JP2001250725A - 可変インダクタンス素子およびその製造方法 - Google Patents
可変インダクタンス素子およびその製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
-
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- H01F21/12—Variable inductances or transformers of the signal type discontinuously variable, e.g. tapped
-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｑ値が高く、かつ、インダクタンス値の可変
範囲が広い可変インダクタンス素子を提供する。 【解決手段】 導体パターン２の一方の端面から平行に
２本のトリミング溝１０ａ，１０ｂを形成する。導体パ
ターン２の他方の端面から平行に２本のトリミング溝１
１ａ，１１ｂを形成する。これらトリミング溝１０ａ，
１０ｂ，１１ａ，１１ｂは、入出力のために引き出され
ている端部２ａと２ｂを結ぶ仮想線Ｐを横切るように形
成されている。こうして、導体パターン２の２本のトリ
ミング溝１０ａと１０ｂの間に磁界干渉防止のための矩
形状ダミーパターン領域３ａが形成され、トリミング溝
１１ａと１１ｂの間に磁界干渉防止のための矩形状ダミ
ーパターン領域３ｂが形成される。そして、これらダミ
ーパターン領域３ａ，３ｂ以外の導体パターン２に、蛇
行状インダクタパターン領域４が形成される。
範囲が広い可変インダクタンス素子を提供する。 【解決手段】 導体パターン２の一方の端面から平行に
２本のトリミング溝１０ａ，１０ｂを形成する。導体パ
ターン２の他方の端面から平行に２本のトリミング溝１
１ａ，１１ｂを形成する。これらトリミング溝１０ａ，
１０ｂ，１１ａ，１１ｂは、入出力のために引き出され
ている端部２ａと２ｂを結ぶ仮想線Ｐを横切るように形
成されている。こうして、導体パターン２の２本のトリ
ミング溝１０ａと１０ｂの間に磁界干渉防止のための矩
形状ダミーパターン領域３ａが形成され、トリミング溝
１１ａと１１ｂの間に磁界干渉防止のための矩形状ダミ
ーパターン領域３ｂが形成される。そして、これらダミ
ーパターン領域３ａ，３ｂ以外の導体パターン２に、蛇
行状インダクタパターン領域４が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、可変インダクタン
ス素子、特に、携帯電話などの移動体通信機器等に使用
される可変インダクタンス素子およびその製造方法に関
する。
ス素子、特に、携帯電話などの移動体通信機器等に使用
される可変インダクタンス素子およびその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、小型化が著しい携帯電話などの移
動体通信機器にあっては、それに使用される電子部品に
対しても厳しい小型化が要求されている。また、これら
移動体通信機器は使用する周波数が高くなるにつれて回
路も複雑になり、実装される電子部品に対してもその定
数が狭偏差で精度の高いものが要求されている。
動体通信機器にあっては、それに使用される電子部品に
対しても厳しい小型化が要求されている。また、これら
移動体通信機器は使用する周波数が高くなるにつれて回
路も複雑になり、実装される電子部品に対してもその定
数が狭偏差で精度の高いものが要求されている。
【０００３】しかしながら、個々の電子部品として定数
が狭偏差で精度の高いものを使用して回路を構成したと
しても、実装される電子部品個々の定数の偏差が集積さ
れ、所望の機能を発揮できないものも生じる。そこで、
回路を構成する電子部品のうちの必要なものの定数を可
変とし、その電子部品が有している定数を微調整するこ
とにより、回路が所望の機能を発揮できるようにしてい
る。
が狭偏差で精度の高いものを使用して回路を構成したと
しても、実装される電子部品個々の定数の偏差が集積さ
れ、所望の機能を発揮できないものも生じる。そこで、
回路を構成する電子部品のうちの必要なものの定数を可
変とし、その電子部品が有している定数を微調整するこ
とにより、回路が所望の機能を発揮できるようにしてい
る。
【０００４】従来のこの種の微調整の方法の一例を図１
１に示す。該微調整の方法は、信号パターン３１，３２
の間に、インダクタンス素子として機能するトリミング
電極３４を形成しておき、図示しないレーザトリミング
機から発射されるレーザ光をトリミング電極３４に照射
しつつ直線的に移動させる。トリミング電極３４は、レ
ーザ光の移動軌跡に応じて部分的に除去され、直線状の
トリミング溝３５が形成される。これにより、トリミン
グ電極３４に略蛇行状インダクタパターンが形成され、
トリミング電極３４のインダクタンス値が微調整され
る。
１に示す。該微調整の方法は、信号パターン３１，３２
の間に、インダクタンス素子として機能するトリミング
電極３４を形成しておき、図示しないレーザトリミング
機から発射されるレーザ光をトリミング電極３４に照射
しつつ直線的に移動させる。トリミング電極３４は、レ
ーザ光の移動軌跡に応じて部分的に除去され、直線状の
トリミング溝３５が形成される。これにより、トリミン
グ電極３４に略蛇行状インダクタパターンが形成され、
トリミング電極３４のインダクタンス値が微調整され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の可変
インダクタンス素子は、トリミング電極３４が小さい
と、インダクタンス値の可変範囲が狭くなって回路の微
調整ができなくなるので、トリミング電極３４を大きく
している。しかしながら、通信機器の小型化が進むにつ
れ、トリミング電極３４が回路基板上で占める割合が大
きくなり、小型化、省スペース化の妨げとなっている。
インダクタンス素子は、トリミング電極３４が小さい
と、インダクタンス値の可変範囲が狭くなって回路の微
調整ができなくなるので、トリミング電極３４を大きく
している。しかしながら、通信機器の小型化が進むにつ
れ、トリミング電極３４が回路基板上で占める割合が大
きくなり、小型化、省スペース化の妨げとなっている。
【０００６】このため、インダクタンス値の可変範囲を
広くする必要があるときには、図１２に示すように、ト
リミング溝３５を交互に形成することによって、トリミ
ング電極３４に形成される略蛇行状インダクタパターン
の線路長を長くすることが提案されている。しかし、高
精度のレーザトリミング機を使用した場合、一回のトリ
ミングで形成されるトリミング溝３５の溝幅（トリミン
グ幅）は一般に３０〜５０μｍと細い。このため、略蛇
行状インダクタパターンの隣り合う部分でそれぞれ発生
する磁界が相互に干渉して打ち消し合い、線路長を長く
してもインダクタンス値が所望の値とならない。従っ
て、トリミング溝３５の本数が必要以上に増え、トリミ
ングの作業時間が長くなったり、インダクタパターンの
パターン幅が狭くなってＱ特性が低下するなどの問題が
ある。
広くする必要があるときには、図１２に示すように、ト
リミング溝３５を交互に形成することによって、トリミ
ング電極３４に形成される略蛇行状インダクタパターン
の線路長を長くすることが提案されている。しかし、高
精度のレーザトリミング機を使用した場合、一回のトリ
ミングで形成されるトリミング溝３５の溝幅（トリミン
グ幅）は一般に３０〜５０μｍと細い。このため、略蛇
行状インダクタパターンの隣り合う部分でそれぞれ発生
する磁界が相互に干渉して打ち消し合い、線路長を長く
してもインダクタンス値が所望の値とならない。従っ
て、トリミング溝３５の本数が必要以上に増え、トリミ
ングの作業時間が長くなったり、インダクタパターンの
パターン幅が狭くなってＱ特性が低下するなどの問題が
ある。
【０００７】そこで、本発明の目的は、インダクタンス
値の可変範囲が広く、Ｑ値が高く、かつ、インダクタン
ス値を効率良く微調整することができる可変インダクタ
ンス素子およびその製造方法を提供することにある。
値の可変範囲が広く、Ｑ値が高く、かつ、インダクタン
ス値を効率良く微調整することができる可変インダクタ
ンス素子およびその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】前記目的を達成
するため、本発明に係る可変インダクタンス素子は、導
体パターンの少なくとも同一端面から２本以上のトリミ
ング溝を形成することにより、前記導体パターンの前記
トリミング溝の間に磁界干渉防止のためのダミーパター
ン領域を形成するとともに、前記導体パターンに略蛇行
状インダクタパターン領域を形成し、略蛇行状インダク
タパターン領域の隣り合う部分に前記ダミーパターン領
域が挟まれていることを特徴とする。
するため、本発明に係る可変インダクタンス素子は、導
体パターンの少なくとも同一端面から２本以上のトリミ
ング溝を形成することにより、前記導体パターンの前記
トリミング溝の間に磁界干渉防止のためのダミーパター
ン領域を形成するとともに、前記導体パターンに略蛇行
状インダクタパターン領域を形成し、略蛇行状インダク
タパターン領域の隣り合う部分に前記ダミーパターン領
域が挟まれていることを特徴とする。
【０００９】また、本発明に係る可変インダクタンス素
子の製造方法は、（ａ）絶縁性基板の表面に導体パター
ンを形成する工程と、（ｂ）前記導体パターンの少なく
とも同一端面からトリミング溝を２本以上形成し、前記
導体パターンのトリミング溝の間に磁界干渉防止のため
のダミーパターン領域を形成するとともに、前記導体パ
ターンに略蛇行状インダクタパターン領域を形成する工
程と、を備えたことを特徴とする。
子の製造方法は、（ａ）絶縁性基板の表面に導体パター
ンを形成する工程と、（ｂ）前記導体パターンの少なく
とも同一端面からトリミング溝を２本以上形成し、前記
導体パターンのトリミング溝の間に磁界干渉防止のため
のダミーパターン領域を形成するとともに、前記導体パ
ターンに略蛇行状インダクタパターン領域を形成する工
程と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】ここに、導体パターンは、チップ部品の絶
縁性基板の表面、あるいは、回路パターンが設けられて
いる回路基板の表面などに設けられている。そして、前
記２本以上のトリミング溝を略平行に形成し、略蛇行状
インダクタパターン領域の隣り合う部分の間隔が、略蛇
行状インダクタパターン領域のパターン幅の２倍以上に
設定することが好ましい。
縁性基板の表面、あるいは、回路パターンが設けられて
いる回路基板の表面などに設けられている。そして、前
記２本以上のトリミング溝を略平行に形成し、略蛇行状
インダクタパターン領域の隣り合う部分の間隔が、略蛇
行状インダクタパターン領域のパターン幅の２倍以上に
設定することが好ましい。
【００１１】以上の構成により、略蛇行状インダクタパ
ターン領域の隣り合う部分にダミーパターン領域を挟ん
でいるため、インダクタパターン領域の隣り合う部分で
それぞれ発生する磁界の間の距離が大きくなり、磁界の
干渉が抑えられる。そして、導体パターンの少なくとも
同一端面から形成される２本以上のトリミング溝の位置
や長さや数を変化させると、トリミング溝の間に形成さ
れる磁界干渉防止のためのダミーパターン領域の数や面
積、ダミーパターン領域とダミーパターン領域との間の
スペースが変化する。同時に、略蛇行状インダクタパタ
ーン領域のパターン幅や線路長が変化し、そのインダク
タンス値が変化する。
ターン領域の隣り合う部分にダミーパターン領域を挟ん
でいるため、インダクタパターン領域の隣り合う部分で
それぞれ発生する磁界の間の距離が大きくなり、磁界の
干渉が抑えられる。そして、導体パターンの少なくとも
同一端面から形成される２本以上のトリミング溝の位置
や長さや数を変化させると、トリミング溝の間に形成さ
れる磁界干渉防止のためのダミーパターン領域の数や面
積、ダミーパターン領域とダミーパターン領域との間の
スペースが変化する。同時に、略蛇行状インダクタパタ
ーン領域のパターン幅や線路長が変化し、そのインダク
タンス値が変化する。
【００１２】また、導体パターンの対向する二つの端面
からそれぞれ２本以上のトリミング溝の組を交互に形成
することにより、インダクタパターン領域の線路長をよ
り長くすることができる。
からそれぞれ２本以上のトリミング溝の組を交互に形成
することにより、インダクタパターン領域の線路長をよ
り長くすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る可変インダク
タンス素子およびその製造方法の実施形態について、添
付図面を参照して説明する。
タンス素子およびその製造方法の実施形態について、添
付図面を参照して説明する。
【００１４】［第１実施形態、図１〜図５］図１に示す
ように、絶縁性基板１の上面を平滑な面になるように研
磨した後、厚膜印刷法、あるいはスパッタリング、蒸着
等の薄膜形成法により広面積の導体パターン２を絶縁性
基板１の上面に形成する。厚膜印刷法は、例えば所望の
パターン形状を有した開口を備えたスクリーン版を絶縁
性基板１の上面に被せた後、導電性ペーストをスクリー
ン版の上から塗布し、スクリーン版の開口から露出した
絶縁性基板１の上面に、比較的膜厚の厚い所望のパター
ン形状の導電体（第１実施形態の場合、導体パターン
２）を形成する方法である。
ように、絶縁性基板１の上面を平滑な面になるように研
磨した後、厚膜印刷法、あるいはスパッタリング、蒸着
等の薄膜形成法により広面積の導体パターン２を絶縁性
基板１の上面に形成する。厚膜印刷法は、例えば所望の
パターン形状を有した開口を備えたスクリーン版を絶縁
性基板１の上面に被せた後、導電性ペーストをスクリー
ン版の上から塗布し、スクリーン版の開口から露出した
絶縁性基板１の上面に、比較的膜厚の厚い所望のパター
ン形状の導電体（第１実施形態の場合、導体パターン
２）を形成する方法である。
【００１５】また、薄膜形成法は、例えば以下に説明す
る方法である。絶縁性基板１の上面の略全面にスパッタ
リング法等で比較的膜厚の薄い導電性膜を形成した後、
レジスト膜（例えば感光性樹脂膜等）をスピンコート又
は印刷により導電性膜の略全体に形成する。次に、レジ
スト膜の上面に所定の画像パターンが形成されたマスク
フィルムを被せ、紫外線等を照射する等の方法により、
レジスト膜の所望の部分を硬化させる。次に、硬化した
部分を残してレジスト膜を除去した後、露出した部分の
導電性膜をエッチングにより除去し、所望のパターン形
状の導電体を形成する。この後、硬化したレジスト膜を
除去する。
る方法である。絶縁性基板１の上面の略全面にスパッタ
リング法等で比較的膜厚の薄い導電性膜を形成した後、
レジスト膜（例えば感光性樹脂膜等）をスピンコート又
は印刷により導電性膜の略全体に形成する。次に、レジ
スト膜の上面に所定の画像パターンが形成されたマスク
フィルムを被せ、紫外線等を照射する等の方法により、
レジスト膜の所望の部分を硬化させる。次に、硬化した
部分を残してレジスト膜を除去した後、露出した部分の
導電性膜をエッチングにより除去し、所望のパターン形
状の導電体を形成する。この後、硬化したレジスト膜を
除去する。
【００１６】さらに、別の形成方法として、絶縁性基板
１の上面に感光性導電ペーストを塗布し、その後、所定
の画像パターンが形成されたマスクフィルムを被せて露
光し、現像する方法でもよい。導体パターン２は、絶縁
性基板１上の略全面に配設されている。
１の上面に感光性導電ペーストを塗布し、その後、所定
の画像パターンが形成されたマスクフィルムを被せて露
光し、現像する方法でもよい。導体パターン２は、絶縁
性基板１上の略全面に配設されている。
【００１７】導体パターン２の一方の端部２ａは絶縁性
基板１の左辺の奥寄りに引き出され、他方の端部２ｂは
絶縁性基板１の右辺の手前寄りに引き出されている。絶
縁性基板１の材料としては、ガラス、ガラスセラミック
ス、アルミナ、フェライト、Ｓｉ、ＳｉＯ2等が使用さ
れる。導体パターン２の材料としては、Ａｇ，Ａｇ−Ｐ
ｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，Ａｌ等が使用される。
基板１の左辺の奥寄りに引き出され、他方の端部２ｂは
絶縁性基板１の右辺の手前寄りに引き出されている。絶
縁性基板１の材料としては、ガラス、ガラスセラミック
ス、アルミナ、フェライト、Ｓｉ、ＳｉＯ2等が使用さ
れる。導体パターン２の材料としては、Ａｇ，Ａｇ−Ｐ
ｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，Ａｌ等が使用される。
【００１８】さらに、必要に応じて、液状の絶縁性材料
（ポリイミド、ガラス、ガラスセラミックス等）を絶縁
性基板１の上面側全面にスピンコート又は印刷等により
塗布、乾燥及び焼成して、導体パターン２を被覆する絶
縁保護膜を形成する。
（ポリイミド、ガラス、ガラスセラミックス等）を絶縁
性基板１の上面側全面にスピンコート又は印刷等により
塗布、乾燥及び焼成して、導体パターン２を被覆する絶
縁保護膜を形成する。
【００１９】次に、絶縁性基板１の長手方向の左右の端
部に入出力外部電極６，７を設ける。入出力外部電極６
は導体パターン２の端部２ａに電気的に接続し、入出力
外部電極７は導体パターン２の端部２ｂに電気的に接続
している。入出力外部電極６，７は、Ａｇ，Ａｇ−Ｐ
ｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の導電性ペース
トを塗布、焼付けた上に、湿式電解めっきによりＮｉ，
Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂ等の金属膜が形成されたり、また、ス
パッタリング、蒸着などによって形成される。
部に入出力外部電極６，７を設ける。入出力外部電極６
は導体パターン２の端部２ａに電気的に接続し、入出力
外部電極７は導体パターン２の端部２ｂに電気的に接続
している。入出力外部電極６，７は、Ａｇ，Ａｇ−Ｐ
ｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の導電性ペース
トを塗布、焼付けた上に、湿式電解めっきによりＮｉ，
Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂ等の金属膜が形成されたり、また、ス
パッタリング、蒸着などによって形成される。
【００２０】こうして得られた可変インダクタンス素子
９を、印刷配線板等に実装した後、導体パターン２をト
リミングする。すなわち、図２に示すように、レーザビ
ームＬを移動させつつ可変インダクタンス素子９の上面
側から照射して、導体パターン２の奥側の端面から平行
に２本のトリミング溝１０ａ，１０ｂを形成する。同様
に、導体パターン２の手前側の端面から平行に２本のト
リミング溝１１ａ，１１ｂを形成する。これらトリミン
グ溝１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂは、図３に示すよ
うに、入出力のために引き出されている端部２ａと２ｂ
を結ぶ仮想線Ｐを横切るように形成されている。こうし
て、導体パターン２の２本のトリミング溝１０ａと１０
ｂの間に磁界干渉防止のための矩形状ダミーパターン領
域３ａが形成され、トリミング溝１１ａと１１ｂの間に
磁界干渉防止のための矩形状ダミーパターン領域３ｂが
形成される。そして、これらダミーパターン領域３ａ，
３ｂ以外の導体パターン２に、蛇行状インダクタパター
ン領域４が形成される。蛇行状インダクタパターン領域
４は、その両端部２ａ，２ｂが入出力外部電極６，７に
電気的に接続されている。
９を、印刷配線板等に実装した後、導体パターン２をト
リミングする。すなわち、図２に示すように、レーザビ
ームＬを移動させつつ可変インダクタンス素子９の上面
側から照射して、導体パターン２の奥側の端面から平行
に２本のトリミング溝１０ａ，１０ｂを形成する。同様
に、導体パターン２の手前側の端面から平行に２本のト
リミング溝１１ａ，１１ｂを形成する。これらトリミン
グ溝１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂは、図３に示すよ
うに、入出力のために引き出されている端部２ａと２ｂ
を結ぶ仮想線Ｐを横切るように形成されている。こうし
て、導体パターン２の２本のトリミング溝１０ａと１０
ｂの間に磁界干渉防止のための矩形状ダミーパターン領
域３ａが形成され、トリミング溝１１ａと１１ｂの間に
磁界干渉防止のための矩形状ダミーパターン領域３ｂが
形成される。そして、これらダミーパターン領域３ａ，
３ｂ以外の導体パターン２に、蛇行状インダクタパター
ン領域４が形成される。蛇行状インダクタパターン領域
４は、その両端部２ａ，２ｂが入出力外部電極６，７に
電気的に接続されている。
【００２１】蛇行状インダクタパターン領域４の隣り合
う部分には、ダミーパターン領域３ａ，３ｂが挟まれて
いるので、インダクタパターン領域４の隣り合う部分で
それぞれ発生する磁界の間の距離が大きくなり、磁界の
干渉を抑えることができる。
う部分には、ダミーパターン領域３ａ，３ｂが挟まれて
いるので、インダクタパターン領域４の隣り合う部分で
それぞれ発生する磁界の間の距離が大きくなり、磁界の
干渉を抑えることができる。
【００２２】そして、トリミング溝１０ａ，１０ｂ，１
１ａ，１１ｂの位置や長さＪを変化させると、ダミーパ
ターン領域３ａ，３ｂの面積、領域３ａと領域３ｂとの
間のスペースが変化する。これにより、蛇行状インダク
タパターン領域４のパターン幅や線路長が変化し、蛇行
状インダクタパターン領域４のインダクタンス値を広範
囲かつ無段階に変化させ、効率良く所望のインダクタン
ス値に微調整することができる。このとき、インダクタ
ンス素子９は、高周波回路に必要な高いＱ値を確保して
いる。
１ａ，１１ｂの位置や長さＪを変化させると、ダミーパ
ターン領域３ａ，３ｂの面積、領域３ａと領域３ｂとの
間のスペースが変化する。これにより、蛇行状インダク
タパターン領域４のパターン幅や線路長が変化し、蛇行
状インダクタパターン領域４のインダクタンス値を広範
囲かつ無段階に変化させ、効率良く所望のインダクタン
ス値に微調整することができる。このとき、インダクタ
ンス素子９は、高周波回路に必要な高いＱ値を確保して
いる。
【００２３】このように、蛇行状インダクタパターン領
域４の隣り合う部分にダミーパターン領域３ａ，３ｂを
形成して、磁界の干渉を抑えるようにすることで、従来
より広い範囲でのインダクタンス調整が可能となる。図
４は、２．０ｍｍ×１．２５ｍｍサイズの可変インダク
タンス素子９を使用して、トリミング溝の長さＪを変化
させたときのインダクタンス変化率を測定した結果を示
すグラフである（実線１５参照）。比較のために、図４
には、蛇行状インダクタパターンの隣り合う部分の間に
トリミング溝しか有さない図１２に示す従来の可変イン
ダクタンス素子の測定結果も併せて記載している（点線
１６参照）。図４から、本第１実施形態の可変インダク
タンス素子９は、従来のインダクタンス素子と比較し
て、インダクタンス調整可能範囲が約１０％広くなるこ
とがわかる。
域４の隣り合う部分にダミーパターン領域３ａ，３ｂを
形成して、磁界の干渉を抑えるようにすることで、従来
より広い範囲でのインダクタンス調整が可能となる。図
４は、２．０ｍｍ×１．２５ｍｍサイズの可変インダク
タンス素子９を使用して、トリミング溝の長さＪを変化
させたときのインダクタンス変化率を測定した結果を示
すグラフである（実線１５参照）。比較のために、図４
には、蛇行状インダクタパターンの隣り合う部分の間に
トリミング溝しか有さない図１２に示す従来の可変イン
ダクタンス素子の測定結果も併せて記載している（点線
１６参照）。図４から、本第１実施形態の可変インダク
タンス素子９は、従来のインダクタンス素子と比較し
て、インダクタンス調整可能範囲が約１０％広くなるこ
とがわかる。
【００２４】また、本第１実施形態では、インダクタパ
ターン領域４の絶縁性基板１の幅方向に平行に延在する
部分のパターン幅Ｖと長手方向に平行に延在する部分の
パターン幅Ｈとを略等しくして、インダクタパターン領
域４のパターン幅が全長に渡って略一定になるようにし
ている。そして、トリミング溝１０ａ，１０ｂ間の距離
Ｄ並びにトリミング溝１１ａ，１１ｂ間の距離Ｄをパタ
ーン幅Ｖの２倍以上に設定している。これにより、イン
ダクタパターン領域４の隣接する部分の間隔Ｄがパター
ン幅Ｖの２倍以上になる。この結果、インダクタパター
ン領域４の隣り合う部分でそれぞれ発生する磁界の間の
距離がさらに大きくなり、磁界の干渉を確実に抑えるこ
とができる。従って、インダクタンス素子９のＱ値をさ
らに高くすることができる。
ターン領域４の絶縁性基板１の幅方向に平行に延在する
部分のパターン幅Ｖと長手方向に平行に延在する部分の
パターン幅Ｈとを略等しくして、インダクタパターン領
域４のパターン幅が全長に渡って略一定になるようにし
ている。そして、トリミング溝１０ａ，１０ｂ間の距離
Ｄ並びにトリミング溝１１ａ，１１ｂ間の距離Ｄをパタ
ーン幅Ｖの２倍以上に設定している。これにより、イン
ダクタパターン領域４の隣接する部分の間隔Ｄがパター
ン幅Ｖの２倍以上になる。この結果、インダクタパター
ン領域４の隣り合う部分でそれぞれ発生する磁界の間の
距離がさらに大きくなり、磁界の干渉を確実に抑えるこ
とができる。従って、インダクタンス素子９のＱ値をさ
らに高くすることができる。
【００２５】図５は、２．０ｍｍ×１．２５ｍｍサイズ
の可変インダクタンス素子９を使用して、Ｑ特性を測定
した結果を示すグラフである。実線１７は、インダクタ
パターン領域４の隣接する部分の間隔Ｄをパターン幅Ｖ
の２倍に設定したときの測定結果を表示し、実線１８
は、間隔Ｄをパターン幅Ｖと同じに設定したときの測定
結果を表示している。実線１７と実線１８を比較する
と、間隔Ｄをパターン幅Ｖの２倍に設定することによ
り、Ｑ値が約１０％向上していることがわかる。比較の
ために、図５には、図１１に示す従来の可変インダクタ
ンス素子の測定結果も併せて記載している（点線１９参
照）。本第１実施形態の可変インダクタンス素子９は、
従来の可変インダクタンス素子と比較して、Ｑ値が約４
０％高くできた。
の可変インダクタンス素子９を使用して、Ｑ特性を測定
した結果を示すグラフである。実線１７は、インダクタ
パターン領域４の隣接する部分の間隔Ｄをパターン幅Ｖ
の２倍に設定したときの測定結果を表示し、実線１８
は、間隔Ｄをパターン幅Ｖと同じに設定したときの測定
結果を表示している。実線１７と実線１８を比較する
と、間隔Ｄをパターン幅Ｖの２倍に設定することによ
り、Ｑ値が約１０％向上していることがわかる。比較の
ために、図５には、図１１に示す従来の可変インダクタ
ンス素子の測定結果も併せて記載している（点線１９参
照）。本第１実施形態の可変インダクタンス素子９は、
従来の可変インダクタンス素子と比較して、Ｑ値が約４
０％高くできた。
【００２６】なお、導体パターン２のトリミングはレー
ザビームに限らず、サンドブラスト等いかなる手段で行
ってもよく、また、導体パターン２が電気的に切断され
ていれば、トリミング溝１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１
ｂは物理的に凹んだ構造になっていなくともよい。
ザビームに限らず、サンドブラスト等いかなる手段で行
ってもよく、また、導体パターン２が電気的に切断され
ていれば、トリミング溝１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１
ｂは物理的に凹んだ構造になっていなくともよい。
【００２７】［第２実施形態、図６および図７］本第２
実施形態では、図６に示すように、印刷配線板２１に直
接、導体パターン２２を形成する。印刷配線板２１の材
料としては、ガラスエポキシ樹脂、ガラスフッ素樹脂、
アルミナ、紙フェノール樹脂等が使用される。インダク
タンス素子２０として機能する導体パターン２２は、信
号パターン２８，２９の間に挿入されている。
実施形態では、図６に示すように、印刷配線板２１に直
接、導体パターン２２を形成する。印刷配線板２１の材
料としては、ガラスエポキシ樹脂、ガラスフッ素樹脂、
アルミナ、紙フェノール樹脂等が使用される。インダク
タンス素子２０として機能する導体パターン２２は、信
号パターン２８，２９の間に挿入されている。
【００２８】図７に示すように、パルス状のレーザビー
ムを移動させつつ導体パターン２２を照射し、そのエネ
ルギーで導体パターン２２のレーザビーム照射部分を除
去して導体パターン２２の一方の端面から平行に２本の
トリミング溝２６ａ，２６ｂを形成する。同様に、導体
パターン２２の他方の端面から平行に２本のトリミング
溝２７ａ，２７ｂを形成する。これにより、導体パター
ン２２の２本のトリミング溝２６ａ，２６ｂの間に磁界
干渉防止のための矩形状ダミーパターン領域２３ａが形
成され、トリミング溝２７ａと２７ｂの間に磁界干渉防
止のための矩形状ダミーパターン領域２３ｂが形成され
る。そして、これらダミーパターン領域２３ａ，２３ｂ
以外の導体パターン２２に、蛇行状インダクタパターン
領域２４が形成される。蛇行状インダクタパターン領域
２４は、その両端部が信号パターン２８，２９に電気的
に接続されている。
ムを移動させつつ導体パターン２２を照射し、そのエネ
ルギーで導体パターン２２のレーザビーム照射部分を除
去して導体パターン２２の一方の端面から平行に２本の
トリミング溝２６ａ，２６ｂを形成する。同様に、導体
パターン２２の他方の端面から平行に２本のトリミング
溝２７ａ，２７ｂを形成する。これにより、導体パター
ン２２の２本のトリミング溝２６ａ，２６ｂの間に磁界
干渉防止のための矩形状ダミーパターン領域２３ａが形
成され、トリミング溝２７ａと２７ｂの間に磁界干渉防
止のための矩形状ダミーパターン領域２３ｂが形成され
る。そして、これらダミーパターン領域２３ａ，２３ｂ
以外の導体パターン２２に、蛇行状インダクタパターン
領域２４が形成される。蛇行状インダクタパターン領域
２４は、その両端部が信号パターン２８，２９に電気的
に接続されている。
【００２９】蛇行状インダクタパターン領域２４の隣り
合う部分には、ダミーパターン領域２３ａ，２３ｂが挟
まれているので、インダクタパターン領域２４の隣り合
う部分でそれぞれ発生する磁界の間の距離が大きくな
り、磁界の干渉を抑えることができる。
合う部分には、ダミーパターン領域２３ａ，２３ｂが挟
まれているので、インダクタパターン領域２４の隣り合
う部分でそれぞれ発生する磁界の間の距離が大きくな
り、磁界の干渉を抑えることができる。
【００３０】［他の実施形態］なお、本発明に係る可変
インダクタンス素子およびその製造方法は前記実施形態
に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変
更することができる。
インダクタンス素子およびその製造方法は前記実施形態
に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変
更することができる。
【００３１】前記第１実施形態は個産の場合を例にして
説明しているが、量産する場合には、複数の可変インダ
クタンス素子を備えたマザー基板（ウエハ）の状態で製
造し、最終工程でダイシング、スクライブブレイク、レ
ーザ等の工法により製品サイズ毎に切り出す方法が効果
的である。また、２本のトリミング溝１０ａと１０ｂ
（あるいは、１１ａと１１ｂ）は、平行に形成されてい
るが、必ずしも平行である必要はなく、一方のトリミン
グ溝に対して他方のトリミング溝が傾斜していてもよ
い。さらに、トリミング溝は直線状以外に、曲線状であ
ってもよく、インダクタパターン領域の形状も略蛇行形
状であればよく、例えばｓｉｎ曲線を有する形状であっ
てもよい。
説明しているが、量産する場合には、複数の可変インダ
クタンス素子を備えたマザー基板（ウエハ）の状態で製
造し、最終工程でダイシング、スクライブブレイク、レ
ーザ等の工法により製品サイズ毎に切り出す方法が効果
的である。また、２本のトリミング溝１０ａと１０ｂ
（あるいは、１１ａと１１ｂ）は、平行に形成されてい
るが、必ずしも平行である必要はなく、一方のトリミン
グ溝に対して他方のトリミング溝が傾斜していてもよ
い。さらに、トリミング溝は直線状以外に、曲線状であ
ってもよく、インダクタパターン領域の形状も略蛇行形
状であればよく、例えばｓｉｎ曲線を有する形状であっ
てもよい。
【００３２】また、可変インダクタンス素子において、
必要なインダクタンス値に応じて、一つ（図８参照）の
ダミーパターン領域３ａが形成されるようにトリミング
溝１０ａ，１０ｂを形成してもよい。あるいは、蛇行状
インダクタパターン領域４の線路長をより長くするため
に、三つ（図９参照）もしくはそれ以上のダミーパター
ン領域３ａ，３ｂ，３ｃが形成されるように、導体パタ
ーン２の対向する二つの端面からそれぞれ平行に２本の
トリミング溝１０ａ，１０ｂ、１１ａ，１１ｂ、１２
ａ，１２ｂの組を交互に形成してもよい。
必要なインダクタンス値に応じて、一つ（図８参照）の
ダミーパターン領域３ａが形成されるようにトリミング
溝１０ａ，１０ｂを形成してもよい。あるいは、蛇行状
インダクタパターン領域４の線路長をより長くするため
に、三つ（図９参照）もしくはそれ以上のダミーパター
ン領域３ａ，３ｂ，３ｃが形成されるように、導体パタ
ーン２の対向する二つの端面からそれぞれ平行に２本の
トリミング溝１０ａ，１０ｂ、１１ａ，１１ｂ、１２
ａ，１２ｂの組を交互に形成してもよい。
【００３３】また、トリミング溝は必ずしも２本一組で
ある必要はなく、図１０に示すように、７本のトリミン
グ溝１０ａ〜１０ｇを導体パターン２の一端面から形成
するようにしてもよい。この場合、トリミング溝１０ａ
〜１０ｇの間にダミーパターン領域３ａ〜３ｆが形成さ
れる。
ある必要はなく、図１０に示すように、７本のトリミン
グ溝１０ａ〜１０ｇを導体パターン２の一端面から形成
するようにしてもよい。この場合、トリミング溝１０ａ
〜１０ｇの間にダミーパターン領域３ａ〜３ｆが形成さ
れる。
【００３４】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、トリミング溝の間に磁界干渉防止のための
ダミーパターン領域を形成し、略蛇行状インダクタパタ
ーン領域の隣り合う部分に前記ダミーパターン領域が挟
まれているので、インダクタパターン領域の隣り合う部
分でそれぞれ発生する磁界の間の距離が大きくなり、磁
界の干渉を抑えることができる。そして、トリミング溝
の位置や長さや数を変えてダミーパターン領域のパター
ン形状を変化させ、略蛇行状インダクタパターン領域の
パターン幅や蛇行数を変化させてインダクタパターン領
域のインダクタンス値を変化させるようにしたので、イ
ンダクタンス値を広範囲かつ無段階に効率良く微調整す
ることができ、所望のインダクタンス値を有し、かつ、
高いＱ値を有する高精度の可変インダクタンス素子を得
ることができる。
明によれば、トリミング溝の間に磁界干渉防止のための
ダミーパターン領域を形成し、略蛇行状インダクタパタ
ーン領域の隣り合う部分に前記ダミーパターン領域が挟
まれているので、インダクタパターン領域の隣り合う部
分でそれぞれ発生する磁界の間の距離が大きくなり、磁
界の干渉を抑えることができる。そして、トリミング溝
の位置や長さや数を変えてダミーパターン領域のパター
ン形状を変化させ、略蛇行状インダクタパターン領域の
パターン幅や蛇行数を変化させてインダクタパターン領
域のインダクタンス値を変化させるようにしたので、イ
ンダクタンス値を広範囲かつ無段階に効率良く微調整す
ることができ、所望のインダクタンス値を有し、かつ、
高いＱ値を有する高精度の可変インダクタンス素子を得
ることができる。
【００３５】さらに、略蛇行状インダクタパターン領域
の隣り合う部分の間隔を、パターン幅の２倍以上に設定
することにより、隣り合う部分でそれぞれ発生する磁界
の間の距離がさらに大きくなり、磁界の干渉を確実に抑
えることができる。従って、インダクタンス素子のＱ値
を更に高くすることができる。
の隣り合う部分の間隔を、パターン幅の２倍以上に設定
することにより、隣り合う部分でそれぞれ発生する磁界
の間の距離がさらに大きくなり、磁界の干渉を確実に抑
えることができる。従って、インダクタンス素子のＱ値
を更に高くすることができる。
【図１】本発明に係る可変インダクタンス素子の第１実
施形態の外観を示す斜視図。
施形態の外観を示す斜視図。
【図２】図１に示した可変インダクタンス素子のインダ
クタンス調整方法を説明するための斜視図。
クタンス調整方法を説明するための斜視図。
【図３】図１に示した可変インダクタンス素子の蛇行状
インダクタパターン領域とダミーパターン領域の平面
図。
インダクタパターン領域とダミーパターン領域の平面
図。
【図４】図１に示した可変インダクタンス素子のトリミ
ング溝の長さを変化させたときのインダクタンス変化率
を示すグラフ。
ング溝の長さを変化させたときのインダクタンス変化率
を示すグラフ。
【図５】図１に示した可変インダクタンス素子のＱ特性
を示すグラフ。
を示すグラフ。
【図６】本発明に係る可変インダクタンス素子の第２実
施形態の導体パターンの平面図。
施形態の導体パターンの平面図。
【図７】図６に示した可変インダクタンス素子の蛇行状
インダクタパターン領域とダミーパターン領域の平面
図。
インダクタパターン領域とダミーパターン領域の平面
図。
【図８】蛇行状インダクタパターン領域とダミーパター
ン領域の変形例を示す平面図。
ン領域の変形例を示す平面図。
【図９】蛇行状インダクタパターン領域とダミーパター
ン領域の他の変形例を示す平面図。
ン領域の他の変形例を示す平面図。
【図１０】蛇行状インダクタパターン領域とダミーパタ
ーン領域の他の変形例を示す平面図。
ーン領域の他の変形例を示す平面図。
【図１１】従来の可変インダクタンス素子のインダクタ
ンス値の調整方法の説明図。
ンス値の調整方法の説明図。
【図１２】従来の可変インダクタンス素子のインダクタ
ンス値の調整方法が有している問題点の説明図。
ンス値の調整方法が有している問題点の説明図。
１…絶縁性基板 ２，２２…導体パターン ３ａ〜３ｆ，２３ａ，２３ｂ…ダミーパターン領域 ４，２４…蛇行状インダクタパターン領域 ９，２０…可変インダクタンス素子 １０ａ〜１０ｇ，１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，２
６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂ…トリミング溝 ２１…印刷配線板 Ｄ…距離 Ｖ，Ｈ…パターン幅 Ｌ…レーザビーム
６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂ…トリミング溝 ２１…印刷配線板 Ｄ…距離 Ｖ，Ｈ…パターン幅 Ｌ…レーザビーム
Claims (6)
- 【請求項１】 導体パターンの少なくとも同一端面から
２本以上のトリミング溝を形成することにより、前記導
体パターンの前記トリミング溝の間に磁界干渉防止のた
めのダミーパターン領域を形成するとともに、前記導体
パターンに略蛇行状インダクタパターン領域を形成し、
略蛇行状インダクタパターン領域の隣り合う部分に前記
ダミーパターン領域が挟まれていることを特徴とする可
変インダクタンス素子。 - 【請求項２】 前記２本以上のトリミング溝が略平行に
形成され、前記略蛇行状インダクタパターン領域の隣り
合う部分の間隔が、前記略蛇行状インダクタパターン領
域のパターン幅の２倍以上であることを特徴とする請求
項１記載の可変インダクタンス素子。 - 【請求項３】 チップ部品の絶縁性基板の表面に前記導
体パターンが設けられていることを特徴とする請求項１
又は請求項２記載の可変インダクタンス素子。 - 【請求項４】 回路パターンが設けられている回路基板
の表面に前記導体パターンが設けられていることを特徴
とする請求項１又は請求項２記載の可変インダクタンス
素子。 - 【請求項５】 前記導体パターンの対向する二つの端面
からそれぞれ２本以上のトリミング溝の組が交互に形成
されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４記
載の可変インダクタンス素子。 - 【請求項６】 絶縁性基板の表面に導体パターンを形成
する工程と、 前記導体パターンの少なくとも同一端面からトリミング
溝を２本以上形成し、前記導体パターンのトリミング溝
の間に磁界干渉防止のためのダミーパターン領域を形成
するとともに、前記導体パターンに略蛇行状インダクタ
パターン領域を形成する工程と、を備えたことを特徴と
する可変インダクタンス素子の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000061782A JP3307382B2 (ja) | 2000-03-07 | 2000-03-07 | 可変インダクタンス素子およびその製造方法 |
| GB0105519A GB2360136B (en) | 2000-03-07 | 2001-03-06 | Variable inductance element and manufacturing method for the same |
| DE10110950A DE10110950A1 (de) | 2000-03-07 | 2001-03-07 | Element mit variabler Induktivität und Verfahren zum Herstellen desselben |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000061782A JP3307382B2 (ja) | 2000-03-07 | 2000-03-07 | 可変インダクタンス素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001250725A true JP2001250725A (ja) | 2001-09-14 |
| JP3307382B2 JP3307382B2 (ja) | 2002-07-24 |
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ID=18581876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000061782A Expired - Fee Related JP3307382B2 (ja) | 2000-03-07 | 2000-03-07 | 可変インダクタンス素子およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3307382B2 (ja) |
| DE (1) | DE10110950A1 (ja) |
| GB (1) | GB2360136B (ja) |
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| WO2014046013A1 (ja) * | 2012-09-20 | 2014-03-27 | 株式会社 豊田自動織機 | 平面コイル、トランスおよび平面コイルの製造方法 |
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| JPH08236308A (ja) * | 1995-02-22 | 1996-09-13 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品とその特性値調整方法 |
| JPH11144964A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-28 | Murata Mfg Co Ltd | 可変インダクタ素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2623730A1 (fr) * | 1987-11-27 | 1989-06-02 | Dion Biro Guy | Installation de fabrication de mousses, notamment pour la realisation d'elements de construction cellulaires permettant la fabrication de mousses avec de tres faibles proportions d'agent emulsifiant comprises entre 1 et 15 pour mille |
| JP2001052927A (ja) * | 1999-08-12 | 2001-02-23 | Murata Mfg Co Ltd | 可変インダクタンス素子 |
-
2000
- 2000-03-07 JP JP2000061782A patent/JP3307382B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-06 GB GB0105519A patent/GB2360136B/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-07 DE DE10110950A patent/DE10110950A1/de not_active Ceased
Patent Citations (3)
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| GB0105519D0 (en) | 2001-04-25 |
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