JPWO2022168217A5 - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06268183A (ja) 1993-03-15 1994-09-22 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US6071795A (en) * 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
WO2002084631A1 (en) * 2001-04-11 2002-10-24 Sony Corporation Element transfer method, element arrangmenet method using the same, and image display apparatus production method
US6911375B2 (en) * 2003-06-02 2005-06-28 International Business Machines Corporation Method of fabricating silicon devices on sapphire with wafer bonding at low temperature
JP2005109208A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子の製造方法
EP1571705A3 (fr) * 2004-03-01 2006-01-04 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Réalisation d'une entité en matériau semiconducteur sur substrat
JP4654389B2 (ja) * 2006-01-16 2011-03-16 株式会社ムサシノエンジニアリング ダイヤモンドヒートスプレッダの常温接合方法，及び半導体デバイスの放熱部
US20080122119A1 (en) * 2006-08-31 2008-05-29 Avery Dennison Corporation Method and apparatus for creating rfid devices using masking techniques
FR2921515B1 (fr) * 2007-09-25 2010-07-30 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de structures semiconductrices utiles pour la realisation de substrats semiconducteur- sur-isolant, et ses applications.
US8764026B2 (en) * 2009-04-16 2014-07-01 Suss Microtec Lithography, Gmbh Device for centering wafers
JP5466578B2 (ja) * 2010-05-27 2014-04-09 株式会社神戸製鋼所 ダイヤモンド・アルミニウム接合体及びその製造方法
WO2014095373A1 (en) * 2012-12-18 2014-06-26 Element Six Limited Substrates for semiconductor devices
JP6004100B2 (ja) * 2013-05-24 2016-10-05 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP5931803B2 (ja) 2013-06-10 2016-06-08 日本電信電話株式会社 窒化物半導体装置の製造方法
GB2544563B (en) * 2015-11-20 2019-02-06 Rfhic Corp Mounting of semiconductor-on-diamond wafers for device processing
US10767088B2 (en) 2016-01-07 2020-09-08 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Photoreversible adhesive agent
GB201610886D0 (en) * 2016-06-22 2016-08-03 Element Six Tech Ltd Bonding of diamond wafers to carrier substrates
JP2019527477A (ja) 2016-07-12 2019-09-26 キューエムエイティ・インコーポレーテッド ドナー基材を再生するための方法
JP6671518B2 (ja) 2017-02-02 2020-03-25 三菱電機株式会社 半導体製造方法および半導体製造装置
JP2019026817A (ja) 2017-08-04 2019-02-21 国立研究開発法人産業技術総合研究所 光応答性粘接着剤
KR102734318B1 (ko) * 2019-11-08 2024-11-25 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기판 결합 장치 및 방법

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