JPWO2020017207A1 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
1.実施の形態
(基板上に下地層として層内の転位方向が互いに異なる2層を設けた例)
1−1.半導体レーザの構成
1−2.半導体レーザの製造方法
1−3.作用・効果
2.変形例
(基板と第1下地層との間、第1下地層と第2下地層との間、第2下地層とデバイス層との間に、それぞれ中間層を設けた例)
図1は、本開示の一実施の形態に係る半導体発光素子(半導体発光素子1)の断面構成を模式的に表したものである。この半導体発光素子1は、例えば可視領域、特に480nm以上の波長の光を出射する半導体レーザ(LD)あるいは発光ダイオード(LED)等である。本実施の形態の半導体発光素子1は、c面からm軸方向に60°以上90°以下の範囲で傾斜した面を主面とする基板11(窒化物半導体基板)上に、層内の転位方向が互いに異なる第1下地層12(第1層)および第2下地層13がこの順に積層されたものであり、第2下地層13(第2層)上には、さらに活性層(例えば、活性層23)を有するデバイス層20(デバイス)が設けられている。なお、図1は、半導体発光素子1の断面構成を模式的に表したものであり、実際の寸法,形状とは異なっている。
図2は、半導体発光素子1の一具体例としての半導体レーザ1Aの断面構成の一例を模式的に表したものである。半導体レーザ1Aは、例えば480nm以上のピーク波長を有するレーザ光を発振する窒化物系の半導体レーザであり、例えばレーザディスプレイやポインタ等の光源として用いられるものである。半導体レーザ1Aでは、上記基板11、第1下地層12および第2下地層13からなるテンプレート基板10上に、デバイス層20として、n型クラッド層21、n型ガイド層22、活性層23、p型ガイド層24、リッジ部25Xを有するp型クラッド層25、コンタクト層26およびp型クラッド層25の上面からリッジ部25Xの側面およびコンタクト層26の側面に設けられた電流狭窄層27が順に積層された構成を有する。基板11の裏面(上記デバイス層20の形成面とは反対側の面)およびコンタクト層26上には、それぞれ、下部電極31および上部電極32が設けられている。
本実施の形態の半導体レーザ1Aは、例えば以下のように製造することができる。図3は、半導体レーザ1Aの製造方法の流れを表したものであり、図4A〜図4Cは、半導体レーザ1Aの製造方法を工程順に表したものである。
前述したように、近年、光源用途として窒化物半導体を用いた青色帯域〜緑色帯域の光を発する半導体レーザおよび発光ダイオードの開発が活発に行われている。その中でも、半極性や非極性の窒化物半導体は、ピエゾ電界の影響を小さくでき、長波長帯域の光を発する半導体発光素子を構成する上で効果的である。
図7は、本開示の一実施の形態に係る半導体発光素子(半導体発光素子2)の断面構成を模式的に表したものである。この半導体発光素子2は、上記実施の形態と同様に、例えば可視領域、特に480nm以上の波長の光を出射する半導体レーザ(LD)あるいは発光ダイオード(LED)等である。本変形例の半導体発光素子2は、半導体発光素子1と同様に、c面からm軸方向に60°以上90°以下の範囲で傾斜した面を主面とする基板11上に、第1下地層12および第2下地層13がこの順に積層されたテンプレート基板40上に、活性層(例えば、活性層23)を有するデバイス層20(デバイス)が設けられたものである。本変形例では、テンプレート基板40として、基板11と第1下地層12との間、第1下地層12と第2下地層13との間、第2下地層13とデバイス層20との間に、それぞれ中間層44,45,46が設けられた点が上記実施の形態とは異なる。
[1]
c面からm軸方向に60°以上90°以下の範囲で傾斜した面を主面とする窒化物半導体基板と、
前記窒化物半導体基板上に設けられ、Alx2Inx1Ga(1-x1-x2)N(0<x1<1,0≦x2<1)からなると共に、前記窒化物半導体基板の主面と(1−100)面とが交差する交線に沿った転位を有する第1層およびAly2Iny1Ga(1-y1-y2)N(0<y1<1,0≦y2<1)からなると共に、前記窒化物半導体基板の主面と(0001)面とが交差する交線に沿った転位を有する第2層が積層された下地層と、
前記下地層上に設けられた活性層を含むデバイス層と
を備えた半導体発光素子。
[2]
前記第1層のインジウム(In)組成x1および前記第2層のインジウム(In)組成y1は下記式(1)を満たす、前記[1]に記載の半導体発光素子。
(数1)0.5%≦y1<6%≦x1≦100%・・・(1)
[3]
前記第1層の膜厚d1および前記第2層の膜厚d2は下記式(2)を満たす、前記[1]または[2]に記載の半導体発光素子。
(数2)3nm≦d1<50nm≦d2≦1μm・・・(2)
[4]
前記窒化物半導体基板の主面は、(10−11)、(20−21)、(30−31)および(1−100)のうちのいずれかである、前記[1]乃至[3]のうちのいずれかに記載の半導体発光素子。
[5]
前記活性層は、0.5%以上のIn組成を有するGaInN層の上方にコヒーレントに成長されている、前記[1]乃至[4]のうちのいずれかに記載に半導体発光素子。
[6]
前記活性層は480nm以上のピーク波長を有するレーザ光を発振する、前記[1]乃至[5]のうちのいずれかに記載の半導体発光素子。
[7]
前記活性層は、インジウム(In)を20%以上50%以下の範囲で含む、前記[1]乃至[6]のうちのいずれかに記載の半導体発光素子。
[8]
前記第1層および前記第2層はAlGaInNの4元系からなり、前記窒化物半導体基板よりも格子定数が大きい、前記[1]乃至[7]のうちのいずれかに記載の半導体発光素子。
Claims (8)
- c面からm軸方向に60°以上90°以下の範囲で傾斜した面を主面とする窒化物半導体基板と、
前記窒化物半導体基板上に設けられ、Alx2Inx1Ga(1-x1-x2)N(0<x1<1,0≦x2<1)からなると共に、前記窒化物半導体基板の主面と(1−100)面とが交差する交線に沿った転位を有する第1層およびAly2Iny1Ga(1-y1-y2)N(0<y1<1,0≦y2<1)からなると共に、前記窒化物半導体基板の主面と(0001)面とが交差する交線に沿った転位を有する第2層が積層された下地層と、
前記下地層上に設けられた活性層を含むデバイス層と
を備えた半導体発光素子。 - 前記第1層のインジウム(In)組成x1および前記第2層のインジウム(In)組成y1は下記式(1)を満たす、請求項1に記載の半導体発光素子。
(数1)0.5%≦y1<6%≦x1≦100%・・・(1)
- 前記第1層の膜厚d1および前記第2層の膜厚d2は下記式(2)を満たす、請求項1に記載の半導体発光素子。
(数2)3nm≦d1<50nm≦d2≦1μm・・・(2)
- 前記窒化物半導体基板の主面は、(10−11)、(20−21)、(30−31)および(1−100)のうちのいずれかである、請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記活性層は、0.5%以上のIn組成を有するGaInN層の上方にコヒーレントに成長されている、請求項1に記載に半導体発光素子。
- 前記活性層は480nm以上のピーク波長を有するレーザ光を発振する、請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記活性層は、インジウム(In)を20%以上50%以下の範囲で含む、請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記第1層および前記第2層はAlGaInNの4元系からなり、前記窒化物半導体基板よりも格子定数が大きい、請求項1に記載の半導体発光素子。
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