JP6369402B2 - 半導体基板の製造方法及び半導体基板 - Google Patents
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Description
半導体基板上に酸化膜を形成し、該酸化膜上に電極を形成してMOS構造を作製した後、水素を含有した窒素雰囲気中で、前記MOS構造の前記電極が形成された表面側又は、該表面と反対側の裏面側にコロナチャージを行うことを特徴とする半導体基板の製造方法を提供する。
前記裏面側に前記コロナチャージを行うことが好ましい。
前記水素を含有した窒素雰囲気中の水素含有量を4%未満とすることが好ましい。
半導体基板上に酸化膜と電極とがこの順で形成されたMOS構造において、前記電極が形成された表面側又は、該表面と反対側の裏面側に、水素を含有した窒素雰囲気中でコロナチャージが施されたものであることを特徴とする半導体基板を提供する。
前記裏面側に前記コロナチャージが施されたものとすることができる。
水素含有量が4%未満である前記水素を含有した窒素雰囲気中において施されたものとすることができる。
上述したように、半導体基板と酸化膜との界面の界面準位密度を低減させるためには、大掛かりな装置が必要とされるという問題があり、大掛かりな装置を必要としない簡便な方法で、半導体基板と酸化膜との界面の界面準位密度を低減することが望まれていた。
ここでは、図5に示すように、半導体基板として半導体シリコン基板W(シリコンウェーハ)を用いた場合について説明する。ただし本発明はこれに限定されず、適宜、目的に応じた半導体基板を用いることができる。
最初に、半導体基板を準備する。ここでは、図2に示すように、半導体シリコン基板W(シリコンウェーハ)を用いた場合について説明する。ただし本発明はこれに限定されず、適宜、目的に応じた半導体基板を準備することができる。
上記のような半導体シリコン基板Wに、酸化処理を行って酸化膜2(ゲート酸化膜)を形成する。この酸化膜2の形成は、例えば、半導体シリコン基板Wをボートに載置して横型熱処理炉もしくは縦型熱処理炉に投入し、酸素雰囲気下で熱処理を行うことにより容易に形成することができる。この酸化膜2の形成方法は特に限定されず、上記熱処理炉は例えば従来のものを用いることができるし、また、熱処理の条件等は目的に合わせてその都度決定することができる。
次に、半導体シリコン基板Wに形成した酸化膜2上に電極3を形成するが、この電極3の材料として、例えばポリシリコン(多結晶シリコン)を用いることができる。又はAl等の他の材料を選ぶこともでき、コスト等によって適宜決定することができる。
以上のようにして、半導体シリコン基板WにMOS構造4を作製した後、コロナチャージを行う。
まず、試料としてボロンをドープしたP型で直径が200mmのシリコンウェーハを準備した。シリコンウェーハの抵抗率は10Ω・cmであった。このシリコンウェーハに、900℃の乾燥雰囲気中で25nmの厚さのゲート酸化を行って、酸化膜を形成した。この際、乾燥酸素雰囲気からの取り出し温度を800℃、700℃、600℃と変化させることによって、界面準位密度を変化させたサンプルを作製した。なお、取り出し温度が800℃のサンプルを(a)、700℃のサンプルを(b)、600℃のサンプルを(c)とした。
酸化膜を形成する際に、乾燥酸素雰囲気からの取り出し温度を変化させることによって、界面準位密度を変化させたサンプル(a)〜(c)を実施例と同様にして作製した。
5…コロナチャージプローブ、 6…ガス導入口、 7…ステージ、
W…半導体シリコン基板。
Claims (6)
- MOS構造を有する半導体基板の製造方法であって、
半導体基板上に酸化膜を形成し、該酸化膜上に電極を形成してMOS構造を作製した後、水素を含有した窒素雰囲気中で、前記MOS構造の前記電極が形成された表面側又は、該表面と反対側の裏面側にコロナチャージを行うことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 前記MOS構造の電極が金属電極の場合に、
前記裏面側に前記コロナチャージを行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記コロナチャージを行う際に、
前記水素を含有した窒素雰囲気中の水素含有量を4%未満とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体基板の製造方法。 - MOS構造を有する半導体基板であって、
半導体基板上に酸化膜と電極とがこの順で形成されたMOS構造において、前記電極が形成された表面側又は、該表面と反対側の裏面側に、水素を含有した窒素雰囲気中でコロナチャージが施されたものであることを特徴とする半導体基板。 - 前記MOS構造の電極が金属電極であり、
前記裏面側に前記コロナチャージが施されたものであることを特徴とする請求項4に記載の半導体基板。 - 前記コロナチャージが、
水素含有量が4%未満である前記水素を含有した窒素雰囲気中において施されたものであることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の半導体基板。
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