KR100232023B1 - 칩형 고체 전해 캐패시터와 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
칩형 고상 전해 캐패시터는 돌출 양극 리드가 양극 부재에 대하여 제공되지 않은 구조를 갖는다. 이 고상 전해 캐패시터는, 플로로 수지등의 전기 절연 수지가 다공성 전극 부재의 단부면에 이식되어 절연 수지 이식부를 형성하고, 전극 리드 부재가 절연 수지 이식부에서 양극 부재에 연결되어 제조된다. 양극성 산화막, 고상 전해층 및 음극층은 양극 부재에 연속하여 형성되고, 전기 절연 외부 패키지가 가해져 전극 리드 부재가 장착된 면에 대향하는 양극 부재의 면에 있는 음극층이 노출된다. 전극 리드 부재가 제거되고 난후, 양극 외부 전극층은 절연 수지 이식부에 형성되고, 음극층에 전기적으로 연결되는 음극 외부 전극층은 양극 외부 전극층에 대향하는 양극 부재의 단부면에 형성된다.
Description
제1도는 수지 성형식의 종래의 칩형 고체 전해 캐패시터의 측면 부분 단면도.
제2도는 수지 성형 부재가 사용되지 않은 또 다른 종래의 칩형 고체 전해 캐패시터의 측면 단면도.
제3도는 본 발명에 따른 칩형 고체 전해 캐패시터의 측면 단면도.
제4(a)도는 절연 수지를 양극 부재에 제공하는 단계를 보여주는 개략도.
제4(b)도는 절연 수지 주입부가 형성된 영역에 리드 부재가 장착되어 있는 것을 보여주는 개략도.
제4(c)도는 음극 측면상에 판금층이 형성된 후 리드 부재를 제거시킨 상태의 투시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
13 : 캐패시터 부재 14 : 양극 리드
16 : 음극 리드 단자 17 : 양극 리드 단자
31 : 양극 부재 32 : 산화막
33 : 전해질층 34 : 음극층
40 : 액체 절연 수지 42 : 리드 부재
[발명의 배경]
본 발명은, 돌출 양극 리드가 양극 부재를 위해 제공되어 있지 않는 구조를 갖는 칩형 고체 전해 캐패시터와 그 캐패시터의 제조방법에 관한 것이다.
[종래기술]
최근, 전기 장치의 소형화 및 기능의 다양화가 괄목하게 성장하였고, 그 결과 고밀도 장착이 가능한 전기 부품이 요구되고 있다. 또한 고밀도 장착이 가능한 고체 전해 캐패시터가 요구되고, 표면 장착을 위하여 수지 성형식의 칩형 캐패시터가 사용되고 있다. 제1도를 참조하면, 수지 성형된 형태의 칩형 캐패시터는 양극 리드(14)가 상향으로 주입되어 있는 캐패시터 부재(13)를 포함하며, 음극 리드 단자(16)가 전도성 결합제(15)에 의해 캐패시터 부재(13)상에 장착되어 있으며, 양극 리드 단자는 양극 리드(14)에 접착되어 있다. 음극 리드 단자(16)와 양극 리드 단자(17)의 양단부 측면은 외부 패캐징을 위하여 수지 성형 부재(18)의 외부면을 따라 외측으로 노출되어 있다. 그러나 수지 성형식의 칩형 캐패시터에 있어서, 양극 및 음극을 위한 리드 단자(16, 17)가 장착되어 수지 성형 부재(18)의 외면으로 안내되기 때문에, 칩형 캐패시터의 전체 체적에 대한 캐패시터 부재의 비율이 매우 높을 수 없다. 따라서, 수지 성형식의 칩형 캐패시터가 고밀도 장착에는 불만족스럽고 제조 공정이 복잡하게 된다. 그래서, 수지 성형 부재가 사용되지 않는 구조의 칩형 고체 전해 캐패시터가, 예를 들어, 미쯔이에 의해서 일본 특허 공보 소 61-31609(JP. B2. 61-31609)에 기재된 바와 같이 개발되어 있다.
제2도는 수지 성형 부재가 사용되지 않은 칩형 고체 전해 캐패시터의 구조를 보여주는 측면 단면도이다. 이러한 칩형 캐패시터는 다음과 같이 형성된다. 특히, 양극성 산화막 또는 코팅(22), 고체 전해질층(23), 및 음극층(24)이, 양극 리드(29)가 상부를 향해 주입되어 있는 양극 부재상에 연속하여 형성되어 있다. 그리고, 외부 패캐징을 위한 수지층(28)이, 양극 리드(29)가 안내되는 면에 대향하는 면을 제외한 양극 부재(21)의 전체 외부 주위면상에 형성되어 있다. 그리고, 금속 촉매제가, 양극 리드(29)가 안내되는 양극 부재(21)의 면과, 니켈 또는 다른 적합한 재료로 만들어진 한쌍의 판금층(25a, 25b)을 형성하는 대향면에 가해진다. 또한, 솔더층이 판금층(25a, 25b)에 증착되어 각각 음극 외부 전극층(26)과 양극 외부 전극층(27)을 형성한다. 마지막으로, 양극 리드(29)가 절단된다. 알루미늄 또는 탄탈(tantalum)과 같은 밸브 금속이 양극 부재(21)로서 사용된다.
종래의 칩형 캐패시터에 있어서, 체적당 전해 캐패시턴스 값을 증가시키기 위해, 절단후에 남아 있는 양극 리드의 돌출양이 감소됨과 동시에 양극 리드와 양극 외부 전극층 사이의 연결 신뢰성을 양호하게 유지시킨다. 에이취 오카에 의한 일본 실용 실안공보 헤이 2-137025(JP. U. 2-137025)에는 양극 리드의 돌출양이, 판금층에 의해서 양극 리드와 양극 외부 전극층의 절단면을 서로 연결시킴에 의해 매우 작게 되는 기술이 제안되고 있다. 오카의 방법에 의하면, 전기 접속이 양극 리드의 절단면에서 일어나기 때문에, 신뢰성있는 연결을 유지하는데 특히 주의해야 한다. 와이 사이끼에 의한 일본 특허 공개 공보 헤이 3-97212(JP. A. 3-97212)에는 판금 촉매제 금속층, 판금층, 그리고 솔더층이 연속 형성되어 외부 양극층을 형성하고, 외부 양극층과 앙극 리드가 금속대 금속에 의한 접합에 의해 서로 연결되어 밀착 접촉성의 증가와, 양극 리드와 외부 양극층 사이의 열팽창 계수에 있어서 양호한 결합력을 얻게 되어 연결의 신뢰성을 향상시키는 기술을 제안하고 있으며, 와이 사이끼에 의한 일본 특허 공개 공보 헤이 4-99011(JP. A. 4-99011)에는 금속층이 양극 리드와 양극 외부 전극층 사이에 개재되어 연결성을 향상시키는 기술에 대하여 기재되어 있다.
상술한 종래의 칩형 고체 전체 캐패시터에 있어서, 양극 리드가 양극 부재에서 돌출하고, 양극 리드의 절단면 또는 산화 코팅이 제거된 양극 리드면이 양극 외부 전극층에 연결되어, 양호한 연결성의 확보를 위해. 양극 리드는 고정된 길이보다 훨씬큰 길이만큼 돌출한다. 따라서, 종래의 칩형 고체 전해 캐패시터는 소형화 및 체적의 증가로 인해 단점을 갖게 된다.
[발명의 요약]
본 발명의 목적은 돌출하는 양극 리드의 필요성을 제거시켜 부피 효율성이 증가되고 연결 신뢰성이 우수한 칩형 고체 전해 캐패시터를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 양극 부재에서 양극 리드가 돌출하지 않는 칩형 고체 전해 캐패시터를 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명에 따르는, 칩 형태의 고체 전해 캐패시터는 밸브 금속으로 만들어진 다공성 양극 부재와, 양극 부재상에 형성된 산화막층과, 전도성 재료로 형성된 음극층과, 산화막층과 음극층 사이에 유지되는 고체 전해질층과, 양극 부재의 한쌍의 단부면에 배치된 양극 외부 전극층과, 전극 부재의 다른 단부면에 배치되어 음극층에 전기적으로 접속된 음극 외부 전극층과, 양극 외부 전극층과 음극 외부 전극층이 형성되지 않아 서로로부터 양 외부 전극층을 고립시키는 영역위를 커버하기 위한 외부 패캐징 수지층을 포함하며, 양극 부재의 한 단부면은 전기 절연 수지가 양극 부재에 주입되어 있는 절연 수지 주입부를 구비하며, 양극 부재와 양극 외부 전극층은 절연 수지 주입부에서 서로 전기적으로 접속되어 있다.
본 발명의 칩형 고체 전해 캐패시터에 있어서, 방수 수지가 전기 절연 수지를 위하여 사용된다. 양극 부재에 주입시키기 위해 사용된 수지로서는 플루오로수지, 실리콘 수지 또는 에폭시 수지 등이 사용된다.
밸브 금속으로서는, 밀폐 산화막이 알루미늄(Al), 탄탈(Ta), 니오브(Nb) 또는 지르코늄(Zr) 등의 양극성 산화에 의해 형성된 금속이 사용될 수 있다. 무엇보다도 탄탈이 가장 양호하게 사용된다. 또한, 고체 전해질층으로 사용되는 물질로서는, 이산화망간 등의 무기 고체 전해질 또는 전도성 고분자 재료로 제조된 유기 고체 전해질이 사용될 수 있다. 전도성 고분자 물질은 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리티오펜등이 사용된다.
양극 외부 전극층 또는 음극 외부 전극층에 있어서는 예를 들어 솔더층이 사용될 수 있고, 양호하게는 양극 외부 전극층과 양극 부재가 판금층에 의해서 서로 결합될 수 있다. 유사하게, 음극 외부 전극층과 음극층이 판금층에 의해서 서로 결합될 수 있다. 음극층에 있어서는 예를 들어 그래파이트 또는 그 유사물이 사용될 수 있다.
본 발명의 칩형 고체 전해 캐패시터에 있어서, 절연 수지 주입부가 양극 부재의 일부에 제공되고 양극 부재와 양극 외부 전극층은 절연 수지 주입부에서 서로 전기적 으로 접속된다. 결과적으로. 양극 부재에 대한 양극 리드의 주입 필요성, 양극 부재와 양극 외부 전극층을 서로 연결시키는 필요성이 제거되고, 양극 리드가 돌출할 필요가 없어져 체적 효율이 증가하게 된다. 또한, 절연 수지 주입부와 양극 외부 전극층이 판금층에 의해 서로 결합될 수 있고 이들 사이의 전기 접속을 위한 접착 영역이 종래의 전해 캐패시터의 양극 리드의 절단면 보다 크게 된다. 따라서, 연결 신뢰성이 양호하게 된다.
본 발명에 따르는, 칩형 고체 전해 캐패시터를 제조하는 방법은, 절연 수지 주입부를 형성하기 위해서 밸브 금속으로 만들어진 다공성 전극부의 단부면내에 전기 절연 수지를 주입시키는 단계와. 절면 수지 주입부가 형성된 영역에서 전극 리드 부재와 양극 부재를 서로 전기적으로 접속시키는 단계와, 양극성 산화에 의해 양극 부재상에 산화막층을 형성하는 단계와, 산화막층에 고체 전해질층과 음극층을 연속하여 형성하는 단계와, 전극 리드 부재가 장착된 면에 대향하는 양극 부재의 면에 음극층을 노출시키기 위해 전기 절연 외부 패키지를 형성하는 단계와, 전극 리드 부재를 제거하는 단계와, 전극 리드 부재가 제거되는 위치에 대응하는 양극 부재의 단부면에 양극 외부 전극층을 형성하는 단계와, 양극 외부 전극층에 대향하 는 양극 부재의 단부떤상에. 음극층에 전기적으로 접속되는 음극 외부 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 칩형 고체 전해 캐패시터 제조 방법에 있어서, 절연 수지 주입부는 양극 부재의 일부에 형성되고. 임시 전극 리드인 전극 리드 부재는 절연 수지 주입부에 결합되며, . 양극 리드를 양극 부재에 주입하지 않고 양극성 산화시에 양극 부재에 전압을 인가한다. 산화막층, 고체 전해질층, 음극층, 전기 절연 외부 패캐지가 연속하여 형성되고 난후, 전극 리드 부재가 양극 부재에서 제거되고, 전극 리드가 제거되는 영역에서 양극 부재와 양극 외부 전극층 사이에 전기 접속이 이루어진다. 결과적으로. 완성된 칩형 캐패시터는 양극 리드의 돌출부를 갖지 않으며, 향상된 체적 효율을 갖는다. 또한, 전극 리드 부재가 제거된 영역부가 커지게 되어 연결 신뢰성이 향상된다.
전극 리드 부재를 양극 부재에 결합시키기 위한 방법으로는 클림핑(Crimping) 또는 솔더링 등의 방법이 채용된다.
양극 부재내에 주입시키기 위한 전기 절연 수지로서는 방수 수지를 사용하게 된다. 방수 수지를 양극 부재에 주입함으로써 절연 수지 주입부를 형성하고, 절연 수지 주입부는 물이 들어오는 것을 막는 방수성을 갖는다. 따라서, 통상적으로 액체 용액을 사용하여 형성되는 산화막층의 형성과 고체 전해질층의 형성 단계에서, 산화막층과 고체 전해질층, 특히, 고체 전해질층은 절연 영역 주입부가 형성되는 영역에는 형성되지 않는다. 결과적으로, 고체 전해질층과 양극 외부 전극층 사이에서의 짧은 단락이 방지되게 된다.
고체 전해질층의 형성 방법으로서, 예를들어, 열분해에 의한 이산화망간을 증착시키는 방법이 사용될 수 있다. 고체 전해질층은 전도성 고분자 물질로 형성될 수 있다. 여기서, 전극 리드 부재가 제거되고 난후 전극 리드 부재가 제거된 위치 근방에서 나타나는 고체 전해질을 절연시키기 위한 공정이 행해진다.
본 발명의 상술한 목적 및 이점등을 첨부된 도면을 참조하여 하기에서 자세히 기술하도록 하겠다.
[양호한 실시예의 기술]
[실시예 1]
본 발명의 실시예 1인 칩형 고체 전해 캐패시터는 제3도에 도시되어 있고, 도시된 캐패시터에는 고온 진공 상태에서 탄탈등의 밸브 금속을 소결하여 얻어진 거의 평행 육면체 형태의 다공성 양극 부재(31)가 사용된다. 양극 부재(31)의 한쌍의 대향 단부면은 칩형 캐패시터의 양극측과 음극측에 대응한다.
양극 부재(31)의 양극 측면상의 단부면 중앙부는 절연 수지 이전에 주입되고 절연 수지에 의해 경화되어 절연 수지 주입부(39)를 형성한다. 양극성 산화에 의해 형성된 산화막(32)과 고체 전해질층(33)은 절연 수지 주입부(39)가 형성된 영역을 제외하고는 양극 부재(31)의 표면에 순서대로 층이 형성된다. 양극 부재(31)의 양극 측면부를 제외하고, 전도성 물질로 이루어진 음극층(34)은 고체 전해질층(33)상에 형성되고, 절연 수지 주입부(39)가 형성된 양극 부재(31)의 영역과 양극 부재(31)의 음극 측면을 제외하고, 외부 패캐징 수지(37)의 층은 고체 전해질층(33)과 음극층(34)을 덮기 위해서 형성된다. 외부 패캐징 수지(38)는 절연 수지 주입부(39)위의 양극 부재(31)의 단부에서 고체 전해질층(33)을 덮어서 고체 전해질층(33)이 양극 측면에서 판금층(35b)과 접촉하는 것을 방지한다. 양극 부재(31)의 음극 측면에서, 칩 형태의 음극 외부 전극층(36)은 이들 사이에 개재된 판금층(35a)으로 형성된다. 음극 외부 전극층(36)은 음극층(34)에 전기적으로 접속되고, 양극 측면에서, 칩 형태의 양극 외부 전극층(37)은 이들 사이에 개재된 판금층(35b)으로 형성된다. 판금층(35b)은 절연 수지 주입부(39)에서 양극 부재(31)에 결합되어, 양극 부재(31)와 양극 외부 전극층(37)이 서로 전기적으로 접속된다.
칩형 고체 전해 캐패시터를 제조하는 방법을 하기에서 설명한다.
양극 부재(31)가 일차로 밸브 금속의 소결 분말에 의해 형성되고, 플루오로수지로 이루어진 액체 절연 수지(40)가 제4(a)도에 도시된 수지 제공기(41)를 사용하여 양극 측면에서 양극 부재(31)의 면에 떨어져 제공된다. 그리고, 절연 수지(40)의 점도는 절연 수지(40)가 다공성 상태에서 양극 부재(31)의 내측으로 주입되어 절연 수지 주입부(39)를 형성하도록 제어된다. 그리고, 임시 양극 리드로서 리드 부재(42)가 클림핑 또는 솔더링에 의해 절연 수지 주입부(39)에 결합된다. 본 실시예에서, 리드 부재(42)는 그 단부에 형성된 작은 디스크부(42a)를 갖고, 이것은 절연 수지 주입부(39)가 형성된 영역의 직경보다 작다. 디스크부(42a)와 절연 수지 주입부(39)는 서로 결합된다. 양극 부재(31)의 외면으로부터의 절연 수지(40)의 상승량은 절연 수지 주입부(39)의 형성 상태를 제어하여 거의 제로로 감소시킬 수 있기 때문에, 양극 부재(31)와 리드 부재(42) 사이의 전기 접속이 결합에 의해 얻어진다. 여기서, 리드 부재(42)는 절연 수지(40)가 결합 영역에서 양극 부재(31)의 표면으로부터 제거되어 전기 접속을 보장하기 위해, 절연 수지(40)가 경화되기 전에 양극 부재(31)와 압력하에서 접촉된다.
그리고, 산화막(32)은 리드 부재(42)가 액체 용액의 양극성 산화에 의해 제공되는 양극 부재(31)의 표면에 형성되고, 양극성 산화시에 리드 부재(42)에 의해서 양극 부재(31)에 양전압이 인가된다. 그후, 양극 부재(31)는, 예를 들어, 망간(Ⅱ) 아질산염의 액체 용액에 적셔져서 양극 부재의 표면에 고착되는 망간(Ⅱ) 아질산염을 열분해하여 산화막(32) 위에 이산화망간으로 제조된 고체 전해질층(33)을 형성한다. 산화막(32)이 형성되고 고체 전해질층(33)이 형성될때, 양극 부재(31)를 액체 용액에 적시는 단계가 행해진다. 본 실시예에 있어서, 절연 수지(40)가 주입되므로 산화막(32) 또는 고체 전해질층(33)이, 절연 수지 주입부(39)가 형성된 영역에는 거의 형성되지 않는다.
칩형 고체 전해 캐패시터에 있어서, 고체 전해질층(33)과 양극 외부 전극층(37) 사이의 전기 절연이 필요하고, 이를 위해, 특히, 고체 전해질층(33)이 절연 수지 주입부(39)가 형성된 영역에 형성되는 것을 방지해야 한다. 이러한 관점에서, 절연 수지 주입부(39)의 표면은 방수되도록 형성되고 방수 수지가 절연 수지(40)로서 사용된다. 또한, 이산화망간이 열분해에 의해 증착되어 고체 전해질층(33)을 형성하기 때문에, 열분해시에 따라 고온에서 견딜수 있는 수지가 절연 수지(40)로서 사용된다. 이러한 열을 견딜수 있는 절연 수지로서는, 예를 들어, 플루오로 수지 및 실리콘 수지 등이 사용될 수 있다.
또한, 양극 부재(31)의 양극 측면상의 표면을 제외하고, 그래파이트로 만들어진 음극층(34)이 형성되고, 그 다음 음극 측면상의 표면이 고무 패드로 덮혀지고 난 후, 전체 표면이 분말 패캐징, 속킹(soaking) 등 적당한 방법에 의해 외부 패캐징 수지(38)로 코팅된다. 이때, 리드 부재(42)는 장착된 채로 남아있기 때문에 리드 부재(42)가 결합된 위치는 외부 패캐징 수지로 코팅되지 않는다. 그리고, 고무 패드의 마스크는 제거되고, 판금층(35a)이 음극층(34)의 노출면과 노출면의 단부 근처의 4개의 측면부에 형성된다. 그리고, 리드 부재(42)가 제4(c)도와 같이 제거되며, 판금층(35b)은 음극측면과 유사한 방식으로 절연 수지 주입부(39)를 포함하는 노출면과 노출된 면의 단부 근처에 있는 4개의 측면부에 형성된다. 마지막으로, 양극 부재(31)가 솔더 탱크에서 적셔져, 판금층(35a, 35b)상에 각각 음극 외부 전극층(36)과 양극 외부 전극층(37)을 형성한다.
[실시예 2]
고체 전해질층(33)으로 사용되는 물질은 이산화망간에만 국한되지 않고 또다른 고체 전해 물질, 예를 들면 유기 고체 전해질이 사용될 수 있다. 여기서는 폴리피롤을 사용하는 고체 전해질층(33)의 형성을 설명한다.
산화막(32)의 형성에 필요한 방법은 상기 기술된 실시예 1와 유사하다. 그리고 티, 후까미 등에 의한 일본 특허 공개 공보 헤이 6-69082(JP. A. 6-69082)에 기재된 바와 같이, 산화제인 철(Ⅲ) 도데실벤젠설포네이트의 20wt% 에타놀과, 피롤의 1㎜% 액체 용액이 준비되고, 리드 부재(42)가 장착되고 산화막(32)이 형성된 양극 부재(31)가 2개의 용액내에 교대로 적셔져 중합을 반복하여 고체 전해질층(33)을 형성한다. 그후, 음극층(34), 외부 패캐징 수지(38), 그리고 판금층(35a)이 실시예 1와 유사한 방법으로 형성되고 난후, 리드 부재(42)가 제거된다.
본 실시예에 있어서, 폴리피롤과 같은 전도성 고분자가 사용되고, 유기 용제(에타놀)가 전도성 고분자의 중합화를 위하여 사용되는 산화제를 위한 용제로서 사용된다. 결과적으로, 비록, 방수 수지가 절연 수지(40)로서 사용되어도, 고체 전해질층(33)이 리드 부재(42) 위에서 찢어지거나 리드 부재(42)의 근처 위치에 형성되어 양극 부재(31)와 고체 전해질층(33)을 서로 단락시킨다. 따라서, 본 실시예에서는. 리드 부재(42)가 제거되고 난후, 거의 300℃의 히터 칩이 양극 부재(31)의 노출부에 대하여 약 2 초 정도 가압하여 위치하고 있는 폴리피롤층을 절연체 내로 변경시킨다. 그 다음 단계는 실시예 1와 모두 유사하다. 실시예 2에 있어서, 고체 전해질층(33)의 부분적인 절연을 행하는 단계를 부가하여, 누출 전류에 의한 손실을 1/5 정도 이하로 감소시킬 수 있다.
상술한 실시예에 따른 칩형 고체 전해 캐패시터에 있어서, 양극 리드가 남겨지지 않기 때문에, 소위 3216 형인 길이 3.2㎜, 폭 1.6㎜, 높이 1.6㎜의 프로파일의 칩부가 얻어질 때, 이것은 종래의 제품과 비교하여 정전기적 캐패시턴스의 체적 효율을 20%, 이상 향상시키게 된다.
또한, 상술한 실시예에 따른 칩형 고체 전해 캐패시터에 있어서, -55℃에서 +125℃까지의 온도 사이클 시험이 100 사이클 행해졌고, 각 시험후에 유전 손실에 대한 탄젠셜(소위 tan δ) 측정이 이루어졌다. 그러나, 본 시험은 질의 저하를 나타내지 않음을 보여주었다. 이것은 양극 외부 전극층(37)이 전체 영역을 거쳐서 판금층(35b)에 의해 양극 부재(31)에 전기적으로 접속된다는 사실을 보여주었다.
본 실시예에서는 플루오로 수지가 절연 수지로서 사용되었지만, 이것은 산화막(32) 또는 고체 전해질층(33)이 양극 측면상의 양극 부재(31)의 단부면에 형성되는 것들 방지하는데 사용되었다. 그러나, 플루오로 수지 이외의 다른 수지, 예를들어 에폭시 수지 또는 실리콘 수지가 사용될 수도 있고 모두 상술한 효과를 얻을 수 있다. 고온에서 견딜 수 있으며 방수성이 우수한 수지가 절연 수지(40)로서 양호하게 사용된다.
비록 상기에서 본 발명의 특징 및 이점들을 설명하였으나 상술한 것에만 한정하지는 않으며 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 여러 수정 및 변경이 가능하다.
Claims (17)
- 밸브 금속으로 이루어진 다공성 양극 부재와, 양극 부재 상에 형성된 산화막층과, 전도성 재료로 이루어진 음극층과, 산화막층과 음극층 사이에서 유지되는 고체 전해질층과, 양극 부재의 제1 단부면상에 위치하는 양극 외부 전극층과, 양극 부재의 제2 단부면상에 위치하고 음극층에 전기적으로 접속되는 음극 외부 전극층과, 양극 외부 전극층과 음극 외부 전극층중 어느 하나에 의해 덮혀지지 않은 상기 음극층의 일부에 걸쳐 형성되고 상기 양극 외부 전극층 및 음극 외부 전극층을 서로로부터 격리시키는 외부 패캐징 수지층을 구비하고, 상기 양극 부재의 제1 단부면은 전기 절연 수지가 양극 부재에 주입되어 있는 절연 수지 주입부를 가지며, 양극 부재와 양극 외부 전극층은 절연 수지 주입부를 통해서 서로 전기적으로 접속되고, 상기 다공성 양극 부재는 주입된 양극 리드가 없으며, 단지 상기 양극 외부 전극층만이 상기 양극 부재의 제1 단부면에 걸쳐 배치되는 칩형 고체 전해 캐패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 양극 부재와 양극 외부 전극층은 판금층에 의해 서로 연결되는 칩형 고체 전해 캐패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 전기 절연 수지는 방수 수지인 칩형 고체 전해 캐패시터.
- 제3항에 있어서, 상기 양극 부재와 양극 외부 전극층은 판금층에 의해 서로 연결되는 칩형 고체 전해 캐패시터.
- 제2항에 있어서, 상기 전기 절연 수지는 플루오로 수지인 칩형 고체 전해 캐패시터.
- 제4항에 있어서, 상기 음극층과 음극 외부 전극층은 다른 판금층에 의해 서로 연결되는 칩형 고체 전해 캐패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 고체 전해질층은 이산화망간으로 형성되는 칩형 고체 전해 캐패시터.
- 제1항에 있어서, 상기 고체 전해질층은 전도성 고분자 재료로 형성되는 칩형 고체 전해 캐패시터.
- 절연 수지 주입부를 형성하기 위해서 밸브 금속으로 만들어진 다공성 전극 부재의 단부면내에 전기 절연 수지를 주입시키는 단계와, 절연 수지 주입부가 형성된 영역에서 전극 리드 부재와 양극 부재를 서로 전기적으로 접속시키는 단계와, 양극성 산화에 의해 양극 부재에 산화막층을 형성하는 단계와, 산화막층에 고체 전해질층과 음극층을 연속하여 형성하는 단계와, 전극 리드 부재가 장착된 표면에 대향하는 양극 부재의 단면상의 음극층이 노출되도록 전기 절연 외부 패캐지를 형성하는 단계와, 전극 리드 부재를 제거하고, 전극 리드 부재가 제거된 위치에 대응하는 양극부재의 단부면상에 양극 외부 전극층을 형성하고, 양극 외부 전극층에 대향하는 양극 부재의 단부면 상에, 음극층에 전기 접속되는 음극 외부 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 칩형 고체 전해 캐패시터 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 전극 리드 부재는 클림핑 또는 솔더링으로부터 채택된 방법으로 양극 부재에 접착되는 칩형 고체 전해 캐패시터 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 전기 절연 수지는 방수 수지인 칩형 고체 전해 캐패시터 제조 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 전기 절연 수지는 방수 수지인 칩형 고체 전해 캐패시터 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 전기 절연 수지는 플루오로 수지인 칩형 고체 전해 캐패시터 제조 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 고체 전해질층은 열분해에 의해서 이산화망간층을 증착시켜 형성되는 칩형 고체 전해 캐패시터 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 고체 전해질층은 전도성 고분자 재료로 형성되는 칩형 고체 전해 캐패시터 제조 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 전극 리드 부재가 제거되고 난후, 전극 리드 부재가 제거된 위치 근처에 있는 고체 진해질에 절연 공정을 행하는 칩형 고체 전해 캐패시터 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 양극 외부 전극층은 판금층에 의해 양극 부재에 형성되는 칩형 고체 전해 캐패시터 제조 방법.
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