CN105336581A - 功率半导体器件制作方法及装置 - Google Patents
功率半导体器件制作方法及装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105336581A CN105336581A CN201510740640.0A CN201510740640A CN105336581A CN 105336581 A CN105336581 A CN 105336581A CN 201510740640 A CN201510740640 A CN 201510740640A CN 105336581 A CN105336581 A CN 105336581A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon chip
- glued membrane
- power semiconductor
- manufacture method
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 140
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 139
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 139
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 72
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 abstract 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
本发明提供一种功率半导体器件制作方法及装置，其中，方法包括：通过在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；对胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在第一硅片上的部分，使胶膜与第一硅片形状大小相同；对第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对第一硅片背面的所有工艺全部完成；从第一硅片上除去胶膜，获得第二硅片。上述方法由于在第一硅片上贴了胶膜，可避免第一硅片减薄后翘曲过大，不利于后续加工，且同时能够降低成本，简化工艺过程。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制作技术领域，尤其涉及一种功率半导体器件制作方法及装置。
背景技术
功率半导体器件主要应用在大电压、大电流的场合，在使用中会产生大量的热量，过高的热量会使器件失效，为了尽量减少这些热量，需要减少器件的电阻，需要将硅片的厚度降低到350um以下，而硅片的厚度越低，机械强度越小，硅片就越容易发生翘曲，过大的翘曲对加工器件的机台提出了很大的挑战，因为硅片厚度太薄和硅片翘曲过大容易导致如下问题：
(1)自动机台机械手传片发生故障。有些机台的传片是通过真空吸附的形式进行，如果硅片翘曲过大，真空将无法有效吸附这些硅片，导致机台报警，硅片无法进入机台加工。
(2)机台加工薄硅片时容易产生碎片。当硅片的厚度低于350um时，在进行高速旋转的工艺时，硅片由于机械强度低会发生碎片，危及人身安全。
现有技术中，为了解决硅片减薄后翘曲过大的问题，通常是采用一种硅片临时键合的技术，该方案是采用一种类似于硅片的载片，该载片提供支撑作用，首先在该载片上涂覆临时键合胶，然后在硅片和载片上施加一定大小的力，把硅片和载片“焊接”在一起，再进行后续的相关工艺，等到工艺全部完成时，再把载片和硅片分开(解键合)，即用相应的溶剂清洗干净硅片和载片上残留的临时键合胶，完成整个工艺过程。该技术方案需要用到临时键合胶、清洗溶剂、载片、临时键合机、解键合机等原材料和设备，缺点是设备和原材料昂贵，生产成本大，工艺过程复杂，消耗的化学品污染环境。
发明内容
本发明提供一种功率半导体器件制作方法及装置，用于解决现有技术在解决功率半导体器件薄片翘曲时成本大，工艺过程复杂的技术问题。
本发明一方面提供一种功率半导体器件制作方法，包括：
在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；
对胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在第一硅片上的部分，使胶膜与第一硅片形状大小相同；
对第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对第一硅片背面的所有工艺全部完成；
从第一硅片上除去胶膜，获得第二硅片。
进一步的，胶膜的厚度为300～1000微米。
进一步的，胶膜具有粘附性。
进一步的，从第一硅片上除去胶膜，获得第二硅片，具体为：
对胶膜采用紫外线进行照射预设时间后，再从第一硅片上撕开胶膜，获得第二硅片。
进一步的，预设时间为1S-1000S。
进一步的，胶膜呈透明状。
进一步的，胶膜至少能够承受200℃的高温。
本发明另一方面提供一种功率半导体器件制作装置，包括：
胶膜粘贴模块，用于在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；
胶膜裁剪模块，用于对胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在第一硅片上的部分，使胶膜与第一硅片形状大小相同；
背面工艺处理模块，用于对第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对第一硅片背面的所有工艺全部完成；
胶膜去除模块，用于从第一硅片上除去胶膜，获得第二硅片。
本发明提供一种功率半导体器件制作方法及装置，通过在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；对胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在第一硅片上的部分，使胶膜与第一硅片形状大小相同；对第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对第一硅片背面的所有工艺全部完成；从第一硅片上除去胶膜，获得第二硅片。上述方法由于在第一硅片上贴了胶膜，可避免第一硅片减薄后翘曲过大，不利于后续加工，且同时能够降低成本，简化工艺过程。
附图说明
在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：
图1为根据本发明实施例一的功率半导体器件制作方法的流程示意图；
图2为根据本发明实施例二的功率半导体器件制作装置的结构示意图。
在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
实施例一
本实施例的执行主体是功率半导体器件制作装置。
图1为根据本发明实施例一的功率半导体器件制作方法的流程示意图，如图1所示，本发明提供一种功率半导体器件制作方法，包括：
步骤101，在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜。
具体的，此处的第一硅片即是未进行背面减薄工艺的硅片，为了与已完成背面所有工艺的第二硅片进行区分，此处称为第一硅片。功率半导体器件，主要是用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件，如IGBT就是一种功率半导体器件。在制作功率半导体器件时，如制作IGBT，由于涉及到硅片背面减薄工艺，而硅片越薄，机械强度越小，硅片就越容易发生翘曲，过大的翘曲不利于硅片的后续加工，而且硅片太薄在后续加工时容易产生碎片，危及人身安全。所以在功率半导体器件的第一硅片正面先贴上胶膜，然后对第一硅片进行后续工艺。由于胶膜需要能够完全覆盖第一硅片正面，为了贴覆方便，通常胶膜比第一硅片正面要大，至于大多少，可根据实际情况进行设置，在此不做限定，但是为了节约材料，胶膜比第一硅片正面不要大太多。
进一步的，胶膜的厚度为300～1000微米。这个范围的胶膜厚度，贴在第一硅片上后能保证第一硅片的翘曲在可接受范围内，并能够提供足够的支撑作用，保证第一硅片在高速旋转下不产生碎片。
进一步的，胶膜具有粘附性。胶膜的粘附性好，贴在第一硅片上后能经受后续的加工工艺而不从第一硅片上脱落，以保证第一硅片的翘曲在可接受范围内。
进一步的，胶膜呈透明状。胶膜呈透明状，即胶膜贴在第一硅片正面后，可透过胶膜看见第一硅片正面的各部件及结构，便于对第一硅片的加工，避免发生损伤而不可知。
进一步的，胶膜至少能够承受200℃的高温。胶膜能耐受一定的温度，可在后续的高温加工工艺中不发生性质的改变而保持原有性能，同时也不至于对第一硅片正面各部件及结构产生污染，以改变第一硅片性能。
步骤102，对胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在第一硅片上的部分，使胶膜与第一硅片形状大小相同。
具体的，最佳情况下，胶膜与第一硅片正面的形状大小相同，此种情况下，不需要额外对胶膜进行裁剪，但是这种情况在实现起来对贴胶膜工艺要求比较高，多数情况下，为了降低贴胶膜工艺要求，可使胶膜稍大于第一硅片正面，因此，在此种情况下，为了便于后续对第一硅片背面进行处理，需要对胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在第一硅片上的部分，使胶膜与第一硅片形状大小相同。
步骤103，对第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对第一硅片背面的所有工艺全部完成。
具体的，在对第一硅片正面贴胶膜后，第一硅片的翘曲状况会得到改善，此时可对第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对第一硅片背面的所有工艺全部完成。此部分属于现有技术，在此不再赘述。
步骤104，从第一硅片上除去胶膜，获得第二硅片。
具体的，可直接从第一硅片上撕除胶膜，获得第二硅片，也可采用对紫外线敏感的胶膜，对胶膜采用紫外线进行照射预设时间后，再从第一硅片上撕开胶膜，获得第二硅片。预设时间可设置为1S-1000S。由于胶膜对紫外线敏感，当用紫外线照射后，胶膜的粘附性变差，能轻松从第一硅片表面撕开，同时避免对第一硅片正面组件和结构的损害。
本发明提供一种功率半导体器件制作方法，通过在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；对胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在第一硅片上的部分，使胶膜与第一硅片形状大小相同；对第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对第一硅片背面的所有工艺全部完成；从第一硅片上除去胶膜，获得第二硅片，上述方法由于在第一硅片上贴了胶膜，可避免第一硅片减薄后翘曲过大，不利于后续加工，且同时能够降低成本，简化工艺过程，与现有技术相比，整个方法无需使用化学药品进行粘贴，是一种既经济又环保的方法。
实施例二
图2为根据本发明实施例二的功率半导体器件制作装置的结构示意图，如图2所示，本发明提供一种功率半导体器件制作装置，包括胶膜粘贴模块1、胶膜裁剪模块2、背面工艺处理模块3和胶膜去除模块4。
胶膜粘贴模块1，用于在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；
胶膜裁剪模块2，用于对胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在第一硅片上的部分，使胶膜与第一硅片形状大小相同；
背面工艺处理模块3，用于对第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对第一硅片背面的所有工艺全部完成；
胶膜去除模块4，用于从第一硅片上除去胶膜，获得第二硅片。
本实施例是与上述实施例对应的装置实施例，具体详情可参见上述实施例一中相应的描述，在此不再赘述。
本发明提供一种功率半导体器件制作装置，通过胶膜粘贴模块1在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；再利用胶膜裁剪模块2对胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在第一硅片上的部分，使胶膜与第一硅片形状大小相同；经过背面工艺处理模块3对第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对第一硅片背面的所有工艺全部完成；最后利用胶膜去除模块4从第一硅片上除去胶膜，获得第二硅片，由于在第一硅片上贴了胶膜，可避免第一硅片减薄后翘曲过大，不利于后续加工，且同时能够降低成本，简化工艺过程，与现有技术相比，整个方法无需使用化学药品进行粘贴，是一种既经济又环保的方法。
虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。
Claims (8)
1.一种功率半导体器件制作方法，其特征在于，包括：
在所述功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；
对所述胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在所述第一硅片上的部分，使所述胶膜与所述第一硅片形状大小相同；
对所述第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对所述第一硅片背面的所有工艺全部完成；
从所述第一硅片上除去所述胶膜，获得第二硅片。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述胶膜的厚度为300～1000微米。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述胶膜具有粘附性。
4.根据权利要求1所述的功率半导体器件制作方法，其特征在于，从所述第一硅片上除去所述胶膜，获得第二硅片，具体为：
对所述胶膜采用紫外线进行照射预设时间后，再从所述第一硅片上撕开所述胶膜，获得所述第二硅片。
5.根据权利要求4所述的功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述预设时间为1s-1000s。
6.根据权利要求1所述的功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述胶膜呈透明状。
7.根据权利要求1-6任一所述的功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述胶膜至少能够承受200℃高温。
8.一种功率半导体器件制作装置，其特征在于，包括：
胶膜粘贴模块，用于在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；
胶膜裁剪模块，用于对所述胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在所述第一硅片上的部分，使所述胶膜与所述第一硅片形状大小相同；
背面工艺处理模块，用于对所述第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对所述第一硅片背面的所有工艺全部完成；
胶膜去除模块，用于从所述第一硅片上除去所述胶膜，获得第二硅片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510740640.0A CN105336581A (zh) | 2015-11-04 | 2015-11-04 | 功率半导体器件制作方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510740640.0A CN105336581A (zh) | 2015-11-04 | 2015-11-04 | 功率半导体器件制作方法及装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105336581A true CN105336581A (zh) | 2016-02-17 |
Family
ID=55287029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510740640.0A Pending CN105336581A (zh) | 2015-11-04 | 2015-11-04 | 功率半导体器件制作方法及装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105336581A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106783548A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-05-31 | 通富微电子股份有限公司 | 一种晶圆的背胶方法 |
| CN108321249A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-07-24 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 一种局部减薄砷化镓太阳电池制备方法 |
| CN108565244A (zh) * | 2018-01-11 | 2018-09-21 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 减薄工艺的揭膜方法 |
| CN114678447A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-06-28 | 中锗科技有限公司 | 一种太阳能电池用超薄Ge单晶衬底的加工方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200522224A (en) * | 2003-12-26 | 2005-07-01 | Advanced Semiconductor Eng | Method for forming an underfilling layer on an bumped wafer |
| CN101104781A (zh) * | 2006-07-13 | 2008-01-16 | 日东电工株式会社 | 被加工物的加工方法 |
| CN101982870A (zh) * | 2010-09-21 | 2011-03-02 | 扬州晶新微电子有限公司 | 芯片减薄工艺中芯片的保护方法 |
| WO2011089664A1 (ja) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体保護膜形成用フィルム及び半導体装置 |
| JP2011151099A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの平坦化方法 |
| CN102150240A (zh) * | 2009-01-13 | 2011-08-10 | 东丽先端素材株式会社 | 用于加工半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜 |
| US20120028416A1 (en) * | 2010-07-29 | 2012-02-02 | Nitto Denko Corporation | Film for flip chip type semiconductor back surface and its use |
| CN104246986A (zh) * | 2012-04-24 | 2014-12-24 | 应用材料公司 | 使用uv-可硬化黏着膜的激光及等离子体蚀刻晶圆分割 |
-
2015
- 2015-11-04 CN CN201510740640.0A patent/CN105336581A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200522224A (en) * | 2003-12-26 | 2005-07-01 | Advanced Semiconductor Eng | Method for forming an underfilling layer on an bumped wafer |
| CN101104781A (zh) * | 2006-07-13 | 2008-01-16 | 日东电工株式会社 | 被加工物的加工方法 |
| CN102150240A (zh) * | 2009-01-13 | 2011-08-10 | 东丽先端素材株式会社 | 用于加工半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜 |
| WO2011089664A1 (ja) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体保護膜形成用フィルム及び半導体装置 |
| JP2011151099A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの平坦化方法 |
| US20120028416A1 (en) * | 2010-07-29 | 2012-02-02 | Nitto Denko Corporation | Film for flip chip type semiconductor back surface and its use |
| CN101982870A (zh) * | 2010-09-21 | 2011-03-02 | 扬州晶新微电子有限公司 | 芯片减薄工艺中芯片的保护方法 |
| CN104246986A (zh) * | 2012-04-24 | 2014-12-24 | 应用材料公司 | 使用uv-可硬化黏着膜的激光及等离子体蚀刻晶圆分割 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106783548A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-05-31 | 通富微电子股份有限公司 | 一种晶圆的背胶方法 |
| CN106783548B (zh) * | 2016-12-30 | 2020-01-03 | 通富微电子股份有限公司 | 一种晶圆的背胶方法 |
| CN108321249A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-07-24 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 一种局部减薄砷化镓太阳电池制备方法 |
| CN108565244A (zh) * | 2018-01-11 | 2018-09-21 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 减薄工艺的揭膜方法 |
| CN114678447A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-06-28 | 中锗科技有限公司 | 一种太阳能电池用超薄Ge单晶衬底的加工方法 |
| CN114678447B (zh) * | 2022-03-28 | 2024-01-30 | 中锗科技有限公司 | 一种太阳能电池用超薄Ge单晶衬底的加工方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105336581A (zh) | 功率半导体器件制作方法及装置 | |
| KR100783028B1 (ko) | 태양전지모듈의 보수방법 | |
| JP2000340526A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| CN104485294A (zh) | 一种晶圆临时键合及分离方法 | |
| CN106935547B (zh) | 一种柔性显示装置的制作方法及柔性显示装置 | |
| JP2012174956A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN111029301B (zh) | 一种碳化硅基晶圆的加工方法 | |
| CN103295893A (zh) | 一种晶圆级微组装工艺 | |
| TWI607526B (zh) | 切割包含複數個積體電路之基板的方法 | |
| CN108623180A (zh) | 一种平板显示面板的切割方法 | |
| CN104064509A (zh) | 晶圆暂时键合及分离的方法 | |
| CN102897708A (zh) | Mems晶圆的切割方法 | |
| CN103295892A (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
| CN102045948B (zh) | 采用无流动半固化片压合金属基板的pcb板制作方法 | |
| CN106142761A (zh) | 薄玻璃加工方法 | |
| JP2009212439A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| CN101982870B (zh) | 芯片减薄工艺中芯片的保护方法 | |
| CN103956327A (zh) | 一种激光拆键合工艺方法及系统 | |
| CN103839862A (zh) | 一种机械式拆键合工艺方法 | |
| CN102064092B (zh) | 用于半导体工艺的载体分离方法 | |
| CN203503631U (zh) | 晶圆清洗篮 | |
| JP5371898B2 (ja) | 太陽電池モジュールの封止余剰部材除去装置 | |
| CN107639916A (zh) | 触摸屏全贴合后不良品的重工方法 | |
| CN114605081A (zh) | 一种低破片率超薄玻璃制备方法 | |
| CN105023839A (zh) | 一种制作双层结构硅片的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160217 |