JPH08306533A - 調整磁気デバイス - Google Patents
調整磁気デバイスInfo
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- JPH08306533A JPH08306533A JP10927195A JP10927195A JPH08306533A JP H08306533 A JPH08306533 A JP H08306533A JP 10927195 A JP10927195 A JP 10927195A JP 10927195 A JP10927195 A JP 10927195A JP H08306533 A JPH08306533 A JP H08306533A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 インダクタンスの可変範囲が広く、切断開始
点の位置合わせに制約の無い調整磁気デバイスを提供す
る。 【構成】 絶縁基板１の表面側に２個のスパイラル状導
体パターン１３が絶縁ギャップ１６を間に挟んで点対称
に並置し、これらのほぼ全体を覆うように磁性体膜１４
を形成し、裏面の表面上に２個のスパイラル状導体パタ
ーン１３を点対称に並置し、これらのほぼ全体を覆うよ
うに磁性体膜１４が形成し、上記各２個の導体パターン
１３をスルーホール１５により接続して一個のコイルと
し、絶縁ギャップ１６上に設定された切断ラインに沿っ
て磁性体膜１４を切断することでインダクタンスの調整
を行う。
点の位置合わせに制約の無い調整磁気デバイスを提供す
る。 【構成】 絶縁基板１の表面側に２個のスパイラル状導
体パターン１３が絶縁ギャップ１６を間に挟んで点対称
に並置し、これらのほぼ全体を覆うように磁性体膜１４
を形成し、裏面の表面上に２個のスパイラル状導体パタ
ーン１３を点対称に並置し、これらのほぼ全体を覆うよ
うに磁性体膜１４が形成し、上記各２個の導体パターン
１３をスルーホール１５により接続して一個のコイルと
し、絶縁ギャップ１６上に設定された切断ラインに沿っ
て磁性体膜１４を切断することでインダクタンスの調整
を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種電子機器に使用さ
れている調整可能な調整磁気デバイスに関するものであ
る。
れている調整可能な調整磁気デバイスに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の厚膜方式のチップ形調整可能な磁
気デバイスを図６に示す。図６（ａ）は平面図、図６
（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。図６に
おいて１は絶縁基板であり、絶縁基板１の一方の表面に
スパイラル状にコイルパターン３を形成し、コイルパタ
ーン３の一方の端はファイン調整用ショートパターン５
を介して一方の端子２に接続されている。また、コイル
パターン３の他方の端と他方の端子２の間には絶縁膜６
が設けられ、さらにコイルパターン３の他方の端上に孔
８が形成されている。この孔８を通じてジャンパーパタ
ーン７により、コイルパターン３の他方の端と他方の端
子２が接続されている。さらに、コイルパターン３の他
方の端の周辺にはラフ調整用ショートパターン４が形成
されている。
気デバイスを図６に示す。図６（ａ）は平面図、図６
（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。図６に
おいて１は絶縁基板であり、絶縁基板１の一方の表面に
スパイラル状にコイルパターン３を形成し、コイルパタ
ーン３の一方の端はファイン調整用ショートパターン５
を介して一方の端子２に接続されている。また、コイル
パターン３の他方の端と他方の端子２の間には絶縁膜６
が設けられ、さらにコイルパターン３の他方の端上に孔
８が形成されている。この孔８を通じてジャンパーパタ
ーン７により、コイルパターン３の他方の端と他方の端
子２が接続されている。さらに、コイルパターン３の他
方の端の周辺にはラフ調整用ショートパターン４が形成
されている。
【０００３】このような調整可能な磁気デバイスは図７
に示すように、配線基板９上に装着されて接続される。
配線基板９は、一般的な材料および方法で製作されたも
のであり、調整可能磁気デバイスの端子２に対応する位
置にはんだづけ部１０が設けてあり、これらはんだづけ
部１０がそれぞれコイル端子Ｔ１、Ｔ２となっている。
調整可能磁気デバイスはこれらのはんだづけ部１０には
んだリフロー、はんだディップ、手はんだづけ等の一般
的な方法によりはんだづけされる。また、１１はラフ調
整用ショートパターン４の、１２はファイン調整用ショ
ートパターンの切断部であり、レーザー、サンドブラス
ト、カッター等の一般的方法で切断される。
に示すように、配線基板９上に装着されて接続される。
配線基板９は、一般的な材料および方法で製作されたも
のであり、調整可能磁気デバイスの端子２に対応する位
置にはんだづけ部１０が設けてあり、これらはんだづけ
部１０がそれぞれコイル端子Ｔ１、Ｔ２となっている。
調整可能磁気デバイスはこれらのはんだづけ部１０には
んだリフロー、はんだディップ、手はんだづけ等の一般
的な方法によりはんだづけされる。また、１１はラフ調
整用ショートパターン４の、１２はファイン調整用ショ
ートパターンの切断部であり、レーザー、サンドブラス
ト、カッター等の一般的方法で切断される。
【０００４】このような調整可能な磁気デバイスはコイ
ル端子Ｔ１、Ｔ２の間のスパイラル状のコイルパターン
３により所定のインダクタンス値が得られる。図２に示
すように、ラフ調整用ショートパターン４を切断ライン
に沿ってＸ１、Ｘ２、Ｘ３、・・・Ｘ６の順に切断する
とコイル端子Ｔ１、Ｔ２の間のインダクタンス値は段階
的に増加し、さらに、ファイン調整用ショートパターン
５を切断ラインに沿ってＹ１、Ｙ２、Ｙ３、・・・Ｙ５
の順に切断するとコイル端子Ｔ１、Ｔ２の間のインダク
タンス値は段階的に微増する。このときのインダクタン
ス値の変化特性を図８に示す。
ル端子Ｔ１、Ｔ２の間のスパイラル状のコイルパターン
３により所定のインダクタンス値が得られる。図２に示
すように、ラフ調整用ショートパターン４を切断ライン
に沿ってＸ１、Ｘ２、Ｘ３、・・・Ｘ６の順に切断する
とコイル端子Ｔ１、Ｔ２の間のインダクタンス値は段階
的に増加し、さらに、ファイン調整用ショートパターン
５を切断ラインに沿ってＹ１、Ｙ２、Ｙ３、・・・Ｙ５
の順に切断するとコイル端子Ｔ１、Ｔ２の間のインダク
タンス値は段階的に微増する。このときのインダクタン
ス値の変化特性を図８に示す。
【０００５】このように、上記従来の調整可能な磁気デ
バイスにおいても、ショートパターンを切断することに
よりインダクタンス値を変化させることができる。
バイスにおいても、ショートパターンを切断することに
よりインダクタンス値を変化させることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の調整可能な磁気デバイスにおいては 上記従来の構成では、取得できるインダクタンス値
が小さい。そこで、インダクタンス値を大きくするため
にはスパイラルコイルの巻数を多くするしかない。その
場合、コイルパターンの線幅、線間隔が微細となり、Ｑ
特性が劣化したり、コストアップとなる。
来の調整可能な磁気デバイスにおいては 上記従来の構成では、取得できるインダクタンス値
が小さい。そこで、インダクタンス値を大きくするため
にはスパイラルコイルの巻数を多くするしかない。その
場合、コイルパターンの線幅、線間隔が微細となり、Ｑ
特性が劣化したり、コストアップとなる。
【０００７】 インダクタンス値の調整は、切断によ
りスパイラルコイルの有効巻数を変化させることにより
行われるので、通常は可変範囲が小さい。そこで、切り
代を多くすることが考えられるが、その場合複雑な切断
を実施する必要があり、加工費が上昇する。
りスパイラルコイルの有効巻数を変化させることにより
行われるので、通常は可変範囲が小さい。そこで、切り
代を多くすることが考えられるが、その場合複雑な切断
を実施する必要があり、加工費が上昇する。
【０００８】 調整により得られるインダクタンス値
は階段状に変化するため、精密な調整には不適である。
は階段状に変化するため、精密な調整には不適である。
【０００９】 コイルパターンに設けられたショート
パターン、すなわち金属部分を切り残しがないように切
断するため安定した切断が困難である。特にレーザー光
を使用して切断を行うときは金属によりレーザー光の反
射が起きるため切断残りを発生する恐れがある。
パターン、すなわち金属部分を切り残しがないように切
断するため安定した切断が困難である。特にレーザー光
を使用して切断を行うときは金属によりレーザー光の反
射が起きるため切断残りを発生する恐れがある。
【００１０】 デバイスに方向性があるため、配線基
板への装着時に方向を揃える、あるいはテーピング時に
方向を揃える必要があり、コストアップとなる。
板への装着時に方向を揃える、あるいはテーピング時に
方向を揃える必要があり、コストアップとなる。
【００１１】 切断ライン、切断開始点が複数あるた
め、切断時に電極、コイルパターンを損傷する恐れがあ
る。そのため、切断に複雑な制御が必要となり、加工費
の上昇を招く。という問題点があった。
め、切断時に電極、コイルパターンを損傷する恐れがあ
る。そのため、切断に複雑な制御が必要となり、加工費
の上昇を招く。という問題点があった。
【００１２】本発明はこのような従来の問題を解決する
ものであり、インダクタンス値の可変範囲が広く、イン
ダクタンス値の調整精度が高く、装着方向性が無く、切
断時に電極、パターンの損傷の恐れが無く、切断ライン
が中央にあり、切断開始点の位置合わせ等に制約の無い
優れた調整磁気デバイスを提供することを目的とするも
のである。
ものであり、インダクタンス値の可変範囲が広く、イン
ダクタンス値の調整精度が高く、装着方向性が無く、切
断時に電極、パターンの損傷の恐れが無く、切断ライン
が中央にあり、切断開始点の位置合わせ等に制約の無い
優れた調整磁気デバイスを提供することを目的とするも
のである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、絶縁基板の一方の表面上に順次重ねて２個
のスパイラル状の導体パターン、磁性体膜を設け、他方
の表面上にも順次積み重ねて２個のスパイラル状の導体
パターン、磁性体膜を設け、さらに一方の表面上と他方
の表面上に設けられた各２個のスパイラル状の導体パタ
ーンを絶縁基板に設けられた孔を通じて互いに接続して
一個のコイルとする。次に、一方の表面上に形成された
２個のスパイラル状の導体パターンの間に設けられた磁
性体膜を切断することによりインダクタンスを変化させ
るようにしたものであり、前記磁性体膜の切断ラインを
前記絶縁ギャップ上に設定したことを特徴とするもので
ある。このとき、前記一方の表面上に形成された２個の
スパイラル状の導体パターンは絶縁ギャップを間に挟ん
で点対称に並置した一対の導体パターンとし、かつ前記
一対の導体パターンの各々の外部取り出し電極端子を点
対称の位置に配置する。そして、前記他方の表面上に形
成された２個のスパイラル状の導体パターンもまた点対
称に並置し、その表面上で相互に接続し、かつ前記一対
の導体パターンの各々の外部取り出し電極端子を点対称
の位置に配置したものである。
するために、絶縁基板の一方の表面上に順次重ねて２個
のスパイラル状の導体パターン、磁性体膜を設け、他方
の表面上にも順次積み重ねて２個のスパイラル状の導体
パターン、磁性体膜を設け、さらに一方の表面上と他方
の表面上に設けられた各２個のスパイラル状の導体パタ
ーンを絶縁基板に設けられた孔を通じて互いに接続して
一個のコイルとする。次に、一方の表面上に形成された
２個のスパイラル状の導体パターンの間に設けられた磁
性体膜を切断することによりインダクタンスを変化させ
るようにしたものであり、前記磁性体膜の切断ラインを
前記絶縁ギャップ上に設定したことを特徴とするもので
ある。このとき、前記一方の表面上に形成された２個の
スパイラル状の導体パターンは絶縁ギャップを間に挟ん
で点対称に並置した一対の導体パターンとし、かつ前記
一対の導体パターンの各々の外部取り出し電極端子を点
対称の位置に配置する。そして、前記他方の表面上に形
成された２個のスパイラル状の導体パターンもまた点対
称に並置し、その表面上で相互に接続し、かつ前記一対
の導体パターンの各々の外部取り出し電極端子を点対称
の位置に配置したものである。
【００１４】また、他の目的を達成するために、絶縁基
板の一方の表面上に順次重ねて２個のスパイラル状の導
体パターン、絶縁膜、磁性体膜を設け、他方の表面上に
も順次積み重ねて２個のスパイラル状の導体パターン、
絶縁膜、磁性体膜を設けるようにしたものである。
板の一方の表面上に順次重ねて２個のスパイラル状の導
体パターン、絶縁膜、磁性体膜を設け、他方の表面上に
も順次積み重ねて２個のスパイラル状の導体パターン、
絶縁膜、磁性体膜を設けるようにしたものである。
【００１５】さらに、他の目的を達成するために、絶縁
基板の一方の表面上に順次重ねて２個のスパイラル状の
導体パターン、磁性体膜を設け、他方の表面上にも２個
のスパイラル状の導体パターンを設けるようにしたもの
である。
基板の一方の表面上に順次重ねて２個のスパイラル状の
導体パターン、磁性体膜を設け、他方の表面上にも２個
のスパイラル状の導体パターンを設けるようにしたもの
である。
【００１６】さらに、他の目的を達成するために、絶縁
基板の一方の表面上に順次重ねて２個のスパイラル状の
導体パターン、絶縁膜、磁性体膜を設け、他方の表面上
にも順次積み重ねて２個のスパイラル状の導体パター
ン、絶縁膜を設けるようにしたものである。
基板の一方の表面上に順次重ねて２個のスパイラル状の
導体パターン、絶縁膜、磁性体膜を設け、他方の表面上
にも順次積み重ねて２個のスパイラル状の導体パター
ン、絶縁膜を設けるようにしたものである。
【００１７】また、他の目的を達成するために、上記の
各構成に加えて、一方の表面上の他方の表面上に設けら
れた磁性体膜をスパイラル状の導体パターンの周囲、お
よび中心部に開けられた絶縁基板の孔を通じて互いに接
続するようにしたものである。
各構成に加えて、一方の表面上の他方の表面上に設けら
れた磁性体膜をスパイラル状の導体パターンの周囲、お
よび中心部に開けられた絶縁基板の孔を通じて互いに接
続するようにしたものである。
【００１８】
【作用】したがって、本発明は上記のような構成により
次のような作用を有する。すなわち、絶縁基板の一方の
表面上に順次重ねて２個のスパイラル状の導体パター
ン、磁性体膜を設け、他方の表面上にも順次積み重ねて
２個のスパイラル状の導体パターン、磁性体膜を設け、
さらに一方の表面上と他方の表面上に設けられた各２個
のスパイラル状の導体パターンを絶縁基板に設けられた
孔を通じて互いに接続して一個のコイルとしているの
で、透磁率の高い磁性体膜の効果により大きなインダク
タンス値が得られる。
次のような作用を有する。すなわち、絶縁基板の一方の
表面上に順次重ねて２個のスパイラル状の導体パター
ン、磁性体膜を設け、他方の表面上にも順次積み重ねて
２個のスパイラル状の導体パターン、磁性体膜を設け、
さらに一方の表面上と他方の表面上に設けられた各２個
のスパイラル状の導体パターンを絶縁基板に設けられた
孔を通じて互いに接続して一個のコイルとしているの
で、透磁率の高い磁性体膜の効果により大きなインダク
タンス値が得られる。
【００１９】さらに、一方の表面上に形成された２個の
スパイラル状の導体パターンの間、すなわち、絶縁ギャ
ップ上に設けられた磁性体膜を切断することにより、磁
性体膜を削除する。これにより磁性体膜の中を通過する
磁束の磁路抵抗を変え、インダクタンス値を変化させる
ことができる。
スパイラル状の導体パターンの間、すなわち、絶縁ギャ
ップ上に設けられた磁性体膜を切断することにより、磁
性体膜を削除する。これにより磁性体膜の中を通過する
磁束の磁路抵抗を変え、インダクタンス値を変化させる
ことができる。
【００２０】また、一方の表面上に形成された２個のス
パイラル状の導体パターンは絶縁ギャップを間に挟んで
点対称に並置した一対の導体パターンとし、かつ前記一
対の導体パターンの各々の外部取り出し電極端子を点対
称の位置に配置する。さらに、他方の表面上に形成され
た２個のスパイラル状の導体パターンもまた点対称に並
置し、その表面上で相互に接続し、かつ前記一対の導体
パターンの各々の外部取り出し電極端子を点対称の位置
に配置したので、デバイスに方向性をなくし、切断ライ
ンを単純なシングルカットラインとすることができる。
パイラル状の導体パターンは絶縁ギャップを間に挟んで
点対称に並置した一対の導体パターンとし、かつ前記一
対の導体パターンの各々の外部取り出し電極端子を点対
称の位置に配置する。さらに、他方の表面上に形成され
た２個のスパイラル状の導体パターンもまた点対称に並
置し、その表面上で相互に接続し、かつ前記一対の導体
パターンの各々の外部取り出し電極端子を点対称の位置
に配置したので、デバイスに方向性をなくし、切断ライ
ンを単純なシングルカットラインとすることができる。
【００２１】さらに、絶縁基板の一方の表面上に順次重
ねて２個のスパイラル状の導体パターン、絶縁膜、磁性
体膜を設け、他方の表面上にも順次積み重ねて２個のス
パイラル状の導体パターン、絶縁膜、磁性体膜を設ける
ようにしたので、電気絶縁性の低い磁性体膜を使用する
ことができる。
ねて２個のスパイラル状の導体パターン、絶縁膜、磁性
体膜を設け、他方の表面上にも順次積み重ねて２個のス
パイラル状の導体パターン、絶縁膜、磁性体膜を設ける
ようにしたので、電気絶縁性の低い磁性体膜を使用する
ことができる。
【００２２】さらに、絶縁基板の一方の表面上に順次重
ねて２個のスパイラル状の導体パターン、磁性体膜を設
け、他方の表面上にも２個のスパイラル状の導体パター
ンを設けるようにしたので、構成を単純化でき、さらに
安価にすることが可能となる。
ねて２個のスパイラル状の導体パターン、磁性体膜を設
け、他方の表面上にも２個のスパイラル状の導体パター
ンを設けるようにしたので、構成を単純化でき、さらに
安価にすることが可能となる。
【００２３】さらに、絶縁基板の一方の表面上に順次重
ねて２個のスパイラル状の導体パターン、絶縁膜、磁性
体膜を設け、他方の表面上にも順次積み重ねて２個のス
パイラル状の導体パターン、絶縁膜を設けるようにした
ので、電気絶縁性の低い磁性体膜を使用しながら構成を
単純化でき、さらに安価に、かつ信頼性を向上させるこ
とが可能となる。
ねて２個のスパイラル状の導体パターン、絶縁膜、磁性
体膜を設け、他方の表面上にも順次積み重ねて２個のス
パイラル状の導体パターン、絶縁膜を設けるようにした
ので、電気絶縁性の低い磁性体膜を使用しながら構成を
単純化でき、さらに安価に、かつ信頼性を向上させるこ
とが可能となる。
【００２４】また、上記の各構成に加えて、一方の表面
上と他方の表面上に設けられた磁性体膜をスパイラル状
の導体パターンの周囲、および中心部に開けられた絶縁
基板の孔を通じて互いに接続するようにしたので、磁性
体内を通過する磁束が集中し、インダクタンス値、Ｑ特
性が改善される。
上と他方の表面上に設けられた磁性体膜をスパイラル状
の導体パターンの周囲、および中心部に開けられた絶縁
基板の孔を通じて互いに接続するようにしたので、磁性
体内を通過する磁束が集中し、インダクタンス値、Ｑ特
性が改善される。
【００２５】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示すものである。
この図において図１（ａ）は表面視の表面図であり、図
１（ｂ）はＢ−Ｂ’線断面図であり、図１（ｃ）は表面
視の裏面図である。 図１において１は絶縁基板であ
り、絶縁基板１の表面側の表面には２個のスパイラル状
の導体パターン１３が絶縁ギャップ１６を間に挟んで点
対称に並置してある。一対のスパイラル状導体パターン
１３の上には、これらのほぼ全体を覆うように磁性体膜
１４が形成されている。さらに、一対の導体パターン１
３は各々の外部取り出し用電極端子２に接続され、電極
端子２は点対称の位置に配置されている。また、裏面側
の表面上に形成された２個のスパイラル状の導体パター
ン１３もまた点対称に並置し、その表面上で相互に接続
して、これらのほぼ全体を覆うように磁性体膜１４が形
成してある。さらに、裏面の一対の導体パターン１３も
各々の外部取り出し用電極端子２に接続され、電極２は
点対称の位置に配置してある。また、表面側の表面上と
裏面側の表面上に設けられた各２個のスパイラル状の導
体パターン１３は絶縁基板１に設けられたスルーホール
１５を通じて互いに接続して一個のコイルとしてある。
この図において図１（ａ）は表面視の表面図であり、図
１（ｂ）はＢ−Ｂ’線断面図であり、図１（ｃ）は表面
視の裏面図である。 図１において１は絶縁基板であ
り、絶縁基板１の表面側の表面には２個のスパイラル状
の導体パターン１３が絶縁ギャップ１６を間に挟んで点
対称に並置してある。一対のスパイラル状導体パターン
１３の上には、これらのほぼ全体を覆うように磁性体膜
１４が形成されている。さらに、一対の導体パターン１
３は各々の外部取り出し用電極端子２に接続され、電極
端子２は点対称の位置に配置されている。また、裏面側
の表面上に形成された２個のスパイラル状の導体パター
ン１３もまた点対称に並置し、その表面上で相互に接続
して、これらのほぼ全体を覆うように磁性体膜１４が形
成してある。さらに、裏面の一対の導体パターン１３も
各々の外部取り出し用電極端子２に接続され、電極２は
点対称の位置に配置してある。また、表面側の表面上と
裏面側の表面上に設けられた各２個のスパイラル状の導
体パターン１３は絶縁基板１に設けられたスルーホール
１５を通じて互いに接続して一個のコイルとしてある。
【００２６】この調整磁気デバイスは切断ラインが絶縁
ギャップ１６の上に設定されているので、調整磁気デバ
イス本体及び配線基板上のはんだづけ部は方向性がなく
なり、テーピングや装着に関して、一般のチップ部品と
同様の取扱いが可能となる。
ギャップ１６の上に設定されているので、調整磁気デバ
イス本体及び配線基板上のはんだづけ部は方向性がなく
なり、テーピングや装着に関して、一般のチップ部品と
同様の取扱いが可能となる。
【００２７】このような調整磁気デバイスは図２に示す
ように、配線基板９上に装着されて接続される。配線基
板９は一般的な材料、方法により製作されたものであ
り、調整磁気デバイスの合計４個の外部取り出し用電極
端子２のそれぞれに対応する位置にはんだづけ部１０が
設けてある。これら４個のはんだづけ部１０のうちＴ
１、Ｔ２がコイル端子となっている。各端子２ははんだ
リフロー、はんだディップ、手はんだづけ等の一般的方
法によりはんだづけ部１０にはんだづけされるが、特に
はんだリフローにおいてははんだづけ時のセルフアライ
メント効果により位置が正確に定まる。
ように、配線基板９上に装着されて接続される。配線基
板９は一般的な材料、方法により製作されたものであ
り、調整磁気デバイスの合計４個の外部取り出し用電極
端子２のそれぞれに対応する位置にはんだづけ部１０が
設けてある。これら４個のはんだづけ部１０のうちＴ
１、Ｔ２がコイル端子となっている。各端子２ははんだ
リフロー、はんだディップ、手はんだづけ等の一般的方
法によりはんだづけ部１０にはんだづけされるが、特に
はんだリフローにおいてははんだづけ時のセルフアライ
メント効果により位置が正確に定まる。
【００２８】さらに、１７は絶縁ギャップ１６上に設定
された切断ラインに沿って切断される磁性体膜１４の切
断部であり、レーザー、サンドブラスト、カッター等の
一般的な方法で切断される。 図３は、図２のＣ−Ｃ’
線断面図であり、図３（ａ）は磁性体膜１４の切断前の
状態を示し、図３（ｂ）は切断後の状態を示す。このよ
うな調整磁気デバイスは交流電流を通電すると、スパイ
ラル状導体パターン１３により、コイル端子Ｔ１、Ｔ２
間にインダクタンスを発生させる。このとき発生する磁
束１８は図に示す様に、より透磁率の高い磁性体膜１４
を集中的に通過する。次に、磁性体膜１４を切断すると
切断部１７において透磁率の高い磁性体膜１４が失わ
れ、磁路抵抗は高くなり磁束の通過を阻止する。その結
果、磁性体膜１４の切断とともにインダクタンス値は徐
々に減少する。その変化特性を図４に示す。図４から解
るようにインダクタンス値は徐々に減少するので高い調
整精度が得られる。また、切断部１７の溝巾を広くする
ことによってインダクタンス値の変化巾を拡大すること
も可能である。
された切断ラインに沿って切断される磁性体膜１４の切
断部であり、レーザー、サンドブラスト、カッター等の
一般的な方法で切断される。 図３は、図２のＣ−Ｃ’
線断面図であり、図３（ａ）は磁性体膜１４の切断前の
状態を示し、図３（ｂ）は切断後の状態を示す。このよ
うな調整磁気デバイスは交流電流を通電すると、スパイ
ラル状導体パターン１３により、コイル端子Ｔ１、Ｔ２
間にインダクタンスを発生させる。このとき発生する磁
束１８は図に示す様に、より透磁率の高い磁性体膜１４
を集中的に通過する。次に、磁性体膜１４を切断すると
切断部１７において透磁率の高い磁性体膜１４が失わ
れ、磁路抵抗は高くなり磁束の通過を阻止する。その結
果、磁性体膜１４の切断とともにインダクタンス値は徐
々に減少する。その変化特性を図４に示す。図４から解
るようにインダクタンス値は徐々に減少するので高い調
整精度が得られる。また、切断部１７の溝巾を広くする
ことによってインダクタンス値の変化巾を拡大すること
も可能である。
【００２９】さらに図５は本発明の他の実施例を示すも
のである。すなわち、上記本発明の実施例に各構成に加
えて、表面側の表面上と裏面側の表面上に設けられた磁
性体膜１４をスパイラル状の導体パターン１３の周囲、
および中心部に開けられた絶縁基板１の孔１９を通じて
互いに接続するようにしたものである（裏面側は図示し
ていない）。この場合はスパイラル状導体パターン１３
の周囲、および中心部を通過する磁束１８が集中し、イ
ンダクタンス値、Ｑ特性が改善されるという効果があ
る。 本発明は厚膜方式、薄膜方式、積層方式、あるい
は樹脂基板を用いるポリマー方式等により構成されたも
のであっても同様の効果が得られる。
のである。すなわち、上記本発明の実施例に各構成に加
えて、表面側の表面上と裏面側の表面上に設けられた磁
性体膜１４をスパイラル状の導体パターン１３の周囲、
および中心部に開けられた絶縁基板１の孔１９を通じて
互いに接続するようにしたものである（裏面側は図示し
ていない）。この場合はスパイラル状導体パターン１３
の周囲、および中心部を通過する磁束１８が集中し、イ
ンダクタンス値、Ｑ特性が改善されるという効果があ
る。 本発明は厚膜方式、薄膜方式、積層方式、あるい
は樹脂基板を用いるポリマー方式等により構成されたも
のであっても同様の効果が得られる。
【００３０】さらにまた、上記実施例では絶縁基板１の
両面に導体パターン１３と磁性体膜１４を形成している
が、導体パターンと磁性体膜の間に絶縁膜を形成する、
裏面の磁性体膜を省略する等を行っても同様の効果が得
られる。
両面に導体パターン１３と磁性体膜１４を形成している
が、導体パターンと磁性体膜の間に絶縁膜を形成する、
裏面の磁性体膜を省略する等を行っても同様の効果が得
られる。
【００３１】さらにコイル端子Ｔ１、Ｔ２としなかった
残りの端子をコイルの中間タップとして使用することも
可能である。
残りの端子をコイルの中間タップとして使用することも
可能である。
【００３２】
【発明の効果】本発明は上記実施例より明らかなよう
に、絶縁基板の両面に順次重ねて２個のスパイラル状の
導体パターン、磁性体膜を設け、さらに一方の表面上と
他方の表面上に設けられた各２個のスパイラル状の導体
パターンを絶縁基板に設けられたスルーホールを通じて
互いに接続して一個のコイルとし、一方の表面上に形成
された２個のスパイラル状導体パターンの間に設けられ
た磁性体膜を切断することによりインダクタンスを変化
させるようにしたものであり、磁性体膜の切断ラインを
絶縁ギャップ上に設定したことを特徴とするものであ
る。一方の表面上に形成された２個のスパイラル状導体
パターンは絶縁ギャップを間に挟んで点対称に並置した
一対の導体パターンとし、かつ一対の導体パターンの各
々の外部取り出し電極端子を点対称の位置に配置する。
そして、他方の表面上に形成された２個のスパイラル状
導体パターンもまた点対称に並置し、その表面上で相互
に接続し、かつ一対の導体パターンの各々の外部取り出
し電極端子を点対称の位置に配置したものであり、以下
に示す効果を有する。
に、絶縁基板の両面に順次重ねて２個のスパイラル状の
導体パターン、磁性体膜を設け、さらに一方の表面上と
他方の表面上に設けられた各２個のスパイラル状の導体
パターンを絶縁基板に設けられたスルーホールを通じて
互いに接続して一個のコイルとし、一方の表面上に形成
された２個のスパイラル状導体パターンの間に設けられ
た磁性体膜を切断することによりインダクタンスを変化
させるようにしたものであり、磁性体膜の切断ラインを
絶縁ギャップ上に設定したことを特徴とするものであ
る。一方の表面上に形成された２個のスパイラル状導体
パターンは絶縁ギャップを間に挟んで点対称に並置した
一対の導体パターンとし、かつ一対の導体パターンの各
々の外部取り出し電極端子を点対称の位置に配置する。
そして、他方の表面上に形成された２個のスパイラル状
導体パターンもまた点対称に並置し、その表面上で相互
に接続し、かつ一対の導体パターンの各々の外部取り出
し電極端子を点対称の位置に配置したものであり、以下
に示す効果を有する。
【００３３】 透磁率の高い磁性体膜の効果により磁
束が集中するので、取得できるインダクタンス値が大き
い。
束が集中するので、取得できるインダクタンス値が大き
い。
【００３４】 透磁率の高い磁性体膜を削除すること
によりインダクタンス値を調整するので、インダクタン
ス値の可変範囲が広い。
によりインダクタンス値を調整するので、インダクタン
ス値の可変範囲が広い。
【００３５】 簡単なシングルカットでインダクタン
ス値を可変できるので、複雑な切断を実施する必要がな
い。
ス値を可変できるので、複雑な切断を実施する必要がな
い。
【００３６】 調整により得られるインダクタンス値
は連続的に変化するので、精密な調整が可能である。
は連続的に変化するので、精密な調整が可能である。
【００３７】 磁性体膜を切断するので安定な切断が
できる。 デバイスに方向性がないので配線基板への装着、テ
ーピングに方向を揃える必要がない。
できる。 デバイスに方向性がないので配線基板への装着、テ
ーピングに方向を揃える必要がない。
【００３８】 切断ラインが中央にあり、切断開始点
付近に導体パターンや電極がないので、切断開始点の位
置合わせ等に制約がない。
付近に導体パターンや電極がないので、切断開始点の位
置合わせ等に制約がない。
【００３９】また、導体パターンと磁性体膜の間に絶縁
膜を挟み込むことにより、絶縁性の低い磁性体膜を使用
できるので、さらに大きなインダクタンス値を取得でき
る。
膜を挟み込むことにより、絶縁性の低い磁性体膜を使用
できるので、さらに大きなインダクタンス値を取得でき
る。
【００４０】さらに、裏面の磁性体膜を省略することに
より、構成を単純にできるのでさらに安価にすることが
できる。
より、構成を単純にできるのでさらに安価にすることが
できる。
【００４１】さらに、絶縁基板の一方の表面上に順次重
ねて２個のスパイラル状の導体パターン、絶縁膜、磁性
体膜を設け、他方の表面上にも順次積み重ねて２個のス
パイラル状の導体パターン、絶縁膜を設けるようにする
ことにより、電気絶縁性の低い磁性体膜を使用しながら
構成を単純化でき、さらに安価に、かつ信頼性を向上さ
せることが可能となる。
ねて２個のスパイラル状の導体パターン、絶縁膜、磁性
体膜を設け、他方の表面上にも順次積み重ねて２個のス
パイラル状の導体パターン、絶縁膜を設けるようにする
ことにより、電気絶縁性の低い磁性体膜を使用しながら
構成を単純化でき、さらに安価に、かつ信頼性を向上さ
せることが可能となる。
【００４２】また、上記の各構成に加えて、一方の表面
上と他方の表面上に設けられた磁性体膜をスパイラル状
の導体パターンの周囲、および中心部に開けられた絶縁
基板の孔を通じて互いに接続することにより、磁性体内
を通過する磁束が集中し、インダクタンス値、Ｑ特性が
改善される。
上と他方の表面上に設けられた磁性体膜をスパイラル状
の導体パターンの周囲、および中心部に開けられた絶縁
基板の孔を通じて互いに接続することにより、磁性体内
を通過する磁束が集中し、インダクタンス値、Ｑ特性が
改善される。
【図１】本発明の一実施例における調整磁気デバイスの
上面図、側面図及び下面図
上面図、側面図及び下面図
【図２】同実施例における調整磁気デバイスの実装状態
を示す上面図
を示す上面図
【図３】同実施例における調整磁気デバイスの側面断面
図
図
【図４】同実施例における調整磁気デバイスのインダク
タンス値の特性図
タンス値の特性図
【図５】本発明の他の実施例における調整磁気デバイス
の上面図及び側面図
の上面図及び側面図
【図６】従来の調整磁気デバイスの上面図及び側面図
【図７】従来の調整磁気デバイスの実装状態を示す上面
図
図
【図８】従来の調整磁気デバイスのインダクタンス値の
特性図
特性図
１ 絶縁基板 ２ 端子 １３ スパイラル状導体パターン １４ 磁性体膜 １５ スルーホール １６ 絶縁ギャップ １７ 切断部 １８ 磁束
Claims (8)
- 【請求項１】 絶縁基板の一方の表面上に順次重ねて設
けられた２個のスパイラル状の導体パターン、磁性体膜
を有し、他方の表面上にも順次積み重ねて設けられた２
個のスパイラル状の導体パターン、磁性体膜を有し、一
方の表面上と他方の表面上に設けられた各２個のスパイ
ラル状の導体パターンを絶縁基板に設けられた孔を通じ
て互いに接続して一個のコイルと成し、一方の表面上に
形成された２個のスパイラル状の導体パターンの間に設
けられた磁性体膜を切断することによりインダクタンス
を変化させる調整磁気デバイスであって、前記一方の表
面上に形成された２個のスパイラル状の導体パターンは
絶縁ギャップを間に挟んで点対称に並置した一対の導体
パターンとし、かつ前記一対の導体パターンの各々の外
部取り出し電極端子を点対称の位置に配置し、前記他方
の表面上に形成された２個のスパイラル状の導体パター
ンは点対称に並置し、該表面上で相互に接続して、かつ
前記一対の導体パターンの各々の外部取り出し電極端子
を点対称の位置に配置してあり、前記磁性体膜の切断ラ
インを前記絶縁ギャップ上に設定したことを特徴とする
調整磁気デバイス。 - 【請求項２】 絶縁基板の一方の表面上に順次重ねて設
けられた２個のスパイラル状の導体パターン、絶縁膜、
磁性体膜を有し、他方の表面上にも順次積み重ねて設け
られた２個のスパイラル状の導体パターン、絶縁膜、磁
性体膜を有する請求項１記載の調整磁気デバイス。 - 【請求項３】 絶縁基板の一方の表面上に順次重ねて設
けられた２個のスパイラル状の導体パターン、磁性体膜
を有し、他方の表面上にも２個のスパイラル状の導体パ
ターンを有する請求項１記載の調整磁気デバイス。 - 【請求項４】 絶縁基板の一方の表面上に順次重ねて設
けられた２個のスパイラル状の導体パターン、絶縁膜、
磁性体膜を有し、他方の表面上にも順次積み重ねて設け
られた２個のスパイラル状の導体パターン、絶縁膜を有
する請求項１記載の調整磁気デバイス。 - 【請求項５】 絶縁基板の一方の表面上に順次重ねて設
けられた２個のスパイラル状の導体パターン、磁性体膜
を有し、他方の表面上にも順次積み重ねて設けられた２
個のスパイラル状の導体パターン、磁性体膜を有し、一
方の表面上と他方の表面上に設けられた各２個のスパイ
ラル状の導体パターンを絶縁基板に設けられた孔を通じ
て互いに接続して一個のコイルを形成し、さらに一方の
表面上と他方の表面上に設けられた磁性体膜をスパイラ
ル状の導体パターンの周囲、および中心部に設けられた
絶縁基板の孔を通じて互いに接続してあり、一方の表面
上に形成された２個のスパイラル状の導体パターンの間
に設けられた磁性体膜を切断することによりインダクタ
ンスを変化させる調整磁気デバイスであって、前記一方
の表面上に形成された２個のスパイラル状の導体パター
ンは絶縁ギャップを間に挟んで点対称に並置した一対の
導体パターンとし、かつ前記一対の導体パターンの各々
の外部取り出し電極端子を点対称の位置に配置し、前記
他方の表面上に形成された２個のスパイラル状の導体パ
ターンは点対称に並置し、該表面上で相互に接続して、
かつ前記一対の導体パターンの各々の外部取り出し電極
端子を点対称の位置に配置してあり、前記磁性体膜の切
断ラインを前記絶縁ギャップ上に設定したことを特徴と
する調整磁気デバイス。 - 【請求項６】 絶縁基板の一方の表面上に順次重ねて設
けられた２個のスパイラル状の導体パターン、絶縁膜、
磁性体膜を有し、他方の表面上にも順次積み重ねて設け
られた２個のスパイラル状の導体パターン、絶縁膜、磁
性体膜を有する請求項５記載の調整磁気デバイス。 - 【請求項７】 絶縁基板の一方の表面上に順次重ねて設
けられた２個のスパイラル状の導体パターン、磁性体膜
を有し、他方の表面上にも２個のスパイラル状の導体パ
ターンを有する請求項５記載の調整磁気デバイス。 - 【請求項８】 絶縁基板の一方の表面上に順次重ねて設
けられた２個のスパイラル状の導体パターン、絶縁膜、
磁性体膜を有し、他方の表面上にも順次積み重ねて設け
られた２個のスパイラル状の導体パターン、絶縁膜を有
する請求項５記載の調整磁気デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10927195A JPH08306533A (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 調整磁気デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10927195A JPH08306533A (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 調整磁気デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08306533A true JPH08306533A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14505946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10927195A Pending JPH08306533A (ja) | 1995-05-08 | 1995-05-08 | 調整磁気デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08306533A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6624735B2 (en) | 2000-04-06 | 2003-09-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Three-terminal variable inductor and method of making the same |
| JP2008034632A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Seiko Epson Corp | インターポーザーとその製造方法及び半導体モジュール並びにその製造方法 |
-
1995
- 1995-05-08 JP JP10927195A patent/JPH08306533A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6624735B2 (en) | 2000-04-06 | 2003-09-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Three-terminal variable inductor and method of making the same |
| JP2008034632A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Seiko Epson Corp | インターポーザーとその製造方法及び半導体モジュール並びにその製造方法 |
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