 고온 납땜으로서 접합하게 사용가능하다는 것을 발견하고, 본 발명의 납땜재 및 장치를 완성하게 된 것이다.
본 발명의 일양태에 따르면, 납땜재는 주석, 아연 및 은을 함유하는 납땜재로서, 주석과 아연의 중량비가 97:3 ~ 79:21이고, 주석 및 아연의 합계와 은과의 중량비가 88:12 ~ 50:50인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 납땜재는 주석, 아연 및 은을 함유하는 납땜재로서, 주석과 아연의 중량비가 70:30 ~ 5:95이고, 은의 비율은 주석, 아연 및 은이 합계량의 15중량% 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 납땜재는 게르마늄 및 알루미늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 원소 0.01~2중량%와 잔부 주석(단, 불가피한 양의 불순물을 포함할 수 있음)으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 또다른 양태에 따르면, 디바이스는 상기 어느 하나의 납땜재를 이용하여 접합되는 부품을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 디바이스는 전자관, 외부 접속용 전극, 트랜지스터, 사이리스터, GTO, 정류기 및 가변 콘덴서로 이루어지는 군으로부터 선택되는 전력전자 디바이스 (Power-electronics Device)를 포함한다.
또한, 본 발명의 또다른 일양태에 의하면, 디바이스의 제조 방법은 제1 납땜 접합 공정과, 상기 제1 납땜 접합 공정보다 후에 행해지는 제2 납땜 접합 공정을 가지며, 상기 제1 납땜 접합 공정의 납땜 온도는 상기 제2 납땜 접합 공정의 납땜 온도보다도 높고, 상기 제1 납땜 공정을 상기 어느 양태에 기재된 납땜재를 이용하여 행하는 것을 특징으로 한다.
전력 트랜지스터 등과 같은 전력전자 디바이스는 고전압, 고전류의 부하에 의해 많은 열이 발생한다. 이 때문에 장치의 동작, 정지에 의해 온도 상승·온도 하강이 반복되어, 재료의 선팽창률의 차이에 의해 장치의 접합부에 열응력이 발생하여 왜곡을 발생시킨다. 온도 상승이 심한 경우에는 접합부의 납땜재가 용융된다. 왜곡이나 용융에 의해 클랙, 파단 등의 물리적 손상이 발생하면 디바이스의 성능이 변화한다. 따라서, 열피로의 영향은 중요하다. 이 때문에, 이러한 종류의 디바이스의 접합부에는 온도 변화를 수반하는 사용에 대한 내성을 갖는 고온 납땜재를 이용할 필요가 있다.
다양한 금속 재료에 대해 연구를 거듭한 결과, 본 발명자들은 Sn-Zn-Ag계 납땜재 및 Sn-(Ge 및/또는 Al)계 납땜재가 고온 납땜으로서 유용하다는 것을 발견하였다. 이하, 이들 납땜재에 대해 설명한다.
(1) Sn-Zn-Ag계 납땜재
주석-아연 공정 조성물은 융점이 주석 및 아연보다 상당히 낮고, 더구나 용융 상태에서의 표면 장력도 주석 및 아연보다 작다. 따라서, 납땜재로서 사용했을 때에 낮은 온도에서의 납땜재가 가능하며, 또한 누설성도 본질적으로는 높다. 아연을 함유하는 납땜재의 누설성의 저하는 산소의 존재에 의해 발생하는 것으로서, 산소가 없으면 극히 양호한 누설성을 갖는 납땜재이고, 접합 후의 강도도 뛰어나다. 또한, 종래의 납땜재인 주석-납 합금에 비해 주석-아연 합금은 도전성이 좋고 통전에 의한 발열이 적기 때문에, 도전 접합의 에너지 소비나 열대책의 점에서도 유리하다. 따라서, 이러한 이점을 살려서 주석-아연 합금을 납땜 온도가 대략 250 ~ 400℃의 고온 납땜에 적용하는 것은 대단히 바람직하다. 이것은 주석-아연 조성물에 은을 첨가하는 것에 의해 실현된다.
주석-아연 조성물에 은을 첨가하여 얻어지는 고온 납땜에 적합한 조성물에는 2개의 유형이 있다.
제1 유형은 주석-아연 공정 조성물 또는 공정 조성에 가까운 조성물에 소정량의 은을 첨가하는 것이다. 구체적으로는 주석과 아연과의 중량비가 97:3 ~ 79:21이고, 주석 및 아연의 합계와 은과의 중량비가 88:12 ~ 50:50이 되도록 배합된다. 이 주석-아연-은 납땜재는 용융시의 표면장력이 작고, 양호한 누설성을 나타내고, 은의 첨가에 의한 액상선(液相線) 온도의 상승에 의해 고온 납땜으로서의 사용에 적응한다. 결국, 주석-아연 납땜이 본래 갖는 누설성을 활용한 것이다. 더구나, 용융 아연의 표면 장력은 고온이 됨에 따라 용융 은보다 작아지고, 주석-아연-은계 조성은, 주석-은계 조성에 비해 고온에서의 누설성이 양호하다. 아연의 비율이 상기 범위 밖이면, 용융 납땜재의 표면 장력이 증가하고, 누설성이 저하한다. 따라서, 아연의 비율은, 공정 조성 부근 즉 주석과 아연의 비율이 중량비 97:3 ~ 79:21이고, 바람직하게는 93:7 ~ 87:13으로 한다. 또한, 주석 및 아연의 합계 중량과 은이 88:12보다 은의 비율이 적아지면, 고상선 온도가 저하하여 고온납땜으로서의 사용이 어려워지며, 50:50보다 은의 비율이 많아지면, 액상선 온도가 상승하여 납땜 온도로 충분히 용융하기 어렵게 된다.
제2 유형은 주석-아연 공정 조성보다 아연을 많이 함유하는 조성물에 소정량의 은을 첨가하는 것이다. 구체적으로는 은과 아연의 중량비가 70:30 ~ 5:95이고, 주석 및 아연의 합계와 은과의 중량비가 100:0 ~ 85:15가 되도록 배합된다. 이 주석-아연-은 납땜재는 은-아연 화합물에 의해 납땜재의 조직이 치밀화되고, 아연의 비율이 많은 것에 의한 고상선 온도의 상승에 의해 고온 납땜으로서의 사용에 적합하다. 주석과 아연의 비율이 70:30보다 아연이 적어지면, 고상선 온도가 저하하여 고온 납땜으로서의 사용이 어려워진다. 또한, 주석과 아연의 비율이 5:95보다 아연이 많아지면, 액상선 온도가 상승하여 납땜 온도로 충분히 용융하기 어려워진다. 이 주석-아연-은 납땜재에 있어서는 은의 첨가에 의해 은-아연 화합물이 생성되어 납땜의 조직이 치밀화되어 기계 강도가 향상되지만, 은의 비율이 증가함에 따라 고온 납땜의 납땜 온도 영역에 있어서의 누설성이 저하하며, 얻어지는 납땜 접합의 접합 강도가 낮아진다. 따라서, 주석 및 아연의 비율과 은과의 비율은 85:15보다 은이 많아지지 않도록, 바람직하게는 90:10보다 은이 많아지지 않도록 설정된다.
아연을 함유하는 납땜재가 산화하면, 용융 온도가 급격히 상승하여 누설성이나 강도 등도 극단적으로 저하하므로, 납땜재의 조제, 특히 용융·혼합 비율 공정은 얻어지는 납땜재의 함유 산소량이 100ppm(중량비) 이하가 되도록 질소나 아르곤 등의 비산화 분위기를 이용하여 산화를 방지하면서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 원료로서 이용하는 주석, 아연 또는 은에 함유되는 산소를 감소시키기 위해서는, 이들 용융 원료에 융점이 낮고 산소와 반응하기 쉬운 인이나 마그네슘 등을 탈산소제로서 첨가하는 방법이 있다. 이것에 의해, 탈산소제와 용융 원료 중의 산소가 화합하여 슬래그로서 용융 원료 표면에 부유하여 용이하게 제거할 수 있다. 탈산소제의 사용량은 원료의 0.01 ~ 0.1 중량% 정도가 바람직하다. 이러한 방법으로 탈산소한 원료를 이용하면, 함유 산소량이 30ppm 이하로 감소한 고형 납땜을 조제할 수 있다.
조제된 납땜제는 필요에 따라, 통상의 방법에 의해서 선납땜이나 납땜 분말로 가공하여 사용할 수 있다. 납땜 분말을 플럭스와 혼합함으로써 솔더 페이스트가 조제된다. 플럭스는 화학적 작용 및 물리적 작용을 효율좋게 발현시키기 위해서 필요에 따라서 다양한 물질을 배합하여 조제한다.
상술한 바와 같이 제조한 납땜재는 특히 제2 유형의 납땜재를 이용하면, 납땜할 부재를 플럭스를 사용하지 않고 양호하게 납땜할 수 있다. 이것은 특히 모재 표면의 산화막 형성 등에 의한 산소량이 적을 때에 특히 용이하며, 또한 은의 첨가량이 적은 제2 유형의 납땜재를 이용한 경우에 가장 유효하다. 그 이유는 납땜재 중의 아연이 납땜재의 용융시, 특히 고온에 있어서, 접합 계면에서 부재표면의 산소와 반응하여 부재 표면을 활성화하는 것에 의한 것으로 생각된다. 납땜 방법으로서는 예를 들면, 납땜재를 부재 표면상에서 가열 용융하는 방법이나, 딥방식에 의해 가열 용융된 납땜재에 의해 부재를 침지(浸漬)하는 방법 등을 이용할 수 있다. 모재 표면이 금과 같은 산화하기 어려운 재료인 경우에는, 그대로 주석-아연-은 납땜재를 납땜할 수 있고, 모재 표면이 동과 같은 산화막이 생기기 쉬운 재료인 경우에는 수소:메탄올 증기, 에탄올 증기, 프로패놀 증기 등의 알콜 증기, 황산, 아세트산 등의 산 증기, 암모니아나 수소 등의 환원성 가스 등을 이용한 환원 처리에 의해 부재 표면의 산소량을 저하시키면, 용이하게 납땜할 수 있다. 또한, 초음파 등의 진동 에너지를 이용하여 부재의 표면 상태를 개선해도 좋다. 납땜은 질소 가스, 아르곤 가스 등의 비산화 분위기 중 또는 산소 농도가 1000ppm 이하인 저산소 분위기 중에서 행한다.
상술한 납땜재를 이용하여 제조한 솔더 페이스트를 이용하여 납땜을 행할 경우는 통상적인 방법에 따라 납땜할 부재상에 스크린 인쇄 방식 등의 기술을 이용하여 도포한 후, 접합할 부분을 대향접촉시켜 리플로우를 행하면 된다. 리플로우는 대기 분위기 중에서 행하는 것도 가능하지만, 비산화성 분위기에서 행하는 것이 바람직하다.
솔더 페이스트를 제조하는 경우, 그 보존성을 향상시키기 위해, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 망간, 갈륨, 인듐, 타륨, 인, 안티몬, 비스마스, 황산, 세렌, 텔루루, 보로늄 등의 아연보다 증기압이 높은 고체성분을 납땜재에 소량 첨가해도 된다. 배합량은 납땜재 전량의 1 중량% 이하, 바람직하게는 0.5 중량% 이하로 하는 것이 좋다. 또한, 접합 후의 주석-아연-은 납땜의 경시 변화를 제어하기 위해, 스칸듐, 이토륨, 랜턴, 티탄, 지르코늄, 크롬, 철, 코발트, 니켈, 동, 은, 붕소, 알루미늄, 또는 규소를 납땜재 전체량의 1 중량% 이하, 바람직하게는 0.5 중량% 이하 첨가해도 좋다.
(2) Sn-(Ge 및/또는 Al)계 납땜재
이 납땜재는 게르마늄 및 알루미늄 중 적어도 1종을 주석과 배합한 주석 베이스 합금이며, 그 조성 비율은 중량 백분율로 (Ge, Al):Sn = X :(100-X)로 되고, X는 0.01 중량% 이상, 2 중량% 이하이다. 게르마늄 및/또는 알루미늄과 주석을 상기한 성분비로 비산화성 분위기 중에서 용해하여 혼합함으로써 납땜재가 얻어지고, 조제 원료에 수반하는 불가피한 불순물의 존재는 허용된다.
주석에 게르마늄 또는 알루미늄을 첨가하는 것에 의한 효과는 함유량이 게르마늄, 알루미늄 및 주석의 합계량의 약 0.01 중량% 이상에서 인식할 수 있고, 0.01 ~ 2 중량% 배합하면 고상선 온도가 230℃ 전후(게르마늄의 경우는 231℃, 알루미늄의 경우는 280℃)인 납땜재가 얻어진다. 게르마늄 및 알루미늄을 둘다 이용해도 좋고, 이 경우는 함유량의 합계가 0.01 ~ 2 중량%, 바람직하게는 0.05 ~ 2 중량%로 되도록 조정한다. 단, 고상선 온도가 필요 이상으로 낮아지는 것을 방지하기 위해서는 게르마늄 또는 알루미늄의 단독으로의 사용이 바람직하다. 게르마늄 및/또는 알루미늄의 함유량이 2 중량%를 넘으면, 고상선 온도가 225℃ 보다 낮아져 고온 납땜으로 사용할 수 없고, 또한 납땜재가 산화하기 쉬워진다. 알루미늄을 함유하는 주석 합금은, 알루미늄제의 부재에 대해 양호한 누설성을 나타내고, 강고한 접합을 형성한다.
Sn-(Ge 및/또는 Al)계 납땜재는 구성 금속 성분의 단미(單味) 금속을 가열하고 용융 혼합함으로써 조제할 수 있으며, 용융 방법은 특별히 한정되지 않지만, 분위기의 제어가 가능한 전기로나 아크 용융법 등을 이용하는 것이 바람직하다. 용융 금속의 산화를 방지하기 위해서, 비산화성 분위기, 예컨대, 질소, 아르곤 등의 불활성 가스 분위기를 이용하는 것이 바람직하고, 그 순도는 99.9% 이상이면 바람직하다. 분위기를 비산화성 분위기로 치환할 때에는, 미리, 5 ×10-8Pa 이하, 보다 바람직하게는 10 ×10-3Pa 이하의 진공도로 감압하여 대기를 제거하면 된다. 또한, 필요에 따라서, 전술한 Sn-Zn-Ag계 납땜재의 조제에서 진술한 탈산소제를 이용하여 원료 금속 또는 조제한 납땜재의 탈산소를 행하여도 된다.
조제한 납땜재는, 필요에 따라서, 통상의 처방에 의해서 선납땜이나 납땜 분말로 가공하여 사용할 수 있다. 납땜 분말을 플럭스와 혼합함으로써 솔더 페이스트가 조제된다. 플럭스는 화학적 작용 및 기계적 작용을 효율 좋게 발현시키기 위해서 필요에 따라서 다양한 물질을 배합하여 조제한다.
납땜 방법은, 예를 들면, 납땜재를 부재 표면상에서 가열 용융하는 방법이나 딥 방식 등을 이용할 수 있으며, 산화막이 생기기 쉬운 재료에 의한 모재의 경우는, 환원성 가스 등을 이용하여 부재 표면의 산소량을 저하시킨다. 초음파 등을 이용하여도 된다. 납땜을 행하는 분위기는 대기여도 좋지만, 질소 가스, 아르곤 가스 등의 비산화 분위기 속 또는 산소 농도가 1000ppm 이하의 저산소 분위기이면 더욱 바람직하다.
솔더 페이스트의 형태에서 납땜을 행할 경우는, 통상법에 따라서 스크린 인쇄 방식 등의 기술을 이용하여 페이스트를 도포한 후에 리플로어 등에 의해서 접합한다. 리플로어는 대기 분위기 속에서 행하는 것도 가능하지만, 비산화성 분위기에서 행하는 것이 바람직하다.
(3) 납땜재의 사용
본 발명의 납땜재는, 납을 함유하지 않은 범용성이 높은 재료이고, 현상의 제품의 조립 제조 공정에 있어서 이용되고 있는 고온 납땜용의 장치 및 설비를 이용하여 부품의 접합을 행할 수 있다. 따라서, 본 발명의 납땜재는, 종래의 고온 납땜의 대체물로서 사용할 수 있으며, 전력전자 디바이스에서의 접합 형성에 적합한 재료이다. 예를 들면, 전자관 및 그 외부 접속용 전극, 트랜지스터, 사이리스터, GTO, 정류기, 가변 콘덴서 등의 접합 형성에 이용할 수 있다. 동, 은, 금, 니켈, 알루미늄, SUS 스텐레스 강 등의 단일종의 금속제의 부재뿐만 아니라, 합금재 및 복합 금속재 등의 부재의 접합에 대해서도 적용가능하다. 또한, 미세한 납땜 접합에도 충분히 대응할 수 있으며, 좁은 간격을 갖는 세선상의 금속 부재의 납땜 접합에 대응할 수 있다. 접합할 부재의 재료에 따라서, 부재에 미리 금속 프리코트를 도금이나 압착법 등에 의해서 실시하여도 된다. 프리코트의 조성이나 프리코트 방법은 적당히 선택할 수 있다.
도 1a, 도 1b는, 본 발명에 관한 납땜재를 이용하여 리드 프레임에 접합되는 전자 부품의 접합의 일예를 도시한 단면도이다. 도면 중, 부호 1은 동제의 리드 프레임을 나타내고, 도 2는 그 평면도이다. 부호 2는 리드 프레임(1)의 접합부에 공급된 납땜재이고, 부호 3은 납땜재(2)의 누설성을 얻기 위해서, 집적 회로를 설치한 반도체 소자(4)의 이면에 설치된 도금층이다. 도금층(3)을 형성하는 도금의 종류, 도금 방법, 층의 두계는 필요에 따라서 일반적으로 이용되는 것에서 적당히 선택할 수 있으며, 도금의 종류로서는, 예를 들면, 금 도금, 은 도금 등을 들 수 있다. 리드 프레임(1)의 접합 부분에 미리 도금을 실시하여도 된다.
리드 프레임(1)과 반도체 소자(4)의 접합은, 예를 들면, 이하와 같은 조작에 의해서 행해진다. 이 예에서는, 납땜재(2)로서 13.6Ag-3Zn-Sn 납땜을 이용하고, 도금층(3)은 금을 이용하여 1㎛의 두께로 설치된다.
우선, 비산화성 분위기로서 질소 가스가 공급된 납땜 장치 중에, 리드 프레임(1)을 반송하여 350℃에 60초간 정도 가열하고, 리드 프레임(1)의 접합부(5)의 중앙 부분에 납땜재(2)를 수초간 접촉시킨다. 용융한 납땜재(2)가 리드 프레임(1)상에 실시되고, 납땜재(2)를 리드 프레임(1)으로부터 떼어내어 도 1a와 같은 상태가 되면 바로 도 1b와 같이 반도체 소자(4)의 접합 부분을 납땜재(2)와 접촉시켜서 리드 프레임(1)상에 반도체 소자(4)를 재치하고, 360℃로 가열한 후 냉각한다. 고화된 납땜재(2)에 의해 반도체 소자(4)는 리드 프레임(1)에 접합되고, 이 예에 있어서는, 도금층(3)의 금의 대부분이 납땜재(2) 속에 확산된다. 이 후, 저융점 납땜을 이용한 와이어 본딩이나 몰드 가공이 반도체 소자(4)에 대하여 행해진다.
상술한 바와 같은 반도체 소자 등의 제품의 접합·조립을 행한 장치·디바이스에서의 납땜의 신뢰성을 평가하는 방법 중 하나로, 서멀 사이클 시험(TCT)이라고 불리는 평가 방법이 있다. 이것은, 외부로부터의 기열·냉각에 의한 온도 상승·온도 하강을 일정 시간 반복하고, 전류, 전압 등의 특성치로 나타내는 소자 특성의 변화나, 열피로에 의해 발생되는 크랙 등의 기계적 변화가 납땜 접합에 발생되기 까지의 시간 등을 측정하는 것으로, 이와 같은 측정 결과에 기초하여 온도 변화를 수반하는 사용에 대한 장치의 내성을 평가할 수 있다. 따라서, 납땜재로 접합한 장치는, 상술한 바와 같은 TCT를 응용하여, 검출되는 특성의 변화에 의해 평가할 수 있다.
전자 기기의 고기능화에 따라서, 1개의 장치를 구성하는 전자 디바이스 등의 부품은 다수 또한 다종류가 되고, 다수의 납땜 접합이 형성된다. 그러나, 장치 구성이나 조립 작업상의 상태 등에 의해서는, 장치의 조립에 있어서의 납땜을 복수 단계로 나눠서 행하지 않으면 안될 경우가 발생한다. 이 경우, 조립중인 부품은, 납땜을 위한 가열에 반복하여 쬐인다. 따라서, 납땜의 전부를 단일의 납땜재를 이용하여 행하면, 한번 접합을 형성한 납땜이 다음의 납땜 공정에 있어서 다시 용융하여 접합의 변형이나 해리가 발생된다. 따라서, 이와 같은 조립을 행하기 위해서는, 납땜 공정수와 동일한 수만큼 용융 온도가 다른 납땜재가 필요해진다. 구체적으로는, 최초의 납땜 공정에 있어서 가장 용융 온도가 높은 납땜재를 이용하여 접합하고, 공정이 진행되면서 납땜 온도가 저하하도록 사용하는 납땜재를 바꿈으로서, 일단 접합한 부품의 탈리나 접합부의 변형은 방지된다. 즉, 고온 납땜은, 내열성을 요하는 장치의 접합 형성뿐만 아니라, 다단계의 접합 공정을 필요로 하는 장치의 조립·제조에 있어서도 유용하다.
이하, 실시예에 의해 본 발명을 상세히 설명한다.
(실시예1)
[시료의 조제]
산소 농도 100ppm 이하의 질소 분위기 속에서, 순도 99.98%의 주석, 순도 99.99%의 아연 및 순도 99.97%의 은을 하기 표의 배합 비율에 따라서 용융조에 투입하고, 가열 용융한 후 실온까지 냉각하여 시료 1∼13의 균일한 납땜재를 얻었다. 얻어진 납땜재의 액상선 온도를 시차 주차 열량계(DSC)를 이용하여 10℃/분의 승온 속도에 있어서 측정하고, 표 1에 도시한다. (온도의 측정치는 최대 ±20℃의 오차를 포함할 수 있다).
시료 주석(중량부) 아연(중량부) 은(중량부) 액상선 온도(℃)
1 97 3 13.6 262
2 97 3 100 467
3 79 21 13.6 440
4 79 21 100 452
5 91 9 42.9 383
6 70 30 0 328
7 70 30 11 456
8 70 30 12.75 464
9 5 95 0 400
10 5 95 11 480
11 5 95 12.75 506
12 40 60 0 370
13 40 60 11 473
[시료의 평가]
상기 시료 1∼13의 납땜재 각각을 질소 분위기 속의 용융조에 투입하여 520℃로 가열하여 용융하고, 5mm ×50mm의 동판(미리 표면을 산으로 세정한 것)을 용융 납땜에 침지하여 동판의 납땜을 행하였다. 동판의 표면이 납땜으로 스며드는지의 여부에 대하여 눈으로 봐서 판단함으로써 납땜재의 누설성을 확인하고, 침지한 동판 표면의 98% 이상이 누설된 것을 A, 95∼98%를 B, 95% 이하를 C로 하였다. 결과는 표 2와 같다.
시료 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
평가 A A A C B A A B A A B A A
질소 분위기가 공급된 납땜 장치 내에, 도 2에 도시한 바와 같은 리드 프레임(1)을 반송하여 350℃에 60초간 가열하고, 리드 프레임(1) 상의 반도체 장치를 탑재할 위치에 상기 시료 1∼13의 각각을 0.5mmφ의 선상으로 가공한 납땜재를 2초간 접촉시킨 후, 납땜재를 리드 프레임(1)으로부터 끌어 올리는 동시에, 리드 프레임(1) 상의 납땜재(2)에 반도체 소자(4)를 탑재하여, 360℃로 가열하였다. 이 후, 리드 프레임(1) 및 반도체 소자(4)를 실온까지 냉각함으로써, 리드 프레임(1)과 반도체 소자(4)는 접합하였다.
상기한 납땜 접합의 기능을 평가하기 위해서, 하기의 조건에서 가열 및 냉각을 반복하는 온도 사이클 시험을 행하였다. 또한, 처음에, 반도체 소자(4)에 일정 전압을 인가하여 흐르는 전류를 측정하였다.
온도 범위 : -65℃∼150℃
유지 시간 : -65℃ 및 150℃의 각각에서 30분
반복 사이클 : 500 사이클 및 1000 사이클
상기 온도 사이클 시험에 있어서 500 사이클 후 및 1000 사이클 후에 반도체 소자(4)에 흐르는 순방향 전류를 측정하고, 전류 초기치에 대한 전류 증가가 500 사이클 후에 있어서 5% 이내이고, 1000 사이클 후에 있어서 15% 이내인 경우를 A, 500 사이클 후에 있어서 5% 이내이고, 1000 사이클 후에 있어서 20% 이내인 경우를 B, 어느 것도 아닌 경우를 C로 하였다. 결과는 표 3과 같다.
시료 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
평가 A B A C B A A B A B B A A
(실시예2)
[시료의 조제]
중량 조성비가 Ge:Sn = 0.15:99.85가 되도록, 순도 99.99중량%의 주석 및 게르마늄의 쇼트재를 전자 천칭으로 측량하여, 고순도 알루미나(SSA-S)제 도가니에 투입하고, 전기로 내에 장진하였다. 전기로 내를 2 ×10-3Pa의 진공도까지 감압한 후, 순도 99.99%의 고순도 아르곤을 1L/분의 유량으로 공급하여 아르곤 분위기로 치환하였다. 전기로를 승온하여 도가니를 350℃에서 10분간 가열하여 내용물을 용해하고, 용해물을 실온까지 냉각하여 고화시키며, 시료 14의 납땜재로서 Ge-Sn 합금을 얻었다. 동일하게, 게르마늄, 주석, 알루미늄을 표 4에 도시한 배합 비율에 따라서 용융조에 투입하고, 가열 용융한 후 실온까지 냉각하여 시료 15∼19의 균일한 납땜재를 얻었다.
시료 14의 납땜재의 일부를 분쇄하여 X선 회절법으로 조사한 바, 주로 β-Sn 의 상이 관찰되었다. 또한, 합금의 단면 조직을 SEM에 의해서 조사한 바, 게르마늄이 많은 상이 미세한 침상으로 석출되어 있는 것이 확인되었다. 또한, 합금의 조성을 ICP 발광 분광법으로 분석하고, 배합시의 조성비와 일치하고 있는 것을 확인하였다.
[시료의 평가]
·고상선(固相線) 온도
시료 14의 Ge-Sn 합금 납땜재의 고상선 온도를 시차 주차 열량계(DSC)를 이용하여 10℃/분의 승온 속도에 있어서 측정한 바, 231℃였다. 동일하게 시료 15∼19의 납땜재에 대해서도 측정하였다. 결과를 표 4에 나타낸다.
·누설성
시료 14의 Ge-Sn 합금 납땜재를 대기속에서 250℃로 가열하여 용융하고, 용융 합금상에 JIS C0050 부속서 C규정의 플럭스(로딘 25%, 이소프로필 알콜 75%)를 공급하였다. 이 중에 세로 8mm ×가로 4mm ×폭 0.25mm의 동제 박판 시료편을 2mm/초의 속도로 5mm의 깊이까지 침지하여 3초간 유지한 후 끌어올려서, 시험편의 침지 표면층에 대한 합금으로 피복된 면적의 비율을 구함으로써 누설성의 평가를 행한 바, 비율은 80%였다. 동일하게, 시료 15∼19의 납땜재에 대해서도, 합금으로 피복된 면적의 비율을 구하였다. 결과를 표 4에 나타낸다.
·내열성
질소 분위기가 공급된 납땜 장치 내에, 도 2에 도시한 바와 같은 리드 프레임(1)을 반송하여 250℃로 60초간 가열하고, 리드 프레임(1) 상의 반도체 소자를 탑재할 위치에 상기 시료 14∼19의 각각을 0.5mmφ의 선상으로 가공한 납땜재를 2초간 접촉시킨 후, 납땜재를 리드 프레임(1)으로부터 끌어올리는 동시에, 리드 프레임(1) 상의 납땜재(2)에 반도체 소자(4)를 탑재하여 250℃로 60초간 가열하였다. 이 후, 리드 프레임(1) 및 반도체 소자(4)를 실온까지 냉각함으로써, 리드 프레임 (1)과 반도체 소자(4)를 접합하였다.
상기한 납땜 접합의 기능을 평가하기 위해서, 하기의 조건 및 온도 사이클 시험을 행하기 전후의 접합체 각각에 있어서의 납땜 접합의 강도를 측정하였다.
온도 범위 : -40℃∼150℃
유지 시간 : -40℃ 및 150℃의 각각에서 30분
반복 사이클 : 1000 사이클
상기 온도 사이클 시험 전후의 납땜 접합의 강도를 비교하여 강도 저하의 유무를 조사한 바, 강도의 저하는 인정되지 않았다. 동일하게, 시료 15∼19의 납땜재에 대해서도, 온도 사이클 시험 전후의 납땜 접합의 강도 저하의 유무를 조사하였다. 결과를 표 4에 나타낸다.
시료 배합Sn 비율Ge (중량%)AI 고상선 온도(℃) 누설성(%) 강도저하
14 99.85 0.15 - 231 80 무
15 99.9 0.1 - 231 95 무
16 99.4 - 0.6 228 93 무
17 99.0 0.5 0.5 225 94 무
18 97.0 - 3.0 228 60 유
19 96.0 2.0 2.0 320 63 유
(실시예3)
상기 실시예1, 2에서 조제한 시료 1∼19의 전기 저항률 〔μΩ·cm〕(20℃) 및 전기 저항률의 온도 계수(×103, 0∼100℃)를 측정한 결과, 전기 저항이 적은 접합 재료로 전기 접속을 형성한 경우, 디바이스의 작동 중에 접속상에서의 발열을 감소시킬 수 있으므로, 디바이스를 구성하는 것 외의 재료에 대해서도 내열성의 요구를 경감할 수 있다.
본 발명에 의하면, 범용성이 높은 원료를 이용하여 염가로 또한 용이하게 조제할 수 있으며, 고온 영역에서의 납땜에 사용가능한 무연 고온 납땜을 제공할 수 있다. 따라서, 납을 포함하지 않는 납땜의 실용화에 있어서 극히 유효하고, 납땜을 통해 조립·제조되는 디바이스 또는 장치의 폐기물에 포함되는 납의 문제를 해결할 수 있다. 따라서, 본 발명은 산업상 및 환경 대책상 극히 유용하다.

Claims (13)

  1. 주석, 아연 및 은을 함유하는 납땜재로서, 주석과 아연의 중량비가 97:3 ~ 79:21이고, 주석 및 아연의 합계와 은과의 중량비가 88:12 ~ 50:50인 것을 특징으로 하는 납땜재.
  2. 주석, 아연 및 은을 함유하는 납땜재로서, 주석과 아연의 중량비가 70:30 ~ 5:95이고, 은의 비율은 주석, 아연 및 은의 합계량의 15 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 납땜재.
  3. 게르마늄 및 알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 원소 0.01 ~ 2 중량%와 잔부 주석(단, 불가피한 양의 불순물을 함유할 수 있음)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 납땜재.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 전자부품과, 상기 전자부품에 접합되는 피접합부품과, 이들 부품을 접합하는 납땜재를 구비하는 디바이스에 있어서,
    상기 납땜재는,
    주석, 아연 및 은을 함유하는 납땜재로서, 주석과 아연의 중량비가 97:3 ~ 79:21이고, 주석 및 아연의 합계와 은의 중량비가 88:12 ~ 50:50인 납땜재로 한 것을 특징으로 하는 납땜재를 사용한 디바이스.
  8. 전자부품과, 상기 전자부품에 접합되는 피접합부품과, 이들 부품을 접합하는 납땜재를 구비하는 디바이스에 있어서,
    상기 납땜재는,
    주석, 아연 및 은을 함유하는 납땜재로서, 주석과 아연의 중량비가 70:30 ~ 5:95이고, 은의 비율은 주석, 아연 및 은의 합계량의 15 중량% 이하인 납땜재로 한 것을 특징으로 하는 납땜재를 사용한 디바이스.
  9. 전자부품과, 상기 전자부품에 접합되는 피접합부품과, 이들 부품을 접합하는 납땜재를 구비하는 디바이스에 있어서,
    상기 납땜재는,
    게르마늄 및 알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 원소 0.01 ~ 2 중량%와 잔부 주석(단, 불가피한 양의 불순물을 함유할 수 있음)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 납땜재를 사용한 디바이스.
  10. 제7항 내지 제9항에 있어서,
    상기 전자부품이 트랜지스터, 사이리스터, GTO 사이리스터, 다이오드 및 MOSFET으로 이루어진 군으로부터 선택되는 전력 반도체 소자인 것을 특징으로 하는 디바이스.
  11. 전자부품과, 상기 전자부품에 접합되는 피접합부품을 납땜재를 사용하여 접합하는 경우에, 복수의 납땜 접합 공정을 가지며, 적어도 제1 납땜 접합 공정과, 상기 제1 납땜 접합 공정보다 후에 행해지는 제2 납땜 접합 공정을 가지고 디바이스를 제조하는 납땜재를 사용한 디바이스의 제조방법에 있어서,
    상기 제1 납땜 접합 공정의 납땜 온도는 상기 제2 납땜 접합 공정의 납땜 온도보다 높고, 상기 제1 납땜 접합 공정을, 주석, 아연 및 은을 함유하는 납땜재로서, 주석과 아연의 중량비가 97:3 ~ 79:21이고, 주석 및 아연의 합계와 은의 중량비가 88:12 ~ 50:50인 납땜재를 사용하여 행하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조방법.
  12. 전자부품과, 상기 전자부품에 접합되는 피접합부품을 납땜재를 사용하여 접합하는 경우에, 복수의 납땜 접합 공정을 가지며, 적어도 제1 납땜 접합 공정과, 상기 제1 납땜 접합 공정보다 후에 행해지는 제2 납땜 접합 공정을 가지고 디바이스를 제조하는 납땜재를 사용한 디바이스의 제조방법에 있어서,
    상기 제1 납땜 접합 공정의 납땜 온도는 상기 제2 납땜 접합 공정의 납땜 온도보다 높고, 상기 제1 납땜 접합 공정을, 주석, 아연 및 은을 함유하는 납땜재로서, 주석과 아연의 중량비가 70:30 ~ 5:95이고, 은의 비율은 주석, 아연 및 은의 합계량의 15 중량% 이하인 납땜재를 사용하여 행하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조방법.
  13. 전자부품과, 상기 전자부품에 접합되는 피접합부품을 납땜재를 사용하여 접합하는 경우에, 복수의 납땜 접합 공정을 가지며, 적어도 제1 납땜 접합 공정과, 상기 제1 납땜 접합 공정보다 후에 행해지는 제2 납땜 접합 공정을 가지고 디바이스를 제조하는 납땜재를 사용한 디바이스의 제조방법에 있어서,
    상기 제1 납땜 접합 공정의 납땜 온도는 상기 제2 납땜 접합 공정의 납땜 온도보다 높고, 상기 제1 납땜 접합 공정을, 게르마늄 및 알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 원소 0.01 ~ 2 중량%와 잔부 주석(단, 불가피한 양의 불순물을 함유할 수 있음)으로 이루어지는 납땜재를 사용하여 행하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101132631B1 (ko) * 2009-10-27 2012-04-02 김문숙 악세서리 용 메탈 와이어 용접용 파우더 조성물

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003234433A (ja) * 2001-10-01 2003-08-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置、半導体装置の実装方法、ならびに実装体およびその製造方法
JP2003198116A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd はんだ付け方法および接合構造体
JP4136641B2 (ja) * 2002-02-28 2008-08-20 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の接続条件の算出方法
DE10221857A1 (de) * 2002-05-16 2003-11-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterchips in einem Kunststoffgehäusekörper, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3765778B2 (ja) * 2002-08-29 2006-04-12 ローム株式会社 ワイヤボンディング用キャピラリ及びこれを用いたワイヤボンディング方法
JP3878978B2 (ja) * 2002-10-24 2007-02-07 コーア株式会社 鉛非含有はんだ、および鉛非含有の継手
JP4112946B2 (ja) * 2002-10-31 2008-07-02 株式会社東芝 非鉛系接合材、ソルダーペースト及び接合方法
SE524422C2 (sv) * 2002-12-17 2004-08-10 Abb Ab Förfarande och utrustning för anslutning av tilledare till ett kondensatorelement
US20040129764A1 (en) * 2003-01-07 2004-07-08 Dong Chun Christine Reducing surface tension and oxidation potential of tin-based solders
JP2005026188A (ja) * 2003-07-03 2005-01-27 Koa Corp 電流ヒューズ及び電流ヒューズの製造方法
US7199437B2 (en) * 2004-01-20 2007-04-03 Harris Corporation Fabrication process for embedding optical band gap structures in a low temperature co-fired ceramic substrate
JP2005288458A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Toshiba Corp 接合体、半導体装置、接合方法、及び半導体装置の製造方法
JP4115979B2 (ja) * 2004-09-24 2008-07-09 株式会社東芝 非鉛系はんだ材
JP4812429B2 (ja) * 2005-01-31 2011-11-09 三洋電機株式会社 回路装置の製造方法
JP4817418B2 (ja) * 2005-01-31 2011-11-16 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 回路装置の製造方法
US20060211167A1 (en) * 2005-03-18 2006-09-21 International Business Machines Corporation Methods and systems for improving microelectronic i/o current capabilities
EP1749616A1 (de) * 2005-08-05 2007-02-07 Grillo-Werke AG Verfahren zum Lichtbogen- oder Strahllöten/-schweissen von Werkstücken gleicher oder verschiedener Metalle oder Metalllegierungen mit Zusatzwerkstoffen aus Sn-Basis-Legierungen; Draht bestehend aus einer Zinn-Basis-Legierung
EP1924394A2 (en) * 2005-08-24 2008-05-28 FRY'S METALS, INC. d/b/a ALPHA METALS, INC. Solder alloy
US20070075430A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Daewoong Suh Solder joint intermetallic compounds with improved ductility and toughness
CA2560030C (en) 2005-11-24 2013-11-12 Sulzer Metco Ag A thermal spraying material, a thermally sprayed coating, a thermal spraying method an also a thermally coated workpiece
US7768075B2 (en) 2006-04-06 2010-08-03 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor die packages using thin dies and metal substrates
US20080061408A1 (en) * 2006-09-08 2008-03-13 National Semiconductor Corporation Integrated circuit package
WO2009009877A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-22 Nichol Scott E Metal matrix composite solders
US20110091351A1 (en) * 2007-08-24 2011-04-21 Than Trong Long Bonding composition
US20090310318A1 (en) * 2008-06-16 2009-12-17 Cisco Technology, Inc. Attaching a lead-free component to a printed circuit board under lead-based assembly conditions
DE102008054415A1 (de) * 2008-12-09 2010-06-10 Robert Bosch Gmbh Anordnung zweier Substrate mit einer SLID-Bondverbindung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung
US9217192B2 (en) * 2010-03-01 2015-12-22 Osaka University Semiconductor device and bonding material for semiconductor device
CN102000893B (zh) * 2010-10-25 2013-02-13 惠州志能达光电科技有限公司 一种led晶体微焊共晶方法
US9735126B2 (en) 2011-06-07 2017-08-15 Infineon Technologies Ag Solder alloys and arrangements
CN105189003A (zh) * 2013-03-13 2015-12-23 日本斯倍利亚社股份有限公司 焊剂接合物及焊剂接合方法
KR20160003078A (ko) 2013-05-03 2016-01-08 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드 무연 솔더 접속을 위한 리드 프레임 구조체
KR20160121562A (ko) 2014-02-20 2016-10-19 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드 무연 솔더 조성물
TWI561639B (en) * 2014-04-17 2016-12-11 Heraeus Materials Singapore Pte Ltd Lead-free eutectic solder alloy comprising zinc as the main component and aluminum as an alloying metal
JP6788337B2 (ja) * 2015-10-16 2020-11-25 Ａｇｃ株式会社 接合用組成物
CN109414777B (zh) * 2016-07-08 2022-04-01 Abb瑞士股份有限公司 合金作为硬焊合金的用途、电开关硬焊接头、电开关和制造电开关硬焊接头的方法
DE102017213170A1 (de) * 2017-07-31 2019-01-31 Infineon Technologies Ag Löten eines leiters an eine aluminiummetallisierung
JP6918244B2 (ja) * 2018-08-03 2021-08-11 三菱電機株式会社 整流装置及びそれを備えた車両用交流発電装置
CN112296550B (zh) * 2020-10-13 2022-07-26 好利来（厦门）电路保护科技有限公司 一种锌系高温无铅焊锡及其生产方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4112868A (en) * 1976-05-24 1978-09-12 Asahi Glass Company, Ltd. Soldering apparatus
JPS5565341A (en) * 1978-11-06 1980-05-16 Senjiyu Kinzoku Kogyo Kk High temperature solder
US5390080A (en) * 1993-05-03 1995-02-14 Motorola Tin-zinc solder connection to a printed circuit board of the like
EP0704272B1 (en) * 1994-09-30 2002-01-09 AT&T Corp. Lead-free alloys for use in solder bonding
JP3226213B2 (ja) * 1996-10-17 2001-11-05 松下電器産業株式会社 半田材料及びそれを用いた電子部品
US5835350A (en) * 1996-12-23 1998-11-10 Lucent Technologies Inc. Encapsulated, board-mountable power supply and method of manufacture therefor
JP3688429B2 (ja) * 1997-04-25 2005-08-31 株式会社東芝 電子部品実装用基板および電子部品実装基板
JP3760586B2 (ja) * 1997-09-05 2006-03-29 株式会社村田製作所 半田組成物
CA2370770A1 (en) * 1999-04-16 2000-10-26 Edison Welding Institute Soldering alloy

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101132631B1 (ko) * 2009-10-27 2012-04-02 김문숙 악세서리 용 메탈 와이어 용접용 파우더 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
DE60034418T2 (de) 2008-01-03
TW516984B (en) 2003-01-11
US20010029095A1 (en) 2001-10-11
EP1112803A1 (en) 2001-07-04
KR20010062748A (ko) 2001-07-07
DE60034418D1 (de) 2007-05-31
EP1112803B1 (en) 2007-04-18
US6673310B2 (en) 2004-01-06

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