JP3384977B2 - 可変インダクタンス素子 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F21/00—Variable inductances or transformers of the signal type
- H01F21/12—Variable inductances or transformers of the signal type discontinuously variable, e.g. tapped
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- H01F41/041—Printed circuit coils
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、可変インダクタン
ス素子、特に、移動体通信機器等に使用される可変イン
ダクタンス素子に関する。
ス素子、特に、移動体通信機器等に使用される可変イン
ダクタンス素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】小型化の要求される電子機器、特に携帯
電話や自動車電話等の移動体通信機器においては、その
内部で使用される部品においても小型化が要求されてい
る。また、使用周波数が高くなるにつれて回路は複雑に
なり、使用部品は狭偏差であることが要求される。しか
し、実際、個々の部品には偏差があり、これらの部品を
実装して構成した回路が機能しない場合がある。そのた
め、回路を構成する部品群の一部に可変タイプの部品を
使用し、この可変タイプの部品を微調整することによ
り、回路を機能させる方法が採られている。その一つの
方法として、可変インダクタンス素子を使用する方法が
あり、従来より、インダクタンス調整部（トリミングパ
ターン）を有したインダクタンス素子等が知られてい
た。
電話や自動車電話等の移動体通信機器においては、その
内部で使用される部品においても小型化が要求されてい
る。また、使用周波数が高くなるにつれて回路は複雑に
なり、使用部品は狭偏差であることが要求される。しか
し、実際、個々の部品には偏差があり、これらの部品を
実装して構成した回路が機能しない場合がある。そのた
め、回路を構成する部品群の一部に可変タイプの部品を
使用し、この可変タイプの部品を微調整することによ
り、回路を機能させる方法が採られている。その一つの
方法として、可変インダクタンス素子を使用する方法が
あり、従来より、インダクタンス調整部（トリミングパ
ターン）を有したインダクタンス素子等が知られてい
た。
【０００３】図８は、インダクタンス調整部を有した可
変インダクタンス素子の一例を示す斜視図である。この
インダクタンス素子１は、絶縁性基板２の表面に渦巻形
状のコイル３を設けている。インダクタンス調整部は、
梯子状に配置された複数の電極４にて構成されており、
コイル３が設けられている領域内に位置している。コイ
ル３の一方の端部３ａは外部電極７に電気的に接続さ
れ、他方の端部３ｂは絶縁膜５上に配設されて外部電極
８に電気的に接続されている。そして、レーザビームを
可変インダクタンス素子１の上面側から照射する等し
て、電極４を順に一本ずつ切断することにより、外部電
極７と外部電極８との間のインダクタンス値を段階的に
微調整することができる。
変インダクタンス素子の一例を示す斜視図である。この
インダクタンス素子１は、絶縁性基板２の表面に渦巻形
状のコイル３を設けている。インダクタンス調整部は、
梯子状に配置された複数の電極４にて構成されており、
コイル３が設けられている領域内に位置している。コイ
ル３の一方の端部３ａは外部電極７に電気的に接続さ
れ、他方の端部３ｂは絶縁膜５上に配設されて外部電極
８に電気的に接続されている。そして、レーザビームを
可変インダクタンス素子１の上面側から照射する等し
て、電極４を順に一本ずつ切断することにより、外部電
極７と外部電極８との間のインダクタンス値を段階的に
微調整することができる。
【０００４】また、図９は、従来の別の可変インダクタ
ンス素子１１を示す斜視図である。このインダクタンス
素子１１は、絶縁性基板１２の表面に渦巻形状のコイル
１３を設けている。インダクタンス調整部は、引出し電
極１４ａ〜１４ｄにて構成されており、これら引出し電
極１４ａ〜１４ｄはコイル１３の途中からコイル１３が
設けられている領域外にそれぞれ引き出されている。引
出し電極１４ｃ，１４ｄは絶縁膜１５ａ，１５ｂ上に配
設されている。コイル１３の一方の端部１３ａは外部電
極１７に電気的に接続し、他方の端部１３ｂは絶縁膜１
５ｃ上に配設されて外部電極１８に電気的に接続してい
る。そして、引出し電極１４ａ〜１４ｄを順に一本ずつ
切断することにより、外部電極１７と外部電極１８との
間のインダクタンス値を調整することができる。
ンス素子１１を示す斜視図である。このインダクタンス
素子１１は、絶縁性基板１２の表面に渦巻形状のコイル
１３を設けている。インダクタンス調整部は、引出し電
極１４ａ〜１４ｄにて構成されており、これら引出し電
極１４ａ〜１４ｄはコイル１３の途中からコイル１３が
設けられている領域外にそれぞれ引き出されている。引
出し電極１４ｃ，１４ｄは絶縁膜１５ａ，１５ｂ上に配
設されている。コイル１３の一方の端部１３ａは外部電
極１７に電気的に接続し、他方の端部１３ｂは絶縁膜１
５ｃ上に配設されて外部電極１８に電気的に接続してい
る。そして、引出し電極１４ａ〜１４ｄを順に一本ずつ
切断することにより、外部電極１７と外部電極１８との
間のインダクタンス値を調整することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に
示した可変インダクタンス素子１は、コイル３が設けら
れている領域内に電極４を配置しているので、該電極４
がコイル３によって発生した磁界を遮ることになる。こ
の結果、インダクタンス素子１のＱ値が低くなるという
問題があった。
示した可変インダクタンス素子１は、コイル３が設けら
れている領域内に電極４を配置しているので、該電極４
がコイル３によって発生した磁界を遮ることになる。こ
の結果、インダクタンス素子１のＱ値が低くなるという
問題があった。
【０００６】また、図９に示した可変インダクタンス素
子１１は、絶縁膜１５ａ，１５ｂを介して引出し電極１
４ｃ，１４ｄとコイル１３とが対向しているため、両者
間に浮遊容量が発生する。従って、インダクタンス素子
１１は、浮遊容量の増加によって自己共振周波数が低下
する。さらに、インダクタンス素子１１の場合は、１タ
ーン単位でのインダクタンス値の調整となり、インダク
タンス値を微小単位で調整することができなかった。こ
のため、可変インダクタンス素子１，１１を、高周波回
路（特に、電圧制御発振回路等のように、高いＱ値を必
要とする回路）の調整用部品として使用することは困難
であった。
子１１は、絶縁膜１５ａ，１５ｂを介して引出し電極１
４ｃ，１４ｄとコイル１３とが対向しているため、両者
間に浮遊容量が発生する。従って、インダクタンス素子
１１は、浮遊容量の増加によって自己共振周波数が低下
する。さらに、インダクタンス素子１１の場合は、１タ
ーン単位でのインダクタンス値の調整となり、インダク
タンス値を微小単位で調整することができなかった。こ
のため、可変インダクタンス素子１，１１を、高周波回
路（特に、電圧制御発振回路等のように、高いＱ値を必
要とする回路）の調整用部品として使用することは困難
であった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、Ｑ値が高く、か
つ、インダクタンス値を微調整することができる可変イ
ンダクタンス素子を提供することにある。
つ、インダクタンス値を微調整することができる可変イ
ンダクタンス素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る可変インダクタンス素子は、 （ａ）絶縁性基板と、 （ｂ）前記絶縁性基板上に複数の薄膜コイル導体と絶縁
保護層を積み重ねて、前記薄膜コイル導体を電気的に直
列に接続して構成した積層型薄膜コイルと、 （ｃ）前記積層型薄膜コイルを構成している薄膜コイル
導体のうち、最上層の薄膜コイル導体と同一の層に設け
られ、前記積層型薄膜コイルに電気的に接続した、イン
ダクタンス値を調整するためにトリミングされるインダ
クタンス調整部と、 （ｄ）前記絶縁性基板の両端部にそれぞれ設けられた外
部電極とを備え、 （ｅ）前記インダクタンス調整部が、平面視で、前記積
層型薄膜コイルを構成している各層の薄膜コイル導体が
設けられている領域外に配置されるとともに、前記絶縁
性基板の長手方向および幅方向に延在した、二つの略Ｌ
字形腕部と該Ｌ字形腕部に橋渡された複数本の横桟とで
構成された梯子状電極からなること、を特徴とする。こ
こに、前記薄膜コイルの形状は螺旋形状とされる。
め、本発明に係る可変インダクタンス素子は、 （ａ）絶縁性基板と、 （ｂ）前記絶縁性基板上に複数の薄膜コイル導体と絶縁
保護層を積み重ねて、前記薄膜コイル導体を電気的に直
列に接続して構成した積層型薄膜コイルと、 （ｃ）前記積層型薄膜コイルを構成している薄膜コイル
導体のうち、最上層の薄膜コイル導体と同一の層に設け
られ、前記積層型薄膜コイルに電気的に接続した、イン
ダクタンス値を調整するためにトリミングされるインダ
クタンス調整部と、 （ｄ）前記絶縁性基板の両端部にそれぞれ設けられた外
部電極とを備え、 （ｅ）前記インダクタンス調整部が、平面視で、前記積
層型薄膜コイルを構成している各層の薄膜コイル導体が
設けられている領域外に配置されるとともに、前記絶縁
性基板の長手方向および幅方向に延在した、二つの略Ｌ
字形腕部と該Ｌ字形腕部に橋渡された複数本の横桟とで
構成された梯子状電極からなること、を特徴とする。こ
こに、前記薄膜コイルの形状は螺旋形状とされる。
【０００９】
【作用】インダクタンス調整部を、コイルが設けられて
いる領域外に配置しているため、コイルによって発生し
た磁界をインダクタンス調整部が遮る量が低減する。従
って、高Ｑ値のインダクタンス素子が得られる。さら
に、インダクタンス調整部の梯子状電極を順に一本ずつ
トリミング（切断）することにより、インダクタンス値
が段階的に微調整される。
いる領域外に配置しているため、コイルによって発生し
た磁界をインダクタンス調整部が遮る量が低減する。従
って、高Ｑ値のインダクタンス素子が得られる。さら
に、インダクタンス調整部の梯子状電極を順に一本ずつ
トリミング（切断）することにより、インダクタンス値
が段階的に微調整される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る可変インダク
タンス素子の実施形態について添付図面を参照して説明
する。
タンス素子の実施形態について添付図面を参照して説明
する。
【００１１】［第１実施形態、図１〜図５］図１に示す
ように、絶縁性基板２１の上面を平滑な面になるように
研磨した後、厚膜印刷法あるいはフォトリソグラフィ等
の薄膜形成法によりコイル２２、インダクタンス調整部
２３及び引出し電極２４を絶縁性基板２１の上面に形成
する。厚膜印刷法は、例えば所望のパターン形状を有し
た開口を備えたマスキング材を絶縁性基板２１の上面に
被せた後、導電性ペーストをマスキング材の上から塗布
し、マスキング材の開口から露出した絶縁性基板２１の
上面に、比較的膜厚の厚い所望のパターン形状の導電体
（第１実施形態の場合、コイル２２、インダクタンス調
整部２３及び引出し電極２４）を形成する方法である。
ように、絶縁性基板２１の上面を平滑な面になるように
研磨した後、厚膜印刷法あるいはフォトリソグラフィ等
の薄膜形成法によりコイル２２、インダクタンス調整部
２３及び引出し電極２４を絶縁性基板２１の上面に形成
する。厚膜印刷法は、例えば所望のパターン形状を有し
た開口を備えたマスキング材を絶縁性基板２１の上面に
被せた後、導電性ペーストをマスキング材の上から塗布
し、マスキング材の開口から露出した絶縁性基板２１の
上面に、比較的膜厚の厚い所望のパターン形状の導電体
（第１実施形態の場合、コイル２２、インダクタンス調
整部２３及び引出し電極２４）を形成する方法である。
【００１２】また、フォトリソグラフィ法は、例えば以
下に説明する方法である。絶縁性基板２１の上面の略全
面に比較的膜厚の薄い導電性膜を形成した後、レジスト
膜（例えば感光性樹脂膜等）をスピンコート又は印刷に
より導電性膜の略全体に形成する。次に、レジスト膜の
上面に所定の画像パターンが形成されたマスクフィルム
を被せ、紫外線等を照射する等の方法により、レジスト
膜の所望の部分を硬化させる。次に、硬化した部分を残
してレジスト膜を剥がした後、露出した部分の導電性膜
を除去し、所望のパターン形状の導電体（コイル２２、
インダクタンス調整部２３及び引出し電極２４）を形成
する。この後、硬化したレジスト膜を除去する。
下に説明する方法である。絶縁性基板２１の上面の略全
面に比較的膜厚の薄い導電性膜を形成した後、レジスト
膜（例えば感光性樹脂膜等）をスピンコート又は印刷に
より導電性膜の略全体に形成する。次に、レジスト膜の
上面に所定の画像パターンが形成されたマスクフィルム
を被せ、紫外線等を照射する等の方法により、レジスト
膜の所望の部分を硬化させる。次に、硬化した部分を残
してレジスト膜を剥がした後、露出した部分の導電性膜
を除去し、所望のパターン形状の導電体（コイル２２、
インダクタンス調整部２３及び引出し電極２４）を形成
する。この後、硬化したレジスト膜を除去する。
【００１３】さらに、フォトリソグラフィ法の別の例と
して、絶縁性基板２１の上面に感光性導電ペーストを塗
布し、その後所定の画像パターンが形成されたマスクフ
ィルムを被せて露光し、現像する方法でもよい。
して、絶縁性基板２１の上面に感光性導電ペーストを塗
布し、その後所定の画像パターンが形成されたマスクフ
ィルムを被せて露光し、現像する方法でもよい。
【００１４】コイル２２は渦巻形状であり、コイル２２
の一端２２ａにインダクタンス調整部２３が電気的に接
続している。インダクタンス調整部２３は、略Ｕ字状枠
部２３ａとこのＵ字状枠部２３ａの二つの腕部に橋渡さ
れた複数本の横桟２３ｂとで構成された梯子状電極であ
る。インダクタンス調整部２３の一方の端部２３ｃは、
絶縁性基板２１の右側端部に設けた引出し電極２４に電
気的に接続している。インダクタンス調整部２３は、コ
イル２２が設けられている領域外に、コイル２２に接近
して配置されている。
の一端２２ａにインダクタンス調整部２３が電気的に接
続している。インダクタンス調整部２３は、略Ｕ字状枠
部２３ａとこのＵ字状枠部２３ａの二つの腕部に橋渡さ
れた複数本の横桟２３ｂとで構成された梯子状電極であ
る。インダクタンス調整部２３の一方の端部２３ｃは、
絶縁性基板２１の右側端部に設けた引出し電極２４に電
気的に接続している。インダクタンス調整部２３は、コ
イル２２が設けられている領域外に、コイル２２に接近
して配置されている。
【００１５】絶縁性基板２１の材料としては、ガラス、
ガラスセラミックス、アルミナ、フェライト等が用いら
れる。コイル２２、インダクタンス調整部２３及び引出
し電極２４の材料としては、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，
Ｎｉ，Ａｌ等が使用される。
ガラスセラミックス、アルミナ、フェライト等が用いら
れる。コイル２２、インダクタンス調整部２３及び引出
し電極２４の材料としては、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，
Ｎｉ，Ａｌ等が使用される。
【００１６】次に、図２に示すように、開口部２５ａを
有した絶縁保護膜２５がフォトリソグラフィにより形成
される。すなわち、液状の絶縁性材料を絶縁性基板２１
の上面の全面にスピンコート又は印刷等により塗布、乾
燥して絶縁保護膜２５を形成する。絶縁性材料には、例
えば感光性ポリイミド樹脂や感光性ガラスペースト等の
フォトリソグラフィに適した材質のものが使用される。
次に、絶縁保護膜２５の上面に所定の画像パターンが形
成されたマスクフィルムを被せ、紫外線等を照射する等
の方法により、絶縁保護膜２５の所望の部分を硬化させ
る。次に、絶縁保護膜２５の未硬化部分を除去し、開口
部２５ａを形成する。開口部２５ａには、渦巻状コイル
２２の内側に位置している端部２２ｂが露出している。
有した絶縁保護膜２５がフォトリソグラフィにより形成
される。すなわち、液状の絶縁性材料を絶縁性基板２１
の上面の全面にスピンコート又は印刷等により塗布、乾
燥して絶縁保護膜２５を形成する。絶縁性材料には、例
えば感光性ポリイミド樹脂や感光性ガラスペースト等の
フォトリソグラフィに適した材質のものが使用される。
次に、絶縁保護膜２５の上面に所定の画像パターンが形
成されたマスクフィルムを被せ、紫外線等を照射する等
の方法により、絶縁保護膜２５の所望の部分を硬化させ
る。次に、絶縁保護膜２５の未硬化部分を除去し、開口
部２５ａを形成する。開口部２５ａには、渦巻状コイル
２２の内側に位置している端部２２ｂが露出している。
【００１７】次に、図３に示すように、引出し電極２６
が、コイル２２等を形成した場合と同様に、厚膜印刷法
あるいはフォトリソグラフィ等の薄膜形成法により形成
される。引出し電極２６は、絶縁保護膜２５の開口部２
５ａを介して、コイル２２の端部２２ｂに電気的に接続
している。
が、コイル２２等を形成した場合と同様に、厚膜印刷法
あるいはフォトリソグラフィ等の薄膜形成法により形成
される。引出し電極２６は、絶縁保護膜２５の開口部２
５ａを介して、コイル２２の端部２２ｂに電気的に接続
している。
【００１８】次に、図４に示すように、液状の絶縁性材
料を絶縁性基板２１の上面側全面にスピンコート又は印
刷等により塗布、乾燥して引出し電極２６を被覆した絶
縁保護膜２５とする。次に、絶縁性基板２１の長手方向
の左右の両端部にそれぞれ外部電極２７，２８を設け
る。外部電極２７は引出し電極２６に電気的に接続し、
外部電極２８は引出し電極２４に電気的に接続してい
る。外部電極２７，２８は、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，
ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ，Ｎｉ等の導電性ペーストを塗布、
焼付けたり、乾式めっきや湿式めっきしたり、またそれ
らの工法の組み合わせによって形成される。
料を絶縁性基板２１の上面側全面にスピンコート又は印
刷等により塗布、乾燥して引出し電極２６を被覆した絶
縁保護膜２５とする。次に、絶縁性基板２１の長手方向
の左右の両端部にそれぞれ外部電極２７，２８を設け
る。外部電極２７は引出し電極２６に電気的に接続し、
外部電極２８は引出し電極２４に電気的に接続してい
る。外部電極２７，２８は、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，
ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ，Ｎｉ等の導電性ペーストを塗布、
焼付けたり、乾式めっきや湿式めっきしたり、またそれ
らの工法の組み合わせによって形成される。
【００１９】こうして得られた可変インダクタンス素子
２９は、絶縁性基板２１上に、コイル２２とインダクタ
ンス調整部２３が電気的に直列に接続されている回路を
有している。そして、インダクタンス調整部２３を、基
板２１上のコイル２２が設けられている領域外に配置し
ているので、コイル２２によって発生した磁界をインダ
クタンス調整部２３が遮る量を少なくすることができ
る。従って、高Ｑ値のインダクタンス素子２９が得られ
る。
２９は、絶縁性基板２１上に、コイル２２とインダクタ
ンス調整部２３が電気的に直列に接続されている回路を
有している。そして、インダクタンス調整部２３を、基
板２１上のコイル２２が設けられている領域外に配置し
ているので、コイル２２によって発生した磁界をインダ
クタンス調整部２３が遮る量を少なくすることができ
る。従って、高Ｑ値のインダクタンス素子２９が得られ
る。
【００２０】この可変インダクタンス素子２９をプリン
ト基板等に実装した後、インダクタンス調整部２３をト
リミングする。すなわち、レーザビームを可変インダク
タンス素子２９の上面側から照射する等して、図５に示
すように、可変インダクタンス素子２９に溝３０を形成
すると共に、インダクタンス調整部２３の横桟２３ｂを
順に一本ずつ切断する（図５は２本の横桟２３ｂが切断
されている状態を示している）。これにより、外部電極
２７と２８との間のインダクタンス値を段階的に僅かづ
つ変化させることができる。
ト基板等に実装した後、インダクタンス調整部２３をト
リミングする。すなわち、レーザビームを可変インダク
タンス素子２９の上面側から照射する等して、図５に示
すように、可変インダクタンス素子２９に溝３０を形成
すると共に、インダクタンス調整部２３の横桟２３ｂを
順に一本ずつ切断する（図５は２本の横桟２３ｂが切断
されている状態を示している）。これにより、外部電極
２７と２８との間のインダクタンス値を段階的に僅かづ
つ変化させることができる。
【００２１】なお、インダクタンス調整部２３のトリミ
ングはレーザビームに限らず、サンドブラスト等、いか
なる手段で行ってもよく、また、溝３０は必ずしも形成
される必要はなく、横桟２３ｂが電気的に切断されれ
ば、溝３０は物理的に存在していなくてもよい。特に、
絶縁保護膜２５の材料としてガラスやガラスセラミック
スを使用した場合、レーザビームで溶解したガラスがト
リミング部分に流れ込み、トリミング後の保護膜を形成
することができる。それにより、トリミング後の電極露
出を防ぐことができる。
ングはレーザビームに限らず、サンドブラスト等、いか
なる手段で行ってもよく、また、溝３０は必ずしも形成
される必要はなく、横桟２３ｂが電気的に切断されれ
ば、溝３０は物理的に存在していなくてもよい。特に、
絶縁保護膜２５の材料としてガラスやガラスセラミック
スを使用した場合、レーザビームで溶解したガラスがト
リミング部分に流れ込み、トリミング後の保護膜を形成
することができる。それにより、トリミング後の電極露
出を防ぐことができる。
【００２２】［第２実施形態、図６及び図７］第２実施
形態は積層型可変インダクタンス素子について説明す
る。図６に示すように、積層型可変インダクタンス素子
４０は、絶縁性基板４１上にコイル導体５２，５３，５
４を絶縁保護層５５を間に配設して積み重ね、コイル導
体５２〜５４を電気的に直列に接続して構成した螺旋形
状のコイル４２を備えている。コイル導体５２の一端５
２ａは引出し電極４５に電気的に接続し、他端５２ｂは
絶縁保護層５５に設けた開口部５５ａを通してコイル導
体５３の一端５３ａに電気的に接続している。コイル導
体５３の他端５３ｂは絶縁保護層５５に設けた開口部５
５ａを通してコイル導体５４の一端５４ａに電気的に接
続している。コイル導体５４の他端５４ｂはインダクタ
ンス調整部４３に電気的に接続している。
形態は積層型可変インダクタンス素子について説明す
る。図６に示すように、積層型可変インダクタンス素子
４０は、絶縁性基板４１上にコイル導体５２，５３，５
４を絶縁保護層５５を間に配設して積み重ね、コイル導
体５２〜５４を電気的に直列に接続して構成した螺旋形
状のコイル４２を備えている。コイル導体５２の一端５
２ａは引出し電極４５に電気的に接続し、他端５２ｂは
絶縁保護層５５に設けた開口部５５ａを通してコイル導
体５３の一端５３ａに電気的に接続している。コイル導
体５３の他端５３ｂは絶縁保護層５５に設けた開口部５
５ａを通してコイル導体５４の一端５４ａに電気的に接
続している。コイル導体５４の他端５４ｂはインダクタ
ンス調整部４３に電気的に接続している。
【００２３】インダクタンス調整部４３は、枠部４３ａ
と、この枠部４３ａの二つの略Ｌ字形腕部に橋渡された
複数本の横桟４３ｂとで構成された梯子状電極である。
インダクタンス調整部４３をＬ字形状に配置することに
より、インダクタンス値の可変範囲をより広くすること
ができる。このインダクタンス調整部４３は、コイル４
２が設けられている領域外に、コイル４２に接近して配
置されている。インダクタンス調整部４３やコイル導体
５２〜５４や絶縁保護膜５５は、前記第１実施形態で説
明した厚膜印刷法あるいはフォトリソグラフィ等の薄膜
形成法により形成される。
と、この枠部４３ａの二つの略Ｌ字形腕部に橋渡された
複数本の横桟４３ｂとで構成された梯子状電極である。
インダクタンス調整部４３をＬ字形状に配置することに
より、インダクタンス値の可変範囲をより広くすること
ができる。このインダクタンス調整部４３は、コイル４
２が設けられている領域外に、コイル４２に接近して配
置されている。インダクタンス調整部４３やコイル導体
５２〜５４や絶縁保護膜５５は、前記第１実施形態で説
明した厚膜印刷法あるいはフォトリソグラフィ等の薄膜
形成法により形成される。
【００２４】図７に示すように、絶縁性基板４２の左右
の両端部には、それぞれ外部電極５７，５８が設けられ
ている。外部電極５７は引出し電極４５に電気的に接続
し、外部電極５８はインダクタンス調整部４３の枠部４
３ａの一端に電気的に接続している。なお、図７では、
インダクタンス調整部４３等の電極が露出しているが、
さらにこの上に絶縁保護膜を形成してもよいことはもち
ろんである。こうして得られた積層型可変インダクタン
ス素子４０は前記第１実施形態のインダクタンス素子２
９と同様の作用効果を奏することができる。
の両端部には、それぞれ外部電極５７，５８が設けられ
ている。外部電極５７は引出し電極４５に電気的に接続
し、外部電極５８はインダクタンス調整部４３の枠部４
３ａの一端に電気的に接続している。なお、図７では、
インダクタンス調整部４３等の電極が露出しているが、
さらにこの上に絶縁保護膜を形成してもよいことはもち
ろんである。こうして得られた積層型可変インダクタン
ス素子４０は前記第１実施形態のインダクタンス素子２
９と同様の作用効果を奏することができる。
【００２５】［他の実施形態］
なお、本発明に係る可変インダクタンス素子は前記実施
形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々
に変更することができる。
形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々
に変更することができる。
【００２６】例えば、積層型可変インダクタンス素子を
製造する場合、前記実施形態のように、導電性材料と絶
縁性材料を順に重ね塗りして積層構造を有するインダク
タンス素子を形成する工法、いわゆる印刷工法に必ずし
も限定されない。例えばコイルやインダクタンス調整部
の導体パターン及び導体パターン相互間を電気的に接続
するためのビアホールが形成された絶縁性シートを積み
重ねた後、一体的に焼成する工法、いわゆるシート工法
であってもよい。あるいは、絶縁性シートは予め焼成し
たものを用いてもよい。
製造する場合、前記実施形態のように、導電性材料と絶
縁性材料を順に重ね塗りして積層構造を有するインダク
タンス素子を形成する工法、いわゆる印刷工法に必ずし
も限定されない。例えばコイルやインダクタンス調整部
の導体パターン及び導体パターン相互間を電気的に接続
するためのビアホールが形成された絶縁性シートを積み
重ねた後、一体的に焼成する工法、いわゆるシート工法
であってもよい。あるいは、絶縁性シートは予め焼成し
たものを用いてもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、インダクタンス調整部を、コイルが設けられて
いる領域外に配置しているので、コイルによって発生し
た磁界をインダクタンス調整部が遮る量を少なくするこ
とができ、高Ｑ値の可変インダクタンス素子を得ること
ができる。
よれば、インダクタンス調整部を、コイルが設けられて
いる領域外に配置しているので、コイルによって発生し
た磁界をインダクタンス調整部が遮る量を少なくするこ
とができ、高Ｑ値の可変インダクタンス素子を得ること
ができる。
【図１】本発明に係る可変インダクタンス素子の第１実
施形態を示す斜視図。
施形態を示す斜視図。
【図２】図１に続く製造手順を示す斜視図。
【図３】図２に続く製造手順を示す斜視図。
【図４】本発明に係る可変インダクタンス素子の外観斜
視図。
視図。
【図５】図４に示した可変インダクタンス素子のインダ
クタンス調整方法を説明するための斜視図。
クタンス調整方法を説明するための斜視図。
【図６】本発明に係る可変インダクタンス素子の第２実
施形態を示す斜視図。
施形態を示す斜視図。
【図７】図６に示した可変インダクタンス素子の外観斜
視図。
視図。
【図８】従来の可変インダクタンス素子を示す斜視図。
【図９】従来の別の可変インダクタンス素子を示す斜視
図。
図。
２１，４１…絶縁性基板
２２，４２…コイル
２３，４３…インダクタンス調整部
２３ａ，４３ａ…枠部
２３ｂ，４３ｂ…横桟
２５，５５…絶縁保護膜
２９，４０…可変インダクタンス素子
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平９−129449（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−145806（ＪＰ，Ａ)
実開 平６−11320（ＪＰ，Ｕ)
特公 昭58−18768（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上に複数の薄膜コイル導体と絶縁保護層
を積み重ねて、前記薄膜コイル導体を電気的に直列に接
続して構成した積層型薄膜コイルと、 前記積層型薄膜コイルを構成している薄膜コイル導体の
うち、最上層の薄膜コイル導体と同一の層に設けられ、
前記積層型薄膜コイルに電気的に接続した、インダクタ
ンス値を調整するためにトリミングされるインダクタン
ス調整部と、 前記絶縁性基板の両端部にそれぞれ設けられた外部電極
とを備え、 前記インダクタンス調整部が、平面視で、前記積層型薄
膜コイルを構成している各層の薄膜コイル導体が設けら
れている領域外に配置されるとともに、前記絶縁性基板
の長手方向および幅方向に延在した、二つの略Ｌ字形腕
部と該Ｌ字形腕部に橋渡された複数本の横桟とで構成さ
れた梯子状電極からなること、 を特徴とする可変インダクタンス素子。 - 【請求項２】 前記薄膜コイルの形状が、螺旋形状であ
ることを特徴とする請求項１記載の可変インダクタンス
素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02517699A JP3384977B2 (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 可変インダクタンス素子 |
| US09/496,142 US6369684B1 (en) | 1999-02-02 | 2000-02-01 | Variable inductor |
| SE0000329A SE522204C2 (sv) | 1999-02-02 | 2000-02-02 | Variabel induktor samt förfarande för tillverkning av en sådan |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02517699A JP3384977B2 (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 可変インダクタンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223317A JP2000223317A (ja) | 2000-08-11 |
| JP3384977B2 true JP3384977B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=12158708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02517699A Expired - Fee Related JP3384977B2 (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 可変インダクタンス素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
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| US (1) | US6369684B1 (ja) |
| JP (1) | JP3384977B2 (ja) |
| SE (1) | SE522204C2 (ja) |
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| JP2001291615A (ja) | 2000-04-06 | 2001-10-19 | Murata Mfg Co Ltd | ３端子型可変インダクタンス素子 |
| US7037298B2 (en) * | 2001-12-20 | 2006-05-02 | The Procter & Gamble Company | Disposable absorbent article having a raised circumferential bank |
| US7098737B2 (en) | 2002-05-31 | 2006-08-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Variable inductor, oscillator including the variable inductor and radio terminal comprising this oscillator, and amplifier including the variable inductor and radio terminal comprising this amplifier |
| JP3754406B2 (ja) * | 2002-09-13 | 2006-03-15 | 富士通株式会社 | 可変インダクタおよびそのインダクタンス調整方法 |
| US20040238202A1 (en) * | 2003-06-02 | 2004-12-02 | Ohmcraft Inc. | Method of making an inductor with written wire and an inductor made therefrom |
| WO2005015477A2 (en) * | 2003-08-08 | 2005-02-17 | Shmuel Shapira | Circuit forming system and method |
| WO2006110105A1 (en) * | 2005-04-14 | 2006-10-19 | Agency For Science, Technology And Research | On-chip inductor with trimmable inductance, a method for making the same and a method for adjusting the impedance of the inductance |
| JP4668719B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2011-04-13 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | インダクタの特性調整方法 |
| TWI340612B (en) * | 2007-07-24 | 2011-04-11 | Advanced Semiconductor Eng | Circuit substrate and method for fabricating inductive circuit |
| DE102007063282A1 (de) * | 2007-12-27 | 2009-07-02 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Leiters durch Auftragen zumindest einer Paste, insbesondere Dickschichtpaste |
| WO2009090917A1 (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型共振器および積層型フィルタ |
| JP4920089B2 (ja) * | 2010-01-14 | 2012-04-18 | Ｔｄｋラムダ株式会社 | エッジワイズコイル及びインダクタ |
| US8405482B2 (en) * | 2011-02-23 | 2013-03-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated circuits including inductors |
| CN102867615A (zh) * | 2011-07-04 | 2013-01-09 | 官淑燕 | 低构形高功率电感器 |
| JP6447405B2 (ja) * | 2015-08-04 | 2019-01-09 | 株式会社村田製作所 | 可変インダクタ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5239289A (en) * | 1991-09-04 | 1993-08-24 | International Business Machines Corporation | Tunable inductor |
| JP3250503B2 (ja) * | 1997-11-11 | 2002-01-28 | 株式会社村田製作所 | 可変インダクタ素子 |
-
1999
- 1999-02-02 JP JP02517699A patent/JP3384977B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-02-01 US US09/496,142 patent/US6369684B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-02-02 SE SE0000329A patent/SE522204C2/sv unknown
Also Published As
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|---|---|
| SE0000329L (sv) | 2000-08-03 |
| JP2000223317A (ja) | 2000-08-11 |
| US6369684B1 (en) | 2002-04-09 |
| SE522204C2 (sv) | 2004-01-20 |
| SE0000329D0 (sv) | 2000-02-02 |
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