JPWO2021259792A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 式（Ｉ）の化合物であって、
   
   式（Ｉ）中、Ａ^１は、式（ＩＩ）から選択され、
   
   Ｘ^１は、ＣＲ^１またはＮから選択され；
   Ｘ^２は、ＣＲ^２またはＮから選択され；
   Ｘ^３は、ＣＲ^３またはＮから選択され；
   Ｘ^４は、ＣＲ^４またはＮから選択され；
   Ｘ^５は、ＣＲ^５またはＮから選択され；
   Ｒ^１およびＲ^５（存在する場合）は独立して、ＣＮ、ＮＯ_２、ＣＦ_３、ハロゲン、Ｃｌ、Ｆ、ＨまたはＤから選択され；
   Ｒ^２、Ｒ^３、およびＲ^４（存在する場合）は独立して、ＣＮ、ＮＯ_２、部分的フッ素化もしくは全フッ素化Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、ハロゲン、Ｃｌ、Ｆ、ＨまたはＤから選択され；
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４およびＲ^５のいずれが存在する場合も、対応するＸ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４およびＸ^５はＮではなく；
   ただし、
   Ｒ^２およびＲ^４のうち少なくとも１つが存在し、かつＨまたはＤから独立して選択され；
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４またはＲ^５のうち少なくとも３つが存在し、かつ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４またはＲ^５のうち少なくとも１つはＨまたはＤのいずれでもなく；
   式（Ｉ）中、Ａ^２およびＡ^３は独立して、式（ＩＩＩ）から選択され、
   
   式（ＩＩＩ）中、Ａｒは独立して、置換もしくは非置換のＣ_６～Ｃ_１８アリール、ならびに置換もしくは非置換のＣ_２～Ｃ_１８ヘテロアリールから選択され、Ａｒの置換基は独立して、ＣＮ、ＮＯ_２、部分的フッ素化もしくは全フッ素化Ｃ_１～Ｃ_６アルキル、ハロゲン、Ｃｌ、Ｆ、Ｄから選択され；
   Ｒ’は、Ａｒ、置換もしくは非置換のＣ_６～Ｃ_１８アリール、置換もしくは非置換のＣ_３～Ｃ_１８ヘテロアリール、部分的フッ素化もしくは全フッ素化Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、ハロゲン、Ｆ、またはＣＮから選択され；
   アステリスク「＊」は結合位置を示し；かつ
   式（Ｉ）中、Ａ^１、Ａ^２およびＡ^３は、Ａ^１がＡ^２またはＡ^３のうちの少なくとも１つとは異なるように選択される、
   化合物。
2. 式（ＩＶ）から選択される、請求項１に記載の化合物であって、
   
   式（ＩＶ）中、Ｂ^１は、式（Ｖ）から選択され、
   
   Ｂ^３およびＢ^５はＡｒであり、Ｂ^２、Ｂ^４およびＢ^６はＲ’である、
   化合物。
3. 前記化合物が、９個未満のＣＮ基を含む、請求項１に記載の化合物。
4. Ｒ^３が存在し、Ｒ^３はＣＮ、ＮＯ_２、部分的フッ素化もしくは全フッ素化Ｃ_１～Ｃ_８アルキル、ハロゲン、Ｃｌ、またはＦから選択される、請求項１に記載の化合物。
5. Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４またはＲ^５のうち４個未満は、存在する場合、ＨまたはＤである、請求項１に記載の化合物。
6. 計算される前記化合物のＬＵＭＯが、≦－４．３５ｅＶ～≧－５．７５ｅＶの範囲である、請求項１に記載の化合物。
7. Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４およびＸ^５のうち合計０、１、または２個が、Ｎである、請求項１に記載の化合物。
8. Ｒ^１～Ｒ^５のうち２つ以上が、ＨまたはＤのいずれでもない、請求項１に記載の化合物。
9. 式（ＩＶ）の化合物と、式（ＩＶａ）～（ＩＶｄ）の化合物の少なくとも１つと、を含む、組成物。
   
10. 請求項１に記載の化合物を含む、有機半導体層。
11. 陽極層、陰極層、および１つ以上の有機半導体層を含む、有機電子デバイスであって、
    前記１つ以上の有機半導体層は前記陽極層と前記陰極層との間に配置され、かつ、前記１つ以上の有機半導体層は請求項１０に記載の有機半導体層である、
    有機電子デバイス。
12. 前記有機電子デバイスが１つ以上の光活性層をさらに含み、
    前記１つ以上の光活性層は、前記陽極層と前記陰極層との間に配置され、
    前記１つ以上の有機半導体層のうち少なくとも１つは、前記陽極層と前記１つ以上の光活性層との間に配置される、
    請求項１１に記載の有機電子デバイス。
13. 前記光活性層が発光層である、請求項１２に記載の有機電子デバイス。
14. 前記有機電子デバイスが、電界発光デバイスである、請求項１１に記載の有機電子デバイス。
15. 請求項１１に記載の有機電子デバイスを含む、表示デバイス。