KR100219893B1 - 알킬술피닐 벤즈 아미드류 및 1,2-벤즈 이소티아졸-3-온류의 제조방법 - Google Patents

알킬술피닐 벤즈 아미드류 및 1,2-벤즈 이소티아졸-3-온류의 제조방법 Download PDF

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Abstract

할로벤즈아미드를 염기의 존재하의 불균일 용매에서 알칸디올과 반응시키는 알킬티오벤즈아미드의 제조 방법; 알킬티오벤젠아미드를 불균일 용매에서 할로겐과 반응시키는 알킬피닐벤즈아미드의 제조 방법; 할로즈아미드를 염기의 존재하에서, 불균일 용매에서 할로겐과 반응시키는 알킬술피닐벤즈아미드의 제조 방법; 및 2-(알킬티오)벤즈아미드를 할로겐화제와 반응시키는 1,2-벤즈이소티아졸-3-온의 제조 방법.

Description

1,2-벤즈이소티아졸-3-온류의 제조방법
본 발명은 알킬술피닐벤즈아미드 및 1,2-벤즈이소티아졸-3-온의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 1,2-벤즈이소티아졸-3-온의 중간체로서 유용한 알킬술피닐벤즈아미드를 제조하는 방법 및 2-(알킬티오)벤즈아미드로부터 직접 1,2-벤즈이소티아졸-3-온을 제조하는 방법에 관한 것이다. 1,2-벤즈이소티아졸-3-온은 살균제 및 살진균제로서 유용한 화합물이다.
하기 방법은 공지된 알킬술피닐벤즈아미드의 제조 방법이다.
(A) Bull. Chem. Soc. Jpn., 55, 1183-1187 (1982)
(B) Tetrahedron Lett., 33, 153-156 (1992)
그러나, 이들 통상적 방법은 여러 이유로 공업적 용도로는 장점이 없다. 상세하게는, 방법 (A) 는 안정성 및 그의 출발 물질인, 2-(메틸티오)벤조일 클로라이드의 제조에 문제점을 가지고 있다. 또한, 이 방법에서 사용되는 과옥소산은 비싸고 위험하다.
방법 (B) 는 출발 물질인 N-페닐-2-(메틸티오)벤즈아미드를 제조하는 방법이 기재되지 않고 있기때문에, 출발 물질을 수득하는데 문제점을 가지고 있다. 이에, 이 방법은 또한 위험한 물질인 m-클로로퍼벤조산 (m-CPBA) 을 사용한다.
1,2-벤즈이소티아졸-3-온을 제조하는 방법은 하기의 방법을 포함하여 몇가지 방법이 공지되어있다.
(C) Bull. Chem. Soc. Jpn., 55, 1183-1187 (1982).
상기의 방법에서, 2-(메틸티오)벤즈아미드를 2-(메틸티오)벤조일클로라이드로부터 제조하고; 과요오드산으로 2-(메틸술피닐)벤즈아미드로 산화시키고; 티오닐 클로라이드의 존재하에서 1,2-벤즈이소티아졸-3-온을 수득할 수 있다.
(D) Ger. Offen. 3500577 (1986)
상기 방법에서, 목적하는 1.2-벤즈이소티아놀-3-온을 마지막 방법에서 출발물질로서 티오살리실산 및 고리화제로서 나트륨 히드록시드로 사용하여 수득한다.
(E) J.0rg. Chem. 40(14), 2029-2032 (1975)
상기 방법에서, 목적하는 1,2-벤즈이소티아졸-3-온을 최종 고리화 반응 방법에서 출발 물질로서 티오살리실산 및 강 염기를 사용하여 수득할 수 있다.
그러나, 이들 통상적인 방법은 하기의 결점을 갖는다:
방법 (C) 에 있어서, 목적하는 1,2-벤즈이소티아졸-3-온을 두단계, 즉, 2-(메틸티오)벤즈아미드를 2-(메틸술피닐)벤즈아미드로 산화시킨후, 티오닐 클로리드의 존재하에서 고리화시킨다. 이들 방법은 위험하고 비싼 물질인 과요오드산의 사용을 필요로한다.
방법 (D) 는 출발 물질로서 비싼 티오살리실산, 고리화용 강염기를 필요로하고 많은 반응 단계와 관련되어 있으므로, 이들 방법은 공업적 용도로 만족할 만하지않다.
또한, 방법 (E) 는 출발 물질로서 비싼 티오살리실산, 고리화용 강염기를 필요로하고, 많은 반응 단계가 관련되어 있으므로, 이들 방법은 공업적 용도에는 적합하지 않다.
상기에서, 모든 공지된 방법은 1 개 이상의 반응 단계를 사용하여, 2-(알킬티오)벤즈아미드로부터 1,2-벤즈이소티아졸-3-온을 수득하고, 공업적 규모의 제조에는 만족스럽지 못하다.
따라서, 상기의 문제에 있어서, 본 발명의 목적은 원료로서 비싸고 위험한 물질을 사용하지않고, 공업적으로 유리한 알킬술피닐벤즈아미드를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 알킬술피닐벤즈아미드의 제조시 중간체로서 유용한 알킬티오벤즈아미드를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 비싸고 위험한 물질을 사용하지 않고 안전하고 짧은 방법에 의해 높은 수율로, 살균제, 살진균게로서 중요한 화합물인, 1,2-벤즈이소티아졸-3-온의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명자들은 먼저 알킬술피닐벤즈아미드를 용이하고 경제적으로 제조하는 유리한 방법을 제공하기 위해 언구하였다. 그 결과로, 발명자들은 염기의 존재하에서 불균일 용매계에서 화학식 (1) 의 할로벤즈아미드를 화학식 (2) 의 알칸티올과 반응시켜 중간체인 화학식 (3) 의 알킬티오벤즈아미드를 수득하고, 이어서 이 알킬티오벤젠아미드를 불균일 용매에서 할로겐과 반응시켜 하기 화학식 (4) 의 알킬술피닐벤즈아미드를 고수율로 용이하게 수득할 수 있다는 것을 발견하였다.
(상기식에서, X 는 Cl 또는 Br 이고, R1은 수소 원자, 또는 C1∼4의 알킬기, 아릴기 또는 아르알킬기를 나타내고, R2는 C1∼4의 알킬기를 나타낸다.)
본 발명의 목적에 도달하기 위해서, 본 발명자들은 또한 공업적으로 유리한 1,2-벤즈이소티아졸-3-온의 제조 방법을 개발하려고 연구하였다. 그 결과로서, 본 발명자들은 우연히 화학식 (6) 의 1,2-벤즈이소티아졸-3-온을 학학식 (5) 의 2-(알킬티오)벤즈아미드 및 할로겐화제와의 반응에 의해 직접 수득할 수 있는 것을 발견하였다. 통상적인 방법과는 다르게, 고리화 반응은 이 방법에서 중간체인 알킬술피닐벤즈아미드를 거치지 않고 1 개 반응 단계로 수득할 수 있다.
(상기식에서, R3는 수소 원자, 또는 C1∼12의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기, 시클로 알킬기, 아릴기, 또는 dk르알킬기를 나타내고; R4는 C1∼4의 알킬기를 나타내고; R5는 수소 원자, C1∼4의 알킬기, C1∼4의 알콕시기, 니트로기, 카르복실기 또는 그의 에스테르, 또는 할로겐 원자이다).
본 발명은 상기 발견을 기초로 더 연구하여 완성하였다.
본 발명은 하기와 관련되어 있다:
(1) 불균일 용매에서 염기의 존재하에서 하기 화학식 (1) 의 할로벤즈아미드를 하기 화학식 (2) 의 알칸티올과 반응시켜서 하기 화학식 (3) 의 알킬티오 벤즈아미드를 수득하는 것을 특징으로하는 하기화학식 (3) 의 알킬티오벤즈아미드의 제조 방법:
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
(상기식에서, X 는 Cl 또는 Br 이고, R1은 수소 원자, 또는 C1∼4의 알킬기, 아릴기, 또는아르알킬기이고, R2는 C1∼4의 알킬기이다).
(2) 물 및 1 내지 10 중량부 (1 중량부의 물을 기준) 의 수불용성 유기 용매로 구성된 불균일 용매에서 하기 화학식 (3) 의 알킬티오벤즈아미드를 할로겐과 반응시켜서 하기 화학식 (4) 의 알킬술피닐벤즈아미드를 수득하는 것을 특징으로하는 하기 화학식 (4) 의 알킬술피닐벤즈아미드의 제조 방법:
[화학식 3]
[화학식 4]
(상기식에서, R1및 R2는 상기 정의와 같다).
(3) 불균일 용매의 존재하에서 상기 화학식 (1) 의 할로벤즈아미드를 하기 화학식 (2) 의 알칸티올과 반응시키고; 반응 동안 상기 반응 혼합물에 할로겐을 첨가하여 하기 화학식 (4) 의 알킬술피닐벤즈아미드를 수득하는 것을 특징으로하는 화학식 (4) 의 알킬술피닐벤즈아미드의 제조 방법:
[화학식 1]
[화학식 2]
R2SH (2);
[화학식 4]
(상기식에서, X, R1및 R2는 상기 정의와 동일하다).
(4) 하기 화학식 (5) 의 2-(알킬티오)벤즈아미드를 할로겐화제와 반응시켜 하기 화학식 (6) 의 1,2-벤즈이소티아졸-3-온을 수득하는 것을 특징으로하는 하기 화학식 (6) 의 1,2-벤즈이소티아졸-3-온의 제조 방법:
[화학식 5]
[화학식 6]
(상기식에서, R3는 수소 원자, 또는 C1∼12의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 또는 아르알킬기이고; R4는 C1∼4의 알킬기이고; R5는 수소원자, C1∼4의 알킬기, C1∼4의 알콕시기, 니트로기, 카르복실기 또는 그의 에스테르 또는 할로겐 원자이다).
본 발명에 따라서, 공업적으로 용이하게 이용할 수 있는 원료 물질인 할로벤즈아미드로부터 1 개의 반응 공정으로 중간체인 알킬티오벤즈아미드를 거쳐서 알킬술피닐벤즈아미드를 용이하게 합성할 수 있다. 본 발명의 방법은 본 발명이 수성 페기물을 적게 배출하고 고가이며 위험한 물질을 사용하지않고 고수율로 알킬술피닐 벤즈아미드를 용이하게 수득할 수 있도록 하기 때문에 공업적 및 경제적으로 유리하다.
또한, 본 발명에 따라서, 살충제 및 살진균제로서 중요한 물질인 2-페닐-1,2-벤즈이소티아졸-3-온 및 1,2-벤즈이소티아졸-3-온과 같은 1,2-벤즈이소티아졸-3-온을 고가의 위험한 물질을 사용하지 않고 안전한 반응 조건하에서, 하나의 단계에서 고수율로 알킬티오벤즈아미드로부터 제조할 수 있다.
본 발명을 알킬술피닐벤즈아미드의 제조 방법 및 1,2-벤즈이소티아졸-3-온의 제조 방법을 개별적으로 하기에서 상세히 설명할 것이다.
[A] 알킬술피닐벤즈아미드의 제조 방법
본 발명의 알킬술피닐벤즈아미드의 제조 방법은 목적하는 알킬술피닐벤즈아미드를 신규의 반응, 즉, 공업용으로 낮은 비용으로 이용할 수 있는 할로벤즈아미드를 즉시 알킬티오벤즈아미드로 전환시키는 반응으로 수불용성으로 온화한 조건하에서 고수율로 용이하게 수득할 수 있는 것을 특징으로한다.
(1) 알킬티오벤즈아미드의 제조 방법
본 발명의 알킬티오벤즈아미드 (3) 의 제조 방법은 불균일 용매계에서 염기의 존재하에서 화학식 (1) 의 할로벤즈아미드를 화학식 (2) 의 알칸티올과 반응시키는 것을 특징으로 하는 신규의 방법이다.
상기 화학식 (1),(2) 및 (3) 에서, R1은 수소원자, C1~4의 알킬기, 아릴기 또는 아르알킬기를 나타내고, R2는 C1∼4의 알킬기를 나타낸다. 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 이러한 알킬기의 예로는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, s-부틸 및 t-부틸기를 들 수 있다. 아릴기의 예로는 페닐, 4-톨릴 및 1-나프틸기를 들 수 있다. 아르알킬기의 예로는 벤질 및 페네틸기를 들 수 있다.
본 발명에서 사용된 화학식 (1) 의 할로벤즈아미드는 특히 제한되지 않고, 예를들어, 2-클로로벤즈아미드, N-에틸-2-클로로벤즈아미드, N-페닐-2-클로로벤즈아미드, N-4-톨릴-2-클로로벤즈아미드, N-벤질-2-클로로벤즈아미드, 2-브로모벤즈아미드, N-에틸-2-브로모벤즈아미드, N-페닐-2-브로모벤즈아미드, N-4-톨릴-2-브로모벤즈아미드, N-벤질-2-브로모벤즈아미드, 4-클로로벤즈아미드, N-에틸-4-클로로벤즈아미드, N-페닐-4-클로로벤즈아미드, N-4-톨릴-4-클로로벤즈아미드, N-벤질-4-클로로벤즈아미드, 4-브로모벤즈아미드, N-에틸-4-브로모벤즈아미드, N-페닐-4-브로모벤즈아미드, N-4-톨릴-4-브로모벤즈아미드 및 N-벤질-4-브로모벤즈아미드를 들수 있다.
화학식 (2) 의 알칸티올의 예로는 메탄티올, 에탄티올, 1-프로판티올, 1-부탄티올 및 2-부탄티올을 들 수 있다. 사용된 알칸티올의 양은 정상적으로는 사용된 할로벤즈아미드 몰량의 0.8 ∼ 3.0 배이고, 바람직하게는 1.0 ∼ 2.0 배이다. 사용된 알칸티올의 양은 0.8 배 미만일 경우, 변화되지않은 할로벤즈아미드는 증가한다. 알칸티올의 양이 3.0 배를 초과할 경우에도, 부가효과를 기대할 수 없으므로 경제적으로 불리하다.
할로벤즈아미드와 알칸티올의 반응에 사용될 수 있는 염기는 나트륨 히드록시드 및 칼륨 히드록시드와 같은 알칼리 금속 히드록시드류; 탄산나트륨 및 탄산칼륨과 같은 알칼리 금속 카르보네이트류; 나트륨 메틸레이트 및 나트륨 에틸레이트와 같은 금속 알콜레이트류를 포함한다.
경제적 관점에서는 수산화나트륨을 사용하는 것이 바람직하다.
사용된 염기의 양은 정상적으로는 사용된 할로벤즈아미드 몰량의 0.8 ∼ 3.5 배이고, 바람직하게는 1.0 ∼ 2.5 배이다. 사용된 염기의 양이 0.8 배 미만일 경우에는 변화되지않은 할로벤즈아미드가 증가한다. 사용된 염기의 양이 3.5 배를 초과할 경우에도 부가 효과를 기대할 수 없으므로 경제적으로 불리하다.
화학식 (3) 의 알킬티오벤즈아미드를 제조하는 본 발명의 방법은 반응을 물의 존재하에서 불균일 용매계에서 수행하는 것을 특징으로 한다. 출발 물질인 할로벤즈아미드와 알칸티올의 반응은, 할로벤즈아미드가 물에서 불용성이기 때문에, 2 상 용매계에서 수행된다. 이 경우에는, 상전이 촉매가 반응계에 첨가되어 반응을 증진시키는 것이 바람직하다. 이러한 목적으로 사용될 수 있는 상전이 촉매는 벤질트리에틸암모늄 브로마이드, 벤질트리메틸암모늄 클로라이드, 헥사데실트리에틸암모늄 브로마이드, 헥사데실트리메틸암모늄 클로라이드, 도데실트리메틸암모늄 클로라이드, 옥틸트리에틸암모늄 브로마이드, 테트라-n-부틸암모늄 브로마이드, 테트라-n-부틸암모늄 클로라이드, 테트라에틸암모늄 클로라이드 및 트리옥틸메틸암모늄 클로라이드와 같은 4 차 암모늄 염류; 헥사데실트리에틸포스포늄 브로마이드, 헥사데실트리부틸포스포늄 클로라이드, 테트라-n-부릴포스포늄 브로마이드, 테트라-n-부틸포스포늄 클로라이드, 트리옥틸에틸포스포늄 브로마이드 및 테트라페닐포스포늄 브로마이드와 같은 4 차 포스포늄염류; 18-크라운-6, 디벤조-18-크라운-6 및 디시클로헥실-18-크라운-6 과 같은 크라운 에테르류를 포함한다. 경제적인 면에서, 테트라-n-부틸암모늄 브로마이드 및 테트라-n-부틸 암모늄 클로라이드와 같은 4 차 암모늄 염류를 사용하는 것이 바람직하다.
사용된 상전이 촉매량은 정상적으로는 0.005 ∼ 0.5 중량배, 바람직하게는 0.01 ∼ 0.2 중량배이다. 사용된 상전이 촉매량이 할로벤즈아미드 중량의 0.005 중량배 미만일 경우, 적당한 촉매 효과를 수득할 수 없다. 사용된 상전이 촉매량이 0.5 배를 초과할 경우에도 목적하는 부가 효과를 수득할 수 없으므로, 경제적으로 불리하다.
반응 혼합물의 반응과 분리를 용이하게 하기 위하여, 본 발명에서 사용된 반응 용매는 정상적으로는 물 1 중량부를 기초로 할 때 수불용성 유기 용매 1 ∼ 10 중량부 및 물로 이루어진 불균일 용매이다. 수불용성 유기 용매는 특별히 제한되지 않고, n-헥산, n-헵탄, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 벤젠, 톨루엔 및 크실렌과 같은 탄화수소류; 메딜렌 클로라이드, 1,2-디클로로에탄 및 클로로벤젠과 같은 할로겐화 탄화수소류를 포함한다. 사용된 불균일 용매량은 정상적으로 할로벤즈아미드의 1 ∼ 30 중량배이다.
본 발명의 반응 온도는 일반적으로는 0 ∼ 150 ℃ 이고, 바람직하게는 20 ∼ 120 ℃ 이다. 150 ℃보다 높은 반응 온도는 부반응을 유발시킨다. 한편으로는, 반응 속도는, 반응 온도가 0 ℃ 미만일 경우, 비실용적 수준으로 낮아진다. 반응 시간은 반응 온도 및 상전이 촉매의 유형 및 반응 용매에 따라 변화되고, 일반적일 수는 없지만 통상적으로 1 ∼ 40 시간이다.
반응 종료 후, 알킬티오벤즈아미드를 결정화와 같은, 통상의 방법으로 결합된 유기 용매층으로부터 단리 및 정제될 수 있다. 결합된 물층이 상전이 촉매를 함유하기 때문에 그 후의 반응에서 연속적으로 되풀이하여 사용할 수 있다.
그러므로, 거의 모든 수성 폐기물은 반응계 밖으로 배출된다. 알킬티오벤즈아미드를 포함하는 결합된 유기 용매층은 또한 다음 반응에서 직접 사용할 수있다.
(2) 알킬술피닐벤즈아미드의 제조 방법
화학식 (4) 의 알킬술피닐벤즈아미드는 불균일 용매계에서 상기와 같이 수득된 화학식 (3) 의 알킬티오벤즈아미드를 할로겐과 반응시켜 제조할 수 있다. 화학식 (4) 에서 R1및 R2는 화학식 (3) 에서의 R1및 R2의 정의와 동일하다. 여기서 사용된 할로겐은 염소 및 브롬을 포함한다. 반응 선택성에서 브롬이 바람직하다.
할로겐의 양은 정상적으로는 알킬티오벤즈아미드 몰량의 0.8 ∼ 2.0 배이고, 바람직하게는 1.0 ∼ 1.3 배이다.
사용된 할로겐의 양이 알킬티오벤즈아미드 몰량의 0.8 배 미만일 경우, 변화되지 않은 알킬티오베즈아미드의 양은 증가된다. 다른 한편으로는, 사용된 할로겐의 양이 2.0 배를 초과할 경우 부반응이 발생하고 수율이 저하된다.
알킬티오벤즈아미드 및 할로겐 간의 부산물인 수소 할라이드는 반응계에서 중성화될 수 있다. 이 목적으로 사용된 염기는 수산화나트륨 및 수산화칼륨과 같은 알칼리 금속 히드록시드류: 탄산나트륨, 탄산칼륨, 이탄산나트륨 및 이탄산칼륨과 같은 알칼리 금속 카르보네이트류; 나트륨 메틸레이트 및 나트륨 에틸레이트와 같은 금속 알콜레이트류; 트리에틸아민 및 피리딘과 같은 유기 아민류를 포함한다. 경제적인 면에서, 수산화나트륨 또는 이탄산나트륨을 사용하는 것이 바람직하다.
반옹 산물의 반응 및 단리를 용이하게 하기위하여, 알킬 티오벤즈아미드와 할로겐간의 반응에 사용된 용매는 정상적으로는 물 1 중량부를 기초로 할 때 수불용성 유기 용매 1 ∼ 10 중량부 및 물로 구성된 불균일 용매계이다. 수불용성 유기 용매는 특별히 제한되지는 않고, n-헥산, n-헵탄. 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 벤젠, 톨루엔 및 크실렌과 같은 탄화수소류; 메틸렌 클로라이드, 1,2-디클로로에탄 및 클로로벤젠과 같은 할로겐화 탄화 수소류를 포함한다. 사용된 불균일 용매의 양은 정상적으로는 알킬티오벤즈아미드 중량의 1 ∼ 30 배이다.
알킬티오벤즈아미드와 할로겐의 반응 온도는 정상적으로는 -10 ∼ 100 ℃ 이고, 바람직하게는 0 ∼ 50 ℃ 이다. 100 ℃ 보다 높은 반응 온도는 부반응을 발생시킨다. 한편 -10 ℃ 미만의 반응 온도는 반응 속도를 바람직하지 않은 비실행 단계로 저하시킨다. 반응 시간은 반응 온도 및 반응 용매에 따라 변화되고, 1 ∼ 40 시간이 정상적이다.
본 발명에서, 화학식 (1) 의 할로벤즈아미드와 화학식 (2) 를 갖는 알칸 티올로 출발하여, 화학식 (3) 의 알킬티오벤즈아미드를 먼저 합성한다. 이 단리된 중간 화합물을 다음 단계에서 할로겐과 반응시켜서 목적하는 알킬술피닐벤즈아미드를 수득한다. 본 발명에서는 상기 2 단계 방법외에 1 개 공정 반응을 또한 알킬술피닐벤즈아미드의 제조에 사용할 수 있다. 1 개 공정 반응에서, 출발 물질로서 할로벤즈아미드, 알칸티올 및 할로겐을 사용할 수 있다. 이러한 경우, 중간의 알킬티오벤즈아미드를 함유하는 유기 용매층을 후자의 제거로 수층으로부터 분리할 수 있고 알킬티오벤즈아미드를 고립시키지 않으면서 할로겐과 반응시킬수 있다. 알킬술피닐벤즈아미드를 1 개 공정으로 수득할 경우, 톨루엔 및 물로 이루어진 불균일 용매를 사용하는 것이 바람직하다. 2 단계 방법 또는 1 개 공정 반응으로 수득된, 반응 혼합물로부터 알킬술피닐벤즈아미드의 단리는 정상적으로는 분리된 유기 용매층으로부터 결정화 또는 재결정화에 의해 수행될 수 있다.
이렇게 수득된 알킬술피닐벤즈아미드는 화학식 (4) 으로 나타낸다. 알킬술피닐벤즈아미드는 예를들어 2-(메틸술피닐)벤즈아미드,2-(에틸술피닐)벤즈아미드, 2-(n-프로필술피닐)벤즈아미드, 2-(이소프로필술피닐)벤즈아미드, 2-(n-부틸술피닐)벤즈아미드, 2-(이소부틸술피닐)벤즈아미드, 2-(s-부틸술피닐)벤즈아미드, 2-(t-부틸술피닐)벤즈아미드, N-에틸-2-(메틸술피닐)벤즈아미드, N-페닐-2-(메틸술피닐)벤즈아미드, N-4-톨릴-2-(메틸술피닐)벤즈아미드, N-벤질-2-(메틸술피닐)벤즈아미드, N-에틸-2-(에틸술피닐)벤즈아미드, N-페닐-2-(에틸술피닐)벤즈아미드, N-4-톨릴-2-(에틸술피닐)벤즈아미드 및 N-벤질-2-(에틸술피닐)벤즈아미드와 같은 2-(알킬술피닐)벤즈아미드, 및 4-(메틸술피닐)벤즈아미드, 4-(에틸술피닐)벤즈아미드, N-에틸-4-(메틸술피닐)벤즈아미드, 4-페닐-4-(메틸술피닐)벤즈아미드, N-4-톨릴-4-(메틸술피닐)벤즈아미드 및 N-벤질-4-(메틸술피닐)벤즈아미드와 같은 4-(알킬술피닐)벤즈아미드를 들 수 있다.
[B] 1,2-벤즈이소티아졸-3-온의 제조 방법
본 발명의 1,2-벤즈이소티아졸-3-온의 제조 방법은 중간의 알킬술피닐벤즈아미드를 거치는 2 단계 방법과 관련된 통상적인 방법과는 다르게, 2-(알킬티오)벤즈아미드 (5) 를 공업용으로 용이하게 이용할 수 있는 출발 물질로서 사용하고, 단지 1 단계에서 고리화하여 직접 1,2-벤즈이소티아졸-3-온 (6) 을 수득하는 것을 특징으로 한다. 이 방법의 다른 특징은 1,2-벤즈이소티아졸-3-온을 위험하고 고가인 물질을 사용하지 않으면서 수불용성으로 온화한 조건하에서 안전하게 제조하는 것이다.
R3및 R5의 동일한 정의는 식 (5) 및 (6) 모두에 적용된다. 특히, R3은 수소원자, C1∼12의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 아르알킬기를 나타낸다.
R3의 알킬기는 예를들어, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, n-데실 및 n-도데실기를 나타낸다. R3의 시클로알킬기의 예로는 시클로펜틸 및 시클로헥실을 들 수 있다. R3의 아릴기의 예로는 페닐, 4-톨릴, 4-메톡시페닐, 4-클로로페닐, 및 1-나프틸기를 들 수 있다. R3의 아르알킬기의 예로는 벤질 및 페네틸기를 들 수 있다. R3의 바람직한 예는 수소 원자, 및 메틸, 에틸, 이소프로필, n-부틸, t-부틸, n-도데실, 시클로헥실, 페닐, 4-톨릴, 4-메톡시페닐, 4-클로로페닐, 1-나프틸 및 벤질기이고, 보다 바람직하게는 수소원자 및 페닐기를 들 수 있다.
화학식 (5) 에서 R4는 C1∼4의 알킬기를 나타낸다. R4의 알킬기는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, s-부틸 및 t-부틸기를 예로들 수 있다.
R4의 바람직한예는 메틸, 에틸, n-프로필 및 t-부틸기이고 보다 바람직하게는 메틸 및 t-부틸기이다.
화학식 (5) 및 (6) 에서 R5는 수소원자, C1∼4의 알킬기, C1∼4의 알콕시기, 니트로기, 카르복실기 또는 그의 에스테르기, 또는 할로겐 원자를 나타낸다.
R5의 알킬기는 예를들면, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, s-부틸 및 t-부틸기를 들 수 있다. R5의 알콕시기는 예를들면, 메톡시, 에톡시, 프로폭시 및 부톡시기를 들 수 있다. R5의 카르복실기의 에스테르는 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, 프로폭시카르보닐 및 부톡시카르보닐을 예로 들 수 있다.
R5에 대한 할로겐의 예로는 염소 및 브롬을 들 수 있다.
R5의 바람직한 예는 수소원자, n-부틸기, 메톡시기, 니트로기 및 염소 원자를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 수소원자이다.
출발물질인 본 발명의 화학식 (5) 의 2-(알킬티오)벤즈아미드는 특별히 제한되지 않고, 그의 예는 하기를 포함한다:
2-(메틸티오)벤즈아미드, 2-(에틸티오)벤즈아미드, 2-(t-부릴티오)벤즈아미드, N-에틸-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-에틸-2-(에틸티오)벤즈아미드, N-이소프로필-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-(t-부틸)-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-헥실-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-옥틸-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-데실-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-도데실-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-시클로헥실-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-페닐-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-(4-톨릴)-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-(4-메톡시페닐)-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-(4-클로로페닐)-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-(1-나프틸)-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-벤질-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-벤질-2-(프로필티오)벤즈아미드, N-벤질-2-(부틸티오)벤즈아미드, N-페닐-3-메틸-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-메틸-5-부틸-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-부틸-4-메톡시-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-페닐-2-메틸티오-3-니트로벤즈아미드, 4-클로로-2-(메틸티오)벤즈아미드, 4-카르복실-2-(메틸티오)벤즈아미드, 및 4-메톡시카르보닐-2-(메틸티오)벤즈아미드.
화학식 (5) 의 2-(알킬티오)벤즈아미드를 어떤 방법으로 제조할지라도, 상기의 본 발명의 알킬티오벤즈아미드를 제조하는 방법으로 보다 유리하게 수득할 수 있다.
본 발명의 2-(알킬티오)벤즈아미드로부터 1,2-벤즈이소티아졸-3-온을 제조하는 방법은 2-(알킬티오)벤즈아미드를 할로겐화제와 반응시켜 수행할 수 있다.
이 방법의 자세한 것은 하기에 기술한다.
일부 할로겐화제가 술피드와 반응하여 술포늄 할라이드를 제조할 수 있는 한, 할로겐화제를 본 발명의 이러한 방법에 사용할 수 있다. 이러한 시약은 술포닐 클로라이드 및 술포닐 브로마이드와 같은 술푸릴 브로마이드와 같은 술푸릴할라이드 [SO2X2(7), X 는 Cl 또는 Br 이다.]; 포스포러스 펜타클로라이드; 및 포스포러스 트리클로라이드와 같은 포스포러스 클로라이드; 염소, 브롬 및 요오드와 같은 할로겐 원자를 포함한다. 이들 중에서, 술푸릴 클로라이드, 포스퍼러스 펜타 클로라이드, 포스포러스 트리클로라이드 및 염소가 바람직하게 사용된다.
1,2-벤즈이소티아졸-3-온을 수득하기 위하여 할로겐화 반응에 사용된 반응용매는 반응에서 불활성인 한 특별히 제한하지 않는다. 반응 용매의 예로는 n-헥산, n-헵탄, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 벤젠, 톨루엔 및 크실렌과 같은 탄화수소류; 메틸렌 클로라이드, 1,2-디클로로에탄, 클로로포름, 4 염화탄소 및 모노클로로벤젠과 같은 할로겐화 탄화수소류를 포함한다.
상기 언급된 반응 용매 중에서, 하기와 같은 이유로 톨루엔, 크실렌 및 모노클로로벤젠이 바람직하다:
하기 화학식 (8) 의 할로벤즈아미드와 하기 화학식 (9) 의 알칸티올의 반응에 의해 화학식 (5) 의 2-(알킬티오)벤즈아미드의 합성으로부터 2-(알킬티오)벤즈아미드와 할로겐화제의 반응에 의한 1,2-벤즈이소티아졸-3-온의 합성까지의 전체 공정이 원-포트 (one-pot) 로 매우 효과적으로 달성될 수 있다.
[화학식 8]
[화학식 9]
R4SH (9)
할로벤즈아미드 (8) 과 알칸티올 (9) 간의 반응 조건은 할로벤즈아미드 (1)과 알칸티올 (2) 간의 반응 조건과 동일하다.
사용한 용매량은 정상적으로는 사용된 2-(알킬티오)벤즈아미드 중량의 1 ∼ 30 중량배이다. 반응 온도는 정상적으로는 0 ∼ 150 ℃ 이고, 바람직하게는 20 ∼ 120 ℃ 이다. 150 ℃ 보다 높은 반응 온도는 부반응의 문제가 발생한다. 한편, 반응 온도가 0 ℃ 미만일 경우, 반응 속도는 비실행 단계로 저하된다. 반응 시간은 반응 온도 및 반응 용매의 형태에 따라 다르고, 정상적으로는 1 ∼ 40 시간이다.
목적하는 1,2-벤즈이소티아졸-3-온이 액체일 경우, 감압하에서 증류하고 또는 목적하는 1,2-벤즈이소티아졸-3-온이 고체인 경우, 직접 결정화 또는 추출하고 이어서 재결정화하는 통상의 방법으로 이렇게 수득된 반응 혼합물로부터 단리 및 정제할 수 있다. 이 방법에는 어떤 제한도 없다.
본 발명의 방법으로 수득한 화학식 (6) 의 1,2-벤즈이소티아졸-3-온의 예는 하기를 포함한다:
1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 2-에틸-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 2-이 소프로필-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 2-(t-부틸)-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 2-헥실-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 2-옥틸-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 2-데실-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 2-도데실-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 2-시클로헥 실-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 2-페닐-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 2-(4-톨릴)-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 2-(4-메톡시페닐)-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 2-(4-클로로페닐)-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 2-(1-나프틸)-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 2-벤질-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 7-메틸-2-페닐-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 5-부틸-2-메틸-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 2-부틸-6-메톡시-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 7-니트로-2-페닐-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 6-클로로-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 6-카르복시-1,2-벤즈이소티아졸-3-온, 및 6-메톡시카르보닐-1,2-벤즈이소티아졸-3-온.
(실시예)
본 발명은 본 발명의 범주를 제한하지 않고 하기 실시예 및 제조예에 의해 더 상세하게 설명된다. 이에 덧붙여, 수득된 생성물을 목적하는 생성물이 수득되었는지 측정하기 위하여 핵자기공명법 (1H-NMR) 및 질량분광계로 확인한다.
(제조예 1)
N-페닐-2-클로로벤즈아미드
교반기, 온도계 및 응축기가 장착된 500 ml 의 4 구 플라스크에 2-클로로벤조산 31.3 g (0.2 몰) 및 톨루엔 180 g 을 넣는다.
플라스크 내의 상기 혼합물에 티오닐 클로라이드 25.0 g (0.21 몰) 을 60 ~ 65 ℃ 의 온도로 교반하면서 약 30 분동안 적가하여 30 분간 서로 반응하도록한다. 상기 반응 혼합물에, 톨루엔 100 g 중에 용해된 아닐린 27.9 g (0.3 몰) 을 함유하는 용액을 70 ∼ 75 ℃ 의 온도로 교반하면서 약 30 분동안 적가하여 약 30 분간 서로 반응시킨다. 반응 종료 후, 반응 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 5 중량 % 염산 용액 70 g 을 상기 혼합물에 첨가한다. 혼합물을 격렬하게 진탕하고 수성층으로부터 톨루엔층을 분리한다. 톨루엔층의 분리후, 농축하여 백색 결정을 침전시킨후, 재결정화 (3/7 의 물/메탄올의 혼합물) 하여, N-페닐-2-클로로벤즈
아미드 (융점 : 116 ∼ 117 ℃) 43.1 g 을 수득한다. 2-클로로벤조산에 대한 생성물의 수율은 93 % 이다.
(실시예 1)
N-페닐-2-(메틸티오)벤즈아미드의 제조
교반기, 온도계 및 응축기가 장착된 500 ml 의 4 구 플라스크에 제조예 1에서 수득한 N-페닐-2-클로로벤즈아미드 46.3 g (0.2 몰), 톨루엔 100 g, 및 50 중량 % 의 테트라-n-부틸암모늄 브로마이드 수용액 9.3 g 을 넣는다.
별도로, 수산화 나트륨 12.0 g (0.30 몰) 및 물 113.7 g 을 질소 기류하에서 서로 다른 용기에 넣고, 메탄티올 14.5 g (0.3 몰) 을 실온에서 상기 혼합물에 1 시간에 걸쳐 첨가하여 메탄티올의 나트륨염 용액 140.2 g 을 수득한다. 이렇게 수득한 나트륨 메틸 메르캅탄의 수용액 140.2 g (0.3 몰) 을 1 시간 동안 환류하에서 서로 반응하도록 교반하면서 80 ℃ 에서 상기 기재의 N-페닐-2-클로로벤즈아미드를 함유하는 혼합물에 첨가한다. 반응 종료 후, 반응 혼합물을 실온으로 냉각시켜 백색 결정을 침전시키고, 물로 세척한 후, 톨루엔으로 세척하고 건조시켜서, N-페닐-2-(메틸티오)벤즈아미드 (융점 148 ∼ 149 ℃) 46.2 g 을 수득한다. N-페닐-2-클로로벤즈아미드에 대한 생성물의 수율은 95 % 이다.
(실시예 2)
N-페닐-2-(메틸술피닐)벤즈아미드의 제조
교반기, 온도계 및 응축기가 장착된 500 ml 의 4 구 플라스크에 제조예 1에서 수득한 N-페닐-2-(메틸티오)벤즈아미드 48.6 g (0.2 몰), 톨루엔 300 g, 및 10 중량 % 의 이탄산칼륨 수용액 200 g 을 넣는다. 플라스크 내의 상기 혼합물에, 브롬 32.0 g (0.2 몰) 을 약 10 분동안 서로 반응하도록 10 ∼ 15 ℃ 의 은도에서 교반하면서 적가한다. 반응 종료 후, 수득된 백색 결정을 여과한 후, 물 및 에탄올 (1:9) 의 혼합물로부터 재결정화하여 N-페닐-2-(메틸술피닐)벤즈아미드(융점 : 194 ∼ 195 ℃) 48.7 g 을 수득한다. N-페닐-2-(메틸티오)벤즈아미드에 대한 생성물의 수율은 94 % 이다.
(실시예 3)
2-클로로벤조산으로부터 1 반응 공정에 의한 N-페닐-2-(메틸술피닐)벤즈아미드의 제조
교반기, 온도계 및 응축기가 장착된 1000 ml 의 4 구 플라스크에 2-클로로벤조산 31.3 g (0.2 몰) 및 톨루엔 300 g 을 넣고 제조예 1 과 동일한 방법을 수행한다. 생성물인 N-페닐-2-클로로벤즈아미드를 함유하는 톨루엔 층에, 50 중량% 의 테트라-n-부틸암모늄 브로마이드 수용액 9.3 g 을 첨가한다. 이 혼합물에, 실시예 1 에서 수득한 나트륨 메틸 메르캅탄 수용액 140.2 g (0.3 몰) 을 첨가하고 실시예 1 과 동일한 반응을 수행한다. 반응 종료 후, 반응 혼합물을 가열하면서 분리하여, 톨루엔층을 분리한다. 수득된 톨루엔 층에, 10 중량 % 의 이탄산칼륨 수용액 200 g 을 첨가하고, 이혼합물에 브롬 38.4 g (0.24 몰) 을 교반하면서10 ∼ 15 ℃ 의 온도에서 적가하고, 실시예 2 에서와 동일한 조건하에서 서로 반응시킨다. 원-포트로 전체 반응을 수행한 걸과로서, 2-클로로벤조산에 대한 N-페닐-2-(메틸술피닐)벤즈아미드의 수율은 81 % 이다.
(실시예 4)
2-페닐-1,2-벤즈이소티아졸-3-온 제조
교반기, 온도계 및 응축기가 장착된 500 ml 의 4 구 플라스크에, N-페닐-2-(메틸티오)벤즈아미드 48.6 g (0.2 몰) 및 톨루엔 100 g 을 넣는다. 플라스크 내의 상기 혼합물에, 술푸릴 클로라이드 29.7 g (0.22 몰) 을 20 ∼ 30 ℃ 의 온도에서 교반하면서 침가한 후, 이 성분들을 가열하여 70 ∼ 80 ℃ 의 온도에서 서로 반응하도록 한다. 반응 종료 후, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하고, 침전된 백색 결정질을 톨루엔으로 세척한 후, 건조시켜서, 2-페닐-1,2-벤즈이소티아졸-3-온(융점 : 140 ~ 141 ℃) 44.0g을 수득한다. 생성물의 수율은 반응의 출발 물질로 사용된 N-페닐-2-(메틸티오)벤즈아미드에 대하여 97 % 이다.
(실시예 5)
1,2-벤즈이소티아졸-3-온 제조
교반기, 온도계 및 응축기가 장착된 500 ml의 4구 플라스크에, 4-(메틸티오)벤즈아미드 33.4g (0.2 몰) 및 톨루엔 150g을 넣는다. 플라스크 내의 상기 혼합물에, 술푸릴 클로라이드 28.3g(0.21 몰)을 20 ~ 30 ℃의 온도로 교반하면서 첨가한 후, 이 성분들을 가열하고 70 ~ 80 ℃ 의 온도에서 1 시간도안 서로 반응하도록 한다.
반응 종료 후, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하고, 침전된 백색 결정을 톨루엔으로 세척한 후, 건조시켜서, 1,2-벤즈이소티아졸-3-온 (융점 : 157 ~ 158 ℃) 29.0g을 수득한다. 생성물의 수율은 출발 물질로 사용된 2-(메틸티오)벤즈아미드에 대하여 96% 이다.
(실시예 6 ~ 18)
1,2-벤즈이소티아졸-3-온 제조
N-페닐-2-(메틸티오)벤즈아미드를 표 1 ~ 3에 나타난 2-(알킬티오)벤즈아미드로 대체하는 것을 제외하고는 실시예 4와 동일한 방법을 수행하여 상응하는 1,2-벤즈이소티아졸-3-온을 수득한다.
상응하는 1,2-벤즈이소티아졸-3-온이 액체인 경우는 감압하에서 증류에 의해 수득한다. 생성물의 융점 및 수율 또한 표 1 ~ 3에 나타낸다.
(실시예 19)
2-페닐-1,2-벤즈이소티아졸-3-온 제조
실시예 4의 술푸릴 클로아드를 포스포러스 펜타클로리드 83.4g (0.4 몰)으로 대체하는 것을 제외하고는 실시예 4와 동일한 방법을 수행하여 2-페닐-1,2-벤즈이소티아졸-3-온 36.7g을 수득한다. N-페닐-2-(메틸티오)벤즈아미드에 대한 생성물의 수율은 81 % 이다.
(실시예 20)
2-페닐-1,2-벤즈이소티아졸-3-온 제조
교반기, 온도계 및 응축기가 장착된 500ml의 4구 플라스크에, 실시예 1과 같이 제조한 N-페닐-2-(메틸티오)벤즈아미드 48.6g (0.2 몰) 및 모노클로로벤젠 100g을 넣는다. 플라스크 내의 상기 혼합물에, 염소 18.5g (0.26 몰)을 40 ~ 50 ℃의 온도로 교반하면서 첨가한 후, 이 성분을 가열하여 70 ~ 80 ℃의 온도에서 1시간 도안 서로 반응하도록 한다.
반응 종료 후, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하고, 침전된 백색 결정을 모노클로로벤젠으로 세척한 후, 건조시켜서, 2-페닐-벤즈이소티아졸-3-hs (융점 : 140 ~ 141 ℃) 44.5g을 수득한다. 생성물의 수율은 반응의 출발 물질로 사용된 N-페닐-2-(메틸티오)벤즈아미드에대하여 98% 이다.
(실시예 21)
1,2-벤즈이소티아졸-3-온 제조
교반기, 온도계 및 응축기가 장착된 500ml의 4구 플라스크에, 2-(메틸티오)벤즈아미드 33.4g (0.2 몰) 및 모노클로로벤젠 150g을 넣는다. 플라스크 내의 상기 혼합물에, 염소 18.5 g (0.26 몰)을 40 ~ 50 ℃의 온도로 교반하면서 첨가한 후, 이 성분들을 가열하고 70 ~ 80 ℃의 온도에서 1시간동안 서로 반응하도록 한다.
반응 종료 후, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하고, 침전된 백색 결정을 모노클로로벤젠으로 세척한 후, 건조시켜서, 1,2-벤즈이소티아졸-3-온 (융점 : 157 ~ 158 ℃) 29.3g을 수득한다. 생성물의 수율은 반응의 출발 물질로 사용된 2-(메틸티오)벤즈아미드에 대하여 97% 이다.
실시예 4 ~ 21 의 결과를 표 1 ~ 3에 함께 나타낸다.
[표 1]
[표 2]
[표 3]
이렇게 기재된 본 발명은 여러 방법에 의해 변화될 것이 분명하다. 이러한 변화는 발명의 범주 및 발명의 정신에 이탈되지 않고, 당업자에게 분명한 이러한 변형은 하기 특허청구의 범위의 범주에 포함된다.

Claims (4)

  1. 탄화수소 및 할로겐화 탄화수소로부터 선택된 반응 용매에서 하기 일반식 (5) 의 2-(알킬티오)벤즈아미드를 할로겐화제와 반응시켜서 하기 일반식 (6)의 1,2-벤즈이소티아졸-3-온을 수득하는 것을 특징으로 하는 일반식 (6) 의 1,2-벤즈이소티아졸-3-온의 제조 방법:
    [화학식 5]
    [화학식 6]
    (상기식에서, R3는 수소 원자, 또는 C1∼12의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 또는 아르알킬기를 나타내고; R4는 C1∼4의 알킬기를 나타내고; R5는 수소원자, C1∼4의 알킬기, C1∼4의 알콕시기, 니트로기, 카르복실기 또는 그의 에스테르 또는 할로겐 원자이다).
  2. 제 1항에 있어서, 할로겐화제가 하기 일반식 (7)의 술푸릴 할라이드, 포스포러스 펜타클로라이드, 포스포러스 트리클로라이드, 및 염소로 구성된 군으로부터 선택되는 방법 :
    SO2X2(7)
    (상기식에서, X는 Cl 또는 Br 이다.)
  3. 제 1항에 있어서, 일반식 (5)의 화합물이 2-(메틸티오)벤즈아미드, 2-(에틸티오)벤즈아미드, 2-(t-부릴티오)벤즈아미드, N-에틸-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-에틸-2-(에틸티오)벤즈아미드, N-이소프로필-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-(t-부틸)-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-헥실-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-옥틸-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-데실-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-도데실-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-시클로헥실-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-페닐-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-(4-톨릴)-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-(4-메톡시페닐)-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-(4-클로로페닐)-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-(1-나프틸)-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-벤질-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-벤질-2-(프로필티오)벤즈아미드, N-벤질-2-(부틸티오)벤즈아미드, N-페닐-3-메틸-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-메틸-5-부틸-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-부틸-4-메톡시-2-(메틸티오)벤즈아미드, N-페닐-2-메틸티오-3-니트로벤즈아미드, 4-클로로-2-(메틸티오)벤즈아미드, 4-카르복실-2-(메틸티오)벤즈아미드, 및 4-메톡시카르보닐-2-(메틸티오)벤즈아미드로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
  4. 제 1항에 있어서, 일반식 (5) 의 2-(알킬티오)벤즈아미드는 염기의 존재하에 분균일 용매에서 일반식 (8)의 할로벤즈아미드를 하기 일반식 (9)의 알칸티올과 반응시켜서 수득되는 방법.
    [화학식 8]
    [화학식 9]
    R4SH (9)
    (상기식에서, X는 Cl 또는 Br 이고, R3은 수소 원자, 또는 C1~12의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 아르알킬기를 나타내과; R4sms C1~4의 알킬기를 나타내고; R5는 수소원자, C1~4의 알킬기, C1~4의 알콕시기, 니트로기, 카르복실기 또는 그의 에스테르, 또는 할로겐원자를 나타낸다.)
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