JP2003332731A - Pbフリー半田付け物品 - Google Patents

Pbフリー半田付け物品

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 CuまたはCuを主成分とする金属からなる
金属導体を有する被接合体をPbフリー半田によって接
合するにあたって、良好な半田付け性が得られるように
する。 【解決手段】 たとえば、基板3上にCuまたはCuを
主成分とする金属からなる導電層2が形成されたプリン
ト配線基板に、CuまたはCuを主成分とする金属から
なるリード線端子6を備えるリード付き電子部品5をP
bフリー半田7によって接合するとき、Pbフリー半田
7として、Niを0.01〜0.5重量%含み、かつ残
部をSnとする組成を有するものを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、CuまたはCu
を主成分とする金属からなる金属導体を有する被接合体
をPbフリー半田によって接合した、Pbフリー半田付
け物品に関するもので、特に、Pbフリー半田の組成に
ついての改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子機器や電子部品の分野において、電
気的接続および機械的固定を得るための導電性接合材と
して、半田が広く用いられている。他方、電子機器や電
子部品における半田付けされるべき金属導体の部分、た
とえば、プリント配線基板にあっては導電層の部分、あ
るいは電子部品にあってはリード線端子や端子電極のよ
うな外部端子の部分を構成する材料としては、耐食性、
コストなどの面から、Cuが広く用いられている。そし
て、このCuまたはCuを主成分とする金属からなる金
属導体を有するプリント配線基板や電子部品のような被
接合体を半田によって接合した、半田付け物品が種々の
分野において広く用いられている。
【0003】ところで、上述の半田としては、従来、S
nとPbとを主成分とするもの(以下、「Sn−Pb半
田」と言う。)が一般的に用いられてきたが、環境保護
の見地から、有害であるとされているPbを含まないS
nを主成分とする半田、すなわちPbフリー半田が用い
られるようになってきている。Pbフリー半田として
は、たとえば、96.5Sn−3Ag−0.5Cu合金
(単位:重量%)、96.5Sn−3.5Ag合金(単
位:重量%)、99.3Sn−0.7Cu合金(単位:
重量%)等からなるものが有力視されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなPbフリー半田を用いて、CuまたはCuを主成
分とする金属からなる金属導体を有する被接合体を半田
付けした場合、従来のSn−Pb半田を用いた場合と比
較して、一般的に、半田付け性に劣るという問題があっ
た。
【0005】本件発明者は、Pbフリー半田中にNiを
添加することが、上述の問題の解決に有効であることを
見出した。すなわち、Niを含まないPbフリー半田を
用いて、CuまたはCuを主成分とする金属からなる金
属導体を有する被接合体を半田付けした場合、半田と被
接合体にある金属導体との界面には、Cu6 Sn5 で表
される金属間化合物が形成され、これが半田付け性を低
下させていると考えられる。これに対して、Niを含む
Pbフリー半田を用いると、半田と被接合体にある金属
導体との界面にはNi−Cu−Niの反応層が形成さ
れ、この反応層の形成によって、接合界面が改質され、
それによって半田付け性が向上すると考えられる。
【0006】なお、特開2000−197988号公報
には、Sn−Cu合金からなる半田中において、Cu6
Sn5 等の金属間化合物が生じることを抑制し、それに
よって特性改善を図るため、Sn−Cu合金にNiを添
加することが記載されている。このようなNiが添加さ
れたSn−Cu合金からなる半田は、CuまたはCuを
主成分とする金属からなる金属導体を有する被接合体の
接合において、これを用いたとき、半田付け性の改善の
効果をある程度期待することができる。
【0007】しかしながら、上述の公報に記載された半
田は、そこにCuを含むため、有効元素であるNiが半
田中のCuとの反応に消費され、接合界面に対するNi
の作用が減少してしまうという問題がある。
【0008】そこで、この発明の目的は、上述のような
問題を解決し得るPbフリー半田を用いて、Cuまたは
Cuを主成分とする金属からなる金属導体を有する被接
合体を接合した、Pbフリー半田付け物品を提供しよう
とすることである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明は、Cuまたは
Cuを主成分とする金属からなる金属導体を有する被接
合体をPbフリー半田によって接合した、Pbフリー半
田付け物品に向けられるものであって、上述した技術的
課題を解決するため、ここで用いられるPbフリー半田
が、Niを0.01〜0.5重量%含み、かつ残部をS
nとする組成を有することを特徴としている。
【0010】この発明に係るPbフリー半田付け物品に
おいて、被接合体は、たとえば、金属導体としての導電
層を電気絶縁性の基板上に形成したプリント配線基板で
あったり、あるいは、金属導体としての外部端子を備え
る電子部品であったりする。
【0011】また、被接合体に備える金属導体を構成す
るCuを主成分とする金属としては、たとえば、Cu−
Zn合金、Cu−Sn合金、Cu−Al合金、Cu−M
n合金、Cu−Ni合金またはCu−Be合金等があ
る。
【0012】また、この発明において用いられるPbフ
リー半田は、上述したSnおよびNiのほか、微量の不
可避不純物として、Pb、NaおよびZnのうちの少な
くとも1種を含んでいてもよい。
【0013】
【発明の実施の形態】図1には、この発明の一実施形態
によるPbフリー半田付け物品1の正面図が一部断面で
示されている。
【0014】この半田付け物品1は、被接合体としての
プリント配線基板を与えるもので、導電層2を形成した
電気絶縁性の基板3を備えている。
【0015】基板3は、たとえば、ガラスエポキシ基
板、紙フェノール基板またはセラミック基板によって構
成される。
【0016】導電層2は、たとえばエッチングによって
与えられた所望のパターンを有していて、たとえばCu
箔またはCuを主成分とする金属からなる金属箔から構
成される。ここで、Cuを主成分とする金属としては、
たとえば、Cu−Zn合金、Cu−Sn合金、Cu−A
l合金、Cu−Mn合金、Cu−Ni合金またはCu−
Be合金等が用いられる。
【0017】基板3における導電層2が形成された部分
には、貫通孔4が設けられている。この貫通孔4に、他
方の被接合体としてのリード付き電子部品5のリード線
端子6が挿入され、半田7によって、リード線端子6と
導電層2とが接合される。
【0018】リード付き電子部品5は、たとえば、抵抗
素子、コンデンサ素子、コイル素子等を構成するもので
ある。また、リード線端子6は、前述した導電層2と同
様、CuまたはCuを主成分とする金属から構成され
る。
【0019】半田7は、この発明において特徴となるP
bフリー半田であり、Niを0.01〜0.5重量%含
み、かつ残部をSnとする組成を有している。ここで、
Niの添加量は0.01重量%未満であると、Cuまた
はCuを主成分とする金属からなる金属導体、すなわ
ち、導電層2およびリード線端子6に対する半田付け性
の改善効果が小さい。他方、Niの添加量が0.5重量
%を超えると、液相線温度が300℃以上となり、作業
性を考慮した高い温度で半田付けを実施すると、リード
付き電子部品5において、高温による特性不良が生じる
ことがある。
【0020】なお、半田7の組成中に、上述のSnおよ
びNiのほか、微量の不可避不純物が含まれていてもよ
い。不可避不純物としては、たとえば、Pb、Naおよ
びZn等が挙げられる。
【0021】このような半田付け物品1を得るための半
田7による導体層2とリード線端子6との接合にあたっ
ては、種々の方法を適用することができる。
【0022】たとえば、半田槽中において、半田7を液
相線温度より高い温度で溶融させ、他方、導電層2とリ
ード線端子6との接合されるべき部分にフラックスを塗
布し、このフラックスが塗布された接合されるべき部分
を静止溶融半田中に浸漬する、浸漬半田付け法を適用す
ることができる。また、噴流半田槽において、半田7を
液相線温度より高い温度で溶融させ、フラックスが塗布
された導電層2とリード線端子6との接合されるべき部
分を溶融半田に接触させる、フロー半田付け法を適用す
ることもできる。また、半田7を溶融させ、ボール状に
加工して得られた半田ボールあるいは半田を含むクリー
ム半田を、導電層2とリード線端子6との接合されるべ
き部分上に載せて、フラックスを塗布した後、大気中で
所定の温度にまでに加熱する、リフロー半田付け法を適
用することもできる。
【0023】なお、図1に示した半田付け物品1では、
導電層2およびリード線端子6の双方が、CuまたはC
uを主成分とする金属からなるものであったが、導電層
2およびリード線端子6のいずれか一方のみがCuまた
はCuを主成分とする金属からなる場合であっても、こ
の発明を有利に適用することができる。
【0024】また、図1に示した実施形態では、一方の
被接合体として、リード付き電子部品5が例示された
が、リード線端子を持たない、たとえば表面実装部品の
ような電子部品であって、この電子部品の外部端子とし
ての端子電極がCuまたはCuを主成分とする金属から
なる場合にも、この発明を有利に適用することができ
る。
【0025】次に、この発明による効果を確認するため
に実施した実験例について説明する。
【0026】
【実験例】表1には、この実験例において用意された実
施例1〜3および比較例1〜6の各々に係る半田の合金
組成が示されている。
【0027】
【表1】
【0028】表1に示した各試料に係る半田について、
半田付け性を評価するため、Cu板への半田広がり率を
評価するとともに、Cu板を溶融半田中に浸漬したとき
の半田濡れ上がり高さを評価した。ここで、半田広がり
率は、リフロー半田付け法における半田付け性を評価し
得るもので、他方、半田濡れ上がり高さは、フロー半田
付け法における半田付け性を評価し得るものである。
【0029】半田広がり率は、JIS規格「Z 319
7」に準じた方法によって測定した。
【0030】すなわち、P脱酸Cu板(30mm×30
mm×0.3mm)を用意し、他方、表1に示した各試
料に係る半田を、250±25mm3 秤量し、400℃
のグリセリン中で球状成形したものを用意した。ここ
で、球状成形された半田の重量を測定した。
【0031】次に、上述のP脱酸Cu板上に、フラック
ス(ロジン25%IPA溶液)を滴下した後、球状成形
された各試料に係る半田を載せ、300℃の温度で30
秒間溶融させ、それによって、半田をCu板上で広がら
せ、次いで、冷却した後、Cu板と半田との合計厚みを
測定した。そして、この合計厚みからCu板の厚み
(0.3mm)を差し引くことによって、広がった半田
の高さを求めた。
【0032】次に、半田広がり率[%]を、次の式に基
づいて求めた。
【0033】 半田広がり率={(D−H)/D}×100 ここで、Hは、上述のようにして求められた、広がった
半田の高さである。Dは、球状成形された半田を球とみ
なした場合の直径であり、前述のように測定した半田の
重量と半田の比重から球状成形された半田の体積を求
め、この体積から算出したものである。
【0034】他方、半田濡れ上がり高さは、各試料に係
る半田を300℃の温度で溶融させ、ここに、P脱酸C
u板(30mm×10mm×0.3mm)を9.8mm
の深さに浸漬したとき、Cu板の半田濡れ高さ(浸漬深
さ9.8mm+浸漬深さを超えて濡れ上がった高さ)を
測定したものである。ここで、フラックスには、ロジン
25%IPA溶液を用い、浸漬速度は15mm/分と
し、浸漬時間は10秒間とした。
【0035】以上の評価結果が表2に示されている。
【0036】
【表2】
【0037】表2を参照して、半田広がり率について
は、実施例1〜3によれば、74〜80%であり、良好
な半田付け性を示していることがわかる。
【0038】これらに対して、半田にNiを添加しなか
った比較例1では、広がり率が70%であり、実施例1
〜3より劣っている。このことから、Niが半田付け性
の改善に効果があることがわかる。
【0039】次に、半田におけるNiの添加量が実施例
1〜3より少ない比較例4では、半田広がり率は71%
であり、実施例1〜3より劣っている。これは、Niの
添加量が不足しているためである。他方、半田における
Niの添加量が実施例1〜3より多い比較例5では、半
田広がり率が54%であり、これも実施例1〜3より劣
っている。これは、液相線温度が上昇し、流動性が低下
したためであると考えられる。
【0040】次に、NiとCuとの双方を半田に添加し
た比較例2では、半田広がり率は75%であり、良好な
半田付け性を示している。しかしながら、Niの添加量
に関して同等である実施例2との比較によれば、比較例
2は実施例2より劣っている。このことから、Cuを添
加することにより何らかの弊害がもたらされていること
がわかる。
【0041】次に、従来のPbフリー半田の代表組成で
ある比較例3では、半田広がり率は71%であり、実施
例1〜3より劣っている。
【0042】次に、Sn−Pb合金を用いた比較例6で
は、半田広がり率は90%であり、良好な半田付け性を
示していることが確認できる。
【0043】他方、半田濡れ上がり高さについては、実
施例1〜3によれば、10.8〜13.5mmであり、
良好な半田付け性を示していることがわかる。
【0044】これらに対して、半田にNiを添加しなか
った比較例1では、半田濡れ上がり高さは10.0mm
であり、実施例1〜3より劣っている。このことから、
Niが半田付け性に対して効果があることがわかる。
【0045】次に、半田におけるNiの添加量が実施例
1〜3より少ない比較例4では、半田濡れ上がり高さは
10.0mmであり、実施例1〜3より劣っている。こ
れは、有効元素であるNiの添加量が不足しているから
である。他方、Niの添加量が実施例1〜3より多い比
較例5では、半田がいも状にCu板上に付着し、半田濡
れ上がり高さを測定することができなかった。これは、
液相線温度が上昇し、流動性が低下したためであると考
えられる。
【0046】次に、NiとCuとの双方を半田に添加し
た比較例2では、半田濡れ上がり高さは10.8mmで
あり、良好な半田付け性を示している。しかしながら、
Niの添加量が同等の実施例2と比較すると、比較例2
の方が劣っている。このことから、Cuを添加すること
によって何らかの弊害がもたらされていることがわか
る。
【0047】次に、従来のPbフリー半田の代表組成で
ある比較例3では、半田濡れ上がり高さは10.0mm
であり、実施例1〜3より劣っている。
【0048】次に、Sn−Pb合金である比較例6で
は、半田濡れ上がり高さは11.2mmであり、良好な
半田付け性を示すことが確認できる。しかし、Niの添
加量の比較的多い実施例2または3と比較すると、比較
例6の方が劣っている。このことから、Niの添加量を
調整することによって、Sn−Pb合金以上の半田付け
性が得られる可能性があることがわかる。
【0049】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、Cu
またはCuを主成分とする金属からなる金属導体を有す
る被接合体をPbフリー半田によって接合した、Pbフ
リー半田付け物品において、Pbフリー半田として、N
iを0.01〜0.5重量%含み、かつ残部をSnとす
る組成を有するものを用いるので、優れた半田付け性を
得ることができる。
【0050】また、この発明において特徴となるPbフ
リー半田は、実質的にSnとNiとの2種類の金属元素
のみから構成されるので、材料コストが安価でかつ合金
の作製が容易であり、また、たとえばフロー半田付け法
を実施する場合における半田の組成管理も容易である。
【0051】また、この発明において用いられる半田
は、Pbを含まないため、環境問題を引き起こすことが
ない。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態によるPbフリー半田付
け物品1を一部断面で示す正面図である。
【符号の説明】
1 Pbフリー半田付け物品 2 導電層 3 基板 5 リード付き電子部品 6 リード線端子 7 半田

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 CuまたはCuを主成分とする金属から
    なる金属導体を有する被接合体をPbフリー半田によっ
    て接合した、Pbフリー半田付け物品であって、 前記Pbフリー半田は、Niを0.01〜0.5重量%
    含み、かつ残部をSnとする組成を有することを特徴と
    する、Pbフリー半田付け物品。
  2. 【請求項2】 前記被接合体は、前記金属導体としての
    導電層を電気絶縁性の基板上に形成したプリント配線基
    板、または前記金属導体としての外部端子を備える電子
    部品である、請求項1に記載のPbフリー半田付け物
    品。
  3. 【請求項3】 前記Cuを主成分とする金属は、Cu−
    Zn合金、Cu−Sn合金、Cu−Al合金、Cu−M
    n合金、Cu−Ni合金またはCu−Be合金である、
    請求項1または2に記載のPbフリー半田付け物品。
  4. 【請求項4】 前記Pbフリー半田は、Pb、Naおよ
    びZnのうちの少なくとも1種からなる微量の不可避不
    純物を含む、請求項1ないし3のいずれかに記載のPb
    フリー半田付け物品。
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