KR100366927B1 - 3단자형 가변 인덕턴스 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 프린트 기판 상에서의 점유 면적이 억제되고, 또한 인덕턴스 값을 밸런스 좋게 안정되게 조정하는 것이 용이하며, 특성이 우수한 3단자형 가변 인덕턴스 소자를 제공한다.
절연성 기판(1) 상에 트리밍 전극(4a∼4f)을 사이에 두고 2개의 나선형상 코일 전극(2,3)이 형성된다. 트리밍 전극(4a∼4f)은 나선형상 코일 전극(2,3)과 교차하지 않고, 나선형상 코일 전극(2,3)의 단부(2b,3b)와 이어져 나선형상 코일 전극(2,3)을 전기적으로 접속한다. 이 트리밍 전극(4a∼4f)에 레이저 빔을 조사하여 가변 인덕턴스 소자(20)에 홈(21)을 형성함과 아울러, 트리밍 전극(4a∼4f)을 순서대로 하나씩 절단하여 인덕턴스를 변화시킨다.
Description
본 발명은 3단자형 가변 인덕턴스 소자, 특히 이동 통신 기기 등에 사용되는 3단자형 가변 인덕턴스 소자에 관한 것이다.
소형화가 요구되는 전자 기기, 특히 휴대 전화나 자동차 전화 등의 이동 통신 기기에 있어서는, 그 내부에 사용되는 부품에서도 소형화가 요구되고 있다. 또한, 사용 주파수가 높아짐에 따라서 회로는 복잡해지므로, 사용 부품은 편차가 적은 것이 요구된다. 종래에는, 코일의 전기적 중앙점에 접속된 중간 탭을 갖는 회로를 제조하는 경우에는, 도 9에 나타낸 바와 같이, 2개의 코일 부품(101, 102)을 프린트 기판(106)에 실장하고, 프린트 기판(106)상에 형성된 회로 패턴(103, 104) 및 중간 탭 패턴(105)에 의하여 2개의 코일 부품(101, 102)을 전기적으로 접속하고 있다. 그리고, 2개의 코일 부품(101, 102)의 인덕턴스 값을 변화시키는 방법으로써는, 이들 2개의 코일 부품(101, 102)을 떼내어, 다른 인덕턴스 값을 가짐과 아울러 미리 밸런스시킨 다른 2개의 코일 부품으로 교환하는 방법이나, 코일 부품(101, 102)에 가변 코일을 사용하여 양자의 인덕턴스 값을 밸런스시키면서 변화시키는 방법 등이 제안되어 있다.
그러나, 이들 방법은 2개의 코일 부품(101, 102)의 인덕턴스 값의 편차나 실장시의 변위에 의하여, 2개의 코일 부품(101, 102)의 인덕턴스 값의 밸런스가 나쁘고, 중간 탭 패턴(105)이 코일 부품(101, 102)에 의하여 구성된 코일의 전기적 중앙점으로부터 변위된 곳에 접속되는 경우가 있었다. 게다가, 2개의 코일 부품(101, 102)을 프린트 기판(106)상에 형성한 중간 탭 패턴(105)에 의하여 전기적으로 접속하기 때문에, 프린트 기판(106)상의 점유 면적도 커진다는 문제점이 있었다.
또한, 2개의 코일 부품(101, 102)을 다른 2개의 코일 부품으로 교환하여 인덕턴스 값을 변화시키는 방법은 코일 부품(101, 102)의 제거 작업이 번잡하여 자동화에 대응하는 것이 곤란하였다. 게다가, 코일 부품(101, 102)에 가변 코일을 사용하여 양자의 인덕턴스 값을 밸런스시키면서 변화시키는 방법은 코일 부품(101, 102)의 밸런스를 취하면서, 인덕턴스 값을 조정하는 작업이 번잡하여 자동화에 대응하는 것이 곤란하였다.
따라서, 이들 문제점을 해결하기 위하여, 도 10에 나타낸 3단자형 가변 인덕턴스 소자(110)가 제안되어 있다. 이 가변 인덕턴스 소자(110)는 절연성 기판(111)의 상면에 형성된 동일 치수의 나선형상 코일 전극(112, 113)이 절연 보호막(115)에 형성한 개구부를 통하여 트리밍 전극(116a∼116d)에 전기적으로 접속되어 있다. 트리밍 전극(116a∼116d)는 중간 탭 전극(117)에 접속되며, 공통 단자 전극(122)에 전기적으로 접속되어 있다. 한편, 코일 전극(112, 113)의 한 단부는 각각 단자 전극(120, 121)에 전기적으로 접속되어 있다.
그리고, 이 가변 인턱턴스 소자(110)의 인덕턴스 값을 변화시키는 경우에는, 레이저 빔을 가변 인덕턴스 소자(110)의 상면측에서 조사하여, 트리밍 전극(116a∼116d)을 순서대로 1개씩 절단한다. 이에 따라서, 단자 전극(120) - 공통 단자 전극(122)간의 인덕턴스 값과, 단자 전극(112) - 공통 단자 전극(122)간의 인덕턴스 값을 밸런스시키면서 단계적으로 변화시킬 수 있다.
그런데, 이 가변 인덕턴스 소자(110)는 트리밍 전극(116a∼116d)의 일부가 2개의 코일 전극(112, 113)에 오버랩되어 배치되어 있으므로, 트리밍 전극(116a∼116d)과 코일 전극(112, 113) 사이에 발생하는 부유 용량이 크다. 따라서, 인덕턴스 소자(110)는 자기 공진 주파수가 낮고, 고주파역에서의 주파수 특성이 나쁘다는 문제점이 있었다. 게다가, 트리밍 전극(116a∼116d)이 코일 전극(112, 113)에 의하여 각각 발생한 자계를 차단하게 되기 때문에, 인덕턴스 소자(110)의 Q특성이 나쁘다는 문제점도 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 프린트 기판상에서의 점유 면적이 억제되며, 또한 인덕턴스 값을 밸런스 좋게 안정되게 조정하는 것이 용이하며, 특성이 우수한 3단자형 가변 인덕턴스 소자를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명에 따른 3단자형 가변 인덕턴스 소자의 하나의 실시형태를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1에 이어지는 제조공정을 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 2에 이어지는 제조공정을 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 3단자형 가변 인덕턴스 소자의 외관사시도이다.
도 5는 도 4에 도시한 3단자형 가변 인덕턴스 소자의 인덕턴스 조정방법을 설명하기 위한 사시도이다.
도 6은 도 4에 도시한 3단자형 가변 인덕턴스 소자의 인덕턴스 - 주파수 특성을 나타내는 그래프이다.
도 7은 도 4에 도시한 3단자형 가변 인덕턴스 소자의 Q특성을 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명에 따른 가변 인덕턴스 소자의 다른 실시형태를 나타내는 사시도이다.
도 9는 종래의 실시형태를 나타내는 사시도이다.
도 10은 종래의 다른 실시형태를 나타내는 사시도이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단할 설명>
1 절연성 기판
2,3 나선형상 코일 전극
2a,3a,2b,3b 단부
4a∼4f 트리밍 전극
10,11 단자 전극
12 공통 단자 전극
20,40 3단자형 가변 인덕턴스 소자
41 중간 탭 전극
이상의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 3단자형 가변 인덕턴스 소자는,
(a)제 1 단자 전극, 제 2 단자 전극 및 제 3 단자 전극;
(b)상기 제 1 단자 전극과 상기 제 3 단자 전극 사이에 전기적으로 접속되며, 제 1 단자 전극측 단부가 내측에 위치하며 또한 제 3 단자 전극측 단부가 외측에 위치해 있는 제 1 나선형상 코일 전극;
(c)상기 제 2 단자 전극과 상기 제 3 단자 전극 사이에 전기적으로 접속되며, 제 2 단자 전극측 단부가 내측에 위치하며 또한 제 3 단자 전극측 단부가 외측에 위치해 있는 제 2 나선형상 코일 전극; 및
(d)상기 제 1 나선형상 코일 전극 및 제 2 나선형상 코일 전극과 교차하지 않고, 상기 제 1 나선형상 코일 전극의 제 3 단자 전극측 단부와 상기 제 2 나선형상 코일 전극의 제 3 단자 전극측 단부가 근접배치된 사이에 형성되며, 상기 제 1 나선형상 코일 전극과 상기 제 2 나선형상 코일 전극을 전기적으로 접속한 트리밍 전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 각각의 상기 전극은 칩 부품의 절연성 기판의 표면, 또는 회로 패턴이 형성되어 있는 회로 기판의 표면 등에 형성되어 있다.
이상의 구성에 의하여, 트리밍 전극을 트리밍(절단)하면, 제 1 단자 전극 - 제 3 단자 전극간의 인덕턴스 값과 제 2 단자 전극 - 제 3 단자 전극간의 인덕턴스 값의 밸런스를 깨뜨리지 않고, 제 1 단자 전극 - 제 2 단자 전극간의 인덕턴스값이 변화된다.
게다가, 본 발명에 따른 3단자형 가변 인덕턴스 소자는 트리밍 전극을 복수개 가짐과 아울러, 제 3 단자 전극에 전기적으로 접속된 중간 탭 전극을, 제 1 나선형상 코일 전극의 제 3 단자 전극측 단부와 제 2 나선형상 코일 전극의 제 3 단자 전극측 단부가 근접배치된 사이에 형성되며, 복수의 트리밍 전극을 중간 탭 전극에 전기적으로 접속한 것을 특징으로 한다.
이상의 구성에 의하여, 트리밍 전극을 트리밍하면, 제 1 단자 전극 - 제 3 단자 전극간의 인덕턴스 값과 제 2 단자 전극 - 제 3 단자 전극간의 인덕턴스 값의 밸런스를 깨뜨리지 않고, 제 1 단자 전극 - 제 2 단자 전극간의 인덕턴스값, 제 1 단자 전극 - 제 3 단자 전극간의 인덕턴스 값 및 제 2 단자 전극 - 제 3 단자 전극간의 인덕턴스 값을 변화시킬 수 있다.
이하에, 본 발명에 따른 3단자형 가변 인덕턴스 소자의 실시형태에 대하여, 그 제조방법과 함께 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 절연성 기판(1)의 상면을 평평한 면이 되도록 연마한 후, 후막인쇄법 또는 스퍼터링, 증착 등의 박막형성법에 의해 코일 전극(2,3) 및 트리밍 전극(4a∼4f)을 절연성 기판(1)의 상면에 형성한다. 후막인쇄법은 예를 들어, 소망의 패턴 형상을 갖는 개구부를 포함하는 스크린판을 절연성 기판(1)의 상면에 피복한 후, 도전성 페이스트를 스크린판의 위에서부터 도포하고, 스크린판의 개구부에서 노출된 절연성 기판(1)의 상면에 비교적 막이 두꺼운 소망의 패턴 형상인 도전체(본 실시형태의 경우, 코일 전극(2,3) 및 트리밍 전극(4a∼4f))를 형성하는 방법이다.
또한, 박막형성법은 예를 들어 이하에 설명하는 방법이다. 절연성 기판(1) 상면의 거의 모든 면에 스퍼터링법 등으로 비교적 막이 얇은 도전성 막을 형성한 후, 레지스트막(예를 들어 감광성 수지막 등)을 스핀코트 또는 인쇄에 의해 도전성막의 거의 모든 면에 형성한다. 다음에, 레지스트막의 상면에 소정의 화상패턴이 형성된 마스크필름을 피복하고, 자외선 등을 조사하는 등의 방법에 의해, 레지스트막의 소망의 부분을 경화시킨다. 다음에, 경화한 부분을 남기고 레지스트막을 제거한 후, 노출된 부분의 도전성막을 에칭에 의해 제거하고, 소망의 패턴 형상의 도전체(코일 전극(2,3) 및 트리밍 전극(4a∼4f))를 형성한다. 그 후, 경화한 레지스트막을 제거한다.
또한, 다른 형성방법으로써, 절연성 기판(1)의 상면에 감광성 도전 페이스트를 도포하고, 그 후 소망의 화상 패턴이 형성된 마스크필름을 피복하여 노광시키고, 현상하는 방법이 있다.
나선형상 코일 전극(2,3)은 나선 방향을 서로 반대 방향으로 하고, 각각 절연성 기판(1)의 안쪽과 앞쪽에 형성한다. 코일 전극(2,3)의 한쪽의 단부(2a,3a)는 각각 나선 패턴의 내측에 위치한다. 코일 전극(2,3)의 다른쪽의 단부(2b,3b)는 각각 나선 패턴의 외측에 위치하고, 절연성 기판(1)의 중앙부에 근접하여 평행하게 배치한다. 단부(2b,3b)의 선단부는 절연성 기판(1)의 우측에 노출된다.
트리밍 전극(4a∼4f)은 근접 배치된 코일 전극(2,3)의 단부(2b,3b) 사이에 격자 형상으로 일렬로 형성된다. 즉, 트리밍 전극(4a∼4f)은 코일 전극(2,3)과 교차하지 않고, 코일 전극(2,3)의 단부(2b,3b)와 이어져 코일 전극(2,3)을 전기적으로 접속한다. 트리밍 전극(4a∼4f)은 선대칭형이고, 이 트리밍 전극(4a∼4f)의 선대칭축 L을 기준으로 하여 나선형상 코일 전극(2,3)이 대칭으로 형성된다. 각각의 코일 전극(2,3)의 인덕턴스 값은 동일하게 설정된다. 절연성 기판(1)의 재료로써는 유리, 유리세라믹, 알루미나, 페라이트, Si, SiO2등이 사용된다. 전극(2,3,4a∼4f)의 재료로써는 Ag, Ag-Pd, Cu, Au, Ni, Al등이 사용된다.
다음에, 도 2에 나타낸 바와 같이, 개구부(5a,5b)를 갖는 절연보호막(5)이 형성된다. 즉, 액상의 절연성 재료를 절연성 기판(1) 상면의 모든 면에 스핀코트 또는 인쇄 등에 의해 도포, 건조 및 소성하여 절연보호막(5)을 형성한다. 절연성 재료에는 예를 들어 감광성 폴리이미드수지 또는 감광성 유리페이스트 등이 사용된다. 다음에, 절연보호막(5)의 상면에 소정의 화상 패턴이 형성된 마스크필름을 피복하고, 자외선 등을 조사하는 등의 방법에 의해, 절연보호막(5)의 소망의 부분을 경화시킨다. 다음에, 절연보호막(5)의 미경화 부분을 제거하고 개구부(5a,5b)를 형성한다. 개구부(5a,5b)에는 각각 나선형상 코일 전극(2,3)의 내측에 위치한 단부(2a,3a)가 노출되어 있다.
다음에, 도 3에 나타낸 바와 같이, 코일 전극(2,3) 등을 형성한 경우와 동일하게 후막인쇄법 또는 스퍼터링, 증착 등의 박막형성법에 의해 인출 전극(6,7)이 형성된다. 인출 전극(6)의 한쪽 단부는 절연보호막(5)의 개구부(5a)를 통하여 코일 전극(2)의 단부(2a)에 전기적으로 접속하고, 다른쪽 단부는 절연성 기판(1)의 안쪽에 노출된다. 인출 전극(7)의 한쪽 단부는 절연보호막(5)의 개구부(5b)를 통하여 코일 전극(3)의 단부(3a)에 전기적으로 접속하고, 다른쪽 단부는 절연성 기판(1)의 앞쪽에 노출된다.
다음에, 도 4에 나타낸 바와 같이, 액상의 절연성 재료를 절연성 기판(1) 상면의 모든 면에 스핀코트 또는 인쇄 등에 의해 도포, 건조 및 소성하여 인출 전극(6,7)을 피복한 절연보호막(5)으로 한다. 다음에, 절연성 기판(1)의 안쪽 측면부 및 앞쪽 측면부에 각각 단자 전극(10,11)을 형성한다. 단자 전극(10)은 인출 전극(6)을 통하여 코일 전극(2)의 단부(2a)에 전기적으로 접속하고, 단자 전극(11)은 인출 전극(7)을 통하여 코일 전극(3)의 단부(3a)에 전기적으로 접속한다. 또한, 절연성 기판(1)의 우단부에 공통 단자 전극(12)을 형성한다. 공통 단자 전극(12)은 코일 전극(2,3)의 단부(2b,3b)에 전기적으로 접속된다. 단자 전극(10∼12)은 Ag, Ag-Pd, Cu, Ni, NiCr, NiCu 등의 도전성 페이스트를 도포, 소결한 후에 습식전해도금에 의해 Ni, Sn, Sn-Pb 등의 금속막이 형성되거나, 스퍼터링, 증착 등에 의해 형성된다.
이렇게 하여 얻어진 3단자형 가변 인덕턴스 소자(20)를 인쇄배선판 등에 실장한 후, 트리밍 전극(4a∼4f)을 트리밍한다. 즉, 도 5에 나타낸 바와 같이, 레이저 빔을 가변 인덕턴스 소자(20)의 상면측에서 조사하고, 가변 인덕턴스 소자(20)에 트리밍 홈(21)을 형성함과 동시에, 트리밍 전극(4a∼4f)을 단부에 위치한 트리밍 전극(4a)에서부터 순서대로 하나씩 절단한다(도 5는 2개의 트리밍 전극(4a,4b)이 절단된 상태를 도시한다). 이에 따라, 단자 전극(10) - 공통 단자 전극(12)간의 인덕턴스 값 및 단자 전극(11) - 공통 단자 전극(12)간의 인덕턴스 값을 변화시키지 않고, 단자 전극(10) - 단자 전극(11)간의 인덕턴스 값을 단계적으로 변화시킬 수 있다.
따라서, 단자 전극(10,11)간의 인덕턴스 값이 소망의 피치로 변화하도록 미리 트리밍 전극(4a∼4f)을 소정의 위치에 배치시켜 두어, 단자 전극(10) - 공통 단자 전극(12)간의 인덕턴스 값과 단자 전극(11) - 공통 단자 전극(12)간의 인덕턴스 값의 밸런스가 깨지지 않고, 단자 전극(10) - 단자 전극(11)간의 인덕턴스 값을 단계적으로 조정할 수 있는 가변 인덕턴스 소자(20)를 얻을 수 있다.
또한, 이 가변 인덕턴스 소자(20)는 2개의 코일 전극(2,3)을 내장하고 있기 때문에, 2개의 코일 부품을 회로 패턴으로 전기적으로 접속할 필요가 없이 프린트 기판 상의 점유 면적을 작게 할 수 있다.
트리밍 전극(4a∼4f)은 2개의 코일 전극(2,3)과 교차하지 않고(즉, 코일 전극(2,3)과 오버랩하지 않고) 형성되어 있기 때문에, 트리밍 전극(4a∼4f)과 코일 전극(2,3) 사이에 발생하는 부유 용량이 작다. 따라서, 인덕턴스 소자(20)는 자기 공진 주파수가 높아져 종래의 인덕턴스 소자와 비교해 고주파역에서의 주파수 특성이 우수하다. 도 6에 인덕턴스 소자(20)의 인덕턴스 - 주파수 특성을 측정한 결과를 나타낸다(실선 31참조). 비교를 위해, 도 10에 나타낸 종래의 인덕턴스 소자(110)의 측정 결과도 같이 기재한다(점선 32참조). 도 6에서 인덕턴스 소자(20)는 종래의 인덕턴스 소자(110)와 비교하여 자기 공진 주파수가 약 10% 향상되었다는 것을 알 수 있다.
그리고, 코일 전극(2,3)에 의해 각각 발생한 자계를 차단하지 않도록 트리밍 전극(4a∼4f)을 배치하고 있기 때문에, 인덕턴스 소자(20)의 Q특성이 우수하다. 도 7에 인덕턴스 소자(20)의 Q특성을 측정한 결과를 나타낸다(실선 33참조). 비교를 위해, 도 10에 나타낸 종래의 인덕턴스 소자(110)의 측정 결과도 같이 기재한다(점선 34참조). 도 7에서 인덕턴스 소자(20)는 종래의 인덕턴스 소자(110)와 비교하여 고주파역에서의 Q값이 높아져 Q의 피크값이 약 10% 향상되었다는 것을 알 수 있다.
또한, 트리밍 전극(4a∼4f)이 코일 전극(2,3)의 최외주부에 접속되어 있는 구성이기 때문에, 절연성 기판(1)의 세로 방향의 치수를 유효하게 이용하여 트리밍 전극(4a∼4f)을 병설 배치할 수 있다. 그 결과, 트리밍 전극(4a∼4f)의 배치 위치를 길게 광범위하게 확보할 수 있고, 인덕턴스 값의 가변 범위를 종래의 인덕턴스 소자보다 약 10% 크게 설정할 수 있다. 게다가 코일 전극(2,3)의 형성 면적도 넓게 할 수 있고, 최대 취득 인덕턴스 값도 약 5% 향상시킬 수 있다.
또한, 도 10에 나타낸 종래의 인덕턴스 소자(110)는 트리밍 전극(116a∼116d)과 코일 전극(112,113)을 절연보호막(115)에 형성한 개구부를 통하여 전기적으로 접속한다. 따라서, 트리밍 전극의 수가 증가함에 따라 개구부를 통한 접속수도 증가하고, 층간 접속 신뢰성이 저하하는 문제점이 있다. 이에 대해, 본 실시형태의 인덕턴스 소자(20)는 트리밍 전극(4a∼4f)의 수에 관계없이 층간 접속수는 코일 전극(2,3)과 인출 전극(6,7) 사이에 2개소가 있고, 층간 접속 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다.
트리밍 전극(4a∼4f)의 트리밍은 레이저 빔에 한정되지 않고, 샌드블래스트등의 방법으로 행하여도 되고, 또한 트리밍 전극(4a∼4f)이 전기적으로 절단되면 트리밍 홈(21)은 물리적으로 오목하게 패인 구조가 아니어도 된다. 특히, 절연보호막(5)의 재료로써 유리 또는 유리세라믹을 사용한 경우, 레이저 빔으로 용해한 유리가 트리밍 부분에 흘러들어가 트리밍 후의 보호막을 형성할 수 있다. 이에 따라 트리밍 후의 전극 노출을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 3단자형 가변 인덕턴스 소자는 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지의 범위내에서 여러가지로 변경할 수 있다. 예를 들어, 도 8에 나타낸 바와 같이 도 7에 나타낸 가변 인덕턴스 소자(20)에 있어서, 공통 단자 전극(12)에 전기적으로 접속된 중간 탭 전극(41)을, 코일 전극(2)의 단부(2b) 및 코일 전극(3)의 단부(3b)가 근접 배치된 사이에 형성한 가변 인덕턴스 소자(40)여도 된다. 이 중간 탭 전극(41)은 트리밍 전극(4a∼4f)에 전기적으로 접속된다.
트리밍을 할 때에는, 중간 탭 전극(41) 위를 레이저 빔으로 조사하여 가변 인덕턴스 소자(40)에 트리밍 홈(42)을 형성함과 동시에, 트리밍 전극(4a∼4f)을 순서대로 하나씩 절단한다(도 8은 트리밍 전극(4a)이 절단된 상태를 나타낸다). 이에 따라, 단자 전극(10) - 공통 단자 전극(12)간의 인덕턴스 값 및 단자 전극(11) - 공통 단자 전극(12)간의 인덕턴스 값의 밸런스를 깨지 않고, 단자 전극(10) - 단자 전극(11)간의 인덕턴스 값, 단자 전극(10) - 공통 단자 전극(12)간의 인덕턴스 값 및 단자 전극(11) - 공통 단자 전극(12)간의 인덕턴스 값을 단계적으로 조정할 수 있는 가변 인덕턴스 소자(40)를 얻을 수 있다.
또한, 2개의 나선형상 코일 전극은 트리밍 전극(4a∼4f)을 기준으로 하여 반드시 대칭형으로 형성할 필요는 없으며, 2개의 나선형상 전극이 다른 형상 및 다른 인덕턴스 값을 갖도록 설정한 가변 인덕턴스 소자이어도 된다.
가변 인덕턴스 소자는 회로 패턴이 형성된 프린트 기판 상에 직접 나선형상 코일 전극이나 트리밍 전극 등을 형성하여 구성된 것이어도 된다.
또한, 상기 실시형태는 낱개 생산의 경우를 예로 하여 설명하였는데, 양산하는 경우에는 복수의 가변 인덕턴스 소자를 포함한 마더기판(웨이퍼)의 상태로 제조하고, 최종 공정에서 다이밍, 스크라이브브레이크, 레이저 등의 공법에 의해 제품의 크기마다 절단하는 방법이 효과적이다.
이상의 설명에서 명확한 바와 같이, 본 발명에 의하면 트리밍 전극을 트리밍함으로써, 제 1 단자 전극 - 제 3 단자 전극간의 인덕턴스 값과 제 2 단자 전극 - 제 3 단자 전극간의 인덕턴스 값의 밸런스를 깨지 않고, 제 1 단자 전극 - 제 2 단자 전극간의 인덕턴스 값을 변화시킬 수 있다. 또한, 트리밍 전극은 나선형상 코일 전극과 교차하지 않고 형성되어 있기 때문에, 트리밍 전극과 나선형상 코일 전극과의 사이에 발생하는 부유 용량이 작고 자기 공진 주파수가 높으며, 고주파역에서의 주파수 특성이 우수한 3단자형 가변 인덕턴스 소자를 얻을 수 있다. 게다가 트리밍 전극은 나선형상 코일 전극에 의해 발생한 자계를 차단하지 않기 때문에 Q특성도 향상한다.
또한, 트리밍 전극과 나선형상 코일 전극이 동일한 층 내에 형성되어 있기 때문에 층간 접속수가 적어도 되고, 층간 접속 신뢰성이 높은 인덕턴스 소자를 얻을 수 있다.
또한, 트리밍 전극이 코일 전극의 최외주부에 접속되어 있는 구성이기 때문에 절연성 기판의 세로 방향의 치수를 유효하게 이용하여 트리밍 전극을 병설 배치할 수 있다. 그 결과, 트리밍 전극의 배치 위치를 길게 광범위하게 확보할 수 있고, 인덕턴스 값의 가변 범위를 종래의 인덕턴스 소자보다 약 10% 크게 설정할 수 있다. 게다가, 코일 전극의 형성 면적도 넓게 할 수 있고, 최대 취득 인덕턴스 값도 약 5% 향상시킬 수 있다.
또한, 중간 탭 전극을 형성함으로써, 제 1 단자 전극 - 제 3 단자 전극간의 인덕턴스 값과 제 2 단자 전극 - 제 3 단자 전극간의 인덕턴스 값의 밸런스를 깨지 않고, 제 1 단자 전극 - 제 2 단자 전극간의 인덕턴스 값, 제 1 단자 전극 - 제 3 단자 전극간의 인덕턴스 값 및 제 2 단자 전극 - 제 3 단자 전극간의 인덕턴스 값을 변화시킬 수 있다.
Claims (4)
- 제 1 단자 전극, 제 2 단자 전극 및 제 3 단자 전극;상기 제 1 단자 전극과 상기 제 3 단자 전극 사이에 전기적으로 접속되며, 제 1 단자 전극측 단부가 내측에 위치하며 또한 제 3 단자 전극측 단부가 외측에 위치해 있는 제 1 나선형상 코일 전극;상기 제 2 단자 전극과 상기 제 3 단자 전극 사이에 전기적으로 접속되며, 제 2 단자 전극측 단부가 내측에 위치하며 또한 제 3 단자 전극측 단부가 외측에 위치해 있는 제 2 나선형상 코일 전극; 및상기 제 1 나선형상 코일 전극 및 제 2 나선형상 코일 전극과 교차하지 않고, 상기 제 1 나선형상 코일 전극의 제 3 단자 전극측 단부와 상기 제 2 나선형상 코일 전극의 제 3 단자 전극측 단부가 근접배치된 사이에 형성되며, 상기 제 1 나선형상 코일 전극과 상기 제 2 나선형상 코일 전극을 전기적으로 접속한 트리밍 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3단자형 가변 인덕턴스 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 트리밍 전극을 복수개 가짐과 아울러, 상기 제 3 단자 전극에 전기적으로 접속된 중간 탭 전극을, 상기 제 1 나선형상 코일 전극의 제 3 단자 전극측 단부와 상기 제 2 나선형상 코일 전극의 제 3 단자 전극측 단부가 근접배치된 사이에 형성되며, 상기 복수의 트리밍 전극을 상기 중간 탭 전극에 전기적으로 접속한 것을 특징으로 하는 3단자형 가변 인덕턴스 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 칩 부품의 절연성 기판의 표면에 상기 전극이 각각 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 3단자형 가변 인덕턴스 소자.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 회로 패턴이 형성되어 있는 회로 기판의 표면에 상기 전극이 각각 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 3단자형 가변 인덕턴스 소자.
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