JPWO2021010286A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2021010286A5
JPWO2021010286A5 JP2021533019A JP2021533019A JPWO2021010286A5 JP WO2021010286 A5 JPWO2021010286 A5 JP WO2021010286A5 JP 2021533019 A JP2021533019 A JP 2021533019A JP 2021533019 A JP2021533019 A JP 2021533019A JP WO2021010286 A5 JPWO2021010286 A5 JP WO2021010286A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
modification layer
eccentricity
region
internal surface
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021533019A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2021010286A1 (https=
JP7170879B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/JP2020/026885 external-priority patent/WO2021010286A1/ja
Publication of JPWO2021010286A1 publication Critical patent/JPWO2021010286A1/ja
Publication of JPWO2021010286A5 publication Critical patent/JPWO2021010286A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7170879B2 publication Critical patent/JP7170879B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

JP2021533019A 2019-07-18 2020-07-09 処理装置及び処理方法 Active JP7170879B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019133106 2019-07-18
JP2019133106 2019-07-18
PCT/JP2020/026885 WO2021010286A1 (ja) 2019-07-18 2020-07-09 処理装置及び処理方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2021010286A1 JPWO2021010286A1 (https=) 2021-01-21
JPWO2021010286A5 true JPWO2021010286A5 (https=) 2022-03-28
JP7170879B2 JP7170879B2 (ja) 2022-11-14

Family

ID=74210796

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021533019A Active JP7170879B2 (ja) 2019-07-18 2020-07-09 処理装置及び処理方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US12397375B2 (https=)
JP (1) JP7170879B2 (https=)
KR (1) KR102847132B1 (https=)
CN (1) CN114096373B (https=)
TW (1) TWI857095B (https=)
WO (1) WO2021010286A1 (https=)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI877184B (zh) * 2019-07-18 2025-03-21 日商東京威力科創股份有限公司 處理裝置及處理方法
US20230234164A1 (en) * 2022-01-27 2023-07-27 Ii-Vi Delaware, Inc. Polycrystalline diamond (pcd) laser lapping machine
CN117182290A (zh) * 2022-06-01 2023-12-08 华为数字能源技术有限公司 激光加工设备、加工方法以及晶圆薄片
JP7843650B2 (ja) * 2022-06-08 2026-04-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び位置調整方法
JP2024042807A (ja) * 2022-09-16 2024-03-29 キオクシア株式会社 レーザー加工装置、レーザー剥離方法および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP4732934B2 (ja) * 2006-03-20 2011-07-27 株式会社デンソー レーザダイシング方法
JP5065637B2 (ja) 2006-08-23 2012-11-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN102317030B (zh) * 2009-04-07 2014-08-20 浜松光子学株式会社 激光加工装置以及激光加工方法
JP5398332B2 (ja) * 2009-04-16 2014-01-29 信越ポリマー株式会社 半導体ウェーハの製造方法及びその装置
JP6044919B2 (ja) 2012-02-01 2016-12-14 信越ポリマー株式会社 基板加工方法
JP6124547B2 (ja) * 2012-10-16 2017-05-10 株式会社ディスコ 加工方法
JP6523991B2 (ja) * 2015-04-14 2019-06-05 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
JP6516184B2 (ja) * 2015-05-19 2019-05-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 脆性基板のスライス装置及び方法
JP6552898B2 (ja) * 2015-07-13 2019-07-31 株式会社ディスコ 多結晶ＳｉＣウエーハの生成方法
JP6851040B2 (ja) * 2016-03-29 2021-03-31 国立大学法人埼玉大学 基板加工方法および基板加工装置
JP6779486B2 (ja) * 2016-08-16 2020-11-04 国立大学法人埼玉大学 基板加工方法および基板加工装置
JP6908464B2 (ja) * 2016-09-15 2021-07-28 株式会社荏原製作所 基板加工方法および基板加工装置
JP6817761B2 (ja) * 2016-09-21 2021-01-20 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP6844901B2 (ja) * 2017-05-26 2021-03-17 株式会社ディスコ レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6911277B2 (ja) * 2017-09-22 2021-07-28 株式会社東京精密 レーザー加工装置及びレーザー加工方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2021010286A5 (https=)
JPWO2021010287A5 (https=)
JPWO2021010285A5 (https=)
JP6360496B2 (ja) 窒化ケイ素誘電体膜をパターニングする方法
CN101042999A (zh) 硬掩模叠层和图案化方法
JPWO2021010284A5 (https=)
JP2018056257A5 (https=)
JP7407583B2 (ja) 自己整合マルチパターニングにおいてスペーサプロファイルを再整形する方法
JP2004134750A5 (https=)
CN104183470B (zh) 一种半导体器件的制造方法
CN110880472A (zh) 具有浅沟槽隔离结构的半导体器件及其制备方法
CN102760658B (zh) 闸介电层的制作方法
WO2024148797A1 (zh) 半导体器件及其制备方法
CN104882407A (zh) 一种半导体器件的制造方法
CN104183471B (zh) 一种半导体器件的制造方法
CN108389789B (zh) 半导体热处理方法
CN104882405B (zh) 一种半导体器件的制造方法
CN119521752B (zh) 半导体器件及其形成方法
CN105448801A (zh) 一种形成浅沟槽隔离的方法
JP6486137B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP6369402B2 (ja) 半導体基板の製造方法及び半導体基板
CN112447497A (zh) 氧化层形成方法、半导体器件的制作方法及半导体器件
CN102738058B (zh) 有源区的形成方法和sti沟槽的形成方法
TWI241642B (en) Method of fabricating shallow trench isolation for avoiding wafer scratch
TWI508222B (zh) 形成溝渠及溝渠絕緣的方法